CN108364853A - 一种柔性金属衬底及其制备方法和应用 - Google Patents

一种柔性金属衬底及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种用于制作柔性薄膜晶体管或薄膜二极管的柔性金属衬底，该柔性金属衬底包括金属箔片和附着在所述金属箔片表面上的金属镀层，其中，通过原子力显微镜在10×10μm的扫描范围下观察时，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度<10nm。本发明采用金属作为衬底制备柔性薄膜晶体管或薄膜二极管，有效地解决了现有的有机柔性衬底不能承受高温处理的问题。结合高温热退火工艺，薄膜晶体管和二极管的电学性能和稳定性可以大幅提高。金属衬底的高热导率还可以将晶体管和二极管工作时散发的热量及时地传导出去，消除了热效应对器件的影响，进一步提高了其性能和稳定性。

Description

一种柔性金属衬底及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及柔性电子器件领域，尤其是一种柔性金属衬底及其制备方法和在薄膜晶体管和薄膜二极管中的应用。
背景技术
近年来，基于柔性衬底的柔性电子学材料和器件受到了广泛的关注，柔性显示、可穿戴设备、物联网、医疗电子设备以及国防装备等领域的相关研究均取得了飞速的发展。要实现柔性技术的实际应用，柔性的薄膜晶体管和薄膜二极管是两个不可或缺的关键电子器件。柔性薄膜晶体管是柔性电子器件的重要组成部分，其中以InGaZnO为代表的氧化锌基薄膜晶体管在柔性显示市场占据着越来越重要的地位；另一方面，中国专利No.201710718914.5公开了一种柔性场效应二极管，该二极管可耐受高压，具有高整流比，填补了柔性高压器件领域的空白。然而，目前二者在商业化进程中仍存在许多亟待解决的问题，其中以器件性能对高温处理的依赖以及器件自发热导致的性能退化最为关键。
以氧化锌为例，其制备方法主要有溶液法和真空沉积法两大类。溶液法主要包括溶胶凝胶法和喷雾热解法等，所制备的氧化锌薄膜需要高温后处理(通常高于300℃)来稠化和移除杂质。真空沉积法制备的氧化锌薄膜晶体管的性能对氧含量非常敏感，生长窗口非常狭窄，因此需要热退火来调控氧化锌中的氧含量。特别地，高温退火能显著提高氧化锌基薄膜晶体管的稳定性。然而，目前的柔性衬底以有机聚合物为主，如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。它们柔韧性好、可操作性强，但是对水和氧的气密性差，与无机材料间的粘着力小，影响了器件的性能和稳定性。最为关键的是，它们的玻璃化温度低，难以承受较高的温度，因而无法进行所需的高温后处理过程，难以获得优异的性能和良好的稳定性。
另一方面，薄膜晶体管、二极管在工作时会产生焦耳热和热载流子效应，在有源层附近会产生大量的热量。一般的有机柔性衬底热导率很小，如PI衬底的热导率为0.12W·m-1·K-1，难以及时地将工作时有源层所产生的热量传导出来，从而使得有源层附近的温度显著增加，器件的性能由于自发热而发生退化。
利用柔性金属作为器件的衬底可以有效解决上述问题。金属衬底能够很好地隔绝水和氧，可以承受高温处理。它的高热导率有助于实现快速散热，因而可以提高柔性电子器件的稳定性和使用寿命。但是，用于柔性电子器件的金属衬底一般表面非常粗糙，其均方根粗糙度在数百纳米以上。通过滚轧成型的金属箔还具有滚轧的痕迹。中国专利No.200910194558.7公开了一种不锈钢衬底的精密抛光方法，该方法使用化学机械抛光将不锈钢衬底的均方根粗糙度降至0.7nm。中国专利No.201110191555.5公开了一种用于柔性显示器件的基板及制备该基板的方法，该方法在金属基片上沉积无机材料层和有机材料层来实现表面平坦化。然而，精密抛光对于大尺寸的柔性电子器件而言过于昂贵。此外，使用有机聚合物作为平坦层来降低表面粗糙度也存在不能承受高温处理的问题，而无机材料作为平坦层需要较大的厚度，衬底弯曲时容易产生裂纹或剥离，会影响器件的柔性。
发明内容
