CN108351370B - 探针焊接装置及利用其的探针焊接方法 - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 354
- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06705—Apparatus for holding or moving single probes
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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Abstract
提供探针焊接装置及其方法,所述装置包括:用于安置多个探针的至少一个托盘;夹持安置在托盘的探针的第1夹钳;从第1夹钳接收探针以机械对齐探针的成型单元;具有收容焊膏的铅槽的浸渍单元;固定用于焊接探针的基板的卡盘单元;夹持被成型单元对齐的探针,在铅槽浸渍探针使得焊膏涂布于探针的下部,将探针向基板上的焊接位置移动的第2夹钳;照射激光将探针焊接于基板的电极的激光部;映射安置于托盘的探针的位置的第1视觉机构;确认被第2夹钳夹持移动至基板上的探针是否位于将要焊接的正位置的第4视觉机构;及控制第2夹钳及第4视觉机构的控制部,使探针焊接于正确的位置,能够提高探针的焊接品质及探针卡的品质。
Description
技术领域
本发明涉及探针焊接装置及利用其的探针焊接方法,尤其涉及一种能够精确控制探针的焊接位置的探针焊接装置及利用其的探针焊接方法。
背景技术
探针卡是用于检查晶片(Wafer)上形成的芯片(Chip)的电子特性的装置。
图1为显示通常的探针卡10的示意图,参见图1,探针卡10包括基板(陶瓷、玻璃或晶片等)11、形成于所述基板的电极12及焊接于所述电极的多个探针13。
另外,通过半导体工程制造的晶片上的芯片通过形成于所述芯片的衬垫接收电子信号执行预定的动作后,通过衬垫再次将处理结果传递给晶片检查***(Wafer testsystem),为了判断所述芯片是否如上正确地动作而使用探针卡。
图2是显示现有探针焊接装置20的示意图。
参见图2,现有探针焊接装置20包括托盘21、第1夹钳22、成型单元23、第2夹钳24、铅槽25、卡盘单元26、视觉机构27及激光部28。
关于所述现有探针焊接装置20,所述第1夹钳22夹持安置于托盘21的探针移送至成型单元23后,利用成型单元23机械对齐所述探针。之后,通过第2夹钳24再次夹持所述探针浸渍于铅槽25,在所述探针的下部涂布焊膏。之后,所述第2夹钳24将涂布有焊膏的所述探针移送至固定于卡盘单元26上的基板的焊接位置,通过所述激光部28照射激光完成焊接。并且,为了确保探针卡的品质,探针焊接位置的精确度非常重要,为此,所述现有探针焊接装置20利用视觉机构27调整使得所述探针焊接于正确的焊接位置。
另外,所述视觉机构27上的摄像机在所述卡盘单元26的上部朝向固定于所述卡盘单元26上的基板向垂直下方拍摄,因此控制所述探针的焊接位置的水平坐标(x、y坐标)方面没有问题,但是具有不能精确测定从焊接位置至所述探针的高度(z坐标)的问题。
通常,利用所述第2夹钳24将所述探针配置于焊接位置的水平坐标上的上部后,垂直下降所述探针使得能够接触焊接位置,在从焊接位置至所述探针的高度不正确的情况下,可能会发生所述探针接触所述焊接位置以后继续强制下降所述探针的结果,或所述探针未接触所述焊接位置的状态下完成激光照射工程的结果,因此可能发生所述探针的位置方面的细微的错误,或发生探针的焊接品质下降的问题。
发明内容
技术问题
本发明旨在解决上述问题,提供一种利用通过依次变更视觉机构的高度拍摄的多个影像正确提取探针的高度信息,在探针的高度与设定的高度不同时对此进行补正的探针焊接装置及利用其的探针焊接方法。
技术方案
本发明的探针焊接装置包括:用于安置多个探针的至少一个托盘;夹持安置在所述托盘的探针的第1夹钳;从所述第1夹钳接收所述探针以机械对齐所述探针的成型单元;具有收容焊膏的铅槽的浸渍单元;固定用于焊接所述探针的基板的卡盘单元;夹持被所述成型单元对齐的所述探针,在所述铅槽浸渍所述探针使得所述焊膏涂布于所述探针的下部,将所述探针向所述基板上的焊接位置移动的第2夹钳;照射激光将所述探针焊接于所述基板的电极的激光部;映射安置于所述托盘的探针的位置的第1视觉机构;确认被所述第2夹钳夹持移动至所述基板上的所述探针是否位于将要焊接的正位置的第4视觉机构;以及控制所述第2夹钳及所述第4视觉机构的控制部,其中,所述控制部能够在按预定间隔依次调节所述第2夹钳及所述第4视觉机构中至少任意一个的高度的同时使第4视觉机构多次拍摄所述探针的一端,基于拍摄的多个影像获取关于所述探针的高度的信息。
本发明的探针焊接装置中所述控制部能够按预定间隔依次调节所述第4视觉机构的高度的同时,使所述第4视觉机构多次拍摄所述探针的一端,基于拍摄到多个拍摄的影像中最清晰的影像时第4视觉机构的高度获取关于所述探针的高度的信息。
本发明的探针焊接装置中所述控制部能够按预定间隔依次调节所述第4视觉机构的高度的同时,使所述第4视觉机构多次拍摄位于所述基板上的电极,基于拍摄到多个拍摄的影像中最清晰的影像时第4视觉机构的高度获取关于位于所述基板上电极的高度的信息算出测定高度,所述测定高度是位于所述基板上的电极至所述探针的高度。
本发明的探针焊接装置中所述控制部能够比较标准高度与所述测定高度,所述标准高度为事先输入到所述控制部的位于所述基板上的电极至所述探针的标准高度。
本发明的探针焊接装置中所述控制部能够在所述标准高度与所述测定高度存在差异的情况下,调节所述第2夹钳的高度并补正差异。
本发明的探针焊接装置中所述控制部能够在被所述第2夹钳夹持的所述探针位于所述基板的焊接位置上侧的情况下,下降所述第2夹钳使得向所述基板的焊接位置下降,且下降至所述探针的下端与所述基板维持预定的间隔而不接触的地点。
本发明的探针焊接装置中所述控制部能够在所述激光部照射激光使得涂布于所述探针的焊膏开始熔融的情况下再次下降所述第2夹钳使得接触所述基板的电极。
本发明的探针焊接装置还可以包括:确认通过所述成型单元对齐的所述探针的对齐状态的第2视觉机构;以及监控浸渍于所述铅槽的所述探针的第3视觉机构。
本发明的探针焊接装置还可以包括:监控利用所述激光部的焊接过程的第5视觉机构。
本发明的探针焊接装置中所述第5视觉机构可以是向与所述激光部照射的激光平行的方向拍摄的同轴摄像机。
本发明的探针焊接方法可以包括:在至少一个托盘安置多个探针的探针安置步骤;用第1夹钳夹持所述探针移送至成型单元的第1移送步骤;通过成型单元以机械对齐所述探针的对齐步骤;用第2夹钳夹持所述探针且浸渍于收容焊膏的铅槽,以在所述探针的下部涂布焊膏的焊膏涂布步骤;将被所述第2夹钳夹持的所述探针移送至基板的电极上侧的第2移送步骤;按预定间隔调节第4视觉机构或所述第2夹钳的高度的同时多次拍摄移动至所述基板的电极上侧的所述探针的一端,以算出所述探针的高度的探针高度确认步骤;朝向所述基板的电极下降所述探针的探针下降步骤;以及照射激光将所述探针焊接于所述基板的电极的焊接步骤。
本发明的探针焊接方法中所述探针高度确认步骤可以包括:输入所述基板的电极至所述探针的标准高度的标准高度输入步骤;依次调节所述第4视觉机构的高度的同时多次拍摄所述探针的一端的探针拍摄步骤;基于拍摄到所述探针拍摄步骤多次拍摄的影像中最清晰影像时所述第4视觉机构的高度算出探针高度信息的探针高度信息算出步骤;依次调节所述第4视觉机构的高度的同时多次拍摄所述基板的电极的电极拍摄步骤;基于拍摄到所述电极拍摄步骤中多次拍摄的影像中最清晰的影像时第4视觉机构的高度算出电极高度信息的电极高度信息算出步骤;通过所述探针高度信息与所述电极高度信息算出所述基板的电极至所述探针的测定高度的测定高度算出步骤;以及比较所述标准高度与所述测定高度的高度比较步骤。
本发明的探针焊接方法中所述探针高度确认步骤还可以包括:所述标准高度与所述测定高度存在差异的情况下,按相应差异调节所述第2夹钳的高度的高度补正步骤。
本发明的探针焊接方法中所述探针下降步骤是可以下降所述探针至所述探针的下端不接触所述基板的电极而是维持预定间隔的地点。
本发明的探针焊接方法还可以包括:所述焊膏熔融的状态下,再次下降所述探针使得所述探针的下端接触所述基板的电极的第2下降步骤。
本发明的探针焊接方法中所述焊膏涂布步骤中的所述第2夹钳的夹持压力可以不同于所述第2移送步骤及所述探针下降步骤中的夹持压力。
本发明的探针焊接方法中所述焊膏涂布步骤中的所述第2夹钳的夹持压力可以大于所述第2移送步骤及所述探针下降步骤中的夹持压力。
本发明的探针焊接方法还可以包括:所述第4视觉机构拍摄焊接于所述基板的电极的所述探针的一端,确认所述探针是否焊接于正位置的焊接确认步骤。
技术效果
根据本发明的探针焊接装置及利用其的探针焊接方法,利用通过依次变更视觉机构的高度拍摄的多个影像准确提取探针的高度信息,并在不同于设定的高度时对其进行补正,使得在更加准确的位置焊接探针,从而能够提高探针的焊接品质及探针卡的品质。
附图说明
图1为显示探针卡的参考图;
图2为现有探针焊接装置的简要立体图;
图3为本发明一个实施例的探针焊接装置的简要立体图;
图4及图5为显示本发明一个实施例的探针焊接装置的一部分的简要立体图;
图6为显示安置有探针的托盘的参考图;
图7为用于说明机械对齐探针的方法的参考图;
图8为显示浸渍单元的简要立体图;
图9为用于说明通过第2夹钳将探针浸渍于铅槽的参考图;
图10为用于说明利用第4视觉机构补正探针的高度的方法的参考图;
图11为显示本发明一个实施例的探针焊接方法的流程图。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的具体实施例。但,本发明的思想不局限于公开的实施例,理解本发明的思想的本领域技术人员可以在相同的思想范围内通过添加、变更、删除其他构成要素等,提出落后的其他发明或包含于本发明思想的范围内的其他实施例,但这些也属于本发明思想的范围内。
并且,对显示在实施例的附图的相同思想范围内的功能相同的构成要素使用相同的附图标记进行说明。
图3为本发明一个实施例的探针焊接装置100的简要立体图,图4及图5为放大显示本发明一个实施例的探针焊接装置100的一部分的放大立体图。
为了明确说明本发明实施例而定义方向的情况下,附图中显示的x、y及z分别表示长度方向、宽度方向及高度方向。其中,长度方向及宽度方向可以是与水平面平行的方向,高度方向可以是与水平面垂直的方向。
参见图3至图5,本发明一个实施例的探针焊接装置100可以包括安置多个探针13的至少一个托盘110、夹持所述探针13的第1夹钳120、以机械对齐所述探针13的成型单元130、夹持所述探针13的第2夹钳140、具有收容焊膏的铅槽151a的浸渍单元150、固定基板的卡盘单元160、照射激光焊接所述探针13的激光部170、映射安置于所述托盘110的所述探针13的位置的第1视觉机构210、确认通过所述成型单元130对齐的所述探针13的对齐状态的第2视觉机构220、监控所述探针13浸渍于所述铅槽151a的第3视觉机构230、确认被所述第2夹钳140夹持并移动至所述基板上的所述探针13是否配置于将要焊接的正位置的第4视觉机构240、监控所述激光部170的焊接的第5视觉机构250及控制部(未示出)。
托盘110可以设置成用于安置多个探针13。图6为显示安置有探针13的托盘110参考图。参见图6,***槽111可以以等间距形成于所述托盘110,使得所述探针13的下部能够垂直***。并且,所述托盘110可以沿宽度方向及长度方向,即沿x轴及y轴移动。
此处,第1视觉机构210可以映射所述探针13安置的位置,后述的第1夹钳120可以移动至通过所述第1视觉机构210映射的所述探针13的位置夹持所述探针13。
第1夹钳120可以夹持所述探针13将所述探针13移送至后述的成型单元130。此处,所述第1夹钳120夹持所述探针13的两侧面。
成型单元130可以接收被所述第1夹钳120移送的所述探针13以机械对齐所述探针13。图7为用于说明机械对齐探针的方法的参考图。参见图7,所述成型单元130可以具有一双夹具131、132,使得能够夹持从所述第1夹钳120接收的所述探针13。所述一双夹具131、132中的任意一个夹具131可以形成有夹具端部131a使得能够接触所述探针13的下端。
第2夹钳140可以具有一对钳口(Jaw)141、142,所述一对钳口141、142中任意一个钳口142可以形成有钳口端部142a使得能够接触所述探针13的上端。
参见图7的(a)至(d),所述第2夹钳140可以夹持被所述成型单元130夹持的所述探针13。此处,所述第2夹钳140以最小的压力夹持所述探针13的状态下沿z轴下降,能够使得所述探针13的上端接触所述钳口端部142a且所述探针13的下端接触所述夹具端部131a。以此,能够机械对齐所述探针13。
此处,第2视觉机构220可以监控所述探针13是否被所述成型单元130及所述第2夹钳140正确机械对齐。
图8为显示浸渍单元150的简要立体图。参见图8,浸渍单元150可以包括具有至少一个铅槽151a且在包括x轴及y轴的平面上移动的铅槽部151、位于所述铅槽部151的上侧向所述铅槽151a供应焊膏的注射泵152、及位于所述铅槽部151的上侧且通过所述铅槽部151移动将供应于所述铅槽151a的焊膏的上面平坦化的刮板153。
此处,所述铅槽部151可以以与z轴平行的轴为旋转轴进行旋转,可以沿所述铅槽部151旋转的圆周方向等间距形成多个所述铅槽151a。并且,所述铅槽部151旋转相对于所述多个铅槽151a形成的间距的量并停止,且可以周期性地反复上述动作。
更加详细说明如下,所述注射泵152向所述多个铅槽151a中任意一个供应焊膏的情况下,所述铅槽部151可以旋转使得与获得焊膏的铅槽151a相邻的其他铅槽151a移动至能够从所述注射泵152获得焊膏的位置。并且,这时所述铅槽部151旋转的过程中获得焊膏的所述铅槽151a经过所述刮板153的下端,从而能够使供应于所述铅槽151a的焊膏的上面平坦。
图9为用于说明通过第2夹钳140将探针13浸渍于铅槽151a的参考图。参见图9,通过所述铅槽部151的旋转使收容于所述铅槽151a的焊膏的上面平坦后,所述第2夹钳140夹持所述探针13将所述探针13浸渍于所述铅槽151a,从而能够使得焊膏涂布于所述探针13的下部。此处,为了使所述探针13浸渍于所述铅槽151a的状态下被均匀地涂布焊膏,所述第2夹钳140可以向长度方向(x轴方向)及/或宽度方向(y轴方向)往复移动。并且,这时所述第2夹钳140的夹持压力可以比其他过程的夹持压力强。以此可以防止在浸渍过程中被所述第2夹钳140夹持的所述探针13的对齐状态散乱。
另外,这时第3视觉机构230可监控焊膏是否正常地涂布到被所述第2夹钳140夹持的所述探针13。
可在卡盘单元160固定焊接所述探针13的基板。并且,所述卡盘单元160可包括预热所述基板的预热构件,且可配置为可向x、y、z轴方向移动及旋转。
第4视觉机构240可沿长度方向(x轴方向)、宽度方向(y轴方向)及高度方向(z轴方向)移动。
所述第4视觉机构140可确认位置信息使得所述探针13能够向所述基板上的焊接位置移动。换言之,所述第4视觉机构240测定被所述第2夹钳140夹持的所述探针13的x、y、z坐标,使所述探针13移动至焊接位置。
另外,控制部(未示出)按预定间隔依次调节所述第2夹钳140及所述第4视觉机构240中至少一个的高度的同时,使所述第4视觉机构240多次拍摄所述探针13的一端,从而根据多个拍摄的影像获取从所述基板的上面到所述探针13的高度相关的信息。
图10为用于说明利用所述第4视觉机构240补正所述探针13的高度的方法的参考图。参见图10的(a),可以以预定的间隔移动所述第4视觉机构240的高度至所述标准高度上下的过程中进行多次拍摄。此处,所述预定的间隔可以是1μm。换言之,可以以1μm间隔调节所述第4视觉机构240的高度的同时多次拍摄所述探针13的一端。此处,可以提取拍摄的多个影像中最清楚的影像,能够利用拍摄到所述最清楚的影像时的所述第4视觉机构240的高度获取所述探针13的高度信息。
并且,参见图10的(b),可以按预定间隔依次调整所述第4视觉机构240的高度的过程中,使所述第4视觉机构240多次拍摄位于所述基板B的电极L,利用多个拍摄的影像中拍摄到最清楚的影像时的第4视觉机构240的高度,获取关于位于所述基板B的电极L的高度的信息。
此处,所述控制部能够根据所述探针13的高度信息与关于所述电极L的高度的信息,算出作为位于所述基板B上的电极L至所述探针13的高度的测定高度。
另外,所述控制部中可以输入有位于所述基板B上的电极L至所述探针13的标准高度。换言之,所述标准高度可以是所述基板B与所述探针13准确地机械对齐的状态下所述基板B上的电极L至所述探针13的高度。
因此,比较预先输入于所述控制部的标准高度与所述测定高度,若所述标准高度与所述测定高度一致,则可以确认所述探针13的高度方向的对齐正确。并且,若所述标准高度与所述测定高度不一致,则所述控制部可以按所述标准高度与所述测定高度差补正所述第2夹钳140的高度以补正所述探针13的高度。
以此,能够使所述探针13正确地位于所述基板的焊接位置。
被所述第2夹钳140夹持的所述探针13位于所述基板上的焊接位置的情况下,激光部170照射激光熔融涂布于所述探针13的下部的焊膏,能够将所述探针913焊接于所述基板。
此处,未被所述激光部170照射激光之前,所述第2夹钳140能够使所述探针13不接触所述基板而是维持预定的间隔。之后,被所述激光部170照射激光而所述焊膏熔融的过程中,所述第2夹钳140能够下降使所述探针13接触所述基板。
以此,涂布于所述探针13的下部的焊膏比所述探针13的下端先接触所述基板,从而能够防止所述探针13的对齐状态散乱。
另外,所述激光部170能够相对于由x、y轴构成的水平面以预定的角度向所述探针13的侧面照射激光。
此处,所述第5视觉机构250可以监控所述激光部170照射激光使所述探针13焊接于所述基板的过程。进一步地,所述第5视觉机构250可以是向与所述激光部170照射的激光平行的方向拍摄的同轴摄像机,以此能够更加明确地确认所述探针13是否焊接于准确的位置。
图11为显示本发明一个实施例的探针焊接方法S100的流程图。参见图11,本发明一个实施例的探针焊接方法S100可以包括探针安置步骤S110、第1移送步骤S120、对齐步骤S130、焊膏涂布步骤S140、第2移送步骤S150、探针高度确认步骤S160、探针下降步骤S170、焊接步骤S180、第2下降步骤S190及焊接确认步骤S199。
探针安置步骤S110可以是在至少一个托盘110安置多个探针13的步骤。此处安置于所述托盘110的多个探针13的位置可通过第1视觉机构210映射。
第1移送步骤S120可以是用第1夹钳120夹持所述探针13且向成型单元130移送的步骤。此处,所述第1夹钳120可根据所述第1视觉机构210的映射信息确认所述探针13的位置,以夹持所述探针13。
对齐步骤S130可以是通过成型单元130机械对齐所述探针13的步骤。此处,所述成型单元130从所述第1夹钳120接收所述探针13,通过夹具端部131a形成于至少任意一个夹具131的一对夹具131、132能够夹持所述探针13的下部。之后,第2夹钳140利用钳口端部142a形成于至少一个钳口142的一双钳口141、142夹持所述探针13的上部。然后,所述第2夹钳140向z轴方向下降,使所述探针13的上端接触所述钳口端部142a且所述探针13的下端接触所述夹具端部131a,从而能够机械对齐所述探针13。
焊膏涂布步骤S140可以是用所述第2夹钳140夹持所述探针13以浸渍于收容焊膏的铅槽151a,从而在所述探针的下部涂布焊膏的步骤。
此处,所述焊膏涂布步骤S140可以包括注射泵152向可以以与z轴平行的旋转轴为中心旋转的铅槽部151上形成的铅槽151a供应焊膏的焊膏供应步骤S141、使所述铅槽部151在包含x轴及y轴的平面上移动且通过刮板153使得收容于所述铅槽151a的焊膏的上面平坦的铅槽部旋转步骤S142及将所述探针13的下部浸渍于所述铅槽151a以涂布焊膏的浸渍步骤S143。
此处,所述铅槽部旋转步骤S142可以是以与z轴平行的旋转轴为中心旋转所述铅槽部的步骤。
更加详细说明如下,所述注射泵152向以预定间隔沿圆周方向形成于所述铅槽部151的上面的多个铅槽151a中的任意一个供应焊膏的情况下,所述铅槽部151进行旋转,通过位于所述铅槽部151上部的刮板153使焊膏的上面平坦,之后,将所述探针13浸渍于所述焊膏使焊膏均匀地涂布于所述探针13,通过形成的多个铅槽151a使焊膏涂布更加高效且均匀成为可能。
并且,在所述浸渍步骤S143中,可以在所述探针13的下部浸泡在收容于所述铅槽151a的焊膏的状态下,将所述探针13在包含x轴及y轴的平面上往复移动。换言之,可以在所述探针13浸泡于所述焊膏的状态进行晃动。以此,可以使得在所述探针13的下部均匀地涂布焊膏。
第2移送步骤S150可以是将被所述第2夹钳140夹持的所述探针13移动至基板的电极上侧的步骤。此处,通过所述第4视觉机构240能够将所述探针13移动至适当的x、y轴上的坐标。
探针高度确认步骤S160可以是按预定间隔调节第4视觉机构240或所述第2夹钳140的高度的过程中,多次拍摄向所述基板的电极上侧移动的所述探针13的一端,以算出所述探针13的高度的步骤。并且,所述探针高度确认步骤S160可以包括输入从所述基板B的电极L至所述探针13的标准高度的标准高度输入步骤S161、依次调节所述第4视觉机构240的高度的过程中多次拍摄所述探针13的一端的探针拍摄步骤S162、基于拍摄到在所述探针拍摄步骤S162中多次拍摄的影像中最清晰的影像时的所述第4视觉机构240的高度算出探针高度信息的探针高度信息算出步骤S163、依次调节所述第4视觉机构240的高度的过程中拍摄所述基板B的电极L的电极拍摄步骤S164、基于拍摄到在所述电极拍摄步骤S164多次拍摄的影像中最清晰的影像时的第4视觉机构240的高度算出电极高度信息的电极高度信息算出步骤S165、通过所述探针高度信息与所述电极高度信息算出所述基板B的电极L至所述探针的测定高度的高度算出步骤S166、比较所述标准高度与所述测定高度的高度比较步骤S167及所述标准高度与所述测定高度具有差异的情况下,按照相应差异调节所述第2夹钳140的高度的高度补正步骤S166。
换言之,可以事先输入正确对齐所述探针13的情况下所述基板B的电极L至所述探针13的高度的标准高度。在此,所述第4视觉机构240可以按预定间隔(例如1μm)依次变化高度的过程中多次拍摄所述探针13的一端,以算出拍摄到拍摄的影像中最清晰的影像时所述第4视觉机构240的高度。利用该高度能够算出所述探针13的高度信息。
并且,所述第4视觉机构240按预定的间隔(例如1μm)依次变化高度的过程中多次拍摄所述基板B上的电极L,能够算出拍摄到拍摄的影像中最清晰的影像时所述第4视觉机构240的高度。利用该高度能够算出所述基板B上的电极L的高度信息。
进一步地,利用所述探针13的高度信息与所述基板B上的电极L的高度信息,能够算出所述基板B上的电极L至所述探针13的测定高度。
之后,比较所述测定高度与所述标准高度,在所述标准高度与所述测定高度存在差异的情况下,表示所述探针13的z轴坐标存在误差,因此能够按该差异调节所述第2夹钳140的高度对其进行补正。
探针下降步骤S170可以是朝向所述基板的电极下降所述探针13的步骤。另外,所述探针下降步骤S170中,能够下降所述探针至所述探针13的下端不接触所述基板的电极而是维持预定间隔的地点。
焊接步骤S180可以是照射激光将所述探针焊接于所述基板的电极的步骤。
第2下降步骤S190可以是在所述焊膏熔融的状态下再次下降所述探针使所述探针13的下端接触所述基板的电极的步骤。以此,能够使涂布于所述探针13的下部的焊膏比所述探针的下端先接触所述基板以防止所述探针13的对齐状态散乱。
焊接确认步骤S199可以是所述第4视觉机构240拍摄焊接于所述基板B的电极L的所述探针13的一端,确认所述探针13是否焊接于正位置的步骤。
即,所述第4视觉机构240拍摄所述探针13的一端能够算出所述探针13的x、y、z坐标。此处,可以按预定间隔依次变化所述第4视觉机构240的高度的过程中,多次拍摄所述探针13的一端,能够基于拍摄到拍摄的影像中最清晰的影像时所述第4视觉机构240的高度算出所述探针13的z坐标。
并且,这时判断所述探针13的位置发生误差的情况下,所述控制部能够在发生位置误差的所述探针13进行预定的标记,在持续发生误差的情况下,使得不再对相应的所述基板进行焊接。
以上详细说明了本发明一个实施例,但本发明的范围不限于此,在不脱离技术方案中记载的本发明的技术思想的范围内,本领域普通技术人员可以进行多种修正及变形,这是显而易见的。
Claims (15)
1.一种探针焊接装置,其中,包括:
用于安置多个探针的至少一个托盘;
夹持安置在所述托盘的探针的第1夹钳;
从所述第1夹钳接收所述探针以机械对齐所述探针的成型单元;
具有收容焊膏的铅槽的浸渍单元;
固定用于焊接所述探针的基板的卡盘单元;
夹持被所述成型单元对齐的所述探针,在所述铅槽浸渍所述探针使得所述焊膏涂布于所述探针的下部,将所述探针向所述基板上的焊接位置移动的第2夹钳;
照射激光将所述探针焊接于所述基板的电极的激光部;
映射安置于所述托盘的探针的位置的第1视觉机构;
确认被所述第2夹钳夹持移动至所述基板上的所述探针是否位于将要焊接的正位置的第4视觉机构;以及
控制所述第2夹钳及所述第4视觉机构的控制部,
其中,所述控制部按预定间隔依次调节所述第4视觉机构的高度的同时,使所述第4视觉机构多次拍摄所述探针的一端,基于拍摄到拍摄的影像中最清晰的影像时第4视觉机构的高度获取关于所述探针的高度的信息,
所述控制部按预定间隔依次调节所述第4视觉机构的高度的同时,使所述第4视觉机构多次拍摄位于所述基板上的电极,基于拍摄到多个拍摄的影像中最清晰的影像时第4视觉机构的高度获取关于位于所述基板上电极的高度的信息算出测定高度,所述测定高度是位于所述基板上的电极至所述探针的高度。
2.根据权利要求1所述的探针焊接装置,其中,
所述控制部比较标准高度与所述测定高度,所述标准高度为事先输入到所述控制部的位于所述基板上的电极至所述探针的标准高度。
3.根据权利要求2所述的探针焊接装置,其中,
所述控制部在所述标准高度与所述测定高度存在差异的情况下,调节所述第2夹钳的高度以补正差异。
4.根据权利要求1所述的探针焊接装置,其中,
所述控制部在被所述第2夹钳夹持的所述探针位于所述基板的焊接位置上侧的情况下,下降所述第2夹钳使得向所述基板的焊接位置下降,且下降至所述探针的下端与所述基板维持预定的间隔而不接触的地点。
5.根据权利要求4所述的探针焊接装置,其中,
所述控制部在所述激光部照射激光使得涂布于所述探针的焊膏开始熔融的情况下再次下降所述第2夹钳使得接触所述基板的电极。
6.根据权利要求1所述的探针焊接装置,其中,还包括:
确认通过所述成型单元对齐的所述探针的对齐状态的第2视觉机构;以及
监控浸渍于所述铅槽的所述探针的第3视觉机构。
7.根据权利要求1所述的探针焊接装置,其中,还包括:
监控利用所述激光部的焊接过程的第5视觉机构。
8.根据权利要求7所述的探针焊接装置,其中,
所述第5视觉机构是向与所述激光部照射的激光平行的方向拍摄的同轴摄像机。
9.一种探针焊接方法,其中,包括:
在至少一个托盘安置多个探针的探针安置步骤;
用第1夹钳夹持所述探针移送至成型单元的第1移送步骤;
通过成型单元以机械对齐所述探针的对齐步骤;
用第2夹钳夹持所述探针且浸渍于收容焊膏的铅槽,以在所述探针的下部涂布焊膏的焊膏涂布步骤;
将被所述第2夹钳夹持的所述探针移送至基板的电极上侧的第2移送步骤;
按预定间隔调节第4视觉机构或所述第2夹钳的高度的同时多次拍摄移动至所述基板的电极上侧的所述探针的一端,以算出所述探针的高度的探针高度确认步骤;
朝向所述基板的电极下降所述探针的探针下降步骤;以及
照射激光将所述探针焊接于所述基板的电极的焊接步骤,
其中,所述探针高度确认步骤包括:
输入所述基板的电极至所述探针的标准高度的标准高度输入步骤;
依次调节所述第4视觉机构的高度的同时多次拍摄所述探针的一端的探针拍摄步骤;
基于拍摄到所述探针拍摄步骤多次拍摄的影像中最清晰影像时所述第4视觉机构的高度算出探针高度信息的探针高度信息算出步骤;
依次调节所述第4视觉机构的高度的同时多次拍摄所述基板的电极的电极拍摄步骤;
基于拍摄到所述电极拍摄步骤中多次拍摄的影像中最清晰的影像时第4视觉机构的高度算出电极高度信息的电极高度信息算出步骤;
通过所述探针高度信息与所述电极高度信息算出所述基板的电极至所述探针的测定高度的测定高度算出步骤;以及
比较所述标准高度与所述测定高度的高度比较步骤。
10.根据权利要求9所述的探针焊接方法,其中,所述探针高度确认步骤还包括:
所述标准高度与所述测定高度存在差异的情况下,按相应差异调节所述第2夹钳的高度的高度补正步骤。
11.根据权利要求9所述的探针焊接方法,其中,
所述探针下降步骤是下降所述探针至所述探针的下端不接触所述基板的电极而是维持预定间隔的地点。
12.根据权利要求11所述的探针焊接方法,其中,还包括:
所述焊膏熔融的状态下,再次下降所述探针使得所述探针的下端接触所述基板的电极的第2下降步骤。
13.根据权利要求9所述的探针焊接方法,其中,
所述焊膏涂布步骤中的所述第2夹钳的夹持压力不同于所述第2移送步骤及所述探针下降步骤中的夹持压力。
14.根据权利要求13所述的探针焊接方法,其中,
所述焊膏涂布步骤中的所述第2夹钳的夹持压力大于所述第2移送步骤及所述探针下降步骤中的夹持压力。
15.根据权利要求9所述的探针焊接方法,其中,还包括:
所述第4视觉机构拍摄焊接于所述基板的电极的所述探针的一端,确认所述探针是否焊接于正位置的焊接确认步骤。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0112917 | 2015-08-11 | ||
KR1020150112917A KR101718717B1 (ko) | 2015-08-11 | 2015-08-11 | 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법 |
PCT/KR2016/008806 WO2017026802A1 (ko) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108351370A CN108351370A (zh) | 2018-07-31 |
CN108351370B true CN108351370B (zh) | 2020-10-09 |
Family
ID=57983305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680042409.7A Active CN108351370B (zh) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 探针焊接装置及利用其的探针焊接方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10641794B2 (zh) |
KR (1) | KR101718717B1 (zh) |
CN (1) | CN108351370B (zh) |
WO (1) | WO2017026802A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3442426A4 (en) | 2016-04-11 | 2019-12-04 | The Regents of The University of California | PARALLEL X-RAY TOMOSYNTHESIS, IN REAL TIME |
JP6550082B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2019-07-24 | 白光株式会社 | 半田付装置 |
KR101957419B1 (ko) | 2017-08-17 | 2019-03-12 | (주)다원넥스뷰 | 프로브 본딩장치용 본딩 그리퍼 및 이를 포함하는 프로브 본딩장치 |
DE102018119137B4 (de) | 2018-08-07 | 2021-08-19 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur einer Prüfkontaktanordnung |
KR102278774B1 (ko) | 2020-06-19 | 2021-07-19 | (주)다원넥스뷰 | 프로브 카드 리페어 방법 |
KR102322550B1 (ko) | 2020-06-19 | 2021-11-08 | (주)다원넥스뷰 | 프로브 카드 리페어 장치 |
KR102286901B1 (ko) | 2020-06-19 | 2021-08-06 | (주)다원넥스뷰 | 프로브 카드 리페어 장치용 그리퍼 |
KR102382690B1 (ko) | 2020-07-29 | 2022-04-06 | 화인인스트루먼트(주) | 프로브 어레이 본딩 장비 및 그를 이용한 프로브 본딩 방법 |
TWI788963B (zh) * | 2020-10-14 | 2023-01-01 | 旺矽科技股份有限公司 | 電路板檢測設備 |
CN113001021B (zh) * | 2021-03-11 | 2022-07-19 | 上海泽丰半导体科技有限公司 | 一种探针焊接***及探针焊接方法 |
CN113161281B (zh) * | 2021-04-22 | 2021-12-14 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种用于焊料烧结基板时阻止焊料流动的方法 |
KR20220152509A (ko) | 2021-05-06 | 2022-11-16 | 화인인스트루먼트 (주) | 프로브 어레이 그리퍼 및 이를 포함하는 프로브 어레이 본딩 장비 |
DE102022107543B3 (de) | 2022-03-30 | 2023-08-24 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Vorrichtung, System und Verfahren zur Reparatur einer Prüfkontaktanordnung |
KR20230163826A (ko) * | 2022-05-24 | 2023-12-01 | 레이저쎌 주식회사 | 턴테이블 방식 프로브핀 레이저 본딩장치의 다축 그리퍼 유닛 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200176166Y1 (ko) * | 1999-11-03 | 2000-03-15 | 이종훈 | 블라인드를 이용한 영상정보 검색장치 |
JP2006292647A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kaijo Corp | ボンディングワイヤ検査装置 |
KR100910217B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2009-07-31 | 주식회사 코디에스 | 프로브 본딩장치 및 방법 |
CN104137243A (zh) * | 2011-12-21 | 2014-11-05 | 韩国以事美德有限公司 | 用于检查引线焊接的***和方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4968589A (en) * | 1988-10-26 | 1990-11-06 | General Signal Corporation | Probe card for integrated circuit chip and method of making probe card |
JPH0680713B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1994-10-12 | 三菱電機株式会社 | ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法 |
US6336269B1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
KR100212169B1 (ko) * | 1996-02-13 | 1999-08-02 | 오쿠보 마사오 | 프로브, 프로브의 제조, 그리고 프로브를 사용한 수직동작형 프로브 카드 어셈블리 |
US6436802B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-08-20 | Adoamtest Corp. | Method of producing contact structure |
US6812718B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-11-02 | Nanonexus, Inc. | Massively parallel interface for electronic circuits |
JP2001033487A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路テスト用のプローブカードおよびこのプローブカードの製造方法 |
US6661244B2 (en) * | 2000-03-06 | 2003-12-09 | Wentworth Laboratories, Inc. | Nickel alloy probe card frame laminate |
US20030001606A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Em Microelectronic-Marin Sa | Probes for probe cards used for testing semiconductor devices, manufacturing method and positioning method |
US6912778B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-07-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating full-wafer silicon probe cards for burn-in and testing of semiconductor devices |
JP3996124B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2007-10-24 | 株式会社アドバンテスト | プローブカードの製造方法 |
JP2003287553A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Fujitsu Ltd | プローブカード及びそれを製造するための基板 |
US7102367B2 (en) * | 2002-07-23 | 2006-09-05 | Fujitsu Limited | Probe card and testing method of semiconductor chip, capacitor and manufacturing method thereof |
US6773938B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-08-10 | Micron Technology, Inc. | Probe card, e.g., for testing microelectronic components, and methods for making same |
WO2004034068A2 (en) * | 2002-10-10 | 2004-04-22 | Advantest Corporation | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
JP2004205487A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブカードの固定機構 |
US6924654B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-08-02 | Celerity Research, Inc. | Structures for testing circuits and methods for fabricating the structures |
US7319341B1 (en) * | 2003-08-28 | 2008-01-15 | Altera Corporation | Method of maintaining signal integrity across a capacitive coupled solder bump |
JP4365292B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2009-11-18 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディングにおけるボール圧着厚の測定方法 |
US7077421B2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-18 | Super Made Products Co., Ltd. | Table saw cart |
JP4264403B2 (ja) | 2004-10-18 | 2009-05-20 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
KR100633456B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2006-10-16 | 주식회사 유니테스트 | 깊게 파진 트렌치를 구비하는 프로브 카드 및 그 제조방법 |
US20060292647A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-12-28 | Green Lawrence R | Reflex supplemental testing - A rapid, efficient and highly accurate method to identify subjects with an infection, disease or other condition |
TWI276805B (en) * | 2005-11-10 | 2007-03-21 | Mjc Probe Inc | Probe of probe card and manufacturing method thereof |
KR100767012B1 (ko) * | 2007-04-11 | 2007-10-17 | 주식회사 아이엠 | 프로브 카드와 프로브 카드의 니들 및 니들의 제조방법 |
US20100047954A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-25 | Su Tzay-Fa Jeff | Photovoltaic production line |
US8066470B2 (en) * | 2007-11-12 | 2011-11-29 | National Semiconductor Corporation | Waffle pack |
US7805832B2 (en) * | 2008-08-19 | 2010-10-05 | Silverbrook Research Pty Ltd | Transfer apparatus for transferring a component of integrated circuitry |
JP2012502274A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | トップ・エンジニアリング・カンパニー・リミテッド | Memsプローブ用カード及びその製造方法 |
JPWO2010038433A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-03-01 | ローム株式会社 | プローブカードの製造方法、プローブカード、半導体装置の製造方法およびプローブの形成方法 |
KR20100067861A (ko) * | 2008-12-12 | 2010-06-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프로브 카드 및 그 제조방법 |
US10078101B2 (en) * | 2009-04-21 | 2018-09-18 | Johnstech International Corporation | Wafer level integrated circuit probe array and method of construction |
JP5394309B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2014-01-22 | 富士通コンポーネント株式会社 | プローブ及びプローブの製造方法 |
JP2011237391A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Renesas Electronics Corp | プローブカード |
TWI417549B (zh) * | 2010-07-12 | 2013-12-01 | Mpi Corp | The method of making the probe head of the vertical probe card and its composite board |
US8646505B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-02-11 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head |
KR20130072546A (ko) * | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 삼성전기주식회사 | 프로브 핀, 프로브 핀을 이용한 프로브 카드 및 그 제조방법 |
KR20130072544A (ko) * | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 삼성전기주식회사 | 프로브 카드 및 그 제조방법 |
US8415771B1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-04-09 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head with silicon electrode |
JP5918682B2 (ja) * | 2012-10-09 | 2016-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード取り付け方法 |
KR101528587B1 (ko) * | 2013-08-20 | 2015-06-12 | (주) 피토 | 반도체 리볼링 장치 및 방법 |
KR101383743B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2014-04-08 | 주식회사 기가레인 | 대면적 프로브 카드 및 이의 제조 방법 |
-
2015
- 2015-08-11 KR KR1020150112917A patent/KR101718717B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-08-10 US US15/742,883 patent/US10641794B2/en active Active
- 2016-08-10 WO PCT/KR2016/008806 patent/WO2017026802A1/ko active Application Filing
- 2016-08-10 CN CN201680042409.7A patent/CN108351370B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200176166Y1 (ko) * | 1999-11-03 | 2000-03-15 | 이종훈 | 블라인드를 이용한 영상정보 검색장치 |
JP2006292647A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kaijo Corp | ボンディングワイヤ検査装置 |
KR100910217B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2009-07-31 | 주식회사 코디에스 | 프로브 본딩장치 및 방법 |
CN104137243A (zh) * | 2011-12-21 | 2014-11-05 | 韩国以事美德有限公司 | 用于检查引线焊接的***和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017026802A1 (ko) | 2017-02-16 |
KR20170019061A (ko) | 2017-02-21 |
US20180210011A1 (en) | 2018-07-26 |
US10641794B2 (en) | 2020-05-05 |
KR101718717B1 (ko) | 2017-04-04 |
CN108351370A (zh) | 2018-07-31 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |