CN108448008B - Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装*** - Google Patents

Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装*** Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种OLED薄膜封装***，用于封装OLED器件，包括原子层沉积技术装置、待封装OLED器件、掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源。所述待封装OLED器件包括基板及OLED层。所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。使用该OLED薄膜封装***的OLED薄膜封装工艺使用照射源通过所述通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。

Description

OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装***
技术领域
本发明涉及有机光电器件技术领域，尤其涉及一种OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装***。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件具有响应速度快、视角宽、亮度高、低功耗等优异性能，并且为自发光器件，被认为是具有很大发展前景的下一代显示技术。硅基微显示器是一种高PPI(Pixels Per Inch)显示器件，其封装方式依旧沿用盖板式、Frit和薄膜封装(Thin Film Encapsulation)三种方式。综合三种方式的优缺点，薄膜封装比较适合硅基微显示器。
原子层沉积技术，是利用反应前驱体与衬底之间的气-固相反应，来完成薄膜工艺上的需求，由于在工艺上技术可以满足非常高精度要求，因此被人们视为一种先进的半导体工艺技术。原子层沉积技术反应过程由两个半反应构成，第一个半反应是有机物与基板化学键结合，后一个半反应是等离子气体与有机物反应生成副产物与膜材分子。采用ALD得到的膜层具有超薄、致密、覆盖率高等特点，广泛应用于OLED薄膜封装。请参图1所示，目前，在ALD沉积工艺中，掩膜板(Mask)10放置于基板20上方，由于膜材分子30的钻孔能力很强，往往会穿过掩膜板10与基板20之间的间隙，在不需要沉积薄膜的Bonding区40沉积一层薄膜层，导致无法实现贴合(Bonding)，影响后端模组工段。通常需要通过干刻曝光等工艺剥离该薄膜层，增加了设备投资成本及工艺环节，提高了生产成本。
有鉴于此，有必要设计一种改进的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装***，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够阻止Bonding区沉积薄膜层的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装***。
为实现上述发明目的，本发明提供了一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：
S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；
S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；
S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；
S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；
S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S5包括如下步骤：
S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；
S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子，所述膜材分子沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区，所述照射源将所述前驱体分解，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
作为本发明的进一步改进，所述照射源为UV光或者电子束。
作为本发明的进一步改进，所述OLED薄膜封装工艺还包括以下步骤：
S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部。
作为本发明的进一步改进，在所述步骤S6中，所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物随惰性气体排出。
作为本发明的进一步改进，所述前驱体为有机物。
为实现上述发明目的，本发明还提供了一种OLED薄膜封装***，用于封装OLED器件，所述OLED薄膜封装***包括原子层沉积技术装置、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源；所述待封装OLED器件包括基板及设于所述基板上的OLED层；所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域；所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。
作为本发明的进一步改进，所述照射源为UV光或者电子束。
本发明的有益效果是：本发明通过在掩膜板上设置与基板的Bonding区相对应的通孔，使用照射源通过该通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。
附图说明
图1为现有技术中掩膜板与基板对位时的结构示意图。
图2为本发明OLED薄膜封装工艺的流程图。
图3为本发明OLED薄膜封装***中掩膜板与基板对位时的结构示意图。
图4为图3中掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
另外，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
请参阅图2至图4所示，一种OLED薄膜封装***200，用于封装OLED器件。所述OLED薄膜封装***100包括原子层沉积技术装置(未图示)、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板100以及放置于所述掩膜板100上方的照射源(未标号)。所述待封装OLED器件包括基板20及设于所述基板20上的OLED层(未图示)。所述掩膜板100包括镂空部101和遮盖部102，所述镂空部101包括用以在所述基板20上形成薄膜封装层的开孔1011，所述基板20上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部102用以遮盖所述基板20的非薄膜封装区域，所述遮盖部102设有通孔1021，且在所述掩膜板100与所述基板20对位时，所述通孔1021与所述基板20的Bonding区40相对应。如此设置，所述照射源可以通过所述通孔1021照射所述Bonding区40。
以下对使用所述OLED薄膜封装***200封装OLED器件的OLED薄膜封装工艺进行描述：
一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板20及OLED层(未图示)，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：
S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；
S2，提供掩膜板100，所述掩膜板100包括镂空部101和遮盖部102，所述镂空部101包括用以控制在所述基板20上形成薄膜封装层的开孔1011，所述基板20上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部102用以遮盖所述基板20的非薄膜封装区域，所述遮盖部102设有通孔1021，将所述掩膜板100与所述基板20相对放置，当所述掩膜板100与所述基板20对位时，所述通孔1021的位置与所述基板20上的Bonding区40的位置相对应；
S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔1021照射所述Bonding区40；
S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；
S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板20的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区40无薄膜封装层生成。
S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部，在所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物会随惰性气体一起排出原子层沉积技术装置。
所述步骤S5的具体过程包括如下步骤：
S51，所述前驱体与所述基板20化学键结合；
S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板20的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子30，所述膜材分子30沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区40，所述照射源将所述前驱体分解，无法生成膜材分子30，从而实现了阻止所述Bonding区40的薄膜生长。
在本发明中，所述前驱体为有机物。所述照射源为UV光或者电子束。应当理解，本领域技术人员也可以选用其他能够分解有机物从而阻止所述Bonding区40的薄膜生长的物质照射所述Bonding区40，只需保证，在所述Bonding区40无法沉积薄膜层即可。
综上所述，本发明OLED薄膜封装***200及OLED薄膜封装工艺中使用的所述掩膜板100的遮盖部102设置有与所述Bonding区40相对应的所述通孔1021，通过该通孔1021向所述Bonding区40照射UV光或者电子束，UV光或者电子束将所述Bonding区40的前驱体分解，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止所述Bonding区40沉积薄膜层，从而避免了在所述Bonding区40沉积薄膜层，影响后续工段操作的现象出现，简化了工艺过程，降低了生产成本。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：
S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；
S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；
S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；
S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；
S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于，所述步骤S5包括如下步骤：
S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；
S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子，所述膜材分子沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区，所述照射源将所述前驱体分解，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
3.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于：所述照射源为UV光或者电子束。
4.根据权利要求2所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于，所述OLED薄膜封装工艺还包括以下步骤：
S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部。
5.根据权利要求4所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于：在所述步骤S6中，所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物随惰性气体排出。
6.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于：所述前驱体为有机物。
7.一种OLED薄膜封装***，用于封装OLED器件，其特征在于：所述OLED薄膜封装***包括原子层沉积技术装置、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源；所述待封装OLED器件包括基板及设于所述基板上的OLED层；所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域；所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区。
8.根据权利要求7所述的OLED薄膜封装***，其特征在于：所述照射源为UV光或者电子束。
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