因此，本发明的目的在于解决上述问题，提供一种用于制作柔性薄膜晶体管和薄膜二极管的柔性金属衬底，该衬底具有低表面粗糙度。
本发明的另一个目的是提供一种制作柔性薄膜晶体管和薄膜二极管的方法，使用成本低廉的简单工艺制作表面粗糙度低的柔性金属衬底，在该衬底上制作薄膜晶体管和薄膜二极管可以承受高温处理，降低热效应的影响，从而能够制作出高性能的柔性薄膜晶体管和薄膜二极管。
本发明的又一个目的是提供一种基于金属衬底的柔性薄膜晶体管。
本发明的再一个目的是提供一种基于金属衬底的柔性薄膜二极管。
根据本发明的第一个方面，提供了一种用于制作柔性薄膜晶体管或薄膜二极管的柔性金属衬底，该柔性金属衬底包括金属箔片和附着在所述金属箔片表面上的金属镀层，其中，通过原子力显微镜在10×10μm的扫描范围下观察时，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度<10nm。
在本发明的一些实施方案中，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度为0.5～9.9nm。优选地，所述金属箔片的厚度为5～125μm，所述金属镀层的厚度为1～25μm。
根据本发明提供的柔性金属衬底，其中，所述金属箔片可以为Ag、Al、Au、Co、Cr、Cu、Fe、Ir、Mo、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、Ru、Sn、Ta、Ti、V、W、Zr和不锈钢(SUS)中的一种或多种，所述电镀金属层可以为Ag、Au、Cd、Co、Cr、Cu、Ir、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、W和Zn中的一种或多种。所述金属箔片与所述电镀金属层的金属可以相同，也可以不同，本发明对此没有特别限定。
根据本发明的第二方面，还提供了上述柔性金属衬底的制备方法，该制备方法包括：采用电镀法在金属箔片形成金属镀层。
优选地，所述电镀法包括：清洗金属箔片，去除表面有机附着等污染物；将金属箔片放置于电镀槽中的阴极位置，阳极为待镀的金属材料，并在电镀槽中加入电镀液；在阴极和阳极间施加电流与电压，电流范围为0.1～1A，电压范围为1～10V；电镀一段时间获得所需厚度后取出，清洗并吹干。
根据本发明的第三方面，还提供了一种柔性薄膜晶体管，所述柔性薄膜晶体管包括：柔性金属衬底、缓冲保护层、沟道层、栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极和钝化层，其中所述柔性金属衬底为本发明提供的柔性金属衬底或者按本发明方法制得的柔性金属衬底。
根据本发明提供的柔性薄膜晶体管，其中，所述柔性金属衬底上覆盖了缓冲保护层，其作用是将金属衬底与栅电极、源电极和漏电极绝缘。
根据本发明的第四方面，还提供了一种柔性薄膜二极管，所述柔性薄膜二极管包括：柔性金属衬底、缓冲保护层、沟道层、绝缘层、第一电极、第二电极、连接电极和钝化层，其中所述柔性金属衬底为本发明提供的柔性金属衬底或者按本发明方法制得的柔性金属衬底。
根据本发明提供的柔性薄膜晶体管，其中，所述柔性金属衬底上覆盖了缓冲保护层，其作用是将金属衬底与第一电极、第二电极和连接电极绝缘。
根据本发明提供的柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管，其中，所述缓冲保护层可以为无机绝缘材料或有机聚合物绝缘材料。例如，所述缓冲保护层的材料可以为氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、聚酰亚胺和聚四氟乙烯中的一种或多种。在本发明的一种具体实施方案中，所述缓冲保护层的材料可以为聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物。优选地，所述缓冲保护层的厚度可以为100nm至1μm。
根据本发明的第五方面，还提供了一种制作柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管的方法，所述方法包括以下步骤：采用电镀法在金属箔片形成金属镀层以制备柔性金属衬底；在所述柔性金属衬底上沉积缓冲保护层；在所述缓冲保护层上制备薄膜晶体管或薄膜二极管以形成基于金属衬底的柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管。
本发明采用金属作为衬底制备柔性薄膜晶体管或薄膜二极管，有效地解决了现有的有机柔性衬底不能承受高温处理的问题。结合高温热退火工艺，薄膜晶体管和二极管的电学性能和稳定性可以大幅提高。金属衬底的高热导率还可以将晶体管和二极管工作时散发的热量及时地传导出去，消除了热效应对器件的影响，进一步提高了其性能和稳定性。
附图说明
以下，结合附图来详细说明本发明的实施方案，其中：
图1是本发明在金属衬底上制备薄膜晶体管或薄膜二极管的流程图。
图2是实施例1制备的薄膜晶体管的剖面示意图。
图3是本发明实施例1的仿真模型示意图和模拟结果图。
图4是实施例2制备的薄膜晶体管的俯视示意图和剖面示意图。
图5是实施例2制备的薄膜晶体管在300℃退火前后的转移特性曲线。
图6是实施例3制备的薄膜晶体管的俯视示意图和剖面示意图。
图7是实施例4制备的薄膜晶体管的俯视示意图和剖面示意图。
图8是实施例5制备的薄膜晶体管的俯视示意图和剖面示意图。
图9是实施例6制备的薄膜晶体管的俯视示意图和剖面示意图。
图10是实施例7制备的薄膜晶体管的俯视示意图和剖面示意图。
图11是实施例8制备的薄膜二极管的俯视示意图和剖面示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述，给出的实施例仅为了阐明本发明，而不是为了限制本发明的范围。
图1是根据本发明的一种示例性实施方案，在金属衬底上制备薄膜晶体管或薄膜二极管的流程图。如图1所示，步骤一：将表面粗糙度较高的铜金属箔片101清洗干净；步骤二：在表面粗糙的Cu金属箔片101上电镀Cu金属102，以改善其粗糙度，形成柔性金属衬底；步骤三：在柔性金属衬底上使用原子层沉积技术(ALD)沉积Al2O3缓冲保护层103；步骤四：在Al2O3缓冲保护层103上制作薄膜晶体管或薄膜二极管104，获得基于柔性金属衬底的薄膜晶体管或薄膜二极管。
实施例1
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜晶体管。
图2是本实施例制备的薄膜晶体管的剖面示意图。如图2所示，在30μm厚的金属Cu衬底201上使用ALD沉积150nm厚的Al2O3缓冲保护层202，在Al2O3缓冲保护层202上制备薄膜晶体管203，获得基于柔性金属衬底的薄膜晶体管。
其中，所述金属Cu衬底201的制备方法如下：
在25μm厚的具有粗糙表面的金属Cu上电镀5μm厚的Cu获得金属Cu衬底201，阳极为金属铜，电镀液为硫酸铜溶液，电流为0.25A，电压为2V。
图3是本实施例制备的薄膜晶体管的仿真模型示意图和模拟结果图。将薄膜晶体管的发热简化为热源Q＝5×108W/m2，铜衬底的侧边缘温度设定为293.15K，所有边界都与空气发生热对流，空气的初始温度设定为293.15K。比较了相同条件下Cu衬底和Si衬底的温度分布，得出采用Cu衬底薄膜晶体管的最高温度为323.56K，尚在一般器件可以正常工作的范围以内；而采用Si衬底则为382.12K，远大于一般器件的温度承受范围。
实施例2
本实施例制备了采用金属衬底的薄膜晶体管的器件结构，其结构类型为底栅交叠型。
图4是本实施例制备的采用金属衬底的薄膜晶体管300的俯视示意图和剖面示意图。如图4所示，薄膜晶体管300从下到上依次包括金属Cu衬底301、Al2O3缓冲保护层302、Cr栅电极303、HfO2栅绝缘层304、ZnO沟道层305、铟锡氧(ITO)源电极和漏电极306、SiO2钝化层307。
该薄膜晶体管的制备方法如下：
在5μm厚的具有粗糙表面的金属Cu上电镀1μm厚的Cu获得金属Cu衬底301，阳极为金属铜，电镀液为硫酸铜溶液，电流为0.15A，电压为1V。
