CN108432129B - 一种功放控制方法、装置及功放控制*** - Google Patents

一种功放控制方法、装置及功放控制*** Download PDF

Info

Publication number
CN108432129B
CN108432129B CN201580085531.8A CN201580085531A CN108432129B CN 108432129 B CN108432129 B CN 108432129B CN 201580085531 A CN201580085531 A CN 201580085531A CN 108432129 B CN108432129 B CN 108432129B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power amplifier
envelope
signal
phase
link
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580085531.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108432129A (zh
Inventor
张立鹏
蔡中华
王开展
焦伟
庞志远
朱胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Publication of CN108432129A publication Critical patent/CN108432129A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108432129B publication Critical patent/CN108432129B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216Continuous control
    • H03F1/0222Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3282Acting on the phase and the amplitude of the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/102A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/336A I/Q, i.e. phase quadrature, modulator or demodulator being used in an amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/408Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising three power stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/423Amplifier output adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种功放控制方法、装置及功放控制***,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,可根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号(401),并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值(402),从而解决了现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题。

Description

一种功放控制方法、装置及功放控制***
技术领域
本发明涉及无线通信领域,尤其涉及一种功放控制方法、装置及功放控制***。
背景技术
为了提高频谱利用效率,无线通信采用了多种不同制式的调制信号,如OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing,正交频分复用)、CDMA(Code DivisionMultiple Access,码分多址)、TDMA(Time Division Multiple Access,时分多址)等。但是,以OFDM为例,由于其信号具备较高的峰均比,因而,其对基站功放的要求也较高。基站功放为了不失真的将这些高峰均比的信号放大,可采用两种方式,一种是功率回退,即,将功放的工作状态设定在A类或AB类,但是,由于功放管的特性有限,这种方式会引起功放效率的大幅度下降,在同样输出功率的情况下,会使得基站消耗更多的能源;另一种即为高效率功放技术,这种方法不仅可以得到较高的功放效率,而且功放的线性也能够满足相关协议的要求。
目前,业内常采用的高效率功放技术可包括Doherty(多赫蒂)技术以及ET(Envelope Tracking,包络跟踪)技术,具体地,可分为以下三种:
第一种,基于传统ET功放的高效率功放技术。如图1所示,所述ET功放通常可包含一个包络调制器和一个AB类功放,其中,包络调制器产生包络电压代替固定电压给功放供电,以对功放进行包络跟踪,从而使得功放始终处于接近饱和的工作状态,提升了回退的工作效率。
但是,由于ET功放的整体工作效率等于包络调制器的工作效率和功放工作效率的乘积,且包络调制器的工作效率不可能达到100%,因此,会有一定的效率损失,特别是在高峰均比的调制信号下,由于功放本身的限制,导致回退效率很难达到很高;另外,一旦包络电压过低,还会导致功率管的增益大幅下降,PAE(Power Add Efficiency,功率附加效率)也会进一步恶化,因而使得该种方式的功放效果或功放性能并不佳。
第二种,基于单独馈电的Doherty ET功放的高效率功放技术,如图2所示,所述Doherty ET功放可包括包络调制器、Doherty主功放以及Doherty辅助功放(即峰值功放),其中,包络调制器与主功放相连,以对主功放进行包络跟踪,且辅助功放采用一个固定电压供电,从而可以利用Doherty的回退效率优势,提升高峰均比信号在回退下的效率。
但是,由于Doherty的主功放和辅助功放的电压比越大,Doherty的非对称性就越大,功放效率的凹坑也越大,因此,这种方式对效率的提升有限,且由于受到功率管的击穿电压的影响,Doherty的辅助功放无法配置很高的电压,因此,会存在无法进一步提升功放的饱和功率的问题,从而使得这种方式的功放效果或功放性能也并不佳。
第三种,基于分别馈电的Doherty ET功放的高效率功放技术,如图3所示,此时,所述Doherty ET功放可包括包络调制器、Doherty主功放以及Doherty辅助功放,且包络调制器与主功放、辅助功放均相连,以分别对Doherty的主功放和辅助功放进行包络跟踪,从而可利用Doherty的回退效率优势,提升高峰均比信号在回退下的效率。
但是,由于不同电压下,Doherty主功放链路的信号和辅助功放链路的信号具有不同的相位,因此会导致Doherty功放的相位无法达到不同包络电压下的最优,进而使得这种方式的功放效果较差,功放性能并不佳。
综上所述,现有的高效率功放技术存在效果较差、性能不佳等的问题,因此,亟需一种新的功放技术以解决上述各问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种功放控制方法、装置及功放控制***,以解决现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题。
第一方面,提供了一种功放控制方法,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,所述方法包括:
根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。
结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式中,根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号,包括:
若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。
结合第一方面,在第一方面的第二种可能的实现方式中,根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,包括:
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
结合第一方面,在第一方面的第三种可能的实现方式中,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;且,若所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,则对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相,包括:
对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
结合第一方面,在第一方面的第四种可能的实现方式中,所述包络控制电路包括与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连的一个包络调制器,所述一个包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压;或者,
包括与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器,所述多个包络调制器中的每一包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压。
结合第一方面,在第一方面的第五种可能的实现方式中,所述调相为数字调相或模拟调相。
第二方面,提供了一种功放控制装置,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,所述装置包括:
信号生成单元,用于根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
信号调相单元,用于根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。
结合第二方面,在第二方面的第一种可能的实现方式中,所述信号生成单元,具体用于若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。
结合第二方面,在第二方面的第二种可能的实现方式中,所述信号调相单元,具体用于在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
结合第二方面,在第二方面的第三种可能的实现方式中,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;
所述信号调相单元,具体用于当所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,且需对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相时,对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
结合第二方面,在第二方面的第四种可能的实现方式中,所述包络控制电路包括与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连的一个包络调制器,所述一个包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压;或者,
包括与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器,所述多个包络调制器中的每一包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压。
结合第二方面,在第二方面的第五种可能的实现方式中,所述调相为数字调相或模拟调相。
第三方面,提供了一种功放控制装置,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,所述装置包括:
信号生成器,用于根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
信号调制器,用于根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。
结合第三方面,在第三方面的第一种可能的实现方式中,所述信号生成器,具体用于若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。
结合第三方面,在第三方面的第二种可能的实现方式中,所述信号调制器,具体用于在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
结合第三方面,在第三方面的第三种可能的实现方式中,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;
所述信号调制器,具体用于当所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,且需对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相时,对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
结合第三方面,在第三方面的第四种可能的实现方式中,所述包络控制电路包括与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连的一个包络调制器,所述一个包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压;或者,
包括与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器,所述多个包络调制器中的每一包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压。
结合第三方面,在第三方面的第五种可能的实现方式中,所述调相为数字调相或模拟调相。
第四方面,提供了一种功放控制***,包括包含包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,所述功放控制***还包括第二方面、或第二方面的第一种至第五种可能的实现方式中的任一实现方式中所述的功放控制装置。
根据第一方面~第四方面提供的功放控制方法、装置以及功放控制***,可根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号,并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。即,可以针对不同的包络电压对主功放链路和/或辅助功放链路进行相位补偿,使得在不同包络电压下,多赫蒂功放电路的主功放链路和辅助功放链路之间的相位差均能够达到最优,从而提高了功放的效果以及性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1所示为现有技术中所述的传统的ET功放的结构示意图;
图2所示为现有技术中所述的单独馈电的Doherty ET功放的结构示意图;
图3所示为现有技术中所述的分别馈电的Doherty ET功放的结构示意图;
图4所示为本发明实施例一中所述的功放控制方法的流程示意图;
图5所示为本发明实施例一中所述的主功放链路的信号与辅助功放链路的信号之间的相位差与包络信号的关系曲线示意图;
图6所示为本发明实施例一中所述的功放***的结构示意图一;
图7所示为本发明实施例一中所述的功放***的结构示意图二;
图8所示为本发明实施例一中所述的功放***的结构示意图三;
图9所示为本发明实施例二中所述的功放控制装置的结构示意图;
图10所示为本发明实施例二中所述的功放控制结构示意图一;
图11所示为本发明实施例二中所述的功放控制结构示意图二;
图12所示为本发明实施例二中所述的功放控制结构示意图三;
图13所示为本发明实施例二中所述的功放控制结构示意图四;
图14所示为本发明实施例二中所述的功放控制结构示意图五;
图15所示为本发明实施例三中所述的功放控制装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:
为了解决现有的高效率功放技术存在的效果较差、性能不佳等的问题,本发明实施例一提供了一种功放控制方法,如图4所示,其为本发明实施例一中所述的功放控制方法的流程示意图,所述功放控制方法可适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,具体地,所述控制方法可包括以下步骤:
步骤401:根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
步骤402:根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。
也就是说,在根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路进行调相时,可仅对主功放链路的信号进行调相,保持辅助功放链路的信号的相位不变;或者仅对辅助功放链路的信号进行调相,保持主功放链路的信号的相位不变;或者同时对主功放链路的信号以及辅助功放链路的信号进行调相;即,可根据实际需求选择需要调相的功放链路,只要保证多赫蒂主功放链路的信号与辅助功放链路的信号之间的相位差达到需要的取值即可,对此不作赘述。
由本发明实施例所述内容可知,可通过生成的调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得多赫蒂功放电路的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差达到多赫蒂功放电路在当前包络信号对应的包络电压值下的最佳相位,即,可以针对不同的包络电压对主功放链路和/或辅助功放链路进行相位补偿,以使得在不同的包络电压下,主功放链路和辅助功放链路之间的相位差均能够达到相应的最优值,从而提高了功放的效果以及性能,解决了现有的高效率功放技术所存在的效果较差、性能不佳等的问题。
可选地,步骤401所述的根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号,可包括:
若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。也就是说,当包络信号在设定的包络开启阈值和设定的包络信号最大值之间变化时,可生成使得主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差跟随包络信号线性变化的一个调相控制信号。
需要说明的是,所述第一相位值之所以为最小包络电压时多赫蒂功放电路的最佳相位值,是因为,当包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值(该阈值可根据实际情况灵活调整)时,功放***工作于纯Doherty状态下,包络调制器会输出一个固定的电压VDDL(即,最小包络电压)供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级;
类似地,所述第二相位值之所以为最大包络电压时多赫蒂功放电路的最佳相位值,是因为,当包络信号大于设定的包络开启阈值时,功放***工作于Doherty和ET的共同状态下,包络调制器的输出电压会跟随包络信号包络变化,当包络信号达到最大值,即达到设定的包络信号最大值时,包络调制器会输出一个最大输出电压VDDH(即,最大包络电压)供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级,此处不再赘述。
可选地,在本发明所述实施例中,生成的调相控制信号具体可为电压信号;例如,假设多赫蒂功放电路包括一个主功放、一个辅助功放,且,需要对多赫蒂功放电路中的辅助功放链路的信号进行调相,则:
当包络信号不大于设定的包络开启阈值时,包络调制器会输出一固定电压VDDL(即,最小包络电压)提供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级,同时,功放控制装置(即本发明实施例各步骤的执行主体)会根据基带单元输出的包络信号,生成一个固定电压V0,该固定电压V0能够使得辅助功放链路的相位处于相位a状态,即,使得多赫蒂功放电路的主功放链路和辅助功放链路之间的相位差为a,该相位a为多赫蒂功放电路在电压VDDL下的最佳相位;
当包络信号大于设定的包络开启阈值时,包络调制器输出的电压会跟随包络信号包络变化,最大包络对应最大输出电压VDDH(即,最大包络电压),同时,功放控制装置根据基带单元输出的包络信号生成的电压信号,也会跟随包络的变化而变化,当包络信号达到最大时,功放控制装置输出的电压V1会使得辅助功放链路的相位处于相位b状态,即,使得多赫蒂功放电路的主功放链路和辅助功放链路之间的相位差为b,该相位b为多赫蒂功放电路在电压VDDH下的最佳相位;而当包络信号在设定的包络开启阈值和设定的包络信号最大值之间变化时,功放控制装置根据基带单元输出的包络信号生成的电压会使得辅助功放链路的相位跟随包络信号线性变化,具体的变化曲线可如图5所示。
可选地,步骤402所述的根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,包括:
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
也就是说,对需要调相的一路或多路信号来说,调相操作可在变频之后、也可在变频之前进行,本发明实施例对此不作任何限定。
例如,假设需要对多赫蒂功放电路中的辅助功放链路的信号进行调相,则可在上变频设备对基带单元生成的基带信号进行变频处理,得到多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的射频信号之后,对辅助功放链路对应的射频信号进行调相;此时,为了简化***结构,降低上变频设备的数量,基带单元可仅输出一路基带信号至功放***,当然,也可输出多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的基带信号,此处不作限定;或者,
也可在上变频设备对基带单元生成的基带信号进行变频处理之前,对基带单元生成的需要输入至多赫蒂功放电路的辅助功放链路的基带信号进行调相;此时,基带单元可输出多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的基带信号,或者,也可仅输出两路基带信号,其中一路基带信号与主功放链路对应,另一路基带信号与所有的辅助功放链路对应;另外,需要说明的是,对辅助功放链路对应的基带信号的调相可在基带单元生成对应的基带信号的过程中完成(也就是说,此时,功放控制装置可相当于集成在基带单元内部,作为基带单元的子单元存在),也可在基带单元生成对应的基带信号之后、且对该基带信号进行变频处理之前完成,此处不再赘述。
进一步地,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个(如图6所示)或多个(如图7所示);且,若所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,则对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相,包括:
对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
例如,假设多赫蒂功放电路中包括一个主功放以及N(N的取值为大于1的正整数)个辅助功放,若需要对多赫蒂功放电路的主功放链路的信号以及辅助功放链路的信号均进行调相,则对主功放链路的信号进行调相,并对每一路辅助功放链路的信号进行调相,使得,调相后的主功放链路的信号和每一路辅助功放链路的信号之间的相位差均为与包络信号的当前值相对应的设定值,此处不再赘述。
需要说明的是,多赫蒂功放电路中的辅助功放越多,多赫蒂功放电路的输出功率越大,因而,在实际应用中,可根据实际需求,采用具备多个辅助功放的多赫蒂功放电路(即多级多赫蒂功放电路)来实现对功率的高要求,本发明实施例对此不作赘述。
进一步地,所述包络控制电路中的包络调制器的个数为一个或多个;且,当所述包络控制电路中的包络调制器为一个时,该包络调制器可与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连,以用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压,具体可如图6、图7所示;或者,
当所述包络控制电路中的包络调制器为多个,如,所述包络控制电路包括多个与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器时,所述多个包络调制器中的每一包络调制器可用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压,具体可如图8所示。
需要说明的是,当所述包络控制电路中的包络调制器为多个时,所述多个包络调制器中的每个包络调制器除了可对应唯一一个功放之外,还可对应多个功放,此处不再赘述。
另外,需要说明的是,如图6或图7所示,本发明实施例中所述的多赫蒂功放电路除了可包括主功放以及辅助功放之外,还可包括用于向各个功放提供驱动信号的驱动功放、以及四分之一波长传输线等相关设备,此处不再赘述。
进一步地,所述调相为数字调相或模拟调相。
具体地,数字调相可包括QPSK(Quadrature Phase Shift Keying,正交相移键控)等,模拟调相可包括回路参数移相、RC网络移相、可变延时法调相等,对此不再赘述。
也就是说,可根据实际需求来灵活选择调相的方式,进一步提高功放控制的灵活性。
本发明实施例一提供了一种功放控制方法,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,可根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号,并根据调相控制信号对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。即,可以针对不同的包络电压对主功放链路和/或辅助功放链路进行相位补偿,以使得在不同的包络电压下,主功放链路和辅助功放链路之间的相位差均能够达到最优值,从而可以在充分利用Doherty的回退效率优势,以及结合ET的功能提升功放的饱和功率的基础上,通过调整不同电压下的相位使得功放性能得到进一步的提升,从而解决了现有的高效率功放技术中存在的效果较差、性能不佳等的问题。
实施例二:
基于与本发明实施例一相同的发明构思,本发明实施例二提供了一种功放控制装置,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,具体地,可如图9所示,所述装置可包括:
信号生成单元91,可用于根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
信号调相单元92,可用于根据信号生成单元91生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。
也就是说,可通过信号生成单元91生成调相控制信号,并将该调相控制信号输出至信号调相单元92,以对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得多赫蒂功放电路的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差达到多赫蒂功放电路在当前包络信号对应的包络电压值下的最佳相位。即,可以针对不同的包络电压对主功放链路和/或辅助功放链路进行相位补偿,以使得在不同的包络电压下,主功放链路和辅助功放链路之间的相位差均能够达到相应的最优值,从而提高了功放的效果以及性能,解决了现有的高效率功放技术所存在的效果较差、性能不佳等的问题。
可选地,所述信号生成单元91,具体用于若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。也就是说,当包络信号在设定的包络开启阈值和设定的包络信号最大值之间变化时,信号生成单元91可生成使得主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差跟随包络信号线性变化的一个调相控制信号。
需要说明的是,所述第一相位值之所以为最小包络电压时多赫蒂功放电路的最佳相位值,是因为,当包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值(该阈值可根据实际情况灵活调整)时,功放***工作于纯Doherty状态下,包络调制器会输出一个固定的电压VDDL(即,最小包络电压)供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级;
类似地,所述第二相位值之所以为最大包络电压时多赫蒂功放电路的最佳相位值,是因为,当包络信号大于设定的包络开启阈值时,功放***工作于Doherty和ET的共同状态下,包络调制器的输出电压会跟随包络信号包络变化,当包络信号达到最大值,即达到设定的包络信号最大值时,包络调制器会输出一个最大输出电压VDDH(即,最大包络电压)供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级,此处不再赘述。
可选地,所述信号调相单元92,具体用于在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
也就是说,对需要调相的一路或多路信号来说,调相操作可在变频之后、也可在变频之前进行,本发明实施例对此不作任何限定。
例如,如图10所示,假设需要对多赫蒂功放电路中的辅助功放链路的信号进行调相,则可在上变频设备对基带单元生成的基带信号进行变频处理,得到多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的射频信号之后,对辅助功放链路对应的射频信号进行调相;此时,为了简化***结构,降低上变频设备的数量,基带单元可仅输出一路基带信号至功放***,当然,也可输出多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的基带信号,此处不作限定;或者,
如图11所示,也可在上变频设备对基带单元生成的基带信号进行变频处理之前,对基带单元生成的需要输入至多赫蒂功放电路的辅助功放链路的基带信号进行调相;此时,基带单元可输出多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的基带信号,或者,也可仅输出两路基带信号,其中一路基带信号与主功放链路对应,另一路基带信号与所有的辅助功放链路对应;另外,需要说明的是,对辅助功放链路对应的基带信号的调相可在基带单元生成对应的基带信号的过程中完成(也就是说,此时,功放控制装置可相当于集成在基带单元内部,作为基带单元的子单元存在),也可在基带单元生成对应的基带信号之后、且对该基带信号进行变频处理之前完成,此处不再赘述。
进一步地,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;所述信号调相单元92,具体用于当所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,且需对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相时,对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
例如,假设多赫蒂功放电路中包括一个主功放以及N(N的取值为大于1的正整数)个辅助功放,若需要对多赫蒂功放电路的主功放链路的信号以及辅助功放链路的信号均进行调相,则对主功放链路的信号进行调相,并对每一路辅助功放链路的信号进行调相,使得,调相后的主功放链路的信号和每一路辅助功放链路的信号之间的相位差均为与包络信号的当前值相对应的设定值,此处不再赘述。
需要说明的是,多赫蒂功放电路中的辅助功放越多,多赫蒂功放电路的输出功率越大,因而,在实际应用中,可根据实际需求,采用具备多个辅助功放的多赫蒂功放电路(即多级多赫蒂功放电路)来实现对功率的高要求,本发明实施例对此不作赘述。
进一步地,需要说明的是,信号生成单元91可包括一个或多个小信号调制器;信号调相单元92可包括一个或多个调相电路。
例如,当仅需要对主功放链路的信号进行调相,或者,仅需要对辅助功放链路的信号进行调相时,如图12所示(以需要调相的功放链路为辅助功放链路为例),信号生成单元91可包括一个小信号调制器,信号调相单元92可包括一个与该小信号调制器相对应的调相电路,该小信号调制器用于根据基带单元生成的包络信号,生成调相控制信号,并输出给调相电路;该调相电路用于根据小信号调制器输出的调相控制信号,将对应功放链路的相位调整至设定相位;或者,
当需要同时对主功放链路以及辅助功放链路的信号进行调相时,如图13所示,信号生成单元91可包括一个用于生成与主功放链路相对应的第一子调相控制信号的第一小信号调制器,以及,一个用于生成与辅助功放链路相对应的第二子调相控制信号的第二小信号调制器;信号调相单元92可包括与第一小信号调制器相对应的、用于将与主功放链路相对应的信号的相位调至第一子相位的第一调相电路,以及与第二小信号调制器相对应的、用于将与辅助功放链路相对应的信号的相位调至第二子相位的第二调相电路,其中,第一子相位与第二子相位之间的相位差为设定值。
需要说明的是,当辅助功放为多个,且需对辅助功放链路进行调相时,如图14(以仅对辅助功放链路的信号进行调相为例)所示,信号生成单元91可包括多个分别与该多个辅助功放一一对应的小信号调制器(如图14中所示的小信号调制器1~小信号调制器N),信号调相单元92可包括多个分别与该多个辅助功放一一对应的调相电路(如图14中所示的调相电路1~调相电路N),此处不再赘述。
也就是说,信号生成单元91中的小信号调制器的个数以及信号调相单元92中的调相电路的数目均可根据实际情况灵活设置,只要能保证多赫蒂功放电路中的主功放链路的信号以及辅助功放链路的信号之间的相位差为设定值即可,对此不作赘述。
进一步地,所述包络控制电路中的包络调制器的个数为一个或多个;且,当所述包络控制电路中的包络调制器为一个时,该包络调制器可与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连,以用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压,具体可如图7所示;或者,
当所述包络控制电路中的包络调制器为多个,如,所述包络控制电路包括多个与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器时,所述多个包络调制器中的每一包络调制器可用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压,具体可如图8所示。
另外,需要说明的是,当所述包络控制电路中的包络调制器为多个时,所述多个包络调制器中的每个包络调制器除了可对应唯一一个功放之外,还可对应多个功放,此处不再赘述。
进一步地,所述调相为数字调相或模拟调相。
具体地,数字调相可包括QPSK(Quadrature Phase Shift Keying,正交相移键控)等,模拟调相可包括回路参数移相、RC网络移相、可变延时法调相等,对此不再赘述。
也就是说,可根据实际需求来灵活选择调制的方式,进一步地提高对功放控制的灵活性。
另外,需要说明的是,本发明实施例中所述的功放控制装置通常可独立于基带单元等设备而存在;当然,其除了可以独立于基带单元等设备存在之外,还可以集成在基带单元内部、作为基带单元的子单元而存在,如图11所示,对此不作赘述。
实施例三:
基于与本发明实施例一、实施例二相同的发明构思,本发明实施例三还提供了另一种功放控制装置,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,具体地,可如图15所示,所述装置可包括:
信号生成器151,可用于根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
信号调制器152,可用于根据信号生成器151生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值。
也就是说,可通过信号生成器151生成调相控制信号,并将该调相控制信号输出至信号调制器152,以对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得多赫蒂功放电路的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差达到多赫蒂功放电路在当前包络信号对应的包络电压值下的最佳相位。即,可以针对不同的包络电压对主功放链路和/或辅助功放链路进行相位补偿,以使得在不同的包络电压下,主功放链路和辅助功放链路之间的相位差均能够达到相应的最优值,从而提高了功放的效果以及性能,解决了现有的高效率功放技术所存在的效果较差、性能不佳等的问题。
可选地,所述信号生成器151,具体用于若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。也就是说,当包络信号在设定的包络开启阈值和设定的包络信号最大值之间变化时,信号生成器151可生成使得主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差跟随包络信号线性变化的一个调相控制信号。
需要说明的是,所述第一相位值之所以为最小包络电压时多赫蒂功放电路的最佳相位值,是因为,当包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值(该阈值可根据实际情况灵活调整)时,功放***工作于纯Doherty状态下,包络调制器会输出一个固定的电压VDDL(即,最小包络电压)供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级;
类似地,所述第二相位值之所以为最大包络电压时多赫蒂功放电路的最佳相位值,是因为,当包络信号大于设定的包络开启阈值时,功放***工作于Doherty和ET的共同状态下,包络调制器的输出电压会跟随包络信号包络变化,当包络信号达到最大值,即达到设定的包络信号最大值时,包络调制器会输出一个最大输出电压VDDH(即,最大包络电压)供给多赫蒂功放电路中各功放的漏级,此处不再赘述。
可选地,所述信号调制器152,具体用于在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
也就是说,对需要调相的一路或多路信号来说,调相操作可在变频之后、也可在变频之前进行,本发明实施例对此不作任何限定。
例如,假设需要对多赫蒂功放电路中的辅助功放链路的信号进行调相,则可在上变频设备对基带单元生成的基带信号进行变频处理,得到多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的射频信号之后,对辅助功放链路对应的射频信号进行调相;此时,为了简化***结构,降低上变频设备的数量,基带单元可仅输出一路基带信号至功放***,当然,也可输出多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的基带信号,此处不作限定;或者,
也可在上变频设备对基带单元生成的基带信号进行变频处理之前,对基带单元生成的需要输入至多赫蒂功放电路的辅助功放链路的基带信号进行调相;此时,基带单元可输出多路与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应的基带信号,或者,也可仅输出两路基带信号,其中一路基带信号与主功放链路对应,另一路基带信号与所有的辅助功放链路对应;另外,需要说明的是,对辅助功放链路对应的基带信号的调相可在基带单元生成对应的基带信号的过程中完成(也就是说,此时,功放控制装置可相当于集成在基带单元内部,作为基带单元的子单元存在),也可在基带单元生成对应的基带信号之后、且对该基带信号进行变频处理之前完成,此处不再赘述。
进一步地,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;所述信号调制器152,具体用于当所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,且需对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相时,对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
例如,假设多赫蒂功放电路中包括一个主功放以及N(N的取值为大于1的正整数)个辅助功放,若需要对多赫蒂功放电路的主功放链路的信号以及辅助功放链路的信号均进行调相,则对主功放链路的信号进行调相,并对每一路辅助功放链路的信号进行调相,使得,调相后的主功放链路的信号和每一路辅助功放链路的信号之间的相位差均为与包络信号的当前值相对应的设定值,此处不再赘述。
需要说明的是,多赫蒂功放电路中的辅助功放越多,多赫蒂功放电路的输出功率越大,因而,在实际应用中,可根据实际需求,采用具备多个辅助功放的多赫蒂功放电路(即多级多赫蒂功放电路)来实现对功率的高要求,本发明实施例对此不作赘述。
进一步地,需要说明的是,信号生成器151可包括一个或多个小信号调制器;信号调制器152可包括一个或多个调相电路。
例如,当仅需要对主功放链路的信号进行调相,或者,仅需要对辅助功放链路的信号进行调相时,信号生成器151可包括一个小信号调制器,信号调制器152可包括一个与该小信号调制器相对应的调相电路,该小信号调制器用于根据基带单元生成的包络信号,生成调相控制信号,并输出给调相电路;该调相电路用于根据小信号调制器输出的调相控制信号,将对应功放链路的相位调整至设定相位;或者,
当需要同时对主功放链路以及辅助功放链路的信号进行调相时,信号生成器151可包括一个用于生成与主功放链路相对应的第一子调相控制信号的第一小信号调制器,以及,一个用于生成与辅助功放链路相对应的第二子调相控制信号的第二小信号调制器;信号调制器152可包括与第一小信号调制器相对应的、用于将与主功放链路相对应的信号的相位调至第一子相位的第一调相电路,以及与第二小信号调制器相对应的、用于将与辅助功放链路相对应的信号的相位调至第二子相位的第二调相电路,其中,第一子相位与第二子相位之间的相位差为设定值。
需要说明的是,当辅助功放为多个,且需对辅助功放链路进行调相时,信号生成器151可包括多个分别与该多个辅助功放一一对应的小信号调制器,信号调制器152可包括多个分别与该多个辅助功放一一对应的调相电路,此处不再赘述。
也就是说,信号生成器151中的小信号调制器的个数以及信号调制器152中的调相电路的数目均可根据实际情况灵活设置,只要能保证多赫蒂功放电路中的主功放链路的信号以及辅助功放链路的信号之间的相位差为设定值即可,对此不作赘述。
进一步地,所述包络控制电路中的包络调制器的个数为一个或多个;且,当所述包络控制电路中的包络调制器为一个时,该包络调制器可与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连,以用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压,具体可如图7所示;或者,
当所述包络控制电路中的包络调制器为多个,如,所述包络控制电路包括多个与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器时,所述多个包络调制器中的每一包络调制器可用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压,具体可如图8所示。
另外,需要说明的是,当所述包络控制电路中的包络调制器为多个时,所述多个包络调制器中的每个包络调制器除了可对应唯一一个功放之外,还可对应多个功放,此处不再赘述。
进一步地,所述调相为数字调相或模拟调相。
具体地,数字调相可包括QPSK(Quadrature Phase Shift Keying,正交相移键控)等,模拟调相可包括回路参数移相、RC网络移相、可变延时法调相等,对此不再赘述。
也就是说,可根据实际需求来灵活选择调制的方式,进一步地提高对功放控制的灵活性。
另外,需要说明的是,本发明实施例中所述的功放控制装置通常可独立于基带单元等设备而存在;当然,其除了可以独立于基带单元等设备存在之外,还可以集成在基带单元内部、作为基带单元的子单元而存在,对此不作赘述。
实施例四:
本发明实施例四提供了一种功放控制***,包括包含包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,所述功放控制***还包括本发明实施例二中所述的功放控制装置、或本发明实施例三中所述的功放控制装置,对此不作赘述。
另外,需要说明的是,如图14所示,本发明实施例中所述的功放控制***,除了包括包含包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***、本发明实施例二、或本发明实施例三中所述的功放控制装置之外,还可包括用于生成基带信号以及相应的包络信号的基带单元以及对基带信号进行变频处理的上变频器等设备。
本领域技术人员应明白,本发明的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此,本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置(设备)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种功放控制方法,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,其特征在于,所述方法包括:
根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;
若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。
2.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,包括:
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
3.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;且,若所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,则对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相,包括:
对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
4.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述包络控制电路包括与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连的一个包络调制器,所述一个包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压;或者,
包括与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器,所述多个包络调制器中的每一包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压。
5.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述调相为数字调相或模拟调相。
6.一种功放控制装置,适用于包括包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,其特征在于,所述装置包括:
信号生成单元,用于根据基带单元输出的包络信号,生成调相控制信号;
信号调相单元,用于根据生成的调相控制信号,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相,使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为与包络信号的当前值相对应的设定值,该设定值为多赫蒂功放电路的供电电压为与包络信号的当前值相对应的包络电压时,多赫蒂功放电路的最佳相位值;
所述信号生成单元,具体用于若确定包络信号的当前值不大于设定的包络开启阈值,则根据所述包络信号,生成第一调相控制信号;所述第一调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第一相位值,多赫蒂功放电路的供电电压为最小包络电压时,所述第一相位值为多赫蒂功放电路的最佳相位值;或者,
若确定包络信号的当前值为设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第二调相控制信号;所述第二调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第二相位值,多赫蒂功放电路的供电电压为最大包络电压时,所述第二相位值为多赫蒂功放电路的最佳相位值;其中,所述设定的包络信号最大值大于所述设定的包络开启阈值;或者,
若确定包络信号的当前值大于设定的包络开启阈值且小于设定的包络信号最大值,则根据所述包络信号,生成第三调相控制信号;所述第三调相控制信号能够使得调相后的主功放链路的信号和辅助功放链路的信号之间的相位差为第三相位值;所述第三相位值是根据包络信号的当前值、第一相位值、第二相位值以及第一相位值对应的包络开启阈值、第二相位值对应的包络信号最大值进行线性插值运算得到的。
7.如权利要求6所述的控制装置,其特征在于,
所述信号调相单元,具体用于在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之后,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相;或者,
在对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路对应的基带信号进行变频处理之前,对多赫蒂功放电路的主功放链路和/或辅助功放链路的信号进行调相。
8.如权利要求6所述的控制装置,其特征在于,所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为一个或多个;
所述信号调相单元,具体用于当所述多赫蒂功放电路的辅助功放的个数为多个,且需对所述多赫蒂功放电路的辅助功放链路的信号进行调相时,对所述多赫蒂功放电路的各辅助功放链路的信号均进行调相。
9.如权利要求6所述的控制装置,其特征在于,所述包络控制电路包括与所述多赫蒂功放电路中的各功放分别相连的一个包络调制器,所述一个包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的各功放输出包络电压;或者,
包括与多赫蒂功放电路中的各功放一一对应相连的多个包络调制器,所述多个包络调制器中的每一包络调制器用于向多赫蒂功放电路中的对应的功放输出包络电压。
10.如权利要求6所述的控制装置,其特征在于,所述调相为数字调相或模拟调相。
11.一种功放控制***,包括包含包络控制电路以及多赫蒂功放电路的功放***,其中,所述包络控制电路包括用于根据基带单元输出的包络信号生成包络电压并作为供电电压输出至多赫蒂功放电路的包络调制器;所述多赫蒂功放电路包括主功放以及辅助功放,所述主功放、辅助功放分别用于根据包络调制器输出的包络电压,对基带单元输出的基带信号进行放大处理,其特征在于,所述功放控制***还包括权利要求6~10任一所述的功放控制装置。
CN201580085531.8A 2015-12-24 2015-12-24 一种功放控制方法、装置及功放控制*** Active CN108432129B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2015/098723 WO2017107140A1 (zh) 2015-12-24 2015-12-24 一种功放控制方法、装置及功放控制***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108432129A CN108432129A (zh) 2018-08-21
CN108432129B true CN108432129B (zh) 2020-10-09

Family

ID=59088885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580085531.8A Active CN108432129B (zh) 2015-12-24 2015-12-24 一种功放控制方法、装置及功放控制***

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10511266B2 (zh)
EP (1) EP3386102B1 (zh)
JP (1) JP6751147B2 (zh)
CN (1) CN108432129B (zh)
BR (1) BR112018012904B1 (zh)
WO (1) WO2017107140A1 (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10158330B1 (en) 2017-07-17 2018-12-18 Qorvo Us, Inc. Multi-mode envelope tracking amplifier circuit
US10530305B2 (en) 2017-10-06 2020-01-07 Qorvo Us, Inc. Nonlinear bandwidth compression circuitry
US10742170B2 (en) 2018-02-01 2020-08-11 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking circuit and related power amplifier system
US10944365B2 (en) 2018-06-28 2021-03-09 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier circuit
US11088618B2 (en) 2018-09-05 2021-08-10 Qorvo Us, Inc. PWM DC-DC converter with linear voltage regulator for DC assist
US10911001B2 (en) 2018-10-02 2021-02-02 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking amplifier circuit
US11018638B2 (en) 2018-10-31 2021-05-25 Qorvo Us, Inc. Multimode envelope tracking circuit and related apparatus
US10938351B2 (en) * 2018-10-31 2021-03-02 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking system
US10985702B2 (en) 2018-10-31 2021-04-20 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking system
US10680556B2 (en) 2018-11-05 2020-06-09 Qorvo Us, Inc. Radio frequency front-end circuit
US11031909B2 (en) 2018-12-04 2021-06-08 Qorvo Us, Inc. Group delay optimization circuit and related apparatus
US11082007B2 (en) 2018-12-19 2021-08-03 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking integrated circuit and related apparatus
US11146213B2 (en) 2019-01-15 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Multi-radio access technology envelope tracking amplifier apparatus
US10998859B2 (en) 2019-02-07 2021-05-04 Qorvo Us, Inc. Dual-input envelope tracking integrated circuit and related apparatus
US11025458B2 (en) 2019-02-07 2021-06-01 Qorvo Us, Inc. Adaptive frequency equalizer for wide modulation bandwidth envelope tracking
US11233481B2 (en) 2019-02-18 2022-01-25 Qorvo Us, Inc. Modulated power apparatus
US11374482B2 (en) 2019-04-02 2022-06-28 Qorvo Us, Inc. Dual-modulation power management circuit
US11082009B2 (en) 2019-04-12 2021-08-03 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power amplifier apparatus
US11018627B2 (en) 2019-04-17 2021-05-25 Qorvo Us, Inc. Multi-bandwidth envelope tracking integrated circuit and related apparatus
US11424719B2 (en) 2019-04-18 2022-08-23 Qorvo Us, Inc. Multi-bandwidth envelope tracking integrated circuit
US11031911B2 (en) 2019-05-02 2021-06-08 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking integrated circuit and related apparatus
US11349436B2 (en) 2019-05-30 2022-05-31 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking integrated circuit
US11539289B2 (en) 2019-08-02 2022-12-27 Qorvo Us, Inc. Multi-level charge pump circuit
US11309922B2 (en) 2019-12-13 2022-04-19 Qorvo Us, Inc. Multi-mode power management integrated circuit in a small formfactor wireless apparatus
US11349513B2 (en) 2019-12-20 2022-05-31 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking system
US11539330B2 (en) 2020-01-17 2022-12-27 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking integrated circuit supporting multiple types of power amplifiers
US11716057B2 (en) 2020-01-28 2023-08-01 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking circuitry
US20230118004A1 (en) * 2020-02-21 2023-04-20 Georgia Tech Research Corporation Power Amplifiers and Methods of Controlling Same
US11728774B2 (en) 2020-02-26 2023-08-15 Qorvo Us, Inc. Average power tracking power management integrated circuit
US11196392B2 (en) 2020-03-30 2021-12-07 Qorvo Us, Inc. Device and device protection system
US11588449B2 (en) 2020-09-25 2023-02-21 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power amplifier apparatus
US11728796B2 (en) 2020-10-14 2023-08-15 Qorvo Us, Inc. Inverted group delay circuit
US11909385B2 (en) 2020-10-19 2024-02-20 Qorvo Us, Inc. Fast-switching power management circuit and related apparatus
WO2023090202A1 (ja) * 2021-11-18 2023-05-25 株式会社村田製作所 電力増幅回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1866733A (zh) * 2006-03-08 2006-11-22 华为技术有限公司 功放装置
CN102299689A (zh) * 2011-06-29 2011-12-28 清华大学 基于包络跟踪技术的高效率双频功率放大器的设计方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4467756B2 (ja) * 2000-10-13 2010-05-26 三菱電機株式会社 ドハティ型増幅器
JP2005117599A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Hiroshi Suzuki 高周波増幅器
JP4435071B2 (ja) * 2005-11-10 2010-03-17 株式会社東芝 電力増幅器および増幅方法
WO2008054275A1 (en) 2006-11-01 2008-05-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Dynamic range improvements of load modulated amplifiers
US8274332B2 (en) 2007-04-23 2012-09-25 Dali Systems Co. Ltd. N-way Doherty distributed power amplifier with power tracking
JP5169274B2 (ja) * 2008-02-12 2013-03-27 住友電気工業株式会社 ドハティ増幅装置
JP2009260658A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器
KR101104143B1 (ko) * 2008-11-24 2012-01-13 한국전자통신연구원 무선 통신 시스템에서 신호의 송신 장치 및 방법
CN101567665B (zh) * 2008-12-26 2012-01-25 芯通科技(成都)有限公司 一种数字Doherty功率放大器
US8519787B2 (en) * 2009-01-26 2013-08-27 Nec Corporation High frequency amplifier, wireless device, and control method
CN101527545A (zh) 2009-04-17 2009-09-09 京信通信***(中国)有限公司 Doherty包络跟踪功率放大器及处理射频信号的方法
CN201426111Y (zh) 2009-04-17 2010-03-17 京信通信***(中国)有限公司 一种Doherty包络跟踪功率放大器
EP2357725A1 (en) 2010-02-17 2011-08-17 Alcatel Lucent Envelope tracking arrangement for improved backoff operation
US8604881B2 (en) * 2011-05-24 2013-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Efficiency improvement of doherty power amplifier using supply switching and digitally controlled gate bias modulation of peaking amplifier
CN103178786A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 瑞典爱立信有限公司 多路Doherty放大器
KR102037551B1 (ko) * 2012-03-04 2019-10-28 퀀탄스, 인코포레이티드 지연 보정을 갖는 포락선 추적 전력 증폭 시스템
WO2014117402A1 (zh) * 2013-02-04 2014-08-07 华为技术有限公司 功率放大器、收发信机及基站
US9118279B2 (en) * 2013-10-03 2015-08-25 Freescale Semiconductor, Inc. Power amplifiers with signal conditioning
JP2015220680A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 三菱電機株式会社 高効率増幅器
CN105917576B (zh) * 2014-12-11 2019-01-15 华为技术有限公司 一种射频电路、发射机、基站与用户终端

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1866733A (zh) * 2006-03-08 2006-11-22 华为技术有限公司 功放装置
CN102299689A (zh) * 2011-06-29 2011-12-28 清华大学 基于包络跟踪技术的高效率双频功率放大器的设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
BR112018012904A2 (zh) 2018-12-11
JP2019504555A (ja) 2019-02-14
BR112018012904B1 (pt) 2023-12-19
EP3386102A1 (en) 2018-10-10
EP3386102A4 (en) 2018-12-19
JP6751147B2 (ja) 2020-09-02
WO2017107140A1 (zh) 2017-06-29
EP3386102B1 (en) 2021-03-31
US20180302042A1 (en) 2018-10-18
CN108432129A (zh) 2018-08-21
US10511266B2 (en) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108432129B (zh) 一种功放控制方法、装置及功放控制***
CN101167326B (zh) 极化调制传输电路和通信设备
CN104780132B (zh) 包络追踪方法、射频发射器和通信单元
US8878607B2 (en) Integrated circuit, wireless communication unit and method for a differential interface for an envelope tracking signal
EP3661051A1 (en) Method for controlling fast tracking power supply, fast tracking power supply, and system
US10447209B2 (en) Apparatus and method for improving efficiency of power amplifier
CN103684285A (zh) 用于具有高papr的信号的高效率和高线性自适应功率放大器
EP2301146A1 (en) Double-linc switched-mode transmitter
US7863956B2 (en) Pulse-elimination pulse-width modulation
US20220158670A1 (en) Multistage doherty power amplifier and transmitter
WO2019087430A1 (en) Digital power- amplifier (dpa) system and digital doherty power- amplifier (ddpa) system
KR20130040633A (ko) 전력 증폭기의 효율을 개선하기 위한 장치 및 방법
Aref et al. Efficient amplification of signals with high PAPR using a novel multilevel LINC transmitter architecture
US8054878B2 (en) Apparatus and method for amplifying signal power in a communication system
KR102075813B1 (ko) 증폭기 어셈블리
CN104767495A (zh) Sigma-delta调制设备和sigma-delta调制功率放大器
CN104218968A (zh) 射频传输器以及射频传输方法
JP2011120142A (ja) 高周波電力増幅装置
CN102355204A (zh) 一种音频功放自动切换电路及功放芯片
JP2014175824A (ja) ドハティ増幅器
CN218633891U (zh) 一种函数波形调制电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant