CN108554334A - 一种mpcvd合成设备及合成温度控制方法 - Google Patents

一种mpcvd合成设备及合成温度控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种MPCVD合成设备及合成温度控制方法，该合成设备包括反应腔、用于向反应腔输出电磁波的微波输出装置、用于控制反应腔内气体压力的气压控制装置和用于测量反应腔内合成物表面温度的温度测量装置；还包括控制中心，所述微波输出装置、气压控制装置和温度测量装置均与控制中心通信连接。本发明的合成设备可在温度偏离时自动调整功率和反应腔气体压力，使得功率‑压力自动匹配，从而将温度恢复至特定的区间范围内；在单颗合成物合成过程中，可以有效的控制合成物合成温度，提高最终产品的质量；在多颗合成物合成过程中，当其中某一颗温度发生偏离时，可以反馈至机台端报警提示，及时做出相应调整，提高同一批次合成物的合成质量及良品率。

Description

一种MPCVD合成设备及合成温度控制方法
技术领域
本发明涉及一种MPCVD合成设备及合成温度控制方法，尤其适用于金刚石的合成。
背景技术
MPCVD法不仅可以用于合成金刚石，还适用于很多其他材料的制备。金刚石由于具有极其优异的物理化学性质，引起了大家的关注。但天然金刚石储量有限，于是人们开发出多种合成金刚石方法，如高温高压法（HPHT）、热丝化学气相沉积法（HJCVD）。其中微波等离子体化学气相沉积法（Microwave plasma chemical vapor deposition）合成金刚石法由于没有杂质的引入，可以合成出高质量、大面积的金刚石。
MPCVD法合成金刚石的质量与多种因素有关，包括碳源浓度，气体流量大小，温度，基板台高度，微波功率，合成温度。合成温度对于合成金刚石质量具有极大地关系，因此合成过程中自动监测金刚石的温度非常关键。
微波等离子体化学气相沉积法（Microwave plasma chemical vapordeposition）合成金刚石的流程图如图1所示。一般地，用于合成金刚石的MPCVD合成设备包括微波输出装置、用于进行化学沉积反应的腔体结构和对腔体结构内金刚石表面温度进行监测的测温装置。
MPCVD法合成金刚石时，常用测温技术主要如图2所示。仅可提供对一颗金刚石籽晶的实时温度测量，一般以非接触式红外测温仪为测温装置，通过腔体结构上的观察窗，非接触式红外测温仪将激光点位调节至所要测量的位置，固定后进行监控。
现有的测温技术具有如下缺点：
1)在合成金刚石的过程中，非接触式测温装置仅得到某一点的测温结果，无法知晓较大区域内的温度分布；
2）在合成单颗金刚石的过程中，非接触式测温装置虽然可以得到某一点的测温结果，但是无法对功率及压力进行实时反馈，导致在合成过程中，温度上升后设备无任何反馈措施，无法保证温度的稳定性，导致合成的金刚石质量降低。
3）在同时合成多颗金刚石的过程中，无法同时测量其他颗的金刚石温度，即实时确定多颗金刚石的温度均匀性，但是在实际合成实验中，由于各种原因，导致多片金刚石的温度不均现象。由于无法确定多颗金刚石的温度均匀性，进而对同一批次金刚石的合成品质、稳定性及良品率造成了较大地影响。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种MPCVD合成设备及合成温度控制方法，以解决MPCVD合成过程中金刚石表面温度难以保持稳定的问题。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：一种MPCVD合成设备，包括反应腔、用于向反应腔输出电磁波的微波输出装置、用于控制反应腔内气体压力的气压控制装置和用于测量反应腔内合成物表面温度的温度测量装置；还包括控制中心，所述微波输出装置、气压控制装置和温度测量装置均与控制中心通信连接。
进一步地，还包括微波传输***，微波传输***用于将微波从微波输出装置导入反应腔。可选的微波传输***一般包括波导、环形器、水负载、螺钉阻抗调节器、短路活塞、微波转换天线等部件。
进一步地，所述控制中心包括计算机、单片机和PLC中的一种，进一步地，也可为其他具备数据处理功能的器件。
采用这样的结构设计，合成过程中，当通过温度测量装置检测到温度偏离预先设定的温度区间时，控制中心将自动调节设备的微波输出功率和/或反应腔气体压力，使温度回复至预先设定的温度区间，确保合成过程中合成物（如金刚石）表面温度的稳定性，显著提高合成物的品质。
进一步地，一种可选的调节微波输出功率和/或反应腔体气体压力的方法包括，当温度高于预设温度区间，控制中心先向微波发生装置发送功率调节指令，降低输出功率，之后向气压控制装置发送气压调整指令，降低反应腔体气压，直至目标产品的表面温度落入预设温度区间。当温度低于预设温度区间，控制中心先向气压调节装置发送功率调节指令，增加气压，之后向微波发生装置发送气压调整指令，增加气压，直至目标产品的表面温度落入预设温度区间。
进一步地，所述的功率调节指令与气压调节指令相对应，具体功率调节幅度与对应的气压调节幅度可以根据不同的反应进行设定。可选的，微波输出功率降低4-100W，气压降低0-5mbar；气压增加0.5~5mbar，功率增加4-100W。
所述反应腔内设有基台，所述温度测量装置设置于反应腔侧壁上，该温度测量装置为非接触式温度测量装置，该非接触式温度测量装置的测温区域包括基台顶面。可选的，所述的非接触式温度测量装置为红外测温仪。
所述反应腔侧壁上设有可视观察基台顶面的观察窗，所述非接触式温度测量装置设置于观察窗上。
所述观察窗内设有用于获取基台顶面及合成物表面的图像信息的图像获取机构，优选为CCD（Charge-coupled Device）或相机。
所述温度测量装置为单点远程测温装置或多点远程测温装置。其中，单点远程测温装置是指某时刻只能测量某一点或某一块区域的温度的远程测温装置；多点远程测温装置是指某时刻可测量多个点或多块区域的温度的远程测温装置。
所述温度测量装置为单点远程测温装置，该单点远程测温装置可控制其测温点进行循环运动。进一步地，所述循环运动可以为重复的环状运动，也可以为直线式或曲线式往复运动。这样可采集反应腔内合成物表面不同部位或者反应腔内不同合成物表面的温度数据，从而获得合成过程中，反应腔内合成物表面不同部位或者反应腔内不同合成物的温度变化情况，为合成物合成工艺的研究和改进，以及如何实现精确温度补偿提供数据支撑。
采用测温点可进行循环运动的单点远程测温装置或多点远程测温装置，在多颗合成物（如多颗金刚石）的合成过程中，可同时监测所有合成物表面温度的变化情况，当所有合成物表面温度整体超出或者其中部分合成物表面温度超出预先设定的温度区间时，控制中心可通过温度测量装置分析采集到的温度数据，自动调节设备的微波输出功率（对应地，向微波输出装置发出功率调节指令）和/或反应腔气体压力（对应地，向气压控制装置发出气体压力调节指令），使温度回复至设定的温度区间，确保合成过程中合成物表面温度的稳定性，从而提高同一批次合成物的合成质量及良品率。
还包括与控制中心通信连接的显示屏。通过显示屏可直观展示温度变化情况数据，例如，同时对反应腔内不同测温点进行温度监测时，温度测量装置可将采集到的温度信号传输给控制中心，控制中心对温度信号进行分析处理后，获得反应腔内部合成物表面的温度分布情况图，并输出到显示屏上，从而供操作人员直观地查看合成过程中各测温点的温度变化情况。
如上所述的合成设备中合成温度的控制方法，合成过程中，温度测量装置实时采集反应腔内合成物表面温度信号并将该温度信号传输给控制中心，控制中心对该温度信号进行分析处理并与预设温度区间进行比对，当控制中心判断合成物表面温度位于预设温度区间内时，合成设备继续照常运行；当控制中心判断合成物表面温度偏离预设温度区间时，控制中心向微波输出装置发出微波功率调节指令，并/或向气压控制装置发出气体压力调节指令，使得合成物表面温度回复至预设温度区间内。
进一步地，合成温度的控制过程中，可同时调整气体压力和微波功率，使之匹配；当检测到合成物表面温度过高（超过预设温度区间）时，同时降低气体压力和微波功率，反之，同时升高气体压力和微波功率。同样，也可单独调整微波功率或单独调整气体压力，以达到控制合成温度的目的。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1.该温度测量装置在进行温度测量时，不断地给予控制中心反馈，在温度偏离时自动调整功率和反应腔气体压力，使得功率-压力自动匹配，从而将温度恢复至特定的区间范围内；
2.本发明中温度测量装置，可以测量大区域或多个测量点的温度，同时给出测温区域内的温度分布图，为合成物合成工艺的研究和改进，以及如何实现精确温度补偿提供数据支撑；
3.在单颗合成物合成过程中，可以有效的控制合成物合成温度，使其稳定在一定的温度区间，提高最终产品的质量；
4.在多颗合成物合成过程中，当整体温度偏离预设温度区间时，控制中心作出判断并自动调整微波输出功率及反应腔内气体压力，使温度恢复至预设温度区间内，有效地提高产品质量；当其中某一颗温度发生偏离时，可以反馈至机台端报警提示，及时做出相应调整，提高同一批次合成物的合成质量及良品率。
附图说明
图1是现有化学气相沉积制备金刚石流程图。
图2是现有化学气相沉积法合成金刚石测温示意图。
图3是本发明的一种MPCVD合成设备的控制原理图。
图4是本发明的一种MPCVD合成设备的反应腔的结构示意图。
图5是本发明的一种MPCVD合成设备的合成温度控制流程图。
具体实施方式
以下将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。为叙述方便，下文中如出现“上”、“下”、“左”、“右”字样，仅表示与附图本身的上、下、左、右方向一致，并不对结构起限定作用。
如图3所示，一种MPCVD合成设备，包括反应腔1、用于向反应腔输出电磁波的微波输出装置2、用于控制反应腔内气体压力的气压控制装置4和用于测量反应腔内合成物表面温度的温度测量装置3；还包括控制中心5和数据采集装置7，所述微波输出装置2、气压控制装置4和温度测量装置3均与数据采集装置7通信连接，数据采集装置7与控制中心5通信连接。
如图4所示，所述反应腔1内设有基台101，所述反应腔侧壁上设有可视范围覆盖基台顶面的观察窗102，所述温度测量装置3设置于观察窗上，该温度测量装置为非接触式温度测量装置，该非接触式温度测量装置的测温区域包括基台顶面。
所述观察窗内设有用于获取基台顶面及合成物表面的图像信息的图像获取机构。
所述温度测量装置为单点远程测温装置，该单点远程测温装置可控制其测温点进行循环运动。
还包括与控制中心通信连接的显示屏6。
如图5所示，以金刚石的合成为例，如上所述的合成设备中合成温度的控制方法，合成过程中，温度测量装置实时采集反应腔内金刚石表面温度信号并将该温度信号传输给控制中心，控制中心对该温度信号进行分析处理并与预设温度区间进行比对，当控制中心判断金刚石表面温度位于预设温度区间内时，合成设备继续照常运行；当控制中心判断金刚石表面温度偏离预设温度区间时，控制中心向微波输出装置发出微波功率调节指令，并向气压控制装置发出气体压力调节指令，使得气压-功率自动匹配，使得金刚石表面温度回复至预设温度区间内。
同时合成多颗金刚石时，可控制测温点进行循环运动，以采集不同金刚石表面的温度数据，实现对各颗金刚石表面温度的监测，当控制中心发现某颗金刚石表面温度发生偏离时，控制中心通过显示屏发出报警提示，并向微波输出装置和/或气压控制装置发出相关调整指令，使得该颗金刚石表面的温度恢复至预设温度区间，保证各金刚石表面温度的均匀性，提高同一批次金刚石的合成质量及良品率。
上述实施例阐明的内容应当理解为这些实施例仅用于更清楚地说明本发明，而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落入本申请所附权利要求所限定的范围。

Claims (9)

1.一种MPCVD合成设备，其特征在于，包括反应腔、用于向反应腔输出电磁波的微波输出装置、用于控制反应腔内气体压力的气压控制装置和用于测量反应腔内合成物表面温度的温度测量装置,还包括控制中心，所述微波输出装置、气压控制装置和温度测量装置均与控制中心通信连接。
2.根据权利要求1所述的MPCVD合成设备，其特征在于，所述反应腔内设有基台，所述温度测量装置设置于反应腔侧壁上，该温度测量装置为非接触式温度测量装置，该非接触式温度测量装置的测温区域包括基台顶面。
3.根据权利要求2所述的MPCVD合成设备，其特征在于，所述反应腔侧壁上设有可视观察基台顶面的观察窗，所述非接触式温度测量装置设置于观察窗上。
4.根据权利要求2所述的MPCVD合成设备，其特征在于，所述观察窗内设有用于获取基台顶面及合成物表面的图像信息的图像获取机构。
5.根据权利要求1所述的MPCVD合成设备，其特征在于，所述温度测量装置为单点远程测温装置或多点远程测温装置。
6.根据权利要求1所述的MPCVD合成设备，其特征在于，所述温度测量装置为单点远程测温装置，该单点远程测温装置可控制其测温点进行循环运动。
7.根据权利要求1所述的MPCVD合成设备，其特征在于，还包括与控制中心通信连接的显示屏。
8.如权利要求1-7任一项所述的合成设备中合成温度的控制方法，其特征在于，合成过程中，温度测量装置实时采集反应腔内合成物表面温度信号并将该温度信号传输给控制中心，控制中心对该温度信号进行分析处理并与预设温度区间进行比对，当控制中心判断合成物表面温度位于预设温度区间内时，合成设备继续照常运行；当控制中心判断合成物表面温度偏离预设温度区间时，控制中心向微波输出装置发出微波功率调节指令，并/或向气压控制装置发出气体压力调节指令，使得合成物表面温度回复至预设温度区间内。
9.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于，调节微波输出功率和/或反应腔体气体压力的方法包括，当温度高于预设温度区间，控制中心先向微波发生装置发送功率调节指令，降低输出功率，之后向气压控制装置发送气压调整指令，降低反应腔体气压，直至目标产品的表面温度落入预设温度区间；当温度低于预设温度区间，控制中心先向气压调节装置发送功率调节指令，增加气压，之后向微波发生装置发送气压调整指令，增加气压，直至目标产品的表面温度落入预设温度区间。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109666924A (zh) * 2018-12-20 2019-04-23 长沙新材料产业研究院有限公司 一种环形器保护***及控制方法
CN110760816A (zh) * 2019-12-02 2020-02-07 长沙新材料产业研究院有限公司 金刚石在线检测生长装置及生长缺陷处理方法
CN110917998A (zh) * 2019-12-02 2020-03-27 长沙新材料产业研究院有限公司 一种金刚石生长的在线监控方法及金刚石合成设备
CN112684829A (zh) * 2020-12-22 2021-04-20 同济大学 一种用于mpcvd装置的温度检测控制***和方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6417869A (en) * 1987-07-13 1989-01-20 Hitachi Ltd Microwave plasma chemical vapor deposition device
CN1608148A (zh) * 2001-11-07 2005-04-20 华盛顿卡内基研究所 生产金钢石的装置和方法
JP2013517631A (ja) * 2010-01-18 2013-05-16 エレメント シックス リミテッド Ｃｖｄ単結晶ダイヤモンド材料
CN103403837A (zh) * 2010-12-23 2013-11-20 六号元素有限公司 用于制造合成金刚石的微波等离子体反应器和基底
CN104357810A (zh) * 2014-11-04 2015-02-18 大连理工常州研究院有限公司 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备
CN105021288A (zh) * 2015-08-05 2015-11-04 浙江大学 一种用于热丝化学气相沉积衬底表面温度测量的装置
CN105506575A (zh) * 2015-12-08 2016-04-20 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种低温纳米/超纳米金刚石薄膜的制造设备和方法
CN105739559A (zh) * 2016-05-11 2016-07-06 北京小焙科技有限公司 一种温度控制方法及***

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6417869A (en) * 1987-07-13 1989-01-20 Hitachi Ltd Microwave plasma chemical vapor deposition device
CN1608148A (zh) * 2001-11-07 2005-04-20 华盛顿卡内基研究所 生产金钢石的装置和方法
JP2013517631A (ja) * 2010-01-18 2013-05-16 エレメント シックス リミテッド Ｃｖｄ単結晶ダイヤモンド材料
CN103403837A (zh) * 2010-12-23 2013-11-20 六号元素有限公司 用于制造合成金刚石的微波等离子体反应器和基底
CN104357810A (zh) * 2014-11-04 2015-02-18 大连理工常州研究院有限公司 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备
CN105021288A (zh) * 2015-08-05 2015-11-04 浙江大学 一种用于热丝化学气相沉积衬底表面温度测量的装置
CN105506575A (zh) * 2015-12-08 2016-04-20 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种低温纳米/超纳米金刚石薄膜的制造设备和方法
CN105739559A (zh) * 2016-05-11 2016-07-06 北京小焙科技有限公司 一种温度控制方法及***

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
胡美华等: "国产六面顶压机多晶种法合成宝石级金刚石单晶 ", 《物理学报》 *
谈仲军等: "单次多颗大单晶金刚石生长技术", 《第四届郑州国际超硬材料及制品研讨会》 *
顾利萍等: "微波等离子体CVD金刚石膜的温度效应", 《常熟理工学院学报（自然科学）》 *
黄国锋等: "Ⅰb型宝石级金刚石单晶的多晶种合成 ", 《超硬材料工程》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109666924A (zh) * 2018-12-20 2019-04-23 长沙新材料产业研究院有限公司 一种环形器保护***及控制方法
CN110760816A (zh) * 2019-12-02 2020-02-07 长沙新材料产业研究院有限公司 金刚石在线检测生长装置及生长缺陷处理方法
CN110917998A (zh) * 2019-12-02 2020-03-27 长沙新材料产业研究院有限公司 一种金刚石生长的在线监控方法及金刚石合成设备
CN112684829A (zh) * 2020-12-22 2021-04-20 同济大学 一种用于mpcvd装置的温度检测控制***和方法

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