CN108470849B - 一种柔性基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种柔性基板及其制作方法，以避免现有技术中通过激光照射将功能膜层与承载基板分离时，由于激光的照射对薄膜晶体管造成损伤，使薄膜晶体管电学性能降低的问题。所述柔性基板的制作方法，包括：在承载基板之上形成第一膜层；在所述第一膜层之上依次形成薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层；在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，所述第二膜层为正常状态下粘合度大于第二预设值，而在预设条件下粘合度降低的膜层；将所述第一膜层与所述承载基板机械分离；在所述预设条件下，去除所述第二膜层。

Description

一种柔性基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种柔性基板及其制作方法。

背景技术

柔性显示装置具有可卷曲、宽视角、便于携带等特点，因此，在便携产品、多数显示应用领域柔性显示装置具有广阔的应用前景及良好的市场潜力。

然而，现在的柔性基板基本上是在玻璃承载基板上涂覆聚酰亚胺，经过低压干燥,长时间的烘烤，要经过很长的工艺时间。甚至为了更好的阻水阻氧，还会做双层聚酰亚胺，这样会涉及到更多的工艺，要沉积阻挡层(barrier)，之后再涂覆聚酰亚胺，再经过低压干燥，长时间的烘烤，才能供给后续背板使用。并且显示器件制备完成后，为了把柔性基板剥离下来，要用激光剥离，激光会对薄膜晶体管器件造成损伤，降低电学性能。

发明内容

本发明提供一种柔性基板及其制作方法，以避免现有技术中通过激光照射将功能膜层与承载基板分离时，由于激光的照射对薄膜晶体管造成损伤，使薄膜晶体管电学性能降低的问题。

本发明实施例提供一种柔性基板的制作方法，包括：

在承载基板之上形成第一膜层；

在所述第一膜层之上依次形成薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层；

在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，所述第二膜层为正常状态下粘合度大于所述第一膜层，而在预设条件下粘合度降低的膜层；

将所述第一膜层起与所述承载基板机械分离；

在所述预设条件下，去除所述第二膜层。

可选的，所述第一膜层的材质为氧化钼，所述在承载基板之上形成第一膜层，具体包括：

在所述承载基板之上形成钼金属层；

对所述钼金属层氧化，以在所述钼金属层的背离所述承载基板的一面形成氧化钼层，所述氧化钼层为所述第一膜层。

可选的，在对所述钼金属层氧化之前，所述制作方法还包括：对所述钼金属层的位于非显示区的部分进行图案化。

可选的，所述对所述钼金属层的位于非显示区的部分进行图案化，具体包括：在所述钼金属层的位于非显示区的部分形成条状通孔，所述条状通孔还做为后续使用掩膜板进行对位时的对位标记。

可选的，在所述第一膜层之上形成薄膜晶体管之前，所述制作方法还包括：在所述第一膜层之上形成无机保护层。

可选的，所述无机保护层的材质为氧化硅和/或氮化硅。

可选的，在去除所述第二膜层之前，所述制作方法还包括：在所述第一膜层的背离所述薄膜晶体管的一面贴附底膜保护膜。

可选的，所述第二膜层的材质为四丙氟橡胶，所述在所述预设条件下，去除所述第二膜层，具体包括：

通过紫外光照射所述第二膜层，使之粘合度下降，进而去除所述第二膜层。

可选的，在去除所述二膜层之后，所述制作方法还包括：

将所述柔性基板进行切割成多个子柔性基板；

在各所述子柔性基板之上依次形成触控层、偏光层以及覆盖层。

本发明实施例还提供一种采用本发明实施例提供的所述制作方法制作的柔性基板，所述柔性基板包括：第一膜层，以及依次位于所述第一膜层之上的薄膜晶体管、电致发光层、薄膜封装层。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，通过在承载基板之上形成第一膜层，以及在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，第二膜层为正常状态下粘合度大于第一膜层，而在预设条件下粘合度降低的膜层，由于第一膜层的粘合力较低，而第二膜层的粘合度较大，进而可以使薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层均与第二膜层的贴合较紧，在分离时，可以实现将与第二膜层贴合较紧的薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层均自第一膜层起与承载基板分离，可以避免现有技术中通过激光照射将薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层与承载基板分离时，由于激光的照射对薄膜晶体管造成损伤，使薄膜晶体管电学性能降低的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的柔性基板的制作方法流程图；

图2为本发明实施例提供的还包括在第一膜层之上形成无机保护层的柔性基板的制作方法流程图；

图3为本发明实施例提供的还包括在第一膜层的背离薄膜晶体管的一面贴附底膜保护膜的柔性基板的制作方法流程图；

图4为本发明实施例提供的还包括形成触控层、偏光层以及覆盖层的柔性基板的制作方法流程图；

图5为本发明实施例提供的形成图案化的钼金属层的柔性基板的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的形成氧化钼层的柔性基板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的形成无机保护层的柔性基板的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的形成薄膜封装层后的柔性基板的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的形成第二膜层后的柔性基板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的去除承载基板后的柔性基板的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的形成底膜保护膜的柔性基板的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的去除TPF膜层后的柔性基板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

参见图1，本发明实施例提供一种柔性基板的制作方法，包括：

步骤S100，在承载基板之上形成第一膜层。

在具体实施时，第一膜层的材质可以为氧化钼，对于步骤S100，在承载基板之上形成第一膜层，具体包括：在承载基板之上形成钼金属层；对钼金属层氧化，以在钼金属层的背离承载基板的一面形成氧化钼层，氧化钼层做为第一膜层。本发明实施例中，第一膜层为氧化钼层，具体可以由钼金属层经过氧化形成，制作第一膜层的工艺较为简单。

可选的，在对钼金属层氧化之前，制作方法还包括：对钼金属层的位于非显示区的部分进行图案化。而对钼金属层的位于非显示区的部分进行图案化，具体包括：在钼金属层的位于非显示区的部分形成条状通孔，条状通孔还做为后续使用掩膜板进行对位时的对位标记。本发明实施例中，在采用氧化钼层作为第一膜层时，还可以对钼金属层的位于非显示区的部分进行图案化，即，去除钼金属层部分区域的膜层，避免制作一整层的金属层时，由于较易形成击穿，对制备后续膜层所使用的腔室造成损坏。而且，由于在后续膜层的制作过程中，会使用掩膜板，而使用掩膜板时需要通过与相应标识进行对位使其位于相应的位置上，为避免对腔室造成损坏而制作的图案化的钼金属层，还可以将该钼金属层的图案用作对位标识，可以在避免一整层的金属对腔室造成损坏的同时，省略制作对位标识的步骤，简化柔性基板的制作过程。

步骤S200，在第一膜层之上依次形成薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层。

步骤S300，在薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，第二膜层为正常状态下粘合度大于第一膜层，而在预设条件下粘合度降低的膜层。

步骤S400，将第一膜层与承载基板机械分离。

步骤S500，在预设条件下，去除第二膜层。在具体实施时，第二膜层的材质为四丙氟橡胶，在预设条件下，去除第二膜层，具体包括：通过紫外光照射第二膜层，使之粘合度下降，进而去除第二膜层。

本发明实施例中，本发明实施例中，通过在承载基板之上形成第一膜层，以及在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，第二膜层为正常状态下粘合度大于第一膜层，而在预设条件下粘合度降低的膜层，由于第一膜层的粘合力较低，而第二膜层的粘合度较大，进而可以使薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层均与第二膜层的贴合较紧，在分离时，可以实现将与第二膜层贴合较紧的薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层均自第一膜层起与承载基板分离，可以避免现有技术中通过激光照射将薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层与承载基板分离时，由于激光的照射对薄膜晶体管造成损伤，使薄膜晶体管电学性能降低的问题。

在具体实施时，参见图2所示，在第一膜层之上形成薄膜晶体管之前，制作方法还包括：步骤S600，在第一膜层之上形成无机保护层。可选的，无机保护层的材质为氧化硅和/或氮化硅。本发明实施例中，由于第一膜层一般较薄，在第一膜层之上形成无机保护层，可以在将上方的薄膜晶体管、电致发光层、薄膜封装层与承载基板分离时，对形成在第一膜层上方的薄膜晶体管、电致发光层、薄膜封装层进行保护，避免与承载基板分离时，对薄膜晶体管、电致发光层、薄膜封装层造成损坏。

在具体实施时，参见图3所示，在去除第二膜层之前，制作方法还包括：步骤S700，在第一膜层的背离薄膜晶体管的一面贴附底膜保护膜。本发明实施例中，在第一膜层的背离薄膜晶体管的一面贴附底膜保护膜，可以对形成的柔性基板的底面进行保护，应当理解的是，该种底面保护膜也为柔性保护膜。

在具体实施时，参见图4所示，在去除第一粘性膜层之后，制作方法还包括：

步骤S800，将柔性基板进行切割成多个子柔性基板。

步骤S900，在各子柔性基板之上依次形成触控层、偏光层以及覆盖层。

为了更详细的对本发明提供的柔性基板的制作方法进行说明，结合附图5- 附图11进行详细说明如下：

步骤一，在玻璃承载基板之上制备一层钼金属层10，并通过光刻工艺图形化，在钼金属层10的位于非显示区的部分形成条状通孔102，条状通孔102 还做为后续使用掩膜板进行对位时的对位标记，参见图5所示。在具体的柔性显示面板的制作过程中，由于一般是先形成一片较大的柔性基板，之后将该柔性基板根据具体需要制成的器件的大小，将柔性基板分割成多个子柔性基板，对于条状通孔102的设置，具体可以是如图5所示，可以在钼金属层10的每一用于形成子柔性基板区域101的左侧形成一条条状通孔102，且条状通孔102的延伸方向可以是沿用于形成子柔性基板区域101排列的列方向相同，同一列的各条状通孔102相互间隔，每一条状通孔的102延伸长度大于或等于用于形成子柔性基板区域101的在列方向上的长度。

步骤二，将图案化后的钼金属层10置于烘箱，并在空气的氛围下氧化，使钼金属层10的背离玻璃承载基板8的一面形成氧化钼层1，参见图6所示。

步骤三，在氧化钼层1之上沉积一层无机保护层2，具体无机保护层2可以是SiOx和/或SiNx，该SiOx和/或SiNx承担柔性基板底膜的保护层，参见图7所示。

步骤四，在无机保护层2之上依次形成薄膜晶体管3、在薄膜晶体管3之上蒸镀电致发光层，具体的电致发光层可以是包括多个发光单元4，在电致发光层之上沉积薄膜封装层5，如图8所示，当然，制作的薄膜晶体管3可以是多个，图8仅是为了示意方便，以一连续膜层示出，而每一薄膜晶体管可以由多个膜层构成，薄膜封装层5具体也可以是由多个膜层组合的复合层。

步骤五，在薄膜封装层5之上贴附第二膜层6，具体的第二膜层6可以是四丙氟橡胶(TPF)，参见图9所示。

步骤六，将贴附有氧化钼层1、无机保护层2、薄膜晶体管3、电致发光层 4、薄膜封装层5的TPF作为一体，自氧化钼层1起，与玻璃承载基板8机械分离，参见图10所示，分离层为氧化钼层1。

步骤七，在氧化钼层1的背离薄膜晶体管3的一面贴附底膜保护膜7，参见图11所示。

步骤八，通过紫外光照射TPF，使之粘合度下降，进而去除TPF，参见图 12所示。

步骤九，按子柔性基板的分布方式，将柔性基板进行切割成多个子柔性基板，即，在相邻子柔性基板之间的间隙进行切割分离。

步骤十，在各子柔性基板之上依次形成触控层、偏光层以及覆盖层，具体的覆盖层的材质可以是玻璃。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种柔性基板，采用本发明实施例提供的制作方法制作，参见图12所示，柔性基板包括：第一膜层1，以及依次位于第一膜层1之上的薄膜晶体管3、电致发光层4、薄膜封装层5。在具体实施时，柔性基板还可以包括：位于第一膜层1的背离薄膜晶体管3一面的底膜保护膜，以及位于第一膜层1与薄膜晶体管3之间的无机保护层2。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，通过在承载基板之上形成第一膜层，以及在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，第二膜层为正常状态下粘合度大于第一膜层，而在预设条件下粘合度降低的膜层，由于第一膜层的粘合力较低，而第二膜层的粘合度较大，进而可以使薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层均与第二膜层的贴合较紧，在分离时，可以实现将与第二膜层贴合较紧的薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层均自第一膜层起与承载基板分离，可以避免现有技术中通过激光照射将薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层与承载基板分离时，由于激光的照射对薄膜晶体管造成损伤，使薄膜晶体管电学性能降低的问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种柔性基板的制作方法，其特征在于，包括：

在承载基板之上形成第一膜层；

在所述第一膜层之上依次形成薄膜晶体管、电致发光层以及薄膜封装层；

在所述薄膜封装层之上贴附第二膜层，其中，所述第二膜层为正常状态下粘合度大于所述第一膜层，而在预设条件下粘合度降低的膜层；

将所述第一膜层与所述承载基板机械分离；

在所述预设条件下，去除所述第二膜层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一膜层的材质为氧化钼 ，所述在承载基板之上形成第一膜层，具体包括：

在所述承载基板之上形成钼 金属层；

对所述钼 金属层氧化，以在所述钼 金属层的背离所述承载基板的一面形成氧化钼层，所述氧化钼 层为所述第一膜层。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在对所述钼 金属层氧化之前，所述制作方法还包括：对所述钼 金属层的位于非显示区的部分进行图案化。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述对所述钼 金属层的位于非显示区的部分进行图案化，具体包括：在所述钼 金属层的位于非显示区的部分形成条状通孔，所述条状通孔还做为后续使用掩膜板进行对位时的对位标记。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一膜层之上形成薄膜晶体管之前，所述制作方法还包括：在所述第一膜层之上形成无机保护层。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述无机保护层的材质为氧化硅和/或氮化硅。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在去除所述第二膜层之前，所述制作方法还包括：在所述第一膜层的背离所述薄膜晶体管的一面贴附底膜保护膜。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二膜层的材质为四丙氟橡胶，所述在所述预设条件下，去除所述第二膜层，具体包括：

通过紫外光照射所述第二膜层，使之粘合度下降，进而去除所述第二膜层。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在去除所述第二膜层之后，所述制作方法还包括：

将所述柔性基板进行切割成多个子柔性基板；

在各所述子柔性基板之上依次形成触控层、偏光层以及覆盖层。

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