在6μm厚的金属Cu衬底301上采用ALD制备100nm厚的Al2O3缓冲保护层302；采用磁控溅射技术制备100nm厚的Cr栅电极303；采用ALD制备50nm厚的HfO2栅绝缘层304；采用磁控溅射技术制备50nm厚的ZnO沟道层305，然后经过光刻和盐酸刻蚀，对沟道层305进行图形化处理；采用磁控溅射技术制备50nm厚的ITO源电极和漏电极306；采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备100nm厚的SiO2钝化层307。
图5是本实施例制备的金属衬底的薄膜晶体管在300℃退火前后的转移特性曲线图。其中将漏极电压设置为1V，同时从-10V至20V对栅极电压进行扫描。可以看出，退火后器件的性能有了大幅提升。
实施例3
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜晶体管的器件结构，其结构类型为底栅共面型。
图6是本实施例制备的采用金属衬底的薄膜晶体管400的俯视示意图图和剖面示意图。如图6所示，薄膜晶体管400从下到上依次包括金属衬底401、SiO2缓冲保护层402、Al栅电极403、Al2O3栅绝缘层404、Au源电极和漏电极405、IGZO沟道层406、氮化硅(Si3N4)钝化层407。
该薄膜晶体管的制备方法如下：
在100μm厚的具有粗糙表面的金属SUS上电镀25μm厚的Ag获得柔性复合金属衬底401，阳极为金属Ag，电镀液为氰化银钾溶液，电流为0.2A，电压为3V。
在125μm厚的柔性复合金属衬底401上采用PECVD制备1μm厚的SiO2缓冲保护层402；采用磁控溅射技术制备80nm厚的Al栅电极403；采用ALD制备60nm厚的Al2O3栅绝缘层404；采用热蒸发技术制备50nm厚的Au源电极和漏电极405；采用磁控溅射技术制备30nm厚的IGZO沟道层406，然后经过光刻和盐酸刻蚀，对沟道层406进行图形化处理；采用PECVD制备150nm厚的Si3N4钝化层407。
采用与实施例2相同的方法对器件进行测试，得到类似的结果，即退火后性能有了大幅提升。
实施例4
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜晶体管的器件结构，其结构类型为顶栅交叠型。
图7本实施例制备的采用金属衬底的薄膜晶体管500的俯视示意图图和剖面示意图。如图7所示，薄膜晶体管500从下到上依次包括SUS衬底501、Si3N4缓冲保护层502、Al源电极和漏电极503、ZnO沟道层504、氧化锆(ZrO2)栅绝缘层505、Mo栅电极506。
该薄膜晶体管的制备方法如下：
在40μm厚的具有粗糙表面的金属SUS上电镀10μm厚的Cr获得柔性复合金属衬底501，阳极为金属Pb，电镀液为铬酐和硫酸混合溶液，电流为1A，电压为10V。
在50μm厚的柔性复合金属衬底501上采用PECVD制备250nm厚的Si3N4缓冲保护层502；采用磁控溅射技术制备90nm厚的Al源电极和漏电极503；采用磁控溅射技术制备40nm厚的ZnO沟道层504，然后经过光刻和盐酸刻蚀，对沟道层504进行图形化处理；采用磁控溅射技术制备50nm厚的ZrO2栅绝缘层505；采用电子束蒸发技术制备100nm厚的Mo栅电极506。
采用与实施例2相同的方法对器件进行测试，得到类似的结果，即退火后性能有了大幅提升。
实施例5
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜晶体管的器件结构，其结构类型为顶栅共面型。
图8本实施例制备的采用金属衬底的薄膜晶体管600的俯视示意图图和剖面示意图。如图8所示，薄膜晶体管600从下到上依次包括金属Ag衬底601、TiO2缓冲保护层602、镁锌氧(MZO)沟道层603、Cu源电极和漏电极604、氧化钇(Y2O3)栅绝缘层605、Ni栅电极606。
该薄膜晶体管的制备方法如下：
在8μm厚的具有粗糙表面的金属Ag上电镀2μm厚的Ag获得10μm厚的金属Ag衬底601，阳极为金属Ag，电镀液为氰化银钾溶液，电流为0.15A，电压为2V。
在10μm厚的Ag衬底601上采用磁控溅射技术制备200nm厚的TiO2缓冲保护层602；采用磁控溅射技术制备50nm厚的MZO沟道层603，然后经过光刻和盐酸刻蚀，对沟道层603进行图形化处理；采用热蒸发技术制备50nm厚的Cu源电极和漏电极604；采用磁控溅射技术制备50nm厚的Y2O3栅绝缘层605；采用磁控溅射技术制备100nm厚的Ni栅电极606。
采用与实施例2相同的方法对器件进行测试，得到类似的结果，即退火后性能有了大幅提升。
实施例6
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜晶体管的器件结构，该器件结构与实施例1所述器件结构相似，其区别在于采用了圆形电极形状。
图9是本实施例制备的采用金属衬底的薄膜晶体管700的俯视示意图图和剖面示意图。如图9所示，薄膜晶体管700从下到上依次包括金属Pt衬底701、聚酰亚胺缓冲保护层702、Ti栅电极703、Al2O3栅绝缘层704、IGZO沟道层705、Pd源电极706和Pd漏电极707、SiO2钝化层708。
该薄膜晶体管的制备方法如下：
在20μm厚的具有粗糙表面的金属Pt上电镀10μm厚的Pt获得30μm厚的金属Pt衬底701，阳极为金属Pt，电镀液为氯铂酸溶液，电流为0.3A，电压为3V。
在30μm厚的金属Pt衬底701上采用旋涂方法制备700nm厚的聚酰亚胺缓冲保护层702；采用磁控溅射技术制备100nm厚的Ti栅电极703；采用ALD制备70nm厚的Al2O3栅绝缘层704；采用磁控溅射技术制备50nm厚的IGZO沟道层705，然后经过光刻和盐酸刻蚀，对沟道层705进行图形化处理；采用磁控溅射技术制备70nm厚的Pd源电极706和Pd漏电极707；采用PECVD制备100nm厚的SiO2钝化层708。
采用与实施例2相同的方法对器件进行测试，得到类似的结果，即退火后性能有了大幅提升。
实施例7
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜晶体管的器件结构，该器件结构与实施例1所述器件结构相似，其区别在于栅电极与源电极和漏电极之间存在错排区域。
图10是本实施例制备的采用金属衬底的薄膜晶体管800的俯视示意图图和剖面示意图。如图10所示，薄膜晶体管800从下到上依次包括金属Au衬底801、Al2O3缓冲保护层802、Ag栅电极803、HfO2栅绝缘层804、ZnO沟道层805、Mo源电极和漏电极806、Si3N4钝化层807。
该薄膜晶体管的制备方法如下：
在15μm厚的具有粗糙表面的金属Au上电镀5μm厚的Au获得20μm厚的金属Au衬底801，阳极为金属Pt，电镀液为氰化金钾溶液，电流为0.25A，电压为4V。
在20μm厚的金属Au衬底801上采用ALD制备250nm厚的Al2O3缓冲保护层802；采用热蒸发技术制备50nm厚的Ag栅电极803；采用ALD制备80nm厚的HfO2栅绝缘层804；采用磁控溅射技术制备40nm厚的ZnO沟道层805，然后经过光刻和盐酸刻蚀，对沟道层805进行图形化处理；采用磁控溅射技术制备50nm厚的Mo源电极和漏电极806；采用PECVD制备150nm厚的Si3N4钝化层807。
采用与实施例2相同的方法对器件进行测试，得到类似的结果，即退火后性能有了大幅提升。
实施例8
本实施例制备了一种采用金属衬底的薄膜二极管的器件结构，其器件结构属于场效应二极管的结构。
图11是本实施例制备的采用金属衬底的薄膜二极管900的结构俯视图和剖视图。如图11所示，薄膜二极管900从下到上依次包括金属Cu衬底901、Si3N4缓冲保护层902、Cr第一电极903、Al2O3绝缘层904、IGZO沟道层905、Au连接电极906、Au第二电极907、SiO2钝化层908。
该薄膜二极管的制备方法如下：
在20μm厚的具有粗糙表面的金属Cu上电镀5μm厚的Cu获得25μm厚的金属Cu衬底901，阳极为金属Cu，电镀液为硫酸铜溶液，电流为0.25A，电压为2V。
在25μm厚的金属Cu衬底901上采用PECVD制备500nm厚的Si3N4缓冲保护层902；采用磁控溅射技术制备80nm厚的Cr第一电极903；采用ALD制备70nm厚的Al2O3绝缘层904；采用磁控溅射技术制备30nm厚的IGZO沟道层905；采用热蒸发技术制备100nm厚的Au连接电极906和第二电极907；采用PECVD制备100nm厚的SiO2钝化层908。
将第二电极电压设置为0V，从-20V至20V对第一电极电压进行扫描，得出二极管的整流特性曲线。类似地，退火后性能有了大幅提升。

Claims (10)

1.一种用于制作柔性薄膜晶体管或薄膜二极管的柔性金属衬底，该柔性金属衬底包括金属箔片和附着在所述金属箔片表面上的金属镀层，其中，通过原子力显微镜在10×10μm的扫描范围下观察时，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度<10nm。
2.根据权利要求1所述的柔性金属衬底，其中，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度为0.5～9.9nm，优选地，所述金属箔片的厚度为5～125μm，所述金属镀层的厚度为1～25μm。
3.根据权利要求1或2所述的柔性金属衬底，其中，所述金属箔片为Ag、Al、Au、Co、Cr、Cu、Fe、Ir、Mo、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、Ru、Sn、Ta、Ti、V、W、Zr和不锈钢中的一种或多种，所述电镀金属层为Ag、Au、Cd、Co、Cr、Cu、Ir、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、W和Zn中的一种或多种。
4.权利要求1至3中任一项所述柔性金属衬底的制备方法，该制备方法包括：采用电镀法在金属箔片形成金属镀层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述电镀法包括：将金属箔片放置于电镀槽中的阴极位置，阳极为待镀的金属材料，并在电镀槽中加入电镀液；在阴极和阳极间施加电流与电压，电流范围为0.1～1A，电压范围为1～10V；获得所需厚度后取出，清洗并吹干。
6.一种柔性薄膜晶体管，所述柔性薄膜晶体管包括：柔性金属衬底、缓冲保护层、沟道层、栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极和钝化层，其中，所述柔性金属衬底为权利要求1至3中任一项所述的柔性金属衬底或者权利要求4或5所述方法制得的柔性金属衬底。
7.根据权利要求6所述的柔性薄膜晶体管，其中，所述缓冲保护层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钇、聚酰亚胺和聚四氟乙烯中的一种或多种；优选地，所述缓冲保护层的材料为聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物；优选地，所述缓冲保护层的厚度为100nm至1μm。
8.一种柔性薄膜二极管，所述柔性薄膜二极管包括：柔性金属衬底、缓冲保护层、沟道层、绝缘层、第一电极、第二电极、连接电极和钝化层，其中，所述柔性金属衬底为权利要求1至3中任一项所述的柔性金属衬底或者权利要求4或5所述方法制得的柔性金属衬底。
9.根据权利要求7所述的柔性薄膜二极管，其中，所述缓冲保护层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钇、聚酰亚胺和聚四氟乙烯中的一种或多种；优选地，所述缓冲保护层的材料为聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物；优选地，所述缓冲保护层的厚度为100nm至1μm。
10.一种制作柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管的方法，所述方法包括以下步骤：采用电镀法在金属箔片形成金属镀层从而制备柔性金属衬底；在所述柔性金属衬底上沉积缓冲保护层；在所述缓冲保护层上制备薄膜晶体管或薄膜二极管以形成基于金属衬底的柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管。
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