CN108480853A - 一种键合用高温保护膜的切割方法和使用方法 - Google Patents

一种键合用高温保护膜的切割方法和使用方法 Download PDF

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Abstract

一种键合用高温保护膜的切割方法和使用方法，涉及集成电路封装技术领域，一种键合用高温保护膜的切割方法，（1）准备一块平整的薄铁板；（2）将划片用的蓝膜平整地贴于薄铁板上；（3）将需切割的高温保护膜平整地贴于划片用的蓝膜上；（4）将贴有蓝膜和高温保护膜的薄铁板置于划片机待划片处；（5）调整划片机刀片的位置或设置划片机的参数；（6）将高温保护膜切割成1.5*1.5mm或2.0*2.0mm的方块。一种键合用高温保护膜的使用方法，（1）贴前检查凹槽（2）将切割好的高温保护膜放置在集成电路的加热底板的凹槽中；（3）将高温保护膜平整地贴于凹槽上。本发明分割膜方法操作简单，速度快；割膜效果好，不存在毛边，大小不一致等问题。

Description

一种键合用高温保护膜的切割方法和使用方法
技术领域
本发明涉及一种键合用高温保护膜的切割方法和使用方法，属于集成电路封装技术领域。
背景技术
在集成电路封装过程键合作业前，由于引线框架与设备底板之间存在间隙导致键合时产品质量受到影响并导致设备的产出率低下，所以在键合底座的加热块凹槽中需进行贴膜，广泛应用在键合工序SOP16-8R(60*60)、SOP8-8R(60*60)等小PAD区产品上。过去采用手动割膜，存在以下缺点：
1、切割速度慢，须手工方法将一张膜，切割成1.5mm~3.0mm左右的小方块,通常需要花费30分钟至1个小时；
2、切割效果差，须割出的方块仅2mm左右，手动无法掌握其大小，大小不一致，刀片磨损导致方块边缘有毛边。
3、高温保护膜损耗大，用手工方法割一张膜，通常会有20%~40%的面积无法使用。不仅无法从其他方面对球挤、不粘等一焊方面进行改善，而且降低机器UPH的同时，效果也不能满足要求。另外，在加工小PAD产品时，同样困难；在实际生产中不依靠贴膜无法进行加工。有鉴于此，本申请人对此进行专门研究，开发出一种键合用高温保护膜的切割方法和使用方法，本案由此产生。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述缺陷，本发明的目的是提供一种操作简单，速度快，割膜效果好的键合用高温保护膜的切割方法和使用方法，为了实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种键合用高温保护膜的切割方法，包括如下步骤：
步骤（1）准备一块平整的薄铁板；
步骤（2）将划片用的蓝膜平整地贴于薄铁板上；
步骤（3）将需切割的高温保护膜平整地贴于划片用的蓝膜上；
步骤（4）将贴有蓝膜和高温保护膜的薄铁板置于划片机待划片处；
步骤（5）调整划片机刀片的位置或设置划片机的参数；
步骤（6）将高温保护膜切割成1.5*1.5mm或2.0*2.0mm的方块。
所述蓝膜采用SPV-225RB蓝膜，规格为230mm*100mm。
所述步骤（5）中，设置切割步进速度90+/-5mm/s，切割尺寸长*宽1-2mm。
所述划片机为机械划片机、激光划片机或雷射划片机。
一种键合用高温保护膜的使用方法，包括如下步骤：
步骤（1）贴前检查凹槽，保持凹槽平整干净；
步骤（2）将切割好的高温保护膜用镊子选合适的大小放置在集成电路的加热底板的凹槽中；
步骤（3）将高温保护膜平整地贴于凹槽上。
所贴的高温保护膜面积不大于凹槽面积。
本发明能实现如下技术效果：
（1）操作简单，速度快；
（2）割膜效果好，不存在毛边，大小不一致等问题；
（3）可依据需求切割出各种型号的规格；
（4）高温保护膜损耗小，除边缘部分外全部可以使用；
（5）贴膜后的键合球形大小均匀、无形变，为保证产品质量提供了坚实的基础；
（6）贴膜后使焊线拉力、焊点推力增大，并且延长了故障停机时间，从大大增加了焊接的稳定性，提高了产品的品质和性能。
附图说明
图1为经过本实施例切割方法切割后的高温保护膜、蓝膜和薄铁板组合示意图；
图2为未采用本实施例割膜和贴膜方法的焊点球形示意图；
图3为采用本实施例割膜和贴膜方法的焊点球形示意图。
标注说明：薄铁板1，蓝膜2，高温保护膜3，封装集成电路芯片4，键合球5。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段及其所能达到的技术效果，能够更清楚更完善的揭露，兹提供了一个实施例，并结合附图作如下详细说明：
如图1所示，图1为经过本发明切割方法切割后的高温保护膜3、蓝膜2和薄铁板1组合示意图，本实施例的一种键合用高温保护膜3的切割方法，包括如下步骤：
步骤（1）准备一块平整的薄铁板1；
步骤（2）将划片用的蓝膜2平整地贴于薄铁板1上；
步骤（3）将需切割的高温保护膜3平整地贴于划片用的蓝膜2上；
步骤（4）将贴有蓝膜2和高温保护膜3的薄铁板1置于划片机待划片处；
步骤（5）调整划片机刀片的位置或设置划片机的参数；
步骤（6）将高温保护膜3切割成1.5*1.5mm或2.0*2.0mm的方块。
蓝膜2采用SPV-225RB蓝膜2，规格为230mm*100mm。
步骤（5）中，设置切割步进速度90+/-5mm/s，切割尺寸长*宽1-2mm。
划片机为机械划片机、激光划片机或雷射划片机。
本实施例的一种键合用高温保护膜3的使用方法，包括如下步骤：
步骤（1）贴前检查凹槽，保持凹槽平整干净；
步骤（2）将切割好的高温保护膜3用镊子选合适的大小放置在集成电路专用的加热底板的凹槽中；
步骤（3）将高温保护膜3平整地贴于凹槽上。
所贴的高温保护膜3面积不大于凹槽面积。
贴膜时注意事项：
1、贴前检查凹槽中必须平整干净。
2、贴膜时位置需放正。
3、所贴的膜面积不得大于凹槽面积。
4、所贴的膜必须保持平整四周贴平。
5、贴膜前加热块如是刚拆下的，需待其冷却后进行操作，防止烫伤。
采用推拉力测试仪：Daye Serise 4000对贴膜前和贴膜后的焊线和焊点分别进行拉力测试和推力测试，并分别统计贴膜前和贴膜后的封装集成电路的故障停机时间，得到下表结果：
以下为使用本实施例的方法贴膜和没有使用本实施例的方法贴膜，在实际生产中的效果对比表：
由上表可知，使用本实施例的方法贴膜后在实际生产中的效果非常明显，故障停机时间至少增加30分钟，为贴膜前的 10倍以上；同时焊线拉力大大增加，为贴膜前的3倍以上；焊点推力大大增加，为贴膜前的1.6倍。
如图2和3所示，图2为未采用本实施例割膜和贴膜方法的焊点球形示意图，图3为采用本实施例割膜和贴膜方法的焊点球形示意图，从实际效果上看，贴膜后的键合球形大小均匀、无形变，为保证产品质量提供了坚实的基础。
从而本实施例的技术方案，大大增加了焊接的稳定性，提高了产品的品质和性能。
综上所述，本实施例操作简单，速度快；割膜效果好，不存在毛边，大小不一致等问题；可依据需求切割出各种型号的规格；高温保护膜3损耗小，除边缘部分外全部可以使用。
以上内容是结合本发明的优选实施方式对所提供技术方案所作的进一步详细说明，不能认定本发明具体实施只局限于上述这些说明，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种键合用高温保护膜的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤（1）准备一块平整的薄铁板；
步骤（2）将划片用的蓝膜平整地贴于薄铁板上；
步骤（3）将需切割的高温保护膜平整地贴于划片用的蓝膜上；
步骤（4）将贴有蓝膜和高温保护膜的薄铁板置于划片机待划片处；
步骤（5）调整划片机刀片的位置或设置划片机的参数；
步骤（6）将高温保护膜切割成1.5*1.5mm或2.0*2.0mm的方块。
2.如权利要求1所述的一种键合用高温保护膜的切割方法，其特征在于：所述蓝膜采用SPV-225RB蓝膜。
3.如权利要求1所述的一种键合用高温保护膜的切割方法，其特征在于：所述步骤（5）中，设置切割步进速度90+/-5mm/s，切割尺寸长*宽1-2mm。
4.如权利要求1所述的一种键合用高温保护膜的切割方法，其特征在于：所述划片机为机械划片机、激光划片机或雷射划片机。
5.一种键合用高温保护膜的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤（1）贴前检查凹槽，保持凹槽平整干净；
步骤（2）将切割好的高温保护膜用镊子选合适的大小放置在集成电路的加热底板的凹槽中；
步骤（3）将高温保护膜平整地贴于凹槽上。
6.如权利要求5所述的一种键合用高温保护膜的使用方法，其特征在于：所贴的高温保护膜面积不大于凹槽面积。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4034142B2 (ja) * 2002-08-06 2008-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 流量センサー
CN101835865A (zh) * 2007-12-03 2010-09-15 Lg化学株式会社 切割芯片贴膜和切割方法
CN202736909U (zh) * 2012-08-31 2013-02-13 天水华天科技股份有限公司 一种引线框架的宝塔式ic芯片堆叠封装件
CN102983108A (zh) * 2012-11-27 2013-03-20 杭州士兰集成电路有限公司 封装结构及封装工艺
CN103337483A (zh) * 2013-05-14 2013-10-02 天水华天科技股份有限公司 一种超薄型vsop封装件及其生产方法
CN103811537A (zh) * 2014-03-05 2014-05-21 上海新储集成电路有限公司 一种大尺寸晶圆及其制备方法
CN106670735A (zh) * 2016-08-31 2017-05-17 北京时代民芯科技有限公司 一种高精度焊片切割方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4034142B2 (ja) * 2002-08-06 2008-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 流量センサー
CN101835865A (zh) * 2007-12-03 2010-09-15 Lg化学株式会社 切割芯片贴膜和切割方法
CN202736909U (zh) * 2012-08-31 2013-02-13 天水华天科技股份有限公司 一种引线框架的宝塔式ic芯片堆叠封装件
CN102983108A (zh) * 2012-11-27 2013-03-20 杭州士兰集成电路有限公司 封装结构及封装工艺
CN103337483A (zh) * 2013-05-14 2013-10-02 天水华天科技股份有限公司 一种超薄型vsop封装件及其生产方法
CN103811537A (zh) * 2014-03-05 2014-05-21 上海新储集成电路有限公司 一种大尺寸晶圆及其制备方法
CN106670735A (zh) * 2016-08-31 2017-05-17 北京时代民芯科技有限公司 一种高精度焊片切割方法

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