CN108376745B - 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板。该量子点发光二极管包括：空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；量子点发光层，设置在所述空穴传输层上；其中所述量子点发光层接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中设置有所述量子点发光层的形成材料。该量子点发光二极管中空穴传输层与量子点发光层的接触面积较大，从而可以提高量子点发光层中空穴的注入量。

Description

量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
技术领域
本公开的实施例涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板。
背景技术
量子点(quantum dot，QD)是一种纳米级别的半导体，通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压，它们会发出特定频率的光。量子点作为发光材料时，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型显示器件的主要研究方向。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管包括：空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；量子点发光层，设置在所述空穴传输层上；其中所述量子点发光层接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中设置有所述量子点发光层的形成材料。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述空穴传输层包括上层空穴传输层和下层空穴传输层；所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；所述下层空穴传输层为致密层。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管，还包括：第一电极；空穴注入层，设置在所述第一电极上，并且所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；第二电极，设置在所述量子点发光层上。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层的材料为无机材料。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述无机材料为钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管，还包括：电子传输层，设置在所述第二电极与所述量子点发光层之间；金属氧化物层，设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间；和/或所述电子传输层和所述第二电极之间；和/或所述空穴传输层与所述量子点发光层之间和所述空穴传输层的孔隙中。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述金属氧化物层的材料为氧化铝。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括上述任一量子点发光二极管。
本公开至少一实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：形成空穴传输层，所述空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层；在所述空穴传输层上形成量子点发光层，所述量子点发光层形成为接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中形成有所述量子点发光层的形成材料。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，形成所述空穴传输层包括形成上层空穴传输层和下层空穴传输层；所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；所述下层空穴传输层为致密层。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，形成所述多孔隙结构层包括：将第一材料与第二材料混合，并使所述第一材料与第二材料进行水热反应，然后将反应产物进行成膜处理以形成混合物膜；对所述混合物膜进行高温煅烧，以去除所述混合物膜中的所述第二材料。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，所述水热反应完成后，将所述反应产物进行洗涤以去除没有进行所述水热反应的第一材料和/或第二材料，然后将所述反应产物进行成膜处理。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，所述第一材料与所述第二材料的体积比为1:(1-4)。
例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，还包括形成金属氧化物层；所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜；形成所述具有粗糙表面的金属氧化物薄膜包括：采用蒸镀或磁控溅射法形成具有粗糙表面的金属薄膜，然后将所述金属薄膜氧化；或者采用蒸镀或磁控溅射法在氧气氛围下直接形成所述具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。
本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，量子点发光层的材料可以填充到空穴传输层的孔隙中，从而与空穴传输层充分接触，增大空穴传输层与量子点发光层的接触面积，因此可以增加量子点发光层中空穴的注入量，使得量子点发光层中的载流子(例如电子和空穴)的数量更加平衡。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的示意图一；
图2为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的示意图二；
图3为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的示意图三；
图4为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的示意图四；
图5为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的示意图五；
图6为本公开一实施例提供的量子点发光二极管中具有孔隙的空穴传输层以及孔隙中设有金属氧化物材料的示意图；
图7为本公开一实施例提供的显示面板的示意图；
图8为本公开一实施例提供的显示装置的示意图；
图9为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程图一；
图10为本公开一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程图二；
图11为本公开一实施例提供的量子点发光二极管中具有孔隙的空穴传输层的扫描电镜图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开发明人在研究中发现，在目前的量子点发光二极管器件的结构中，空穴注入层和空穴传输层材料往往是有机材料，例如有机聚合物PEDOT、TFB和poly-TPD等。然而，这些有机物材料中往往含有酸性成分，对量子点发光二极管结构中的功能元件，例如透明电极等都具有潜在破坏作用。同时，有机材料制备的空穴注入层和空穴传输层对水、氧敏感，采用溶液法制备空穴注入层和空穴传输层的过程中无法确保有机溶液中溶剂完全去除，也无法保证有机材料的成膜均匀性，因此会影响最终量子点发光二极管器件的效率和寿命。另外，由于能级位置等原因，量子点材料(例如红、绿量子点材料等)的电子注入能力普遍优于空穴注入能力，因此电子在载流子数目中占据优势，导致器件中载流子分布不平衡，限制了量子点发光二极管器件效率和稳定性的进一步提高。
本公开至少一实施例提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管包括：空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；量子点发光层，设置在空穴传输层上；其中量子点发光层接触多孔隙结构层且至少部分孔隙中设置有量子点发光层的形成材料。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括上述量子点发光二极管。
本公开至少一实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法，包括：形成空穴传输层，空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层；在空穴传输层上形成量子点发光层，量子点发光层形成为接触多孔隙结构层且至少部分孔隙中形成有所述量子点发光层的形成材料。
下面通过几个具体的实施例对本公开的量子点发光二极管及其制备方法、显示面板进行说明。
实施例一
本实施例提供一种量子点发光二极管，如图1所示，该量子点发光二极管包括空穴传输层102和量子点发光层103；空穴传输层102具有包括孔隙1020的多孔隙结构层；量子点发光层103设置在空穴传输层102上；其中量子点发光层103接触多孔隙结构层且至少部分孔隙中设置有量子点发光层的形成材料。
示例性地，在多孔隙结构层的全部孔隙中均分布有量子点发光层的形成材料。
例如，本实施例中，量子点发光二极管还可以包括第一电极和第二电极。例如，如图1所示，空穴传输层102设置在第一电极101上，第二电极104设置在量子点发光层103上。
例如，图1所示的量子点发光二极管中，空穴传输层102中的圆形颗粒表示形成空穴传输层102的材料，各圆形颗粒以及圆形颗粒之间形成的孔隙即构成多孔隙结构层。本实施例中，空穴传输层所包括的孔隙的孔径大小例如可以为2-100纳米，例如该孔隙为孔径大小为2-50纳米的介孔。
