CN108351599B - 用于校正基板上的不均匀图像图案的方法、计算机***和非暂时性计算机可读介质 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 45
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000003702 image correction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 29
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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Abstract
公开一种与在制造工艺中将无掩模光刻图案施加到基板的能力有关的图像校正应用。本文所述的实施方式涉及软件应用平台,所述软件应用平台校正基板上的不均匀图像图案。应用平台方法包括:禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;并且重复将基板的第二部分曝光于第二范围,直至基板被完全地处理。
Description
背景
领域
本公开内容的实施方式总体涉及无掩模光刻的领域。更具体地,本文提供的实施方式涉及用于执行无掩模数字光刻制造工艺的***和方法。
相关技术描述
光刻广泛用于制造半导体器件和显示设备(如液晶显示器(LCD))。通常利用大面积基板来制造LCD。LCD或平板常用于有源矩阵显示器,诸如计算机、触摸面板设备、个人数字助理(PDA)、手机、电视机监视器和诸如此类。一般来说,平板可包括液晶材料层,液晶材料层形成夹在两个板之间的像素。当跨液晶材料施加来自电源的电力时,可在像素位置处控制通过液晶材料的光的量,从而使得能生成图像。
显微光刻技术一般用来形成作为形成像素的液晶材料层的一部分而并入的电特征结构。根据此项技术,典型地将光敏型光刻胶涂覆到基板的至少一个表面。接着,图案发生器(pattern generator)用光曝光光敏型光刻胶的选定区域来作为图案的一部分以引起选择区域中的光刻胶的化学变化,从而使这些选择区域准备好进行后续的材料去除和/或材料添加工艺以形成电特征结构。
为了继续向消费者提供处于消费者期望的价格下的显示设备和其他设备,需要新装置、方法和***用以在基板(诸如大面积基板)上精确且成本有效地形成图案。
如前文所表明,需要用于校正不均匀图案的改进的技术。更特别地,本领域中需要的是操纵图案发生器中的镜列(columns of mirrors)来降低线边缘粗糙度的应用。
发明内容
公开一种与在制造工艺中将无掩模光刻图案施加到基板的能力有关的图像校正应用。本文所述的实施方式涉及软件应用平台,所述软件应用平台校正基板上的不均匀图像图案。
在一个实施方式中,公开了用于校正基板上的不均匀图像图案的方法。所述方法可包括:响应于测量安装在图像投影***中的DMD的旋转角度而禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围(shot);使基板平移步长并且将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和重复将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围,直至基板被完全地处理。
在另一实施方式中,公开用于校正基板上的不均匀图像图案的计算机***。所述计算机***可包括:处理器;和存储器,存储指令,所述指令在由处理器执行时引起计算机***:测量安装在图像投影***中的DMD的旋转角度,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;禁用DMD中的至少一整列镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;和使基板平移步长并且将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围。
在又一实施方式中,公开了一种非暂时性计算机可读存储介质,所述非暂时性计算机可读存储介质存储指令,所述指令在由处理器执行时引起计算机***校正基板上的不均匀图像图案。处理器可执行以下步骤:禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;使基板平移步长并且将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和重复将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围,直至基板被完全地处理。
附图简述
为了可详细地理解本公开内容的上述特征结构所用方式,在上文简要概述的本公开内容的更特定的描述可参考实施方式而进行,实施方式中的一些示出在附图中。然而,应当注意,附图仅示出了本公开内容的示例性的实施方式,并且因此不应视为限制本公开的范围,因为本公开内容也可应用于其他等效实施方式。
图1是可受益于本文公开的实施方式的***的透视图。
图2是根据一个实施方式的图1的***的横截面侧视图。
图3是根据一个实施方式的多个图像投影***的示意性透视图。
图4是根据一个实施方式的图3的多个图像投影装置中的一个图像投影***的示意性透视图。
图5示意性地示出根据一个实施方式的被DMD的两个镜反射的束。
图6示出根据一个实施方式的提供不均匀图像图案的校正的计算机***。
图7示出根据一个实施方式的图6的服务器的更详细的视图。
图8示出根据一个实施方式的用于访问不均匀图案校正应用的控制器计算***。
图9示出校正基板上的不均匀图像图案的方法。
图10示出根据一个实施方式的具有多个镜的DMD。
图11示出基板曝光于第一电磁辐射范围的区域。
为了促进理解,已尽可能使用相同参考数字标示附图间共有的相同元件。应预见到,一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式,而不赘述。
具体实施方式
本公开内容的实施方式总体涉及公开与在制造工艺中将无掩模光刻图案施加到基板的能力有关的软件应用。所述软件应用包括:禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;并且重复将基板的第二部分曝光于第二范围,直至基板被完全地处理。
如本文所用的术语“用户”包括例如:拥有计算设备或无线设备的个人或实体;操作或利用计算设备或无线设备的个人或实体;或与计算设备或无线设备以其他方式相关联的个人或实体。设想的是,术语“用户”不旨在是限制性的,并且可包括超出那些描述的各种示例。
图1是可受益于本文公开的实施方式的***100的透视图。***100包括基架110、板件(slab)120、两个或更多个台架(stage)130和处理装置160。基架110可搁置于制造厂房的地面上,并且可支撑板件120。被动式空气隔离器112可定位在基架110与板件120之间。板件120可为整块的花岗岩,并且可将两个或更多个台架130设置在板件120上。基板140可由两个或更多个台架130中的每个台架支撑。多个孔(未示出)可形成在台架130中以允许多个升降杆(未示出)延伸穿过孔中。升降杆可升高到伸展位置,以接收基板140,诸如从传送机器人(未示出)接收。传送机器人可将基板140定位在升降杆上,并且此后,升降杆可缓和地使基板140降低到台架130上。
基板140可例如由石英制成,并且用作平板显示器的一部分。在其他实施方式中,基板140可由其他材料(诸如玻璃)制成。在一些实施方式中,基板140可具有形成在基板上的光刻胶层。光刻胶对辐射敏感,并且可为正性光刻胶或负性光刻胶,这意味着在将图案写入光刻胶后,光刻胶曝光于辐射的部分将分别可溶或不可溶于施加到光刻胶的光刻胶显影剂。光刻胶的化学组成确定光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶。例如,光刻胶可包括重氮萘醌、酚醛树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基戊二酰亚胺)和SU-8中的至少一种。以此方式,可在基板140的表面上形成图案以形成电子电路。
***100可进一步包括一对支撑件122和一对轨道124。可将成对支撑件122设置在板件120上,并且板件120和成对支撑件122可为单件材料。成对轨道124可由成对支撑件122支撑,并且两个或更多个台架130可沿轨道124在X方向上移动。在一个实施方式中,成对轨道124是一对平行磁性通道。如图所示,成对轨道124中的每个轨道124是直线的。在其他实施方式中,轨道124可具有非直线的形状。编码器126可耦接到每个台架130,以将位置信息提供给控制器602(见图8)。
处理装置160可包括支撑件162和处理单元164。可将支撑件162设置在板件120上,并且支撑件可包括供两个或更多个台架130穿过处理单元164下方的开口166。处理单元164可由支撑件162支撑。在一个实施方式中,处理单元164是图案发生器,所述图案发生器经配置以在光刻工艺中使光刻胶曝光。在一些实施方式中,图案发生器可经配置以执行无掩模光刻工艺。处理单元164可包括多个图像投影***(图3中示出),这些图像投影***设置在壳体165中。处理装置160可用来执行无掩模直接图案化。在操作期间,两个或更多个台架130中的一个在X方向上从装载位置(如图1所示)移动到处理位置。处理位置可指台架130在台架130穿过处理单元164下方时所处的一个或多个位置。在操作期间,两个或更多个台架130可由多个空气轴承202(图2中示出)进行升降,并且可沿成对轨道124从装载位置移动到处理位置。多个竖直导向空气轴承(未示出)可耦接到每个台架130并定位成与每个支撑件122的内壁128相邻,以使台架130的移动稳定。两个或更多个台架130中的每一个还可通过沿轨道150移动来在Y方向上移动,以对基板140进行处理和/或转位(indexing)。
图2是根据一个实施方式的图1的***100的横截面侧视图。如图所示,每个台架130包括用于升降台架130的多个空气轴承202。每个台架130还可包括用于使得台架130沿轨道124移动的电机线圈(未示出)。两个或更多个台架130和处理装置160可用罩壳封闭(未示出),以提供温度和压力控制。
图3是根据一个实施方式的多个图像投影***301的示意性透视图。如图3所示,每个图像投影***301产生指向基板140的表面304上的多个写入束(write beams)302。当基板140在X方向和Y方向上移动时,整个表面304可由写入束302来图案化。图像投影***301的数量可基于基板140的大小和/或台架130的速度而变化。在一个实施方式中,在处理装置160中存在22个图像投影***164。
图4是根据一个实施方式的图3的多个图像投影***301中的一个图像投影***301的示意性透视图。图像投影***301可包括光源402、孔隙404、透镜406、镜408、DMD 410、集光器(light dump)412、摄影机414和投影透镜416。光源402可为发光二极管(LED)或激光器,并且光源402可以是能够产生具有预定波长的光的。在一个实施方式中,预定波长在蓝光或近紫外光(UV)范围内,如小于约450nm。镜408可为球面镜。投影透镜416可为10X物镜。DMD 410可包括多个镜,并且镜的数量可对应于所投影的图像的分辨率。在一个实施方式中,DMD 410包括1920×1080个镜,这代表高清电视机或其他平板显示器的像素的数量。
操作期间,具有预定波长(诸如在蓝光范围内的波长)的束403由光源402产生。束403由镜408反射到DMD 410。。DMD 410包括可单独控制的多个镜,并且基于控制器(未示出)提供到DMD 410的掩模数据,DMD 410的多个镜中的每个镜可处于“打开”位置或“关闭”位置。当束403到达DMD 410的镜时,处于“打开”位置的镜将束403反射(即,形成多个写入束302)到投影透镜416。接着,投影透镜416将写入束302投射到基板140的表面304。处于“关闭”位置的镜将束403反射到集光器412,而非基板140的表面304。
图5示出根据一个实施方式的DMD 410的两个镜502、504。如图所示,DMD 410的每个镜502、504设置在倾斜机构506上,倾斜机构设置在存储器单元508上。存储器单元508可为CMOS SRAM。在操作期间,每个镜502、504通过将掩模数据加载到存储器单元中来控制。掩模数据以二进制方式静电地控制镜502、504的倾斜。当镜502、504处于复位模式或没有被施加电力时,可将镜设置到平的(flat)位置,不对应于任何二进制数。二进制零可对应于“关闭”位置,意味着镜以-10度、-12度或任何其他可行的负倾斜度倾斜。二进制一可对应于“打开”位置,意味着镜以+10度、+12度或任何其他可行的正倾斜度倾斜。如图5所示,镜502处于“关闭”位置,镜504处于“打开”位置。
根据一个实施方式,束403可由DMD 410的两个镜502、504反射。如图所示,处于“关闭”位置的镜502将从光源402产生的束403反射到集光器412。处于“打开”位置的镜504通过将束403反射到投影透镜416来形成写入束302。
图6示出经配置以用于校正基板上的不均匀图像图案的计算***600,可在所述计算***600中实施本公开内容的实施方式。如图所示,计算***600可包括多个服务器608、不均匀图案校正应用612和多个控制器(即,计算机、个人计算机、移动/无线设备)602(为了清楚起见,仅示出了其中两个),它们中的每一个均连接到通信网络606(例如,互联网)。服务器608可经由本地连接(例如,存储区域网络(SAN)或网络附加存储(NAS))或通过互联网与数据库614通信。服务器608经配置以直接访问包括在数据库614中的数据或与经配置以管理包括在数据库614内的数据的数据库管理器对接。
每个控制器602可包括计算设备的常规部件,例如,处理器、***存储器、硬盘驱动器、电池、输入设备(诸如鼠标和键盘)和/或输出设备(诸如监视器或图形用户界面)、和/或不仅接收输入而且显示输出的组合输入/输出设备(诸如触摸屏)。每个服务器608和不均匀图案校正应用612可包括处理器和***存储器(未示出),并且可经配置以使用例如关系数据库软件和/或文件***来管理存储在数据库614中的内容。服务器608可被编程为使用网络协议(诸如像TCP/IP协议)彼此通信和与控制器602和不均匀图案校正应用612通信。不均匀图案校正应用612可通过通信网络606直接与控制器602通信。控制器602被编程为执行软件604(诸如程序和/或其他软件应用)并且访问由服务器608管理的应用。
在下文描述的实施方式中,用户可相应地操作可通过通信网络606连接到服务器608的控制器602。页面、图像、数据、文档和诸如此类可经由控制器602显示给用户。信息和图像可通过与控制器602通信的显示设备和/或图形用户界面来显示。
注意的是,控制器602可为个人计算机、膝上型移动计算设备、智能手机、电子游戏机、家庭数字媒体播放器、联网电视、机顶盒和/或具有适于与通信网络606和/或所需的应用或软件通信的部件的其他计算设备。控制器602还可执行经配置以从不均匀图案校正应用612接收内容和信息的其他软件应用。
图7示出图6的不均匀图案校正应用612的更详细的视图。不均匀图案校正应用612包括但不限于中央处理单元(CPU)702、网络接口704、存储器720和存储装置730,它们经由互连件706通信。不均匀图案校正应用612还可包括连接I/O设备710(例如,键盘、电视、鼠标、音响、触摸屏等)的I/O设备接口708。不均匀图案校正应用612还可包括网络接口804,网络接口经配置以经由通信网络606传输数据。
CPU 702检索并执行存储在存储器720中的编程指令(programminginstructions)并一般控制和协调其他***部件的操作。类似地,CPU 702存储并检索驻留在存储器720中的应用数据。CPU 702被包括以表示单个CPU、多个CPU、具有多个处理核心的单个CPU和诸如此类。互连件706用于在CPU 702、I/O设备接口708、存储装置730、网络接口704和存储器720之间传输编程指令和应用数据。
存储器720一般被包括以表示随机存取存储器,并且在操作中存储软件应用和数据供CPU 702使用。虽然被示出为单个单元,但是存储装置730可以是固定和/或移动存储装置的组合,诸如固定磁盘驱动器、软盘驱动器、硬盘驱动器、闪存存储器存储驱动器、磁带驱动器、可移除存储卡、CD-ROM、DVD-ROM、蓝光光盘、HD-DVD、光学存储装置、网络附加存储(NAS)、云存储装置、或经配置以存储非易失性数据的存储区域网络(SAN)。
存储器720可存储用于执行应用平台726的指令和逻辑,应用平台可包括不均匀图案校正应用软件728。存储装置730可包括数据库732,数据库经配置以存储数据734和关联的应用平台内容736。数据库732可以是任何类型的存储设备。
网络计算机是可与本文提供的公开内容结合使用的另一类型的计算机***。网络计算机通常不包括硬盘或其他大容量存储装置,可执行程序从网络连接加载到存储器720中供CPU 802执行。典型的计算机***通常将包括至少处理器、存储器和将存储器连接到处理器的互连件。
图8示出用于访问不均匀图案校正应用612并检索或显示与应用平台726相关联的数据的控制器602。控制器602可包括但不限于中央处理单元(CPU)802、网络接口804、互连件806、存储器820、存储装置830和支持电路840。控制器602还可包括将I/O设备810(例如,键盘、显示器、触摸屏和鼠标设备)连接到控制器602的I/O设备接口808。
类似CPU 702,CPU 802被包括来表示单个CPU、多个CPU、具有多个处理核心的单个CPU等,存储器820一般被包括来表示随机存取存储器。互连件806可用于在CPU 802、I/O设备接口808、存储装置830、网络接口804和存储器820之间传输编程指令和应用数据。网络接口804可经配置以经由通信网络606传输数据例如是来传送来自不均匀图案校正应用612的内容。存储装置830(诸如硬盘驱动器或固态存储驱动器(SSD))可存储非易失性数据。存储装置830可包含数据库831。数据库831可包含数据832、其他内容834和具有数据838与控制逻辑839的图像处理单元836。说明性地,存储器820可包括应用接口822,应用接口本身可显示软件指令824和/或存储或显示数据826。应用接口822可提供一个或多个软件应用,一个或多个软件应用允许控制器访问由不均匀图案校正应用612托管(host)的数据和其他内容。
如图8所示,***100包括控制器602。控制器602一般被设计成促成本文所述的处理技术的控制和自动化。控制器602可耦接到处理装置160、台架130和编码器126中的一个或多个或与处理装置160、台架130和编码器126中的一个或多个通信。处理装置160和台架130可向控制器602提供关于基板处理和基板对准的信息。例如,处理装置160可向控制器602提供信息以提醒控制器基板处理已经完成。编码器126可向控制器602提供位置信息,并且位置信息随后用于控制台架130和处理装置160。
控制器602可以包括中央处理单元(CPU)802、存储器820和支持电路840(或I/O808)。CPU 802可为用于工业环境以控制各种工艺和硬件(例如,图案发生器、电机和其他硬件)并监视工艺(例如,处理时间和基板位置)的任何形式的计算机处理器中的一个。存储器820(如图8所示)连接到CPU 802,并且可为易得的存储器中的一种或多种,诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的数字存储装置(无论本地还是远程)。软件指令和数据可被编码并存储在存储器内以指示CPU 802。支持电路840还连接到CPU 802来以常规方式支持处理器。支持电路840可包括常规的高速缓存842、电源844、时钟电路846、输入/输出电路848、子***850和诸如此类。可由控制器602读出的程序(或计算机指令)确定可在基板上执行的任务。程序可为可由控制器602读出的软件并可包括代码以用于监视和控制例如处理时间和基板位置。
然而,应当记住,所有这些和类似的术语都将与适当的物理量相关联并仅仅是适用于这些量的方便的标志。除非另外特别陈述,如从以下讨论而清楚的,否则应当了解,在说明书的全文中,利用诸如“处理”或“计算”或“运算”或“确定”或“显示”或诸如此类的术语的讨论是指计算机***的动作和过程、或将表示为计算机***寄存器和存储器内的物理(电子)量的数据操纵和变换为类似地表示为计算机***存储器或寄存器或其他此类信息存储、传输或显示设备内的物理量的其他数据的类似电子计算设备的动作和过程。
本示例还涉及用于执行本文的操作的装置。此装置可特殊地构造成用于所需的目的,或此装置可包括由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这种计算机程序可存储在计算机可读存储介质(诸如但不限于只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、闪存存储器、磁或光卡(magnetic or optical cards)、任何类型的盘(包括软盘、光盘、CD-ROM和磁光盘)、或适于存储电子指令的任何类型的介质,它们中的每一个均耦接到计算机***互连件)中。
本文呈现的算法和显示器非固有地与任何特定计算机或其他装置相关。各种通用***可根据本文的教导内容来与程序一起使用,或可证明构造更专用的装置来执行所需的方法操作是方便的。从上文的描述中可看出各种这些***的结构。另外,本示例未参考任何特定编程语言来描述,因此可使用各种编程语言来实施各种示例。
如本文中更详细地描述,本公开内容的实施方式涉及公开与在制造工艺中将无掩模光刻图案施加于基板的能力有关的图像校正应用。本文所述的实施方式涉及软件应用平台,所述软件应用平台校正基板上的不均匀图像图案。应用平台方法包括:禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和重复将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围,直至基板被完全地处理。
图9示出校正基板上的不均匀图像图案的方法990。所述方法可由控制器602执行,如图8所示。方法990在方框992处开始。在方框992处,控制器禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜。当DMD安装在图像投影***中时,DMD可以一定角度安装。安装角度可能使基板上产生干涉图案。为了减少基板上的干涉图案,禁用DMD中的至少一整列镜。在一个实施方式中,响应于测量安装在图像投影***中的DMD的旋转角度而禁用DMD中的至少一整列镜。
参考图10,图10示出具有多个镜1024的DMD 1000。多个镜1024布置成具有M行和N列的栅格(grid)。在图10中,示出行1001、1002、1004、1006、1008、1010和列1012、1014、1016、1018、1020和1022。响应于测量安装在图像投影***中的DMD 1000的旋转角度,控制器确定要禁用多少列或多少行镜1024。控制器参考表格(未示出),用户可在表格中输入DMD1000的旋转角度和期望的发射数(number of shots),以输出应禁用的列或行数。控制器然后禁用正确数量的列或行。例如,响应于某个旋转角度,控制器可禁用列1012和1014。对于图像投影***301中的每个DMD 410,控制器参考表格以确定应禁用每个DMD中的多少列或多少行镜。
返回参考图9,在方框994处,将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围。曝光基板可在基板上形成图案以曝光基板的光刻胶。在一个实施方式中,图像投影***301可产生电磁辐射。电磁辐射可以是可见光,例如从图像投影***301发出并被DMD 410反射的蓝色激光。在一个实施方式中,图像投影***301可曝光基板并将光递送到基板140的表面。每次曝光可持续近似约45微秒与约85微秒之间的时间,例如约55微秒与约75微秒之间的时间。
参考图11,图11示出基板曝光于第一电磁辐射范围的区域。基板栅格1102可放置在基板顶上。基板栅格1102包含多个等距间隔的点1104。DMD形心栅格(centroid grid)1106与基板栅格1102叠加。DMD形心栅格1106包括多个等距间隔的点1108。基板步进预定步长通过图像投影***。通过将所期望的曝光数(number of exposures)除以DMD 410的长度来计算步长。回想在方框992中禁用至少一整列镜。因此,DMD长度对应于DMD的长度减去在方框992中被禁用的任何列的长度。竖直线限定了要被曝光的一个或多个形状1110。当基板一次一步长地移动通过图像投影***时,基板栅格的点1104与形状1110内的DMD形心栅格1106的点1108重叠的位置是将曝光基板的位置。
返回参考图9,在方框996处,使基板平移步长,并且将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围。与图11中描述的类似,基板将在基板栅格1102的点1104与形状1110内的DMD形心栅格1106的点1108重叠的位置处曝光。
在方框998处,重复使基板平移步长并将第二部分曝光于第二电磁辐射范围的工艺,直至基板被完全地处理。每次曝光可产生与在基板140上图案化的图形对象有关的数据集。每个数据集可存储在控制器的存储器920中。每个数据集可组合以在基板140上形成图像图案。每次曝光可形成基板140的一部分的空间图像(aerial image)。
在另一实施方式中,公开用于校正基板上的不均匀图像图案的计算机***。计算机***包括处理器和存储器。存储器存储指令,所述指令在由处理器执行时引起计算机***校正基板上的均匀图像图案。步骤包括:禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;使基板平移步长并且将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和重复使基板平移步长并将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围,直至基板被完全地处理。
在又一实施方式中,公开一种非暂时性计算机可读存储介质,所述非暂时性计算机可读存储介质存储指令,所述指令在由处理器执行时引起计算机***校正基板上的不均匀图像图案。步骤包括:禁用DMD中的至少一整列镜,其中DMD具有多个列,每个列具有多个镜;将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围;使基板平移步长并且将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和重复使基板平移步长并将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围,直至基板被完全地处理。
本文公开的实施方式的益处可包括通过使用软件设置来校正线边缘粗糙度(“LER”)曝光缺陷。可能因台架上的基板的未对准或在台架上处理基板时台架的振动而产生不想要的线边缘粗糙度。响应于DMD的旋转角度和所期望的发射数而选择性地禁用每个DMD的镜列可校正线边缘粗糙度曝光缺陷。另外,DMD 410可能故障,从而导致曝光缺陷;然而,利用不均匀图案校正应用可经由软件设置来即时修复故障。
本文所述的应用通过响应于DMD的旋转角度和所期望的发射数而选择性地禁用DMD中的镜列来维持校正不均匀图像图案的能力。应用使基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围、使基板平移步长、使基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围。
尽管上述内容针对本文所述的实施方式,但也可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计其他和进一步的实施方式。例如,本公开内容的方面可实施在硬件或软件中或以硬件和软件的组合实施。一个本文所述的实施方式可实施为用于与计算机***一起使用的程序产品。程序产品的程序限定实施方式的功能(包括本文所述的方法)并且可被包含在各种计算机可读存储介质上。说明性的计算机可读存储介质包括但不限于:(i)将信息永久存储在其上的不可写入存储介质(例如,计算机内的只读存储器设备,诸如可由CD-ROM驱动器读出的CD-ROM盘、闪存存储器、ROM芯片或任何类型固态非易失性半导体存储器);和(ii)将可更改的信息存储在其上的可写入的存储介质(例如,软盘驱动器内的软盘或硬盘驱动器或任何类型固态随机存取半导体存储器)。在执行指引所公开的实施方式的功能的计算机可读指令时,此类计算机可读存储介质是本公开内容的实施方式。
本领域的技术人员将会了解,前述示例仅是示例性的,而非限制性的。预期的是,在阅读本说明书并研究附图后,本领域的技术人员将清楚的所有置换、增补、等效内容和改进均包括在本公开内容的真实精神和范围内。因此,预期的是,随附权利要求包括落在这些教导内容的真实精神和范围内的所有此类修改、置换和等效内容。
Claims (11)
1.一种用于校正基板上的不均匀图像图案的方法,包括:
在安装在图像投影***中的数字微镜装置(DMD)中,所述DMD具有多个列,每个列具有多个镜,测量安装在所述图像投影***中的所述DMD的旋转角度;
响应于测量到的旋转角度而禁用所述DMD中的所述多个列的至少一整列镜以校正线边缘粗糙度避免曝光缺陷;
将包括多个点的基板栅格放置在所述基板的顶上;
将包括多个点的DMD形心栅格与所述基板栅格叠加;
将所述基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围,其中所述基板的一部分曝光于所述第一电磁辐射范围,在所述一部分处所述基板栅格的所述点与要曝光的一个或多个形状内的所述DMD形心栅格的所述点重叠;
使所述基板平移步长并且将所述基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和
反复地使所述基板平移所述步长并且将所述基板的另一部分曝光于另一电磁辐射范围,直至所述基板完全地曝光于电磁辐射范围。
2.如权利要求1所述的方法,其中禁用安装在所述图像投影***中的所述DMD中的镜列包括:
搜索具有关于DMD的旋转角度和所期望的发射数的数据的表格,以确定在所述DMD中要禁用的镜列数量。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述步长由所期望的发射数除以所述DMD的长度来确定。
4.如权利要求1所述的方法,其中曝光在所述基板上形成图案以曝光光刻胶。
5.如权利要求1所述的方法,其中每次曝光都产生数据集,其中每个数据集存储在存储器中,并且其中每个数据集经组合以在所述基板上形成聚合图像。
6.一种用于校正基板上的不均匀图像图案的计算机***,包括:
处理器;和
存储器,存储指令,所述指令在由所述处理器执行时引起所述计算机***:
(a)在安装在图像投影***中的数字微镜装置(DMD)中,所述DMD具有多个列,每个列具有多个镜,测量安装在所述图像投影***中的所述DMD的旋转角度;
(b)响应于测量到的旋转角度而禁用所述DMD中的所述多个列的至少一整列镜以校正线边缘粗糙度避免曝光缺陷;
(c)将包括多个点的基板栅格放置在所述基板的顶上;
(d)将包括多个点的DMD形心栅格与所述基板栅格叠加;
(e)将所述基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围,其中所述基板的一部分曝光于所述第一电磁辐射范围,在所述一部分处所述基板栅格的所述点与要曝光的一个或多个形状内的所述DMD形心栅格的所述点重叠;
(f)使所述基板平移步长并且将所述基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和
(g)反复地使所述基板平移所述步长并且将所述基板的另一部分曝光于另一电磁辐射范围,直至所述基板完全地曝光于电磁辐射范围。
7.如权利要求6所述的计算机***,其中禁用安装在所述图像投影***中的所述DMD中的镜列包括:
搜索具有关于DMD的旋转角度和所期望的发射数的数据的表格,以确定在所述DMD中要禁用的镜列数量。
8.如权利要求6所述的计算机***,其中所述步长由所期望的发射数除以所述DMD的长度来确定。
9.如权利要求6所述的计算机***,其中曝光在所述基板上形成图案以曝光光刻胶。
10.如权利要求6所述的计算机***,其中每次曝光都产生数据集,其中每个数据集存储在存储器中,并且其中每个数据集经组合以在所述基板上形成聚合图像。
11.一种非暂时性计算机可读介质,所述非暂时性计算机可读介质存储指令,所述指令在由处理器执行时引起计算机***通过执行以下步骤来校正基板上的不均匀图像图案:
在安装在图像投影***中的数字微镜装置(DMD)中,所述DMD具有多个列,每个列具有多个镜,测量安装在所述图像投影***中的所述DMD的旋转角度;
响应于测量到的旋转角度而禁用所述DMD中的所述多个列的至少一整列镜以校正线边缘粗糙度避免曝光缺陷;
将包括多个点的基板栅格放置在所述基板的顶上;
将包括多个点的DMD形心栅格与所述基板栅格叠加;
将所述基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围,其中所述基板的一部分曝光于所述第一电磁辐射范围,在所述一部分处所述基板栅格的所述点与要曝光的一个或多个形状内的所述DMD形心栅格的所述点重叠;
使所述基板平移步长并且将所述基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围;和
反复地使所述基板平移所述步长并且将所述基板的另一部分曝光于另一电磁辐射范围,直至所述基板完全地曝光于电磁辐射范围。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011563493.1A CN112650029B (zh) | 2015-09-04 | 2016-08-08 | 用于校正基板上的不均匀图像图案的方法、计算机***和非暂时性计算机可读介质 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562214793P | 2015-09-04 | 2015-09-04 | |
US62/214,793 | 2015-09-04 | ||
PCT/US2016/045959 WO2017039959A1 (en) | 2015-09-04 | 2016-08-08 | Line edge roughness reduction via step size alteration |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011563493.1A Division CN112650029B (zh) | 2015-09-04 | 2016-08-08 | 用于校正基板上的不均匀图像图案的方法、计算机***和非暂时性计算机可读介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108351599A CN108351599A (zh) | 2018-07-31 |
CN108351599B true CN108351599B (zh) | 2021-01-12 |
Family
ID=58188948
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680064756.XA Active CN108351599B (zh) | 2015-09-04 | 2016-08-08 | 用于校正基板上的不均匀图像图案的方法、计算机***和非暂时性计算机可读介质 |
CN202011563493.1A Active CN112650029B (zh) | 2015-09-04 | 2016-08-08 | 用于校正基板上的不均匀图像图案的方法、计算机***和非暂时性计算机可读介质 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011563493.1A Active CN112650029B (zh) | 2015-09-04 | 2016-08-08 | 用于校正基板上的不均匀图像图案的方法、计算机***和非暂时性计算机可读介质 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10289003B2 (zh) |
KR (2) | KR102102296B1 (zh) |
CN (2) | CN108351599B (zh) |
WO (1) | WO2017039959A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102102296B1 (ko) | 2015-09-04 | 2020-04-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 스텝 크기 변경을 통한 라인 에지 거칠기 감소 |
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US10503076B1 (en) | 2018-08-29 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Reserving spatial light modulator sections to address field non-uniformities |
US10761430B2 (en) * | 2018-09-13 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast |
US11421977B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Eliminating internal reflections in an interferometric endpoint detection system |
JP7356585B2 (ja) * | 2019-10-08 | 2023-10-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マスクレスリソグラフィシステム用ユニバーサル計測ファイル、プロトコル、及びプロセス |
CN114641728A (zh) | 2019-10-09 | 2022-06-17 | 应用材料公司 | 基于无掩模的平板印刷方法 |
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CN112712478B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-11-08 | 安徽地势坤光电科技有限公司 | 一种数字微镜工作角度误差的修正方法及设备 |
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-
2016
- 2016-08-08 KR KR1020187009552A patent/KR102102296B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-08 CN CN201680064756.XA patent/CN108351599B/zh active Active
- 2016-08-08 CN CN202011563493.1A patent/CN112650029B/zh active Active
- 2016-08-08 WO PCT/US2016/045959 patent/WO2017039959A1/en active Application Filing
- 2016-08-08 KR KR1020207010653A patent/KR102162270B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-31 US US15/253,379 patent/US10289003B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-19 US US16/389,412 patent/US10495975B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190243250A1 (en) | 2019-08-08 |
KR20200043493A (ko) | 2020-04-27 |
WO2017039959A1 (en) | 2017-03-09 |
CN112650029A (zh) | 2021-04-13 |
CN108351599A (zh) | 2018-07-31 |
US10495975B2 (en) | 2019-12-03 |
KR102162270B1 (ko) | 2020-10-06 |
KR20180039180A (ko) | 2018-04-17 |
KR102102296B1 (ko) | 2020-04-21 |
US20170068163A1 (en) | 2017-03-09 |
US10289003B2 (en) | 2019-05-14 |
CN112650029B (zh) | 2024-01-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |