CN108509082B - 阵列基板、其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、第一极层、第二极层、平坦化层、第一裸露部以及触控电极；第一极层设于衬底基板之上，第二极层位于第一极层的远离衬底基板的一侧，第一极层的导电性能优于第二极层的导电性能；平坦化层设于第二极层之上，具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔；第一裸露部位于第一极层上与第一触控电极接触孔对应的位置；触控电极设于平坦化层之上，触控电极通过第一触控电极接触孔与第一裸露部连接。该阵列基板的触控电极与漏极之间的接触电阻较小，能够有效避免卡顿、触控不良等现象。

Description

阵列基板、其制备方法和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和安装有该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，触控屏技术进入快速发展时期。完全内嵌式触控屏由于其分辨率较高，得到很快的发展。

目前，完全内嵌式触控屏就是将触控金属线布局在薄膜晶体管内部，触控电极与漏极搭接。在显示阶段，触控电极与像素电极形成电容，起到显示作用；在触控阶段，触控电极起到触控作用。但是，现有技术中的触控屏容易出现卡顿、触控不良等现象。

因此，有必要研究一种阵列基板、阵列基板的制备方法和安装有该阵列基板的显示装置。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的卡顿、触控不良，提供一种接触电阻较小的阵列基板、阵列基板的制备方法和安装有该阵列基板的显示装置。

根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，包括：

第一极层以及第二极层，所述第一极层设于衬底基板之上，所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能；

平坦化层，设于所述第二极层之上，具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔；

第一裸露部，位于所述第一极层上与所述第一触控电极接触孔对应的位置；

触控电极，设于所述平坦化层之上，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

第一钝化层，设于所述触控电极与所述平坦化层之间，且覆盖所述第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔的孔内侧壁，所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积，所述第二像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

第二裸露部，位于所述第一极层上与所述第一像素电极接触孔对应的位置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

触控电极块，设于所述第二裸露部之上。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

第二钝化层，设于所述触控电极之上。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

像素电极，设于所述第二钝化层之上，所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括：

上述任意一项所述的阵列基板。

根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成第一极层以及第二极层，所述第一极层设于所述衬底基板之上，所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能；

在所述第二极层之上形成平坦化层，所述平坦化层上具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔；

去除与所述第一触控电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层上的第一裸露部；

在所述平坦化层之上形成触控电极，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述触控电极之前，所述制备方法还包括：

在所述平坦化层之上形成第一钝化层，所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在去除与所述第一触控电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层上的第一裸露部的同一次构图工艺中，所述制备方法还包括：

去除所述第一像素电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层形成第二裸露部。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述触控电极的同一次构图工艺中，所述制备方法还包括：

在所述第二裸露部之上形成触控电极块。

在本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：

在所述触控电极之上形成第二钝化层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：

在所述第二钝化层之上形成像素电极，所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

本公开的阵列基板，包括衬底基板、第一极层以及第二极层，第一极层的导电性能优于第二极层的导电性能，通过第一触控电极接触孔贯穿第二极层，使第一极层形成有第一裸露部，设于平坦化层之上的触控电极通过第一触控电极接触孔直接与第一裸露部连接。本公开的阵列基板，第一极层的导电性能优于第二极层的导电性能，触控电极直接与第一极层接触，降低触控电极与第一极层之间的接触电阻，提升触控效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示意性示出完全内嵌式的阵列基板的结构图。

图2示意性示出本公开的阵列基板的结构图。

图3示意性示出本公开的阵列基板中的在衬底基板上形成三层极层的结构图。

图4示意性示出在图3的基础上形成平坦化层后的结构图。

图5示意性示出在图4的基础上形成第一钝化层后的结构图。

图6示意性示出在图5的基础上形成第一裸露部以及第二裸露部后的结构图。

图7示意性示出在图6的基础上形成触控电极以及触控电极块后的结构图。

图8示意性示出在图7的基础上形成第二钝化层后的结构图。

图9示意性示出本公开的阵列基板的制备方法的流程图。

图中：

1、衬底基板；11、第三极层；12、第一极层；13、第二极层；

2、平坦化层；21、第一触控电极接触孔；22、第一像素电极接触孔；

3、第一钝化层；31、第二触控电极接触孔；32、第二像素电极接触孔；

4、第一裸露部；5、第二裸露部；6、触控电极；7、触控电极块；8、第二钝化层；9、像素电极；10、钝化层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。

此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

参照图1所示的完全内嵌式的阵列基板的结构示意图。在第二极层13之上设置有平坦化层2，平坦化层2上设置有触控电极接触孔和像素电极接触孔。在平坦化层2之上设置有触控电极6，触控电极6通过触控电极接触孔与第二极层13接触连接。在触控电极6之上设置有钝化层，在钝化层之上设置有像素电极9，像素电极9通过像素电极接触孔与第二极层13接触连接。在显示阶段，触控电极6与像素电极9形成电容，起到显示作用；在触控阶段，触控电极6起到触控作用。

本示例实施方式中首先提供了一种阵列基板，参照图2所示的本公开的阵列基板的结构示意图。第一极层12以及第二极层13，所述第一极层12设于衬底基板1之上，所述第二极层13位于所述第一极层12的远离所述衬底基板1的一侧，所述第一极层12的导电性能优于所述第二极层13的导电性能；平坦化层2，设于所述第二极层13之上，具有第一触控电极接触孔21和第一像素电极接触孔22；第一裸露部4，位于所述第一极层12上与所述第一触控电极接触孔21对应的位置；触控电极，设于所述平坦化层之上，所述触控电极6通过所述第一触控电极接触孔21与所述第一裸露部4连接。本实施例提供的阵列基板，一方面，第一极层的导电性能优于第二极层的导电性能，触控电极直接与第一极层接触，降低触控电极与第一极层之间的接触电阻。另一方面，接触电阻降低，能够有效避免卡顿、触控不良等现象。再一方面，接触电阻降低，减少触控屏发热，有利于延长产品寿命，而且节能减排。

在一个实施例中，该阵列基板可以包括衬底基板1、第一极层12、第二极层13、第三极层11、平坦化层2、第一裸露部4以及触控电极6等等。衬底基板1第三极层11设于所述衬底基板1之上，所述第一极层12设于第三极层11之上，所述第二极层13位于所述第一极层12的远离所述衬底基板1的一侧，所述第一极层12的导电性能优于所述第二极层13的导电性能；平坦化层2设于所述第二极层13之上，具有第一触控电极接触孔21和第一像素电极接触孔22；第一裸露部4位于所述第一极层12上与所述第一触控电极接触孔21对应的位置；触控电极6设于所述平坦化层2之上，所述触控电极6通过所述第一触控电极接触孔21与所述第一裸露部4连接。

根据本示例实施例中的阵列基板，一方面，第一极层12的导电性能优于第二极层13的导电性能，触控电极6直接与第一极层12接触，降低触控电极6与第一极层12之间的接触电阻。另一方面，接触电阻降低，能够有效避免卡顿、触控不良等现象。再一方面，接触电阻降低，减少触控屏发热，有利于延长产品寿命，而且节能减排。

下面，将对本示例实施方式中的阵列基板进行进一步的说明。

参照图3所示的阵列基板中的在衬底基板上形成三层极层的结构示意图。第三极层11、第一极层12以及第二极层13可以包括相互绝缘但是同层设置的源漏电极、触控电极走线等等。第三极层11设于衬底基板1之上，第一极层12设于第三极层11之上，第二极层13位于第一极层12的远离衬底基板1的一侧，第一极层12的导电性能优于第二极层13的导电性能。

在本示例实施方式中，第三极层11以及第二极层13的材质可以均为钛，钛是一种银白色的过渡金属，其导热性和导电性能较差。第一极层12的材质可以为铝，铝的导电性能比钛的导电性能好。第三极层11、第一极层12以及第二极层13的材质不限于上述描述，例如，第一极层12的材质还可以为掺锡氧化铟(IndiumTinOxide，简称为ITO)、银或铜等导电性能较好的材质。第三极层11以及第二极层13的材质的材质还可以是银。掺锡氧化铟具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。

参照图4所示的在图3的基础上形成平坦化层2后的结构示意图。平坦化层2设于所述第二极层13之上，平坦化层2具有第一触控电极接触孔21和第一像素电极接触孔22。

平坦化层2能够保护第二极层13，并可以使第二极层13的表面较为平坦，便于设置其余的膜层。在本示例实施方式中，第一触控电极接触孔21和第一像素电极接触孔22可以通过光刻工艺形成。平坦化层2可以采用无机绝缘膜，如氮化硅、氧化硅等等，或有机绝缘膜，如树脂材料。

参照图5所示的在图4的基础上形成第一钝化层3后的结构示意图。第一钝化层3设置在平坦化层2之上，也就是设置在触控电极6与平坦化层2之间，第一钝化层3上具有第二触控电极接触孔31和第二像素电极接触孔32，第一钝化层3能够覆盖第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔的孔内侧壁。第二触控电极接触孔在衬底基板上的正投影面积小于第一触控电极接触孔在衬底基板上的正投影面积，第二触控电极接触孔与第一触控电极接触孔同轴设置；第二像素电极接触孔在衬底基板上的正投影面积小于第一像素电极接触孔在衬底基板上的正投影面积，第二像素电极接触孔与第一像素电极接触孔同轴设置。

第一钝化层3能够保护平坦化层2，避免在下一步的对第二极层进行过刻的过程中损坏平坦化层2；而且在后续的触控电极6的镀膜过程中，能够防止裸露的平坦化层2对腔室造成的污染。在本示例实施方式中，第一钝化层3可以采用无机绝缘膜，如氮化硅、氧化硅等等，或有机绝缘膜，如树脂材料。当然，也可以不设置第一钝化层3。通过平坦化层2可以达到平坦化且绝缘的目的。

参照图6所示的在图5的基础上形成第一裸露部4以及第二裸露部5后的结构示意图。第一裸露部4位于第一极层12上与第一触控电极接触孔21对应的位置，即第一裸露部4为裸露第一极层12的一部分，且第一裸露部4在衬底基板上的正投影位置和大小与第一触控电极接触孔21在衬底基板上的正投影位置和大小基本一致；第二裸露部5位于第一极层12上与第一像素电极接触孔22对应的位置，即第二裸露部5为裸露第一极层12的一部分，且第二裸露部5在衬底基板上的正投影位置和大小与第一像素电极接触孔22在衬底基板上的正投影位置和大小基本一致。

在本示例实施方式中，第一裸露部4以及第二裸露部5可以通过一次过刻工艺同时形成。在形成第一裸露部4以及第二裸露部5时，可以仅仅去除第一极层12上的第二极层13，使第一极层12裸露即可；为了保证触控电极6与第一极层12的接触良好，可以在将第二极层13去除后，将第一极层12也去除一部分，避免残留的第二极层13对触控电极6与第一极层12的接触性的影响。因此，第二极层13的去除的厚度可以大于或等于第二极层13的厚度。

参照图7所示的在图6的基础上形成触控电极6以及触控电极块7后的结构示意图。

在本示例实施方式中，触控电极6可以设于第一钝化层3之上，触控电极6可以通过第一触控电极接触孔21以及第二触控电极接触孔31与第一裸露部4连接。触控电极块7设于第二裸露部5之上。触控电极6以及触控电极块7可以通过一次蒸镀、溅射等工艺形成，不必另外设置工艺流程。触控电极块7可以保护第二裸露部5，避免第一极层12的第二裸露部5由于长期裸露而导致的氧化，从而影响第一极层12与像素电极之间的导电性能。

另外，在没有设置第一钝化层3时，触控电极6可以直接设于平坦化层2之上且仅通过第一触控电极接触孔21与第一裸露部4连接。

参照图8所示的在图7的基础上形成第二钝化层8后的结构示意图。第二钝化层8设于所述触控电极6之上。在触控电极块7之上不设置第二钝化层8。第二钝化层8可以对触控电极6进行保护，并且使触控电极6与外部绝缘。第二钝化层8可以采用无机绝缘膜，如氮化硅、氧化硅等等，或有机绝缘膜，如树脂材料。

参照图2所示的本公开的阵列基板的结构示意图。图2也是在图8的基础上形成像素电极9后的结构示意图。像素电极9设于第二钝化层8之上，像素电极9可以通过第一像素电极接触孔22以及第二像素电极接触孔32与触控电极块7连接。触控电极块7可以将像素电极9与第一极层12连接，在显示时实现显示功能。当然，在没有设置第一钝化层3时，像素电极9可以仅通过第一像素电极接触孔22与触控电极块7连接。

进一步的，本示例实施方式还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述阵列基板。阵列基板的具体结构上述已经进行了详细说明，此处不再赘述。

进一步的，本示例实施方式还提供了对应于上述阵列基板的阵列基板的制备方法。参照图9所示的本公开的阵列基板的制备方法的流程图。该阵列基板的制备方法可以包括以下步骤：

步骤S10，在衬底基板1上形成第一极层12以及第二极层13，所述第一极层12设于所述衬底基板1之上，所述第二极层13位于所述第一极层12的远离所述衬底基板1的一侧，所述第一极层12的导电性能优于所述第二极层13的导电性能。

步骤S20，在所述第二极层13之上形成平坦化层2，所述平坦化层2上具有第一触控电极接触孔21和第一像素电极接触孔22。

步骤S30，去除与所述第一触控电极接触孔21对应位置的所述第二极层13以露出所述第一极层12上的第一裸露部4。

步骤S40，在所述平坦化层2之上形成触控电极6，所述触控电极6通过所述第一触控电极接触孔21与所述第一裸露部4连接。

在本示例实施方式中，在形成所述触控电极6之前，所述制备方法还包括：在所述平坦化层2之上形成第一钝化层3，所述第一钝化层3上具有第二触控电极接触孔31和第二像素电极接触孔32，所述触控电极6通过所述第一触控电极接触孔21以及所述第二触控电极接触孔31与所述第一裸露部4连接。

在本示例实施方式中，在去除所述第一触控电极接触孔21对应位置的所述第二极层13以露出所述第一极层12形成第一裸露部4的同一次构图工艺中，所述制备方法还包括：去除所述第一像素电极接触孔22对应位置的所述第二极层13以露出所述第一极层12形成第二裸露部5。即在一次光刻工艺中，形成第一裸露部4和第二裸露部5。

在本示例实施方式中，在形成所述触控电极6的同一次构图工艺中，所述制备方法还包括：在所述第二裸露部5之上形成触控电极块7。

在本示例实施方式中，所述制备方法还包括：在所述触控电极6之上形成第二钝化层8。

在本示例实施方式中，所述制备方法还包括：在所述第二钝化层8之上形成像素电极9，所述像素电极9通过所述第一像素电极接触孔22与所述触控电极块7连接。

此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

上述阵列基板的制备方法中各步骤的具体细节已经在上述的阵列基板中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“之上”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

第一极层以及第二极层，所述第一极层设于衬底基板之上，所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能；

平坦化层，设于所述第二极层之上，具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔；

第一裸露部，位于所述第一极层上与所述第一触控电极接触孔对应的位置；

触控电极，设于所述平坦化层之上，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接；

所述阵列基板还包括：

第二裸露部，位于所述第一极层上与所述第一像素电极接触孔对应的位置；

触控电极块，设于所述第二裸露部之上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第一钝化层，设于所述触控电极与所述平坦化层之间，且覆盖所述第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔的孔内侧壁，所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一触控电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积，所述第二像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积小于所述第一像素电极接触孔在所述衬底基板上的正投影面积。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第二钝化层，设于所述触控电极之上。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

像素电极，设于所述第二钝化层之上，所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

6.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1～5任意一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一极层以及第二极层，所述第一极层设于所述衬底基板之上，所述第二极层位于所述第一极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一极层的导电性能优于所述第二极层的导电性能；

在所述第二极层之上形成平坦化层，所述平坦化层上具有第一触控电极接触孔和第一像素电极接触孔；

去除与所述第一触控电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层上的第一裸露部；

在所述平坦化层之上形成触控电极，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔与所述第一裸露部连接；

在去除与所述第一触控电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层上的第一裸露部的同一次构图工艺中，所述制备方法还包括：

去除所述第一像素电极接触孔对应位置的所述第二极层以露出所述第一极层形成第二裸露部；

在形成所述触控电极的同一次构图工艺中，所述制备方法还包括：

在所述第二裸露部之上形成触控电极块。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述触控电极之前，所述制备方法还包括：

在所述平坦化层之上形成第一钝化层，所述第一钝化层上具有第二触控电极接触孔和第二像素电极接触孔，所述触控电极通过所述第一触控电极接触孔以及所述第二触控电极接触孔与所述第一裸露部连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述触控电极之上形成第二钝化层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述第二钝化层之上形成像素电极，所述像素电极通过所述第一像素电极接触孔与所述触控电极块连接。

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