CN108517506A - 基板载置装置和方法、成膜装置和方法、对准装置和方法以及电子器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供基板载置装置和方法、成膜装置和方法、对准装置和方法以及电子器件的制造方法。在有机EL显示器的制造中降低将基板载置于载置体时的形变。使用基板载置装置,该基板载置装置具有夹持部件和载置部件,该夹持部件具有用于将基板的周缘部在基板的厚度方向上夹持的多个夹持件,该载置部件用于将基板载置在载置体之上,夹持部件具有可改变多个夹持件的夹持力的夹持力可变部件,夹持力可变部件使多个夹持件中的第一夹持件的夹持力以与多个夹持件中的第二夹持件独立的方式可变。
Description
技术领域
本发明涉及基板载置装置、基板载置方法、成膜装置、成膜方法、对准装置、对准方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示器等电子器件制造中,具有使有机材料蒸镀到基板上的工序。在蒸镀工序中,蒸镀装置利用支承或夹持基板的周缘部(四边)的基板保持单元来支承基板。此外,基板保持单元在支承基板的状态下,使基板与掩模等载置体接触并载置于掩模等载置体。在此,由基板的外周中的一方的相向边部(例如长边部)夹持基板,由基板的外周中的另一方的相向边部(例如短边部)不夹持而仅支承。在专利文献1中记载有通过蒸镀而制造有机EL显示器的装置的一例。
专利文献1:日本特开2009-277655号公报
在上述的对有机材料等进行蒸镀时的夹持工序中,在将成膜区域设于基板中央部的关系上,能够对基板进行夹持的部位仅限于基板的周缘部。因此,有时由于基板自身的重量而在中央部产生挠曲。特别是近年来,基板的大型化、薄型化得到发展,载置基板时由于基板的自重而导致的挠曲的影响增大。若在产生了挠曲的状态下将基板载置于载置体,则基板会产生形变,为了通过对准而修正该形变要花费时间或有可能造成制造品质降低。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而提出的,其目的在于,在有机EL显示器的制造中降低将基板载置于载置体时的形变。
用于解决课题的方案
为了上述目的,本发明采用以下的技术方案。即,一种基板载置装置,具有夹持部件和载置部件,该夹持部件具有用于将基板的周缘部在所述基板的厚度方向上夹持的多个夹持件;该载置部件用于将基板载置在载置体之上,其特征在于,
所述夹持部件还具有可改变所述多个夹持件的夹持力的夹持力可变部件,
所述夹持力可变部件使所述多个夹持件中的第一夹持件的夹持力以与所述多个夹持件中的第二夹持件独立的方式可变。
本发明还采用以下的技术方案。即,一种基板载置方法,具有夹持工序和载置工序,在该夹持工序中,由多个夹持件将基板的周缘部在所述基板的厚度方向上夹持;在该载置工序中,将被夹持的基板载置于载置体,其特征在于,
在所述夹持工序中,使多个夹持件中的第一夹持件的夹持力与第二夹持件的夹持力不同地夹持基板。
本发明还采用以下的技术方案。即,一种基板载置方法,具有夹持工序和载置工序,在该夹持工序中,由夹持件将基板的周缘部在所述基板的厚度方向上夹持;在该载置工序中,将被夹持的基板载置于载置体,其特征在于,
在所述夹持工序中,由所述夹持件夹持基板的周缘部中的第一边的内侧,不夹持所述基板的周缘部中的与所述第一边相向的第二边的内侧。
发明的效果
根据本发明,能够降低有机EL显示器的制造中基板载置于载置体时的形变。
附图说明
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。
图3是基板保持单元的立体图。
图4是表示有机EL显示装置的构造的图。
图5是表示实施例1中的基板的夹持以及载置处理的流程的图。
图6是表示在实施例1中对基板施加的夹持力的平面图。
图7是表示实施例2中的基板保持单元以及夹持机构的结构的图。
图8是表示实施例3的基板的夹持以及载置处理的流程的图。
图9是表示实施例4的基板的夹持以及载置处理的流程的图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的优选的实施方式以及实施例。但以下的实施方式以及实施例仅例示地表示本发明的优选的结构,本发明的范围不受这些结构的限定。此外,以下的说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载,本发明的范围就不限定于它们。
本发明涉及在基板上形成薄膜的成膜装置及其控制方法,特别是涉及用于基板的高精度的搬送以及位置调整的技术。本发明能够优选应用于通过真空蒸镀在平行平板的基板的表面形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料,能够选择玻璃、树脂、金属等任意的材料,此外,作为蒸镀材料,也能够选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。此外,不仅能够形成有机膜,也能够形成金属膜。具体而言,本发明的技术能够应用于有机电子器件(例如,有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。特别是由于基板的大型化或显示面板的高精细化,进一步要求提高基板的搬送精度以及基板与掩模的对准精度,因此,有机EL显示装置的制造装置是本发明优选的应用例之一。
[制造装置以及制造工艺]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。图1的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下,在对例如约1800mm×约1500mm、厚度约0.5mm的尺寸的基板进行了有机EL的成膜后,冲切该基板而制作多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置如图1所示,一般具有多个成膜室111、112和搬送室110。在搬送室110内设有保持并搬送基板10的搬送机器人119。搬送机器人119例如是具有在多关节臂上安装有保持基板的机器人手的构造的机器人,进行基板10相对于各成膜室的搬入/搬出。
在各成膜室111、112分别设有成膜装置(也称蒸镀装置)。由成膜装置自动地进行与搬送机器人119的基板10的交接、基板10与掩模的相对位置的调整(对准)、基板10向掩模上的固定、成膜(蒸镀)等一连串的成膜工艺。各成膜室的成膜装置虽然在蒸镀源的不同、掩模的不同等细微的点上有不同的部分,但是基本的结构(特别是关于基板的搬送和对准的结构)大致相同。以下,对各成膜室的成膜装置的相同结构进行说明。
[成膜装置]
图2是示意性地表示成膜装置的结构的剖视图。在以下的说明中,使用以铅垂方向为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时基板被固定成与水平面(XY平面)平行,以此时的基板的宽度方向(与短边平行的方向)为X方向,以长度方向(与长边平行的方向)为Y方向。此外以θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置具有真空腔200。真空腔200的内部被维持在真空气氛或氮气等非活性气体气氛。在真空腔200的内部,大致设有基板保持单元210、掩模220、掩模台221、冷却板230和蒸镀源240。基板保持单元210是保持-搬送从搬送机器人119接受的基板10的部件,也被称为基板支架。掩模220是具有开口图案的金属掩模,被固定在框状的掩模台221之上,该开口图案与形成在基板10上的规定图案的薄膜图案相对应。成膜时基板10被载置在掩模220之上。因而,掩模220也承担作为载置基板10的载置体的作用。冷却板230是通过成膜时与基板10(的与掩模220相反侧的面)贴紧进而抑制基板10的温度上升来抑制有机材料的变质、劣化的构件。冷却板230也可以兼做磁铁板。所谓磁铁板,是通过利用磁力吸附掩模220从而提高成膜时的基板10与掩模220的贴紧性的构件。蒸镀源240由蒸镀材料、加热器、遮光器、蒸发源的驱动机构、蒸发率监视器等构成(均未图示)。
在真空腔200之上(外侧)设有基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252、X致动器(未图示)、Y致动器(未图示)、θ致动器(未图示)。这些致动器例如由马达和滚珠丝杠、马达和线性引导件等构成。基板Z致动器250是用于使基板保持单元210的整体升降(Z方向移动)的驱动部件。夹具Z致动器251是用于使基板保持单元210的夹持机构(后述)开闭的驱动部件。冷却板Z致动器252是用于使冷却板230升降的驱动部件。X致动器、Y致动器、θ致动器(以下统一称为“XYθ致动器”)是用于基板10的对准的驱动部件。XYθ致动器使基板保持单元210以及冷却板230的整体进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。另外,在本实施方式中,在固定了掩模220的状态下对基板10的X、Y、θ进行调整,但是也可以通过调整掩模220的位置或调整基板10与掩模220这两者的位置,进行基板10与掩模220的对准。
在真空腔200之上(外侧),为了基板10以及掩模220的对准而设有测量基板10以及掩模220各自的位置的照相机260、261。照相机260、261通过设于真空腔200的窗口对基板10与掩模220进行拍摄。通过根据其图像来识别基板10上的对准标记以及掩模220上的对准标记,从而能够测量各自的XY位置、XY面内的相对偏移。为了在短时间内实现高精度的对准,优选实施粗略地进行位置对合的第1对准(也称为“粗糙对准”)和高精度地进行位置对合的第2对准(也称为“精细对准”)这两个阶段的对准。在该情况下,以使用低分辨率但广视场的第1对准用的照相机260和窄视场但高分辨率的第2对准用的照相机261这两种照相机为佳。在本实施方式中,分别对于基板10以及掩模220,利用2台第1对准用的照相机260测量附设于相向一对边的两个部位的对准标记,并利用4台第2对准用的照相机261测量附设于基板10以及掩模220的4个角的对准标记。
成膜装置具有控制部270。控制部270除了具有控制基板Z致动器250、夹具Z致动器251、冷却板Z致动器252、XYθ致动器以及照相机260、261的功能之外,还具有控制基板10的搬送以及对准、控制蒸镀源、控制成膜等功能。控制部270能够由具有例如处理器、存储器、储存装置、I/O等的计算机构成。在该情况下,控制部270的功能通过由处理器执行存储于存储器或储存装置的程序得以实现。作为计算机,既可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller)。或者也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制部270的功能的一部分或全部。另外,既可以针对每一个成膜装置设有一个控制部270,也可以由一个控制部270控制多个成膜装置。
另外,关于基板10的保持-搬送以及对准的构成部分(基板保持单元210、基板Z致动器250、夹具Z致动器251、XYθ致动器、照相机260、261、控制部270等)也被称为“基板载置装置”、“基板夹持装置”、“基板搬送装置”等。
[基板保持单元]
参照图3说明基板保持单元210的结构。图3是基板保持单元210的立体图。
基板保持单元210是通过由夹持机构(也称为夹持件)夹持基板10的周缘部来保持-搬送基板10的部件。具体而言,基板保持单元210具有:支承框体301,设有分别从下方支承基板10的四个边的多个支承件300;以及夹具构件303,设有在与各支承件300之间夹入基板10的多个按压件302。由一对支承件300和按压件302构成一个夹持机构。在图3的例子中,沿着基板10的短边配置有3个支承件300,沿着长边配置有6个夹持机构(支承件300和按压件302的组对),成为夹持长边2边的结构。但是,夹持机构的结构不限于图3的例子,也可以与成为处理对象的基板的尺寸、形状或成膜条件等相对应地适当变更夹持机构的数量和配置。另外,支承件300也被称为“承受爪”或“钩爪”,按压件302也被称为“夹具”。
基板10从搬送机器人119向基板保持单元210的交接例如如下那样地进行。首先,利用夹具Z致动器251使夹具构件303上升,并使按压件302自支承件300分离,从而使夹持机构成为释放状态。在由搬送机器人119将基板10导入支承件300与按压件302之间之后,利用夹具Z致动器251使夹具构件303下降,并以规定的按压力将按压件302压靠于支承件30。由此,基板10被夹持在按压件302与支承件300之间。在该状态下,通过利用基板Z致动器250驱动基板保持单元210,从而能够使基板10升降(Z方向移动)。另外,由于夹具Z致动器251与基板保持单元210一起上升/下降,所以即使基板保持单元210升降,夹持机构的状态也不会产生变化。将该结构也称为基板升降部件。基板升降部件也可以理解为包含于也包括控制部、致动器等在内的载置部件。另外,通过设置使掩模220升降的载置体升降部件,也能够使掩模220与基板10接触。而且也可以与基板升降部件一起设置载置体升降部件。
另外,图3的附图标记101表示附设于基板10的4个角的第2对准用的对准标记,附图标记102表示附设于基板10的短边中央的第1对准用的对准标记。
[电子器件的制造方法的实施例]
接着,说明使用了本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下,作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。
首先,说明要制造的有机EL显示装置。图4(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图4(b)表示1像素的截面构造。
如图4(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明,发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,在此所说的像素,是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下,通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成,但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成,只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图4(b)是图4(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第1电极(阳极)64、正孔输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、第2电极(阴极)68。它们当中的正孔输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外,在本实施方式中,发光层66R是发出红色光的有机EL层,发光层66G是发出绿色光的有机EL层,发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外,第1电极64针对每一个发光元件分离地形成。正孔输送层65、电子输送层67和第2电极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共同的方式形成,也可以针对每一个发光元件而形成。另外,为了防止第1电极64和第2电极68因异物而短路,在第1电极64间设有绝缘层69。而且,由于有机EL层因水分和氧而劣化,所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
为了将有机EL层形成为发光元件单位,使用借助掩模而成膜的方法。近年来,显示装置的高精细化得到发展,在有机EL层的形成中使用开口的宽度为几十μm的掩模。在使用这样的掩模成膜的情况下,若掩模在成膜中从蒸发源接受热量而热变形,则掩模与基板的位置会产生偏离,形成在基板上的薄膜的图案会偏离所希望的位置地形成。因此,在所述有机EL层的成膜中适宜使用本发明的成膜装置(真空蒸镀装置)。
接着,具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第1电极64的基板63。
在形成有第1电极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂,利用光刻法,以在形成有第1电极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1成膜装置,由基板保持单元保持基板,将正孔输送层65作为在显示区域的第1电极64之上共同的层而成膜。正孔输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于正孔输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸,所以不需要高精细的掩模。
接着,将形成有正孔输送层65为止的基板63搬入第2成膜装置,由基板保持单元保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模之上,在基板63的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层66R。根据本例,能够使掩模与基板良好地重合,能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地,利用第3成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G,而且利用第4成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后,利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层65对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层65为止的基板移动到溅镀装置,成膜第2电极68,之后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70,完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止,若暴露于含有水分和氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而,本例中,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
这样获得的有机EL显示装置针对每一个发光元件精度高地形成发光层。因而,只要使用上述制造方法,就能够抑制因发光层的位置偏离而引起的有机EL显示装置的不良的产生。
[实施例1]
图5(a)~(e)是表示本发明的实施例1的基板的夹持以及载置处理的流程的图。各图是依次表示由图3所示的基板保持单元将被夹持的基板10载置于载置体的情形,并用图3的XZ平面剖切基板保持单元以及基板10而成的剖视图。另外,根据需要,对配置在夹持机构的四个边中的一方的长边侧(图5的左侧)的按压件标注附图标记302a,对配置在与其相向的长边侧(图5的右侧)的按压件标注附图标记302b来进行区别。
图5(a)是利用搬送机器人119将基板10导入支承件300与按压件302之间,且基板10的周缘部10a由支承件300支承的状态。在图5(a)的状态下,由于基板10未被固定,所以基板10的中央挠曲。
在图5(b)中,根据控制部270的控制,夹具Z致动器251使夹具构件303下降,从而按压件302a以及302b下降,将基板10夹持在与支承件300之间。在此,控制部270使通常那样的夹持力产生在一边的内侧(一方的长边侧)的按压件302a与支承件300之间(图中,记载为“通常”的朝下箭头标记),使比通常弱的夹持力产生在相向的另一方的长边侧的按压件302b与支承件300之间,或在相向的另一方的长边侧的按压件302b与支承件300之间不产生夹持力(图中,记载为“弱”或“无”的朝下箭头标记)。这样的控制例如能够通过左右变更夹具Z致动器251产生的按压力来实施。这样一来,通过夹持力是可变的,能够实现本发明的控制。也可以将能够实现该夹持力可变控制的控制部和各致动器称为夹持力可变部件。
一方面,按压件302a与支承件300之间的夹持力优选使基板10不容易偏移那样的力。另一方面,按压件302b与支承件300之间的夹持力优选在某种程度的力作用于基板10时,位于按压件302b与支承件300之间的基板10产生偏移而夹持位置变化的程度的力。另外,除了施加于按压件302a、302b的力之外,基板10与夹持机构之间的摩擦力也有助于夹持机构保持基板10的夹持力,所以在控制施加于按压件302b的力时,优选将摩擦力也考虑进去。
图5(c)表示如图5(b)那样在单侧的夹持力弱或为零的状态下,基板Z致动器250使基板10下降,基板10与作为载置体的掩模220接触的状态。
图5(d)表示从图5(c)的状态起,基板Z致动器250进一步使基板10下降,基板10与掩模220的接触区域增大的状态。此时可知,基板10的形状因来自于掩模220的应力和产生于基板中央的挠曲而变化,产生了形变。在现有的夹持方法以及载置方法中,该形状变化成为基板10的对准需要时间的原因。
可是,在本发明中,按压件302b与支承件300之间的夹持力比按压件302a与支承件300之间的夹持力弱或为零。因此,如图5(d)所示那样,由于来自于掩模220的应力,在按压件302b与支承件300之间的基板10上产生由箭头标记501所示的方向的偏移力。其结果,如图5(e)所示那样,基板10的挠曲和形变消除,基板10与掩模220的接触状态得到改善。
图6(a)是表示基板10被利用夹持机构如通常那样夹持的情形,且从Z轴的上方向观察图3的基板保持单元的平面图。如图3的说明所述,在短边侧,基板的周缘部10a仅载置于支承件300而没有被夹持。此外,在长边侧,基板的周缘部10a被夹持在支承件300与按压件302之间。
图6(b)表示利用图5(b)说明了的夹持的情形。图中,在左侧的长边,基板的周缘部10a以通常的夹持力被夹持在支承件300与按压件302a之间。另一方面,在图中右侧的长边,基板的周缘部10a以比左边弱的夹持力被夹持或没有被夹持。由此,基板10在与掩模220接触之后,向由箭头标记501所示方向产生偏移力。
根据使用本实施例的夹持机构(夹持装置)的夹持方法、使用包括该夹持机构的基板载置装置的基板载置方法,在将基板10载置于作为载置体的掩模220时的形变通过基板10向夹持力弱的一侧(或夹持力为零侧)偏移而降低或消除。换言之,载置时基板10偏移的方向成为恒定,偏移(偏移量和方向)呈现出再现性。由此,能够良好地实施掩模220与基板10的对准,因此,获得对准时间缩短以及对准精度提高这样的效果。另外,也能够将夹持装置与对准用的照相机、调整相对位置的位置调整部件(致动器等)合在一起去考虑对准机构。
另外,本实施例的夹持力控制在第1对准之前、第1对准与第2对准之间、第2对准之后的任意的情况下都能够应用。
[实施例2]
只要是在实施例1中说明了那样的、对基板10的长边中的一方施加通常的夹持力且对另一方施加比通常弱的夹持力(或使夹持力为零)那样的控制,就能够通过图3所示的基板保持单元所具备的夹持机构来实现。在本实施例中,说明通过进行更精密的夹持力控制来降低基板10的形变的结构。
图7(a)是表示本实施例的基板保持单元的主要部分的示意图。基板保持单元具备分别彼此独立的多个夹持机构。在图7(a)中,在基板10的两长边侧配置有多个夹持机构,两短边侧的结构被省略。可是,也可以在短边侧也设置夹持机构,也可以与图3同样地,在短边侧仅设置支承件300。
图7(b)是取出一个本实施例的夹持机构的图。各自的夹持机构具备由支承体305支承的、按压件302以及支承件300。例如,根据控制部270的控制,装入支承体305的单个Z致动器(未图示)使按压件302向Z方向升降,从而按压件302与支承件300之间的夹持力变化。
例如,能够将按压件302和支承件400的状态,在施加基板10不产生偏移那样的通常的夹持力的状态、施加在施加某种程度的力时基板10偏移那样的弱的夹持力的状态、不施加夹持力(夹持力为零)的状态之间切换。即,如图7(c)所示那样,通过使按压件302与支承件300之间的夹持力减弱或为零,从而在载置基板10时,向由箭头标记501所示的方向产生偏移力。
说明夹持机构的单个控制的一例。图7(a)的各长边上表示了8个夹持机构,在其中一边上,将中央的4个设为通常的夹持力,将端部的4个设为弱的夹持力。此外,在与其相向的边上,减弱夹持力或使之为零。由此,由于载置而产生的形变不仅容易向夹持力弱的(或为零的)一侧的长边方向转移,而且也容易向短边方向转移。
如上所述,根据本实施例的结构,通过针对设置多个的夹持机构而控制夹持力,能够精密地控制基板10被载置在作为载置体的掩模220时的偏移的量和方向。
另外,使用了本实施例的夹持机构的夹持力控制在第1对准之前、第1对准与第2对准之间、第2对准之后的任意的情况下都能够应用。
[实施例3]
图8(a)~(e)是表示本发明的实施例3的基板的夹持以及载置处理的流程的图。各图是依次表示由图3所示的基板保持单元将被夹持的基板10载置于载置体的情形,并用图3的XZ平面剖切基板保持单元以及基板10而成的剖视图。对与图5相同的构件标注相同的附图标记。
图8(a)是基板10被搬送机器人119的机器人手导入支承件300与按压件302之间的状态。此外,基板10的短边侧的周缘部由短边侧用的支承件300支承。
在图8(b)中,通过机器人手后退,基板10的长边侧的周缘部由支承件300支承,并且根据控制部270的控制,夹具Z致动器251使夹具构件303下降,从而按压件302a以及302b下降,在与支承件30之间夹持基板10。此时,在未由支承件300支承的区域中,基板10产生挠曲。在图8(b)中,与图5(b)同样地,进行在按压件302a的一侧产生强的夹持力并在按压件302b的一侧产生弱的夹持力(或不产生夹持力)那样的控制。按压件302a的一侧的夹持力与按压件302b的一侧的夹持力的适宜的关系与在图5(b)中的说明相同。即,优选在按压件302b的一侧,施加于基板10的力产生的位于按压件302b与支承件300之间的基板10能够移动的程度的力。
另外,本实施例的基板保持单元具备支承基板10的中央部的中央支承件306。中央支承件306根据控制部270的控制而在Z方向上下移动,从而能够某种程度降低基板10的挠曲。图8(c)中,在单侧的长边的夹持力弱或为零的状态下中央支承件306上升,向箭头标记501的方向产生偏移力。在此,因为施加于基板10的夹持力是在基板10能够移动的程度之后,所以基板10向右侧偏移。由此,基板10的挠曲的一部分消除。
图8(d)中,基板Z致动器250使基板10下降,基板10被载置于掩模220。此时,由于来自于掩模220的应力,在按压件302b与支承件300之间的基板10上再次产生由箭头标记501所示的方向的偏移力。其结果,如图8(e)所示那样,基板10的挠曲和形变消除,基板10与掩模220的接触状态得到改善。
另外,图8(e)中,优选基于照相机260、261对对准标记的拍摄结果而进行第2对准,并且调整基板10与掩模220的相对位置。此时,也可以将按压件302b的一侧的夹持力设为通常的值。由此,能够在基板10稳定的状态下实施对准。
如上所述,根据使用了本实施例的夹持机构(夹持装置)的夹持方法、使用了包括该夹持机构的基板载置装置的基板载置方法,经过中央支承件306的移动引起的基板10的偏移、向掩模220载置引起的基板10的偏移这样的多个阶段,良好地降低基板10的形变。其结果,获得对准时间缩短以及对准精度提高这样的效果。
另外,本实施例的夹持力控制在第1对准之前、第1对准与第2对准之间、第2对准之后的任意的情况下都能够应用。
[实施例4]
图9(a)~(f)是表示本发明的实施例4的基板的夹持以及载置处理的流程的图。各图是依次表示由图3所示的基板保持单元将被夹持的基板10载置于载置体的情形,并用图3的XZ平面剖切基板保持单元以及基板10而成的剖视图。对与图5、图8相同的构件标注相同的附图标记。
图9(a)与图8(a)同样地表示基板10由机器人手导入支承件300与按压件302之间的状态。
在图9(b)中,通过机器人手后退,基板10的长边侧的周缘部由支承件300支承。
在图9(c)中,根据控制部270的控制,夹具Z致动器251使夹具构件303下降,从而按压件302a以及302b下降,在与支承件30之间夹持基板10。在图9(c)中也进行在按压件302a的一侧产生强的夹持力且在按压件302b的一侧产生弱的夹持力(或不产生夹持力)那样的控制。而且在图9(c)中,通过中央支承件306沿Z方向上升而与基板10接触,从而向箭头标记501的方向产生偏移力,基板10向纸面右上侧偏移。由此,基板10的挠曲的一部分消除。
图9(d)是本实施例特有的操作,在将基板10载置于掩模220前,基于照相机260对对准标记的拍摄结果而进行调整基板10与掩模220的相对位置的第1对准。如此一来,通过在基板10与掩模220接触前进行第1对准,提高之后向掩模220接触后进行的第2对准的精度。
图9(e)中,通过基板Z致动器250的动作,基板10被载置于掩模220。此时,由于来自于掩模220的应力,在按压件302b与支承件300之间的基板10上再次产生由箭头标记501所示的方向的偏移力。其结果,如图9(f)所示那样,基板10的挠曲和形变消除,基板10与掩模220的接触状态改善。另外,图9(f)中,优选基于照相机261对对准标记的拍摄结果而进行第2对准,而且调整基板10与掩模220的相对位置。此时,也可以使按压件302b的一侧的夹持力为通常的值。由此,基板10的夹持位置能够固定,且相向的两边的夹持力相同,因此,能够稳定地实施对准。
如上所述,根据使用了本实施例的夹持机构(夹持装置)的夹持方法、使用了包括该夹持机构的基板载置装置的基板载置方法,经过中央支承件306的移动而引起的基板10的偏移、第1对准、向掩模220载置而引起的基板10的偏移这样的多个阶段,良好降低基板10的位置偏移和形变。其结果,获得对准时间缩短以及对准精度提高这样的效果。
另外,本实施例的夹持力控制在第1对准之前、第1对准与第2对准之间、第2对准之后的任意的情况下都能够应用。
附图标记说明
10:基板、210:基板保持单元、220:掩模、251:基板Z致动器、270:控制部、300:支承件、302:按压件。
Claims (31)
1.一种基板载置装置,具有夹持部件和载置部件,
该夹持部件具有用于将基板的周缘部在所述基板的厚度方向上夹持的多个夹持件;
该载置部件用于将所述基板载置在载置体之上,
其特征在于,
所述夹持部件具有可改变所述多个夹持件的夹持力的夹持力可变部件,
所述夹持力可变部件使所述多个夹持件中的第一夹持件的夹持力以与所述多个夹持件中的第二夹持件独立的方式可变。
2.根据权利要求1所述的基板载置装置,其特征在于,
所述第一夹持件是夹持所述基板的周缘部中的第一边的内侧的夹持件,所述第二夹持件是夹持所述基板的周缘部中的与所述第一边相向的边的内侧的夹持件。
3.根据权利要求1所述的基板载置装置,其特征在于,
所述第一夹持件是夹持所述基板的周缘部中的第一边的内侧的多个夹持件的一部分,所述第二夹持件是夹持所述基板的周缘部中的与所述第一边相向的第二边的内侧的多个夹持件的一部分。
4.根据权利要求1所述的基板载置装置,其特征在于,
所述夹持力可变部件是使所述第一夹持件的夹持力与所述第二夹持件的夹持力不同的夹持力可变部件。
5.根据权利要求3所述的基板载置装置,其特征在于,
夹持所述第一边的内侧的所述多个夹持件的各自的夹持力,比夹持所述第二边的内侧的所述多个夹持件的各自的夹持力强。
6.根据权利要求5所述的基板载置装置,其特征在于,
所述夹持力可变部件使夹持所述第一边的内侧的所述多个夹持件所包括的第三夹持件的夹持力与所述第一夹持件的夹持力不同。
7.根据权利要求1所述的基板载置装置,其特征在于,
所述夹持部件的夹持件具有用于支承所述基板的支承件和用于向所述支承件按压所述基板的按压件。
8.根据权利要求1所述的基板载置装置,其特征在于,
所述载置部件具有用于使所述基板升降的基板升降部件。
9.根据权利要求1所述的基板载置装置,其特征在于,
所述载置部件具有用于使所述载置体升降的载置体升降部件。
10.一种对准装置,其特征在于,
该对准装置具有:
权利要求1~9中任一项所述的基板载置装置;以及
位置调整部件,用于调整所述基板与所述载置体的相对位置。
11.根据权利要求10所述的对准装置,其特征在于,
所述载置体是为了在所述基板上进行规定图案的成膜而使用的、具有所述规定图案的掩模。
12.一种成膜装置,其特征在于,
该成膜装置具有权利要求11所述的对准装置,在所述基板上进行所述规定图案的成膜。
13.一种基板载置方法,具有夹持工序和载置工序,
在该夹持工序中,由多个夹持件将基板的周缘部在所述基板的厚度方向上夹持;
在该载置工序中,将被夹持的所述基板载置于载置体,
其特征在于,
在所述夹持工序中,使多个夹持件中的第一夹持件的夹持力与第二夹持件的夹持力不同地夹持所述基板。
14.根据权利要求13所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述夹持工序中,由所述第一夹持件夹持所述基板的周缘部中的第一边的内侧,由所述第二夹持件夹持所述基板的周缘部中的与所述第一边相向的第二边的内侧。
15.根据权利要求13所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述夹持工序中,所述第一夹持件和所述第二夹持件中的一方的夹持件以所夹持着的所述基板的夹持位置能够移动的夹持力夹持所述基板。
16.根据权利要求15所述的基板载置方法,其特征在于,
所述夹持位置能够移动的夹持力是因在所述载置工序中从所述载置体施加于所述基板的力而使夹持位置能够移动的夹持力。
17.根据权利要求13所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序中,在将所述基板载置于所述载置体之后,所述第一夹持件和所述第二夹持件以相同的夹持力夹持所述基板。
18.根据权利要求13所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序中,在将所述基板载置于所述载置体之后,所述第一夹持件和所述第二夹持件以能够固定所述基板的夹持位置的夹持力夹持所述基板。
19.一种基板载置方法,具有夹持工序和载置工序,
在该夹持工序中,由夹持件将基板的周缘部在所述基板的厚度方向上夹持;
在该载置工序中,将被夹持的所述基板载置于载置体,
其特征在于,
在所述夹持工序中,由所述夹持件夹持所述基板的周缘部中的第一边的内侧,不夹持所述基板的周缘部中的与所述第一边相向的第二边的内侧。
20.根据权利要求19所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述夹持工序中,由多个所述夹持件夹持所述第一边的内侧。
21.根据权利要求19所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序中,在将所述基板载置于载置体之后,由所述夹持件夹持所述基板的周缘部中的第一边的内侧,由其它的夹持件夹持所述基板的周缘部中的所述第二边的内侧。
22.根据权利要求21所述的基板载置方法,其特征在于,
所述夹持件与所述其它的夹持件在将所述基板载置于所述载置体之后,以相同的夹持力夹持所述基板。
23.根据权利要求21所述的基板载置方法,其特征在于,
所述夹持件与所述其它的夹持件在将所述基板载置于所述载置体之后,以所述基板的夹持位置能够固定的夹持力夹持所述基板。
24.根据权利要求13所述的基板载置方法,其特征在于,
在所述载置工序之前,具有调整所述基板与所述载置体的相对位置的位置调整工序。
25.一种对准方法,其特征在于,
在通过权利要求13所述的基板载置方法而将所述基板载置于所述载置体之后,具有调整所述基板与所述载置体的相对位置的位置调整工序。
26.一种对准方法,其特征在于,
在通过权利要求13所述的基板载置方法而将所述基板载置于所述载置体之后,具有使所述基板从所述载置体分离,并调整所述基板与所述载置体的相对位置的位置调整工序。
27.根据权利要求25或26所述的对准方法,其特征在于,
所述载置体是为了在所述基板上进行规定图案的成膜而使用的、具有所述规定图案的掩模。
28.一种成膜方法,在所述基板上进行规定图案的成膜,其特征在于,
在通过权利要求27所述的对准方法进行了所述基板与所述掩模的相对位置的调整之后,在所述基板上进行所述规定图案的成膜。
29.一种电子器件的制造方法,是具有形成于基板的有机膜以及金属膜中的至少一方的膜的电子器件的制造方法,其特征在于,
通过权利要求28所述的成膜方法形成所述至少一方的膜。
30.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
通过权利要求13~24中任一项所述的基板载置方法将所述基板载置于所述载置体之后,具有在所述基板上进行成膜的工序。
31.根据权利要求30所述的电子器件的制造方法,其特征在于,
所述电子器件是有机EL显示装置的显示面板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-101251 | 2017-05-22 | ||
JP2017101251A JP6393802B1 (ja) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | 基板載置装置、基板載置方法、成膜装置、成膜方法、アライメント装置、アライメント方法、および、電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108517506A true CN108517506A (zh) | 2018-09-11 |
CN108517506B CN108517506B (zh) | 2020-08-04 |
Family
ID=63426570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810487810.2A Active CN108517506B (zh) | 2017-05-22 | 2018-05-21 | 基板载置装置和方法、成膜装置和方法、对准装置和方法以及电子器件的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6393802B1 (zh) |
KR (1) | KR101893708B1 (zh) |
CN (1) | CN108517506B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN108517506B (zh) | 2020-08-04 |
KR101893708B1 (ko) | 2018-08-30 |
JP2018198232A (ja) | 2018-12-13 |
JP6393802B1 (ja) | 2018-09-19 |
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PB01 | Publication | ||
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