例如，量子点发光层103接触多孔隙结构层且至少部分孔隙中设置有量子点发光层的形成材料。例如，在量子点发光二极管器件的制备过程中，在空穴传输层102上形成量子点发光层103时，可以在空穴传输层102的孔隙中形成量子点发光层材料，然后再形成一层致密的量子点发光层103。例如，本实施例中，具有孔隙的空穴传输层102与量子点发光层103没有明确的分界线，因为具有孔隙的空穴传输层102中也设有量子点发光层103的形成材料。
本实施例中，空穴传输层的至少部分孔隙中设置有量子点发光层的形成材料，从而量子点发光层与空穴传输层充分接触，增大了空穴传输层与量子点发光层的接触面积，因此可以增加量子点发光层中空穴的注入量，使得量子点发光层中的载流子(例如电子和空穴)的数量更加平衡。
例如，本实施例中，如图2所示，空穴传输层102可以包括上层空穴传输层102a和下层空穴传输层102b，并且上层空穴传输层102a为包括孔隙的多孔隙结构层，例如，下层空穴传输层102b为致密的空穴传输层。该下层空穴传输层可以避免量子点发光层材料通过上层空穴传输层中的孔隙直接接触第一电极而可能导致的漏电现象，影响量子点发光二极管的发光效率。
例如，本实施例中，空穴传输层的材料可以为无机材料，例如钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物等无机材料。该无机材料的种类可以根据实际情况，例如量子点发光层的材料等进行选择，本实施例对此不做限定。
本实施例中，采用无机材料制备的空穴传输层具有较好的抗水氧渗透性能、并且无机材料晶体结构稳定，可以通过高温工艺去除残留杂质，因此采用无机材料形成的空穴传输层能够提高量子点发光二极管器件的整体效率及稳定性。例如，当空穴传输层采用无机材料制备时，可以采用水热法和高温煅烧法等在空穴传输层中形成孔隙，并可以使用高温处理等方法进行除杂，从而避免材料本身或其中残留的杂质影响量子点发光二极管器件的发光效率和寿命。
本实施例中，空穴传输层的材料当然也可以为有机材料，例如PVK、TFB或TPD等。
本实施例中，第一电极和/或第二电极的材料例如可以为透明导电氧化物或者导电聚合物，例如ITO、FTO等；第一电极和/或第二电极的材料也可以是不透明金属，例如Al、Ag等金属。本实施例对此不做限定。
本实施例中，量子点发光层的材料例如可以为硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料或砷化铟量子点材料等各种量子点材料，本实施例对此不做限定。
例如，本实施例中，量子点发光二极管还可以包括空穴注入层。如图3所示，空穴注入层105设置在第一电极101上，并且空穴传输层102设置在空穴注入层105上，例如，下层空穴传输层102b可以设置在空穴注入层105上。本实施例中，空穴注入层的设置可以提高量子点发光层中空穴的注入效率。
例如，本实施例中，空穴注入层的材料可以为无机材料，例如钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物等。该无机材料的种类可以根据实际情况，例如量子点发光层的材料、空穴传输层的材料等进行选择，本实施例对此不做限定。
本实施例中，无机材料制备的空穴注入层具有较好的抗水氧渗透性能、并且无机材料晶体结构稳定，可以通过高温工艺去除残留杂质，因此利用无机材料形成的空穴注入层能够提高量子点发光二极管器件的整体效率和稳定性。
本实施例中，空穴注入层的材料当然也可以为有机材料，例如PEDOT：PSS等。
例如，本实施例中，量子点发光二极管还可以包括电子传输层。如图4所示，电子传输层106例如可以设置在第二电极104与量子点发光层103之间。例如，电子传输层的材料可以为锌氧化物、镁锌氧化物或其他任何适用于电子传输层的材料，本实施例对此做限定。
例如，本实施例中，量子点发光二极管还可以包括金属氧化物层。例如，该金属氧化物层可以设置在电子传输层106和量子点发光层103之间；例如，该金属氧化物层可以设置在电子传输层106和第二电极104之间；例如，该金属氧化物层可以设置在空穴传输层102与量子点发光层103之间和空穴传输层102的孔隙中。例如，金属氧化物层也可以同时设置上述位置中的两种或三种中。该金属氧化物层可以阻挡电子，也可以阻隔水氧，还可以避免光线在器件内部的SPP传导模式(即光电子与器件中的载流子产生共同振荡)，从而增强量子点发光二极管器件的发光效率。
例如，该金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。例如，该金属氧化物层的材料为氧化铝、氧化锡或氧化铟等氧化物。
例如，如图5所示，该示例中，金属氧化物层107设置在电子传输层106和第二电极104之间。例如，该示例中金属氧化物层所包括的具有粗糙表面的金属氧化物薄膜为呈岛状分布的金属氧化物薄膜。具有粗糙表面的金属氧化物薄膜可以更好地避免光线在器件内部的SPP传导模式，从而增强量子点发光二极管器件的发光效率。
例如，在一个示例中，金属氧化物层还可以设置在空穴传输层与量子点发光层之间以及空穴传输层的孔隙中。此时，金属氧化物材料还可以填充量子点发光层材料表面可能存在的缺陷，从而避免激子(例如，该激子通过空穴与电子的结合而产生)在缺陷处猝灭，提高量子点发光二极管器件的发光效率。例如，该示例中，金属氧化物层的设置可以将量子点发光二极管器件的发光效率从20％提高到50％以上。
例如，金属氧化物层设置在空穴传输层与量子点发光层之间时，金属氧化物可以在具有孔隙的空穴传输层上形成很薄的一层。例如，如图6所示，其中，a示出了具有孔隙的空穴传输层，b示出了具有孔隙的空穴传输层上设有金属氧化物层的情形。该示例中，金属氧化物材料107的材料例如为氧化铝纳米颗粒，该氧化铝纳米颗粒可以附着在孔隙中但并不充满孔隙，从而金属氧化物层形成后还会保持空穴传输层的孔隙形貌，在金属氧化物层上形成的量子点发光层材料仍然可以填充空穴传输层中的孔隙，增大空穴传输层与量子点发光层的接触面积，因此可以增加量子点发光层中空穴的注入量，使得量子点发光层中的载流子(例如电子和空穴)的数量更加平衡。
实施例二
本实施例提供一种本实施例提供一种量子点发光显示面板，如图7所示，该显示面板10包括多个像素单元11，例如，每个像素单元11包括上述量子点发光二极管。
本实施例中，显示面板的像素单元例如还可以包括薄膜晶体管、存储电容等功能元件，本实施例对此不做限定。
本实施例还提供一种显示装置，如图8所示，该显示装置20包括上述量子点发光显示面板10。该显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。
实施例三
本实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，如图9所示，该制备方法包括步骤S101-步骤S102。
步骤S101：形成空穴传输层。
本实施例中，该空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层。
步骤S102：形成量子点发光层。
本实施例中，在上述形成的空穴传输层上形成量子点发光层，该量子点发光层形成为接触多孔隙结构层且至少部分孔隙中形成有量子点发光层的形成材料。
在本实施例的另一个示例中，如图10所示，量子点发光二极管的制备方法可以包括步骤S100-步骤S103。
步骤S100：形成第一电极。
本实施例中，第一电极例如可以采用透明导电氧化物或者导电聚合物等材料制成，例如ITO、FTO等；另外，第一电极也可以采用不透明金属材料制成，例如Al、Ag等金属。
例如，结合图2，可以采用磁控溅射或蒸镀等方法在一衬底基板(图中未示出)上形成第一电极材料层，然后采用构图工艺，例如曝光、显影、刻蚀等工序形成图案化的第一电极101。本实施例对第一电极的材料及其形成方法不做具体限定。
步骤S101：形成空穴传输层。
本实施例中，例如在上述形成的第一电极上形成空穴传输层，该空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层。
例如，可以采用无机材料形成空穴传输层，例如采用钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物等无机材料。该无机材料的种类可以根据实际情况，例如量子点发光层的材料等进行选择，本实施例对此不做限定。本实施例中，空穴传输层的材料当然也可以为有机材料，例如PVK、TFB或TPD等。
例如，本实施例中，采用无机材料形成空穴传输层时，可以采用水热法和高温煅烧法形成包括孔隙的多孔隙结构层。
例如，形成包括孔隙的多孔隙结构层可以包括：将第一材料与第二材料混合并使第一材料与第二材料进行水热反应，然后将反应产物进行成膜处理以形成混合物膜；对混合物膜进行高温煅烧，以去除混合物膜中的第二材料，从而在混合物膜中的第二材料被去除的位置形成孔隙。
例如，在一个示例中，形成包括孔隙的多孔隙结构层可以包括：首先，将空穴传输层材料(作为第一材料)与含C大分子(作为第二材料)按一定的体积比混合，并配置成混合溶液。例如，空穴传输层材料选用Ni(NO3)2或NiCl2等材料，含C大分子选用乙二胺四乙酸(EDTA)或其他合适的材料，将二者例如以体积比为1:(1-4)的比例，例如以体积比为1:2或1:3等比例混合，并配置成混合溶液，然后将该混合溶液在室温下搅拌均匀。然后，将搅拌均匀的上述混合溶液移入高压反应釜中，例如将反应釜中的温度控制在160℃左右，使上述混合溶液在该温度下进行水热反应，该水热反应可以使第一材料和第二材料通过化学键，例如配位键、氢键等形成紧密结合的整体，有利于在后续工艺除去第二材料后形成稳定的多孔隙结构。
例如，水热反应结束后，可以对反应产物进行洗涤，例如分别采用乙醇、去离子水进行洗涤，除去反应产物中的多余负载物，例如没有进行水热反应的第一材料和/或第二材料以及其他可能存在的杂质，最终剩余第一材料和第二材料形成的紧密的整体，该洗涤过程有利于在后续工艺除去第二材料后形成均匀、稳定的多孔隙结构。例如，最终得到的反应产物呈悬浮液状态。之后，将呈悬浮液状态的反应产物例如采用旋涂等方法在空穴传输层将要形成的位置，例如在第一电极上形成具有一定厚度的膜层，然后将其放置在烘箱中干燥后进行高温热处理，例如在450℃左右的温度下进行高温煅烧，除去膜层中的含C大分子，最终在第一电极上形成具有孔隙的多孔隙结构层。
该示例中，例如可以通过调节空穴传输层材料与含C大分子的体积比来控制最终形成的具有孔隙的空穴传输层的孔径大小。例如，空穴传输层材料与含C大分子的体积比越小，即含C大分子的含量越多，通过高温煅烧后形成的具有孔隙的空穴传输层的孔径越大。
例如，该示例中，空穴传输层中形成的孔隙的孔径大小为2-100纳米，例如形成的孔隙为孔径大小为2-50纳米的介孔。例如，图11为具有孔隙的空穴传输层的扫描电镜图，如图11所示，采用上述方法形成的空穴传输层包括均匀分布的孔隙。
本实施例中，采用无机材料制备的空穴传输层具有较好的抗水氧渗透性能、并且无机材料晶体结构稳定，可以通过高温工艺去除残留杂质，因此利用无机材料形成的空穴传输层能够提高量子点发光二极管器件的整体效率及稳定性。
步骤S102：形成量子点发光层。
本实施例中，可以在上述形成的空穴传输层上形成量子点发光层，该量子点发光层形成为接触多孔隙结构层且至少部分孔隙中形成有量子点发光层的形成材料。
本实施例中，量子点发光层的材料例如可以为硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料或砷化铟量子点材料等各种量子点材料，本实施例对此不做限定。
本实施例中，在具有孔隙的空穴传输层上形成量子点发光层时，量子点发光层的材料例如可以首先填充到空穴传输层的孔隙中，然后再形成一层致密的量子点发光层，从而量子点发光材料可以与空穴传输层充分接触，增大空穴传输层与量子点发光层的接触面积，因此可以增加量子点发光层中空穴的注入量，使得量子点发光层中的载流子(例如电子和空穴)的数量更加平衡。
步骤S103：形成第二电极。
本实施例中，第二电极例如可以采用透明导电氧化物或者导电聚合物等材料制成，例如ITO、FTO等；另外，第二电极也可以采用不透明金属材料制成，例如Al、Ag等金属。
例如，可以采用磁控溅射或蒸镀等方法在量子点发光层上形成第二电极。本实施例对第二电极的材料及其形成方法不做具体限定。
在本实施例的一个示例中，形成空穴传输层例如可以包括形成上层空穴传输层和下层空穴传输层，其中，上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层。
例如，在该示例中，可以首先采用磁控溅射、蒸镀或原子层沉积等方法在第一电极上形成一层致密的空穴传输层，然后再采用上述水热法和高温煅烧法在致密的空穴传输层上形成一层具有孔隙的空穴传输层。
例如，本实施例提供的量子点发光二极管的制备方法还可以包括形成空穴注入层。此时，例如可以在第一电极上首先形成空穴注入层；然后在空穴注入层上形成空穴传输层。例如，可以采用无机材料形成空穴注入层，例如钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物等无机材料。该无机材料的种类可以根据实际情况，例如量子点发光层的材料、空穴传输层的材料等进行选择，本实施例对此不做限定。
例如，本实施例提供的量子点发光二极管的制备方法还可以包括形成电子传输层。电子传输层例如可以形成在第二电极与量子点发光层之间，即量子点发光层形成之后形成电子传输层，然后在电子传输层上形成第二电极。例如，形成电子传输层的材料可以为锌氧化物、镁锌氧化物或其他任何适用于电子传输层的材料，本实施例对此做限定。
例如，本实施例提供的量子点发光二极管的制备方法还可以包括形成金属氧化物层。例如，金属氧化物层可以形成在电子传输层和量子点发光层之间。例如，金属氧化物层可以形成在电子传输层和第二电极之间。例如，金属氧化物层还可以形成在空穴传输层与量子点发光层之间以及空穴传输层的孔隙中。例如，金属氧化物层可以同时形成在上述位置中的两种或三种中。该金属氧化物层可以阻挡电子，也可以阻隔水氧，还可以避免光线在量子点发光二极管器件内部的SPP传导模式(即光电子与器件中的载流子产生共同振荡)，从而增强量子点发光二极管器件的发光效率。
例如，可以采用氧化铝、氧化锡或氧化铟等氧化物材料形成该金属氧化物层。
例如，金属氧化物层可以包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。例如，形成该具有粗糙表面的金属氧化物薄膜可以包括：采用蒸镀或磁控溅射法形成具有粗糙表面的金属薄膜，然后将金属薄膜氧化；或者采用蒸镀或磁控溅射法在氧气氛围下直接形成具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。
例如，在一个示例中，以采用氧化铝材料形成金属氧化物层为例，形成金属氧化物层可以包括：首先，采用蒸镀或者磁控溅射等方法在金属氧化物层所要形成的位置快速沉积一层极薄的金属铝(Al)材料层。例如，以每秒
Figure BDA0001585820490000121
(埃米)的速度进行快速沉积，形成例如厚度为
Figure BDA0001585820490000122
例如
Figure BDA0001585820490000123
Figure BDA0001585820490000124
或
Figure BDA0001585820490000125
等厚度的呈岛状分布的铝薄膜，之后通入氧气将铝薄膜氧化，从而形成岛状分布的氧化铝(AlOx)薄膜。或者，在另一个示例中，也可以在蒸镀或者磁控溅射铝金属时直接通入一定比例的氧气，从而直接在所需要形成金属氧化物层的位置快速沉积，例如以每秒
Figure BDA0001585820490000126
(埃米)的速度快速沉积一层极薄的氧化铝薄膜，即直接形成例如厚度为
Figure BDA0001585820490000127
例如
Figure BDA0001585820490000128
Figure BDA0001585820490000129
或
Figure BDA00015858204900001210
等厚度的呈岛状分布的氧化铝(AlOx)薄膜。该金属氧化物层具有粗糙的表面，可以更好地抑制光线在量子点发光二极管器件内部的SPP传导模式，增强量子点发光二极管器件的发光效率。
还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种量子点发光二极管，包括：
空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；
量子点发光层，设置在所述空穴传输层上；
其中所述量子点发光层接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中设置有所述量子点发光层的形成材料，
所述量子点发光二极管还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层设置在所述空穴传输层与所述量子点发光层之间以及所述空穴传输层的孔隙中。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其中所述空穴传输层包括上层空穴传输层和下层空穴传输层；
所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；
所述下层空穴传输层为致密层。
3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，还包括:
第一电极；
空穴注入层，设置在所述第一电极上，并且所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；
第二电极，设置在所述量子点发光层上。
4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层的材料为无机材料。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其中，所述无机材料为钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物。
6.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，还包括：
电子传输层，设置在所述第二电极与所述量子点发光层之间；
所述金属氧化物层还设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间；和/或
所述电子传输层和所述第二电极之间；其中，所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其中，所述金属氧化物层的材料为氧化铝。
8.一种显示面板，包括权利要求1-7任一所述的量子点发光二极管。
9.一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
形成空穴传输层，所述空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层；
在所述空穴传输层上形成量子点发光层，所述量子点发光层形成为接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中形成有所述量子点发光层的形成材料；以及
形成金属氧化物层，所述金属氧化物层形成在所述空穴传输层与所述量子点发光层之间以及所述空穴传输层的孔隙中。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，形成所述空穴传输层包括形成上层空穴传输层和下层空穴传输层；
所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；
所述下层空穴传输层为致密层。
11.根据权利要求9或10所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，形成所述多孔隙结构层包括：
将第一材料与第二材料混合，并使所述第一材料与第二材料进行水热反应，然后将反应产物进行成膜处理以形成混合物膜；
对所述混合物膜进行高温煅烧，以去除所述混合物膜中的所述第二材料。
12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，
所述水热反应完成后，将所述反应产物进行洗涤以去除没有进行所述水热反应的第一材料和/或第二材料，然后将所述反应产物进行成膜处理。
13.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，
所述第一材料与所述第二材料的体积比为1:(1-4)。
14.根据权利要求13所述的量子点发光二极管的制备方法，还包括:
形成第一电极；
在所述第一电极上形成空穴注入层，并将所述空穴传输层形成在所述空穴注入层上；
在所述量子点发光层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成第二电极。
15.根据权利要求14所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜；形成所述具有粗糙表面的金属氧化物薄膜包括：
采用蒸镀或磁控溅射法形成具有粗糙表面的金属薄膜，然后将所述金属薄膜氧化；或者
采用蒸镀或磁控溅射法在氧气氛围下直接形成所述具有粗糙表面的金属氧化物薄膜，
所述金属氧化物层还形成在所述电子传输层和所述量子点发光层之间；和/或
所述电子传输层和所述第二电极之间。
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