CN108350108B - 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时，该固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。

Description

保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

技术领域

本发明涉及用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜、及具备上述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。

本申请基于2015年10月29日在日本提出申请的日本特愿2015-212845号要求优先权，并将其内容援引于此。

背景技术

近年来，已使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，将上述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面相反侧的背面有时露出。

有时在该露出的半导体芯片的背面形成由有机材料构成的树脂膜作为保护膜，制成带保护膜的半导体芯片，装入半导体装置。利用保护膜的目的在于，防止在切割工序、封装后在半导体芯片上产生裂纹。

为了形成这样的保护膜，例如，可使用在支撑片上具备保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜具有保护膜形成能力，进而可将支撑片用作切割片，可以制成将保护膜形成用膜和切割片一体化而成的保护膜形成用复合片。

作为这样的保护膜形成用复合片，迄今为止主要利用例如具备通过加热进行固化而形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。半导体晶片例如在通过保护膜形成用膜在其背面(与电极形成面相反侧的面)粘贴保护膜形成用复合片后，被切割成半导体芯片。然后，在通过加热使保护膜形成用膜固化而形成保护膜后，在粘贴有该保护膜的状态下拾取该半导体芯片，或者在拾取粘贴有保护膜形成用膜的状态的半导体芯片后，通过加热使保护膜形成用膜固化而形成保护膜。

但是，保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。关于这一点，对于能够通过照射紫外线等能量线而固化的保护膜形成用膜进行了研究，并公开了如下保护用膜：固化后的铅笔硬度为5H以上，且在切割半导体晶片时可抑制发生崩裂的保护用膜(参照专利文献1)；可形成激光标识可视性、硬度、安装可靠性优异的保护膜的保护用膜(参照专利文献2)；可形成高硬度且对半导体芯片的密合性优异的保护膜的保护用膜(参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-147277号公报

专利文献2：日本特开2009-138026号公报

专利文献3：日本特开2010-031183号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，对于保护膜形成用膜，要求能够形成对半导体晶片或半导体芯片的保护作用高、即使暴露于大的温度变化下也可保持高保护作用、且具有高可靠性的保护膜，以便抑制裂纹、缺口的产生，例如抑制在半导体芯片的外缘部产生缺口的所谓崩裂等。因此，基于这样的观点，可通过照射能量线来固化的现有的保护膜形成用膜仍有改进的余地。

本发明是鉴于上述情况而完成的，本发明的课题在于提供一种能够形成对半导体晶片或半导体芯片的背面的保护作用高、且具有高可靠性的保护膜的保护膜形成用膜、以及具备所述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。用于解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明提供了一种保护膜形成用膜，其是含有能量线固化性化合物(B)、且用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，其中，将能量线照射于所述保护膜形成用膜而得到的固化物的杨氏模量为500MPa以上，断裂伸长率为8％以上。

在本发明的保护膜形成用膜中，相对于所述能量线固化性化合物(B)的总含量，一个分子中具有2～4个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物(B1)的总含量的比例优选为90质量％以上。

另外，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备所述保护膜形成用膜。

即，本发明包括如下方式。

[1]一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使所述保护膜形成用膜固化而形成固化物时，所述固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。

[2]如[1]所述的保护膜形成用膜，在所述保护膜形成用膜中，相对于所述能量线固化性化合物(B)的总质量，一个分子中具有2～4个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物(B1)的含量为90质量％以上。

[3]一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备[1]或[2]所述的保护膜形成用膜。

发明效果

根据本发明，可以提供一种能够形成对半导体晶片或半导体芯片的背面的保护作用高、且具有高可靠性的保护膜的保护膜形成用膜、以及具备所述保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。

附图说明

图1是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。

图2是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。

图3是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。

图4是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。

图5是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一个实施方式的剖面图。

符号说明

1A、1B、1C、1D、1E···保护膜形成用复合片

10···支撑片

10a···支撑片的表面

11···基材

11a···基材的表面

12···粘合剂层

12a···粘合剂层的表面

13、23···保护膜形成用膜

13a、23a···保护膜形成用膜的表面

15···剥离膜

16···夹具用粘接剂层

16a···夹具用粘接剂层的表面

具体实施方式

《保护膜形成用膜》

本发明的保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，其中，将能量线照射于上述保护膜形成用膜而得到的固化物(即，保护膜)的杨氏模量为500MPa以上，断裂伸长率为8％以上。即，本发明的保护膜形成用膜的另一方面含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：

在通过照射能量线使上述保护膜形成用膜固化而形成固化物(保护膜)时，上述固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。

通过使上述固化物、即保护膜的杨氏模量及断裂伸长率为上述下限值以上，对半导体晶片或半导体芯片具有足够高的保护作用。例如，在对在背面具备上述保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶片进行切割的情况下，能够抑制最终得到的半导体芯片发生裂纹、缺口，例如抑制在其外缘部产生缺口的所谓的崩裂等。另外，通过使上述保护膜的杨氏模量及断裂伸长率为上述下限值以上，即使暴露于大的温度变化下，也可保持上述的高保护作用，具有高可靠性。例如，带保护膜的半导体芯片在其安装时被暴露于大的温度变化下，但即使在这样的条件下，上述保护膜也能够保持高保护作用。

这样，本发明的保护膜形成用膜通过照射能量线也可形成保护作用及可靠性高的保护膜。

上述保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)，因此通过照射能量线而固化，形成保护膜。

在本说明书中，“能量线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线，作为其例子，可举出紫外线、电子束等。

对于紫外线而言，例如可通过使用高压水银灯、FUSION H灯、氙灯或LED等作为紫外线源来进行照射。对于电子束而言，可照射通过电子束加速器等产生的电子束。

能量线的照射量根据能量线的种类而不同，例如在紫外线的情况下，照度优选为50～500mWcm²，光量优选为200～800mJ/cm²。

上述保护膜形成用膜可使用含有用于构成该保护膜形成用膜的成分的保护膜形成用组合物来形成，例如，可通过将上述保护膜形成用组合物涂布于支撑体的表面，并使其干燥来形成。保护膜形成用组合物中的常温下不气化的成分彼此的含量比率通常与保护膜形成用膜的上述成分彼此的含量比率相同。需要说明的是，在本说明书中，“常温”是指不特别冷或特别热的温度，即平常的温度，例如可举出15～25℃的温度等。

上述支撑体只要能够保持保护膜形成用膜的形状即可，没有特别限定，例如可以是仅用于形成保护膜形成用膜的支撑体，也可以是在用于形成保护膜形成用膜后，进一步在与该保护膜形成用膜层叠的状态下用于其它目标用途的支撑体。作为上述仅用于形成保护膜形成用膜的支撑体，可举出例如具有剥离处理面的剥离膜等。另外，作为在形成保护膜形成用膜后进一步用于其它用途的支撑体，可举出例如后述的切割片等的支撑片、基材。

保护膜形成用膜的厚度没有特别限定，优选为1～100μm，更优选为5～75μm，特别优选为5～50μm。通过使保护膜形成用膜的厚度为上述下限值以上，对作为被粘附物的半导体晶片或半导体芯片的粘接力进一步增大。另外，通过使保护膜形成用膜的厚度为上述上限值以下，在拾取半导体芯片时，可以利用剪切力更容易地切断固化物、即保护膜。

在本说明书中，“厚度”是指利用接触式厚度计在任意五个部位测定厚度而得到的平均值。

<保护膜形成用组合物>

上述保护膜形成用组合物含有能量线固化性化合物(B)，优选含有例如聚合物成分(A)及能量线固化性化合物(B)，更优选含有例如聚合物成分(A)、能量线固化性化合物(B)及光聚合引发剂(C)。

接下来，对上述保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜的含有成分进行说明。

[聚合物成分(A)]

聚合物成分(A)是聚合性化合物发生聚合反应而形成的成分，是用于对保护膜形成用膜赋予成膜性、挠性等的聚合物化合物。需要说明的是，在本发明中，聚合反应也包括缩聚反应。

需要说明的是，在保护膜形成用组合物所含的成分中存在符合聚合物成分(A)及能量线固化性化合物(B)这两者的成分的情况下，将这样的成分作为能量线固化性化合物(B)进行处理。作为这样的成分，可举出例如具有羟基，且经由氨基甲酸酯键而在侧链具有聚合性基团的丙烯酸聚合物。

聚合物成分(A)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

作为聚合物成分(A)，可举出例如：丙烯酸类树脂、聚酯、聚氨酯、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、硅树脂、橡胶类聚合物、苯氧基树脂等，优选为丙烯酸类树脂。

作为上述丙烯酸类树脂，可使用公知的丙烯酸聚合物。

丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为上述下限值以上，可抑制后述的支撑片与保护膜的粘接力，进一步提高带保护膜的半导体芯片的拾取性。另外，通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为上述上限值以下，保护膜形成用膜容易跟随被粘附物(半导体晶片、半导体芯片)的凹凸面，可进一步抑制在被粘附物与保护膜形成用膜之间产生空隙等。

需要说明的是，在本说明书中，除非另有说明，“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定并换算成聚苯乙烯的值。

丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～70℃，更优选为-30～50℃。通过使丙烯酸类树脂的Tg为上述下限值以上，可抑制支撑片与保护膜的粘接力，进一步提高带保护膜的半导体芯片的拾取性。另外，通过使丙烯酸类树脂的Tg为上述上限值以下，可使被粘附物与保护膜形成用膜的粘接力进一步增大。

作为构成丙烯酸类树脂的单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基为链状且碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯；

(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸酰亚胺等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；

(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等含有羟基的(甲基)丙烯酸酯；以及

(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯等。

在上述当中，作为构成丙烯酸类树脂的单体，优选为(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。

需要说明的是，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的用语也同样，例如，“(甲基)丙烯酸酯”是指包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的概念，“(甲基)丙烯酰基”是指包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”这两者的概念。

作为构成丙烯酸类树脂的单体，也可以列举例如：(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、N-羟甲基丙烯酰胺等除了(甲基)丙烯酸酯以外的单体。

构成丙烯酸类树脂的单体可以仅为1种，也可以为2种以上。

丙烯酸类树脂也可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团。上述官能团可以经由后述的交联剂(G)与其它化合物键合，也可以不经由交联剂(G)而与其它化合物直接键合。丙烯酸类树脂通过上述官能团与其它化合物键合，因此使用保护膜形成用膜得到的半导体装置的封装存在可靠性提高的倾向。

在保护膜形成用组合物含有丙烯酸类树脂作为聚合物成分(A)的情况下，相对于保护膜形成用组合物中除溶剂以外的全部成分的总质量，保护膜形成用组合物中的丙烯酸类树脂的含量优选为5～50质量％，更优选为10～45质量％。通过使丙烯酸类树脂的上述含量为这样的范围，可抑制支撑片与保护膜的粘接力，进一步提高带保护膜的半导体芯片的拾取性。

在保护膜形成用膜含有丙烯酸类树脂作为聚合物成分(A)的情况下，保相对于保护膜形成用膜的总质量，护膜形成用膜中的丙烯酸类树脂的含量优选为5～50质量％，更优选为10～45质量％。

在本发明中，通过降低支撑片与保护膜的粘接力(剥离力)进一步提高带保护膜的半导体芯片的拾取性、通过使保护膜形成用膜容易跟随被粘附物的凹凸面而进一步抑制被粘附物与保护膜形成用膜之间产生空隙等，从这样的观点考虑，作为聚合物成分(A)，可以单独使用除丙烯酸类树脂以外的热塑性树脂(下面，有时简称为“热塑性树脂”)，也可以与丙烯酸类树脂组合使用上述热塑性树脂。

上述热塑性树脂的重均分子量优选为1000～100000，更优选为3000～80000。

上述热塑性树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-30～150℃，更优选为-20～120℃。

作为上述热塑性树脂，可以列举例如：聚酯、聚氨酯、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。

上述热塑性树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

[能量线固化性化合物(B)]

能量线固化性化合物(B)是可以通过照射能量线而发生固化(聚合)反应的成分。另外，能量线固化性化合物(B)是用于使保护膜形成用膜固化、并形成硬质的保护膜(即，将能量线照射于保护膜形成用膜而得到的固化物)的成分，可以为单体及低聚物中的任一种。

能量线固化性化合物(B)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

相对于保护膜形成用组合物中的除溶剂以外的全部成分的总质量，保护膜形成用组合物中的能量线固化性化合物(B)的含量优选为3～30质量％，更优选为5～25质量％。

相对于保护膜形成用膜的总质量，保护膜形成用膜中的能量线固化性化合物(B)的含量优选为3～30质量％，更优选为5～25质量％。

作为能量线固化性化合物(B)，例如可举出一个分子中具有1个或2个以上能量线聚合性基团的化合物。

上述能量线聚合性基团只要是通过照射能量线进行聚合反应的基团即可，没有特别限定，在一个分子的能量线固化性化合物(B)具有2个以上能量线聚合性基团的情况下，这些能量线聚合性基团可以相同，也可以不同。即，一个分子的能量线固化性化合物(B)所具有的2个以上能量线聚合性基团可以全部相同，也可以全部不同，还可以仅一部分相同。

作为上述能量线聚合性基团，可以列举例如：乙烯基、(甲基)丙烯酰基等，优选为(甲基)丙烯酰基。

能量线固化性化合物(B)优选为一个分子中具有的能量线聚合性基团的数量为2个以上的多官能化合物。而且，在保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜中，相对于上述能量线固化性化合物(B)的总质量，上述多官能化合物的含量优选为90质量％以上且100质量％以下，更优选为95质量％以上且100质量％以下，进一步优选为98质量％以上且100质量％以下，可以为100质量％，即，保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜所含有的能量线固化性化合物(B)全部为上述多官能化合物。

能量线固化性化合物(B)的分子量优选为1000以下，更优选为100～1000，进一步优选为150～800，特别优选为200～550。通过使能量线固化性化合物(B)的分子量为这样的范围，可进一步提高形成的保护膜的保护作用及可靠性。

能量线固化性化合物(B)优选为(甲基)丙烯酸酯化合物，更优选为一个分子中具有2个以上能量线聚合性基团的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，特别优选为一个分子中具有2个以上(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物。需要说明的是，这里，“(甲基)丙烯酸酯化合物”是指(甲基)丙烯酸酯或其衍生物。另外，在本说明书中，“衍生物”是指用除氢原子以外的基团(取代基)取代原化合物的至少一个氢原子而形成的化合物。

作为上述具有2个以上(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，可以列举例如：1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸二(甲基)丙烯酸酯、羟基特戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊基二(甲基)丙烯酸酯(也称为三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯)、己内酯改性二环戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、烯丙基化环己基二(甲基)丙烯酸酯等2官能(甲基)丙烯酸酯化合物；

三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、双(丙烯酰氧基乙基)羟乙基异氰脲酸酯、异氰脲酸环氧乙烷改性二丙烯酸酯、异氰脲酸环氧乙烷改性三丙烯酸酯、ε-己内酯改性三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等3官能(甲基)丙烯酸酯化合物；

双甘油四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等4官能(甲基)丙烯酸酯化合物；

二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等5官能(甲基)丙烯酸酯化合物；

二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等6官能(甲基)丙烯酸酯化合物等。

在上述当中，优选为三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯、ε-己内酯改性三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等。

能量线固化性化合物(B)优选一个分子中具有的能量线聚合性基团的数量为2～4个，更优选为2～3个。通过使用这样的能量线固化性化合物(B)，可进一步提高形成的保护膜的保护作用及可靠性。在本说明书中，有时将能量线固化性化合物(B)中一个分子中具有2～4个能量线聚合性基团的化合物统称为“能量线固化性化合物(B1)”，将一个分子中具有至少5个能量线聚合性基团的化合物统称为“能量线固化性化合物(B2)”。

作为能量线固化性化合物(B1)，优选一个分子中具有的能量线聚合性基团的数量为2～3个的化合物，可举出例如：三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯、ε-己内酯改性三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等。

在保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜中，相对于能量线固化性化合物(B)的总质量，一个分子中具有2～4个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物(B)(即，能量线固化性化合物(B1))的含量优选为90质量％以上且100质量％以下，更优选为95质量％以上且100质量％以下，特别优选为98质量％以上且100质量％以下，可以为100质量％，即，上述保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜所含有的能量线固化性化合物(B)可以全部为能量线固化性化合物(B1)。

另外，在保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜中，相对于能量线固化性化合物(B)的总质量，一个分子中具有2～3个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物的含量优选为80质量％以上且100质量％以下，更优选为85质量％以上且100质量％以下，进一步优选为90质量％以上且100质量％以下，特别优选为95质量％以上且100质量％以下，可以为100质量％，即，上述保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜所含有的能量线固化性化合物(B)可以全部为一个分子中具有2～3个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物。

在将聚合物成分(A)的含量设为100质量份时，保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜中的能量线固化性化合物(B)的含量优选为1～150质量份，更优选为5～130质量份，特别优选为10～110质量份。通过使能量线固化性化合物(B)的上述含量为上述下限值以上，形成的保护膜即使暴露于大的温度变化下，也可保持高保护作用，可靠性进一步提高。另外，通过使能量线固化性化合物(B)的上述含量为上述上限值以下，可抑制支撑片与保护膜的粘接力，进一步提高带保护膜的半导体芯片的拾取性。

[光聚合引发剂(C)]

光聚合引发剂(C)是用于通过照射能量线产生自由基、从而使能量线固化性化合物(B)开始基于自由基聚合的固化反应的成分。

光聚合引发剂(C)可以为公知的光聚合引发剂，具体而言，可以列举例如：4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮等α-酮醇类化合物；苯乙酮、二甲氨基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1等苯乙酮类化合物；苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻正丁基醚、苯偶姻异丁基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚类化合物；苄基二甲基缩酮、苯乙酮二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)等光活性肟类化合物；二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、二氯二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌等蒽醌类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；对二甲氨基苯甲酸酯；樟脑醌；卤代酮；二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦等酰基氧化膦；酰基膦酸酯、低聚[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]等。

在上述当中，优选为1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)等。

在将聚合物成分(A)的含量设为100质量份时，保护膜形成用组合物中的光聚合引发剂(C)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～7质量份，特别优选为0.2～5质量份。通过使光聚合引发剂(C)的上述含量为上述下限值以上，可更高效地进行能量线固化性化合物(B)的固化反应。另外，通过使光聚合引发剂(C)的上述含量为上述上限值以下，可进一步提高形成的保护膜的保护作用及可靠性。

另外，相对于保护膜形成用组合物或保护膜形成用膜的总质量，保护膜形成用组合物中的光聚合引发剂(C)的含量优选为0.1～3质量％。

[填充材料(D)]

保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜可以含有填充材料(D)。通过使保护膜形成用膜含有填充材料(D)，可以容易地调整热膨胀系数。因此，通过将这样的保护膜形成用膜的固化后的保护膜的热膨胀系数对半导体芯片进行最优化，可以提高封装可靠性。

另外，通常可以通过使用含有填充材料(D)的保护膜形成用组合物来降低固化后的保护膜的吸湿率、提高固化后的保护膜的导热性。

填充材料(D)可以是有机填充材料及无机填充材料中的任一种，优选为无机填充材料。

作为优选的无机填充材料，可以列举例如：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁红、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些二氧化硅等制成球形而成的珠粒；这些二氧化硅等的单晶纤维；玻璃纤维等。

在这些当中，无机填充材料优选为二氧化硅填料或氧化铝填料。

填充材料(D)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

在使用填充材料(D)的情况下，相对于保护膜形成用组合物中除溶剂以外的成分的总质量，填充材料(D)的含量(即，填充材料(D)相对于保护膜形成用膜的总质量的含量)优选为5～80质量％，更优选为7～65质量％。通过使填充材料(D)的含量为上述下限值以上，可以更显著地获得使用填充材料(D)所带来的效果。另外，通过使填充材料(D)的含量为上述上限值以下，可进一步提高形成的保护膜的保护作用及可靠性。

[着色剂(E)]

保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜可以含有着色剂(E)。

作为着色剂(E)，可以列举例如：无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。

作为上述有机系颜料及有机系染料，可以列举例如：铵系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮酸系色素、方酸

系色素、甘菊蓝(azulenium)系色素、聚甲炔系色素、萘醌系色素、吡喃

系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘内酰亚胺系色素、偶氮系色素、缩合偶氮系色素、靛蓝系色素、紫环酮系色素、苝系色素、二

嗪系色素、喹吖啶酮系色素、异吲哚啉酮系色素、喹酞酮系色素、吡咯系色素、硫靛系色素、金属络合物系色素(金属络盐染料)、二硫醇金属络合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、二

嗪系色素、萘酚系色素、偶氮甲碱系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林系色素等。

作为上述无机类颜料，可以列举例如：炭黑、钴系色素、铁系色素、铬系色素、钛系色素、钒系色素、锆系色素、钼系色素、钌系色素、铂系色素、ITO(铟锡氧化物)系色素、ATO(锑锡氧化物)系色素等。

在上述当中，优选为酞菁系色素、异吲哚啉酮系色素、蒽醌系色素等。

着色剂(E)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

在使用着色剂(E)的情况下，保护膜形成用膜中的着色剂(E)的含量可以根据目的而适当调节。例如，存在通过激光照射对保护膜实施打印的情况，通过调节保护膜形成用膜中的着色剂(E)的含量，调节保护膜的透光性，可以调节打印辨识性。在该情况下，相对于保护膜形成用组合物中除溶剂以外的成分的总质量，着色剂(E)的含量(即，着色剂(E)相对于保护膜形成用膜的总质量的含量)优选为0.1～10质量％，更优选为0.4～7.5质量％，特别优选为0.8～5质量％。通过使着色剂(E)的上述含量为上述下限值以上，可以更显著地获得使用着色剂(E)所带来的效果。另外，通过使着色剂(E)的上述含量为上述上限值以下，可抑制着色剂(E)的过量使用。

[偶联剂(F)]

保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜可以含有偶联剂(F)。通过使保护膜形成用膜含有具有能够与无机化合物或有机化合物反应的官能团的物质作为偶联剂(F)，可以提高对被粘附物的粘接性及密合性。另外，由含有偶联剂(F)的保护膜形成用膜形成的保护膜的耐水性提高且耐热性不受损。

偶联剂(F)优选为具有能够与聚合物成分(A)、能量线固化性化合物(B)等所具有的官能团发生反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。

作为优选的上述硅烷偶联剂，可以列举例如：3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、(3-脲丙基)三乙氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。

在上述当中，优选为3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等。

偶联剂(F)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

在使用偶联剂(F)的情况下，将聚合物成分(A)及能量线固化性化合物(B)的总含量设为100质量份时，保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜中的偶联剂(F)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(F)的上述含量为上述下限值以上，可以更显著地获得使用偶联剂(F)所带来的效果。另外，通过使偶联剂(F)的上述含量为上述上限值以下，可进一步抑制排气的产生。

[交联剂(G)]

作为聚合物成分(A)，在使用具有能够与其它化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的上述丙烯酸类树脂的情况下，为了使该官能团与其它化合物键合而发生交联，可使用交联剂(G)。通过使用交联剂(G)发生交联，能够调节保护膜形成用膜的初始粘接力及凝聚力。

作为交联剂(G)，例如可举出有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物等。

作为上述有机多异氰酸酯化合物，可以列举例如：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物、脂环族多异氰酸酯化合物、以及这些化合物的三聚物、异氰脲酸酯体及加合物(与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活泼氢化合物的反应物，例如，三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等)、使有机多异氰酸酯化合物与多元醇化合物进行反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。

作为上述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，可以列举例如：2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-二甲苯二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或部分羟基上加成有甲苯二异氰酸酯及六亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。

作为上述有机多亚胺化合物，可以列举例如：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。

作为交联剂(G)，在上述当中，优选为2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯。

在使用异氰酸酯类交联剂作为交联剂(G)的情况下，作为聚合物成分(A)的上述丙烯酸类树脂，优选使用含羟基聚合物。在交联剂(G)具有异氰酸酯基、丙烯酸类树脂具有羟基的情况下，可通过交联剂(G)与丙烯酸类树脂的反应而简便地将交联结构导入保护膜形成用膜。

在使用交联剂(G)的情况下，将聚合物成分(A)的含量设为100质量份时，保护膜形成用组合物中或保护膜形成用膜中的交联剂(G)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.5～5质量份。

[通用添加剂(H)]

除上述成分以外，保护膜形成用组合物及保护膜形成用膜还可以含有通用添加剂(H)。

作为通用添加剂(H)，可以列举例如：公知的增塑剂、防静电剂、抗氧剂、吸气剂、增感剂等。

[溶剂]

保护膜形成用组合物通过稀释其操作性得到提高，因此优选还含有溶剂。

保护膜形成用组合物含有的溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，可以列举例如：甲苯、二甲苯等烃类；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇类；乙酸乙酯等酯类；丙酮、甲乙酮等酮类；四氢呋喃等醚类；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类(具有酰胺键的化合物)等。

保护膜形成用组合物含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上。

对于保护膜形成用组合物含有溶剂的情况下的溶剂的含量而言，优选为上述组合物的固体浓度相对于上述组合物的总质量为35～75质量％的量。

保护膜形成用组合物可以通过配合用于构成该组合物的上述各成分而得到。

配合各成分时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加2种以上的成分。

在使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与溶剂以外的任意配合成分混合，并预先稀释该配合成分而使用，也可以不对溶剂以外的任意配合成分预先进行稀释，而是通过将溶剂与这些配合成分混合而使用。

配合时混合各成分的方法没有特别限定，从使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法、使用混合器进行混合的方法、施加超声波进行混合的方法等公知的方法中适当选择即可。

如上所述，本发明的保护膜形成用膜例如可以通过将保护膜形成用组合物涂布于支撑体的表面并使其干燥而形成。

可以通过公知的方法将保护膜形成用组合物涂布于支撑体的表面，可以列举例如使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、帘流涂布机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂机、吻合式涂布机等各种涂布机的方法。

在使保护膜形成用组合物干燥时，干燥温度优选为80～130℃，干燥时间优选为10秒钟～10分钟。

通过照射能量线使本发明的保护膜形成用膜固化而形成的保护膜的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。

通过调节能量线固化性化合物(B)等保护膜形成用膜的含有成分，可以使上述保护膜的杨氏模量优选为550MPa以上，例如也可以设为1000MPa以上、1400MPa以上、1800MPa以上等。

另一方面，上述保护膜的杨氏模量的上限值没有特别限定，从切割性、封装可靠性的观点考虑，优选为10000MPa，更优选为5000MPa。

即，上述保护膜的杨氏模量为500MPa以上且10000MPa以下，优选为550MPa以上且5000MPa以下，更优选为1000MPa以上且5000MPa以下，进一步优选为1400MPa以上且5000MPa以下，特别优选为1800MPa以上且5000MPa以下。

需要说明的是，在本发明中，“杨氏模量”是指在进行将试验片以拉伸速度200mm/分拉伸的试验(拉伸试验)时，根据试验初期的应力应变曲线的斜率求出的数值。在测定以下说明的“断裂伸长率”时，可同时进行测定。

通过调节能量线固化性化合物(B)等保护膜形成用膜的含有成分，可以使上述保护膜的断裂伸长率优选为10％以上，例如也可以设为15％以上、20％以上、30％以上、40％、50％以上等。

另一方面，上述保护膜的断裂伸长率的上限值没有特别限定，从切割时容易获得切断性的观点考虑，优选为100％。

即，上述保护膜的断裂伸长率为8％以上且100％以下，可以设为10％以上且100％以下、15％以上且100％以下、20％以上且100％以下、30％以上且100％以下、40％以上且100％以下、50％以上且100％以下，特别优选设为100％。

需要说明的是，在本发明中，将按照JIS K7161：1994及JIS K7127：1999标准的、试验片不具有屈服点时的拉伸断裂应变、或具有屈服点时的拉伸断裂标称应变作为“断裂伸长率”。

断裂伸长率如下求出：作为试验片，使用宽度15mm、长度140mm的试验片，测定将夹具间的距离设为100mm，且以拉伸速度200mm/分拉伸该试验片时的试验片的伸长量，使用该测定值而求得。

本发明的保护膜形成用膜的另一方面是通过照射能量线而形成保护膜的保护膜形成用膜，所述保护膜的杨氏模量为590MPa以上且1960MPa以下，而且断裂伸长率为10.7％以上且56.0％以下。

《保护膜形成用复合片》

本发明的保护膜形成用复合片在支撑片的一个表面上具备上述的本发明的保护膜形成用膜。

本发明的保护膜形成用复合片用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜。

作为上述支撑片，例如可举出仅由基材构成的支撑片、和在基材上层叠其它层而形成的支撑片。

以下，对本发明的保护膜形成用复合片更详细地进行说明。

图1是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。需要说明的是，为了易于理解本发明的特征，为方便起见，以下说明中使用的图有时放大表示作为主要部分的部分，各构成要素的尺寸比例等不一定与实际相同。

这里所示的保护膜形成用复合片1A在基材11上具备粘合剂层12，且在粘合剂层12上具备保护膜形成用膜13。支撑片10是基材11及粘合剂层12的层叠体，换而言之，保护膜形成用复合片1A具有在支撑片10的一个表面10a上层叠有保护膜形成用膜13的结构。另外，保护膜形成用复合片1A进一步在保护膜形成用膜13上具备剥离膜15。保护膜形成用膜13为上述本发明的保护膜形成用膜。

在保护膜形成用复合片1A中，在基材11的一个表面11a层叠有粘合剂层12，在粘合剂层12的表面12a(即，粘合剂层12的与基材11相接的面的相反侧的面)的整个表面层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a(即，保护膜形成用膜13的与粘合剂层12相接的面的相反侧的面)的一部分层叠有夹具用粘接剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中未层叠夹具用粘接剂层16的面、和夹具用粘接剂层16的表面16a(即，上表面：夹具用粘接剂层16的与保护膜形成用膜13相接的面的相反侧的面、以及侧面：夹具用粘接剂层16的位于保护膜形成用复合片1A的中央侧的侧面)层叠有剥离膜15。

夹具用粘接剂层16例如可以为含有粘接剂成分的单层结构，也可以为在作为芯材的片的两面层叠了含有粘接剂成分的层的多层结构。

图1所示的保护膜形成用复合片1A可以如下使用：在去除了剥离膜15的状态下，将半导体晶片(省略图示)的背面粘贴于保护膜形成用膜13的表面13a，进一步将夹具用粘接剂层16的表面16a中的上表面粘贴于环状框等夹具。

图2是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一实施方式的剖面图。需要说明的是，在图2中，对与图1所示的构成要素相同的构成要素标注与图1相同的符号，并省略其详细说明。在图3以后的图中也同样处理。

这里所示的保护膜形成用复合片1B除了不具备夹具用粘接剂层16这一点以外，与图1所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，在保护膜形成用复合片1B中，在基材11的一个表面11a层叠有粘合剂层12，在粘合剂层12的表面12a(即，粘合剂层12的与基材11相接的面的相反侧的面)的整个表面层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a(即，保护膜形成用膜13的与粘合剂层12相接的面的相反侧的面)的整个表面层叠有剥离膜15。保护膜形成用膜13为上述本发明的保护膜形成用膜。

图2所示的保护膜形成用复合片1B可以如下使用：在去除了剥离膜15的状态下，将半导体晶片(省略图示)的背面粘贴于保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域，进一步将保护膜形成用膜13的边缘部附近的区域粘贴于环状框等夹具。

图3是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一实施方式的剖面图。

这里所示的保护膜形成用复合片1C除了不具备粘合剂层12这一点以外，与图1所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，在保护膜形成用复合片1C中，支撑片仅由基材11构成。而且，在基材11的一个表面11a层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a(保护膜形成用膜13的与基材11相接的面的相反侧的面)的一部分层叠有夹具用粘接剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中未层叠夹具用粘接剂层16的面、和夹具用粘接剂层16的表面16a(即，上表面：夹具用粘接剂层16的与保护膜形成用膜13相接的面的相反侧的面、以及侧面：即，夹具用粘接剂层16的位于保护膜形成用复合片1C的中央侧的侧面)层叠有剥离膜15。保护膜形成用膜13为上述本发明的保护膜形成用膜。

图3所示的保护膜形成用复合片1C可以如下使用：与图1所示的保护膜形成用复合片1A同样地，在去除了剥离膜15的状态下，将半导体晶片(省略图示)的背面粘贴于保护膜形成用膜13的表面13a，进一步将夹具用粘接剂层16的表面16a中的上表面粘贴于环状框等夹具。

图4是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一实施方式的剖面图。

这里所示的保护膜形成用复合片1D除了不具备夹具用粘接剂层16这一点以外，与图3所示的保护膜形成用复合片1C相同。即，在保护膜形成用复合片1D中，在基材11的一个表面11a层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a(保护膜形成用膜13的与基材11相接的面的相反侧的面)的整个表面层叠有剥离膜15。保护膜形成用膜13为上述本发明的保护膜形成用膜。

图4所示的保护膜形成用复合片1D可以如下使用：与图2所示的保护膜形成用复合片1B同样地，在去除了剥离膜15的状态下，将半导体晶片(省略图示)的背面粘贴于保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域，进一步将保护膜形成用膜13的边缘部附近的区域粘贴于环状框等夹具。

图5是示意性地示出本发明的保护膜形成用复合片的另一实施方式的剖面图。

这里所示的保护膜形成用复合片1E除了保护膜形成用膜的形状不同这一点以外，与图1所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，保护膜形成用复合片1E在基材11上具备粘合剂层12，且在粘合剂层12上具备保护膜形成用膜23而成。支撑片10是基材11及粘合剂层12的层叠体，换而言之，保护膜形成用复合片1E具有在支撑片10的一个表面10a(即，粘合剂层12侧的表面)上层叠有保护膜形成用膜23的结构。另外，保护膜形成用复合片1E在保护膜形成用膜23上还具备剥离膜15。保护膜形成用膜23为上述本发明的保护膜形成用膜，除了形状不同这一点以外，与保护膜形成用膜13相同。

在保护膜形成用复合片1E中，在基材11的一个表面11a层叠有粘合剂层12，在粘合剂层12的表面12a(即，与基材11a相接的面的相反侧的面)的一部分层叠有保护膜形成用膜23。而且，在粘合剂层12的表面12a中未层叠保护膜形成用膜23的面、和保护膜形成用膜23的表面23a(上表面及侧面：即，保护膜形成用膜23的不与粘合剂层12相接的面)上层叠有剥离膜15。

在从上方向下观察而俯视保护膜形成用复合片1E时，保护膜形成用膜23的表面积比粘合剂层12小，例如具有圆形等形状。

图5所示的保护膜形成用复合片1E可以如下使用：在去除了剥离膜15的状态下，将半导体晶片(省略图示)的背面粘贴于保护膜形成用膜23的表面23a，进一步将粘合剂层12的表面12a中未层叠保护膜形成用膜23的面粘贴于环状框等夹具。

本发明的保护膜形成用复合片并不限定于图1～5所示的例子，也可以在不损害本发明效果的范围内，对图1～5所示的例子的一部分结构进行变更或消除，或者对以上说明的保护膜形成用复合片进一步追加其它结构。

例如，在图3及图4所示的保护膜形成用复合片中，也可以在基材11与保护膜形成用膜13或保护膜形成用膜23之间设置中间层。

作为中间层，可以根据目的而任意选择。

另外，在图1、图2及图5所示的保护膜形成用复合片中，也可以在基材11与粘合剂层12之间设置中间层。即，在本发明的保护膜形成用复合片中，支撑片可以按顺序将基材、中间层及粘合剂层层叠而成。这里，中间层是指与图3及图4所示的保护膜形成用复合片的中间层相同的层。

另外，图1～5所示的保护膜形成用复合片也可以在任意部位设置上述中间层以外的层。

接下来，对构成保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜以外的要素更详细地进行说明。

<基材>

基材的材质优选为各种树脂，作为其具体例子，可以列举：聚乙烯(低密度聚乙烯(有时简称为LDPE)、直链低密度聚乙烯(有时简称为LLDPE)、高密度聚乙烯(有时简称为HDPE等))、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、这些中任意树脂的氢化物、改性物、交联物或共聚物等。

基材的厚度可以根据目的而适当选择，优选为50～300μm，更优选为60～100μm。通过使基材的厚度为这样的范围，可进一步提高上述保护膜形成用复合片的挠性、和对半导体晶片或半导体芯片的粘贴性。

基材可以由1层(单层)构成，也可以由2层以上的多层(例如2～4层)构成。在基材由多层构成的情况下，这些多层可以相同，也可以不同。即，可以全部层相同，也可以全部层不同，还可以仅一部分层相同。而且，在多层不同的情况下，这些多层的组合没有特别限定。这里，多层不同是指各层的材质及厚度中至少一者不同。

需要说明的是，在基材由多层构成的情况下，使各层的总厚度为上述优选的基材厚度即可。

为了提高与设置在基材上的粘合剂层等其它层的密合性，可以对基材的表面实施如下处理：利用喷砂处理、溶剂处理等进行的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧-紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。另外，也可以对基材的表面实施底涂处理。

<粘合剂层>

上述粘合剂层可以由公知的成分适当构成。

粘合剂层可以使用含有用于构成该粘合剂层的各种成分的粘合剂组合物来形成。粘合剂组合物中的在常温下不气化的成分彼此的含量比率通常与粘合剂层的上述成分彼此的含量比率相同。

在粘合剂层含有通过照射能量线而聚合的成分的情况下，通过照射能量线而使其粘合性降低，可以容易地拾取半导体芯片。这样的粘合剂层例如可以使用含有能量线聚合性的丙烯酸聚合物等通过照射能量线而聚合的成分的各种粘合剂组合物来形成。

作为粘合剂组合物中的优选粘合剂组合物，例如，如果是含有通过照射能量线而聚合的成分的粘合剂组合物(能量线固化性粘合剂组合物)，则可举出：含有上述丙烯酸聚合物和能量线聚合性化合物的粘合剂组合物(有时称为粘合剂组合物(i))；含有具有羟基且在侧链上具有聚合性基团的丙烯酸聚合物(例如，具有羟基且经由氨基甲酸酯键在侧链上具有聚合性基团的丙烯酸聚合物)、和异氰酸酯类交联剂的粘合剂组合物(有时称为粘合剂组合物(ii))，更优选为含有溶剂的粘合剂组合物。

除上述成分以外，上述粘合剂组合物还可以含有光聚合引发剂、染料、颜料、劣化抑制剂、防静电剂、阻燃剂、有机硅化合物、链转移剂等各种添加剂中的任意添加剂。

另外，作为粘合剂组合物中的优选粘合剂组合物，例如，如果是不含有通过照射能量线而聚合的成分的粘合剂组合物(非能量线固化性粘合剂组合物)，则可举出含有丙烯酸类树脂及交联剂的粘合剂组合物(有时称为粘合剂组合物(iii))等，也可以含有溶剂、不属于溶剂的其它成分等任意成分。

粘合剂层的厚度可以根据目的而适当选择，优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。

粘合剂组合物例如可以通过配合丙烯酸聚合物等用于构成粘合剂层的各成分而得到，例如，除了配合成分不同这一点以外，可以使用与上述保护膜形成用组合物的情况同样的方法而得到。

粘合剂层可以通过将粘合剂组合物涂布于目标部位并使其干燥而形成。

此时，可以根据需要通过加热涂布的粘合剂组合物而进行交联。可以将加热条件设为例如在100℃～130℃下进行1分钟～5分钟，但不限于此。

需要说明的是，在隔着支撑片将能量线照射于目标部位的情况下，构成支撑片的基材、粘合剂层等各层优选为能量线透过率高的层。

以下，对保护膜形成用复合片的制造方法详细进行说明。

<保护膜形成用复合片的制造方法>

本发明的保护膜形成用复合片可以通过将上述本发明的保护膜形成用膜形成于支撑片的一个表面上来制造。

例如，具备仅由基材构成的支撑片的保护膜形成用复合片可以如下制造：将保护膜形成用组合物涂布于基材的表面，并使其干燥，从而形成保护膜形成用膜，并根据需要将夹具用粘接剂层、剥离膜等其它层(膜)设置于保护膜形成用膜上。该情况的保护膜形成用膜的形成条件与上述方法相同。

这样的制造方法优选作为例如图3及图4所示的保护膜形成用复合片的制造方法。

另外，例如具备在基材上层叠粘合剂层而成的支撑片的保护膜形成用复合片可如下制造：将粘合剂组合物涂布于基材的表面，并使其干燥，从而形成粘合剂层，进一步使用保护膜形成用组合物在粘合剂层上设置保护膜形成用膜，并根据需要将夹具用粘接剂层、剥离膜等其它层(膜)设置于保护膜形成用膜上。

在该情况下，例如可以将保护膜形成用组合物涂布于粘合剂层上来设置保护膜形成用膜。其中，通常基材、粘合剂层及保护膜形成用膜的层叠结构优选通过预先另行形成保护膜形成用膜，并将其贴合于粘合剂层的表面来形成，例如，将通过在剥离膜的剥离层表面涂布保护膜形成用组合物并使其干燥而形成的保护膜形成用膜贴合于粘合剂层的表面，并根据需要去除上述剥离膜等。

另外，除上述方法以外，基材、粘合剂层及保护膜形成用膜的层叠结构例如也可以如下形成：使用粘合剂组合物在剥离膜上形成粘合剂层，使用保护膜形成用组合物，在另外的剥离膜上形成保护膜形成用膜，然后将这些剥离膜上的粘合剂层及保护膜形成用膜叠合，去除层叠于粘合剂层的剥离膜，将基材贴合于露出的粘合剂层的表面(粘合剂层的未设置保护膜形成用膜的面)。

在上述任一方法中，均可以通过在形成了基材、粘合剂层及保护膜形成用膜的层叠结构后，根据需要将夹具用粘接剂层、剥离膜等其它层(膜)设置于保护膜形成用膜上，从而制造具备在基材上层叠粘合剂层而成的支撑片的保护膜形成用复合片。在任一情况下，粘合剂层及保护膜形成用膜的形成条件均与上述方法相同。

这样的制造方法优选作为例如图1、图2及图5所示的保护膜形成用复合片的制造方法。

例如，在制造图5所示的、从上方向下观察而俯视保护膜形成用复合片时保护膜形成用膜的表面积比粘合剂层小的保护膜形成用复合片的情况下，在上述制造方法中，只要将预先切成给定大小及形状的保护膜形成用膜设置于粘合剂层上即可。

<保护膜形成用膜或保护膜形成用复合片的使用方法>

作为本发明的保护膜形成用膜或保护膜形成用复合片的使用方法，例如可举出如下所示的使用方法1～4。

[使用方法1]

在使用方法1中，首先，将保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片的背面，同时将保护膜形成用复合片固定于切割装置。

接着，通过照射能量线使保护膜形成用膜固化而形成保护膜。在使用现有的保护膜形成用膜时，为了通过加热使保护膜形成用膜固化，需要例如数小时左右的长时间，与此相对，本发明的保护膜形成用膜通过照射能量线，能够在例如数秒钟左右等低于1分钟的短时间内进行固化，可以在大幅短于以往的时间内得到带保护膜的半导体芯片。

需要说明的是，在将背磨胶带粘贴于半导体晶片的表面(电极形成面)的情况下，通常将该背磨胶带从半导体晶片去除后，进行保护膜形成用膜的固化。

接着，切割半导体晶片制成半导体芯片。

接着，从支撑片上将半导体芯片和粘贴于其背面的保护膜一起剥离，进行拾取，由此得到带保护膜的半导体芯片。在支撑片为将粘合剂层层叠于基材上而成的支撑片的情况下，作为粘合剂层，使用不含有通过照射能量线而聚合的成分的非能量线固化性粘合剂层。

在使用方法1中，可以在从将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片至进行切割之间的任意时刻，隔着支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光，对保护膜形成用膜或保护膜进行打印。在对保护膜形成用膜进行了打印的情况下，通过使该膜固化，可以得到打印后的保护膜。

需要说明的是，在进行打印时，有时产生气体，由于该气体的原因，最终在支撑片与保护膜之间可观察到剥离，与对保护膜进行打印的情况相比，对保护膜形成用膜进行打印的情况下可降低该剥离的频率、程度。

可推测其原因在于，保护膜形成用膜与支撑片的密合性比保护膜与支撑片的密合性高。

[使用方法2]

在使用方法2中，首先，将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片的背面。

接着，通过照射能量线，使保护膜形成用膜固化而形成保护膜。由此，可以与上述使用方法1的情况同样地在大幅短于以往的时间内得到带保护膜的半导体芯片。在将背磨胶带粘贴于半导体晶片的表面(电极形成面)时，通常将该背磨胶带从半导体晶片去除后，进行保护膜形成用膜的固化。

接着，将支撑片粘贴于保护膜的露出面。在支撑片为将粘合剂层层叠于基材上而成的支撑片的情况下，作为粘合剂层，可使用含有通过照射能量线而聚合的成分的能量线固化性粘合剂层、及上述非能量线固化性粘合剂层中的任一种。

接着，切割半导体晶片而形成半导体芯片。

接着，从支撑片上将半导体芯片和粘贴于其背面的保护膜一起剥离，进行拾取，由此得到带保护膜的半导体芯片。在支撑片为将粘合剂层层叠于基材上而成的支撑片的情况下，通过使粘合剂层固化，能够更容易地拾取带保护膜的半导体芯片。

在使用方法2中，可以在从将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片至进行切割之间的任意时刻，直接将激光照射于保护膜形成用膜，或隔着支撑片将激光照射于保护膜，对保护膜形成用膜或保护膜进行打印。在对保护膜形成用膜进行了打印的情况下，通过使该膜固化，可得到打印后的保护膜。

[使用方法3]

在使用方法3中，首先，将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片的背面。

接着，将支撑片粘贴于保护膜形成用膜的露出面。在支撑片为将粘合剂层层叠于基材上而成的支撑片的情况下，使用非能量线固化性粘合剂层作为粘合剂层。

接着，通过照射能量线，使保护膜形成用膜固化而形成保护膜。由此，可以与上述使用方法1的情况同样地在大幅短于以往的时间内得到带保护膜的半导体芯片。在将背磨胶带粘贴于半导体晶片的表面(电极形成面)时，通常将该背磨胶带从半导体晶片去除后，进行保护膜形成用膜的固化。

接着，切割半导体晶片制形成半导体芯片。

接着，从支撑片上将半导体芯片和粘贴于其背面的保护膜一起剥离，进行拾取，由此得到带保护膜的半导体芯片。

在使用方法3中，可以在从将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片至进行切割之间的任意时刻，直接或隔着支撑片将激光照射于保护膜形成用膜，对保护膜形成用膜进行打印，或者隔着支撑片将激光照射于保护膜而对保护膜进行打印。在对保护膜形成用膜进行了打印的情况下，通过使该膜固化，可得到打印后的保护膜。

需要说明的是，与对保护膜进行打印的情况相比，在粘贴支撑片后对保护膜形成用膜进行打印的情况与上述使用方法1的情况同样，可降低支撑片与保护膜之间发生剥离的频率、程度。

[使用方法4]

在使用方法4中，首先，将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片的背面。

接着，将支撑片粘贴于保护膜形成用膜的露出面。在支撑片为将粘合剂层层叠于基材上而成的支撑片的情况下，作为粘合剂层，使用非能量线固化性粘合剂层。

接着，切割半导体晶片制成半导体芯片。

接着，通过照射能量线，使保护膜形成用膜固化而形成保护膜。由此，可以与上述使用方法1的情况同样地在大幅短于以往的时间内得到带保护膜的半导体芯片。

接着，从支撑片上将半导体芯片和粘贴于其背面的保护膜一起剥离，进行拾取，由此得到带保护膜的半导体芯片。

在使用方法4中，可以在从将保护膜形成用膜粘贴于半导体晶片至进行切割之间的任意时刻，直接或隔着支撑片将激光照射于保护膜形成用膜，对保护膜形成用膜进行打印。通过使打印后的保护膜形成用膜固化，可得到打印后的保护膜。

需要说明的是，在使用方法4中，与上述使用方法1的情况同样，在粘贴支撑片后对保护膜形成用膜进行了打印的情况下，与其它使用方法中对保护膜进行打印的情况相比，可降低支撑片与保护膜之间发生剥离的频率、程度。

通过使用本发明的保护膜形成用膜或保护膜形成用复合片，在至得到带保护膜的半导体芯片的期间，上述保护膜具有足够高的保护作用。因此，可抑制半导体芯片中产生裂纹、缺口，例如可抑制崩裂等。另外，上述保护膜即使暴露于大的温度变化下，也可以保持这样的高保护作用，具有高可靠性。

本发明的一个实施方式的保护膜形成用膜的一个方面是用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，

保护膜形成用膜包含：

能量线固化性化合物(B)；及

根据希望选自聚合物成分(A)、光聚合引发剂(C)、填充材料(D)、着色剂(E)、偶联剂(F)、交联剂(G)及通用添加剂(H)中的至少一种成分，其中，

上述(B)成分是(甲基)丙烯酸酯化合物，且包含一个分子中具有2～4个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物(B1)，

上述(A)成分是重均分子量(Mw)为10000～2000000、且玻璃化转变温度为-60～70℃的丙烯酸类树脂，

上述(C)成分是选自1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)中的至少一种，

上述(B)成分的含量相对于上述保护膜形成用膜的总质量为3质量％以上且30质量％以下，

在上述(B)成分中，相对于上述(B)成分的总质量，上述(B1)成分的含量为90质量％以上且100质量％以下，优选为95质量％以上且100质量％以下，更优选为98质量％以上且100质量％以下，特别优选为100质量％，

在包含上述(A)成分的情况下，相对于上述保护膜形成用膜的总质量，上述(A)成分的含量为5～50质量％，优选为10～45质量％，

在包含上述(C)成分的情况下，相对于上述保护膜形成用膜的总质量，上述(C)成分的含量为0.1～3质量％，

构成上述保护膜形成用膜的各成分的总含量不超过100质量％，

另外，可举出具有以下特性的保护膜形成用膜。

在通过照射能量线使上述保护膜形成用膜固化而形成固化物(保护膜)时，上述固化物的杨氏模量为500MPa以上且1000MPa以下，优选为550MPa以上且5000MPa以下，而且断裂伸长率为8％以上且100％以下，优选为10％以上且100％以下。

上述固化物的杨氏模量可以为590MPa以上且1960MPa以下，而且断裂伸长率可以为10.7％以上且56％以下。

本发明的一个实施方式的保护膜形成用膜的另一个方面是用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，其中，

保护膜形成用膜包含：

选自三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯及ε-己内酯改性三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯中的至少一种能量线固化性化合物(B)；

将选自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯及(甲基)丙烯酸缩水甘油酯中的至少一种单体聚合而成的聚合物成分(A)；

1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(C)；以及

选自填充材料(D)、着色剂(E)、偶联剂(F)、交联剂(G)及通用添加剂(H)中的至少一种成分，其中，

相对于上述保护膜形成用膜的总质量，

上述(B)成分的含量为10质量％以上且20质量％以下，

上述(A)成分的含量为20～32质量％，

上述(C)成分的含量为0.6质量％以上，

在通过照射能量线使上述保护膜形成用膜固化而形成固化物(保护膜)时，

上述固化物的杨氏模量为590MPa以上且1960MPa以下，而且断裂伸长率为10.7％以上且56.0％以下。

实施例

以下，通过具体的实施例对本发明更详细地进行说明。但本发明不限于以下所示的实施例。

将用于制造保护膜形成用组合物的原料示于以下。

·聚合物成分(A)

(A)-1：将丙烯酸丁酯10质量份、丙烯酸甲酯70质量份、丙烯酸2-羟基乙酯15质量份、及甲基丙烯酸缩水甘油酯5质量份共聚而成的丙烯酸类树脂(重均分子量800000)，玻璃化转变温度-1℃)。

·能量线固化性化合物(B)

(B1)-1：三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(日本化药株式会社制“KAYARAD R-684”，2官能紫外线固化性化合物，分子量304)

(B1)-2：ε-己内酯改性三(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯(新中村化学工业株式会社制“A-9300-1CL”，3官能紫外线固化性化合物，分子量537)

(B2)-1：二季戊四醇六丙烯酸酯(6官能紫外线固化性化合物，分子量578)及二季戊四醇五丙烯酸酯(5官能紫外线固化性化合物，分子量525)的混合物(日本化药株式会社制“KAYARAD DPHA”)

·光聚合引发剂(C)

(C)-1：1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(BASF公司制“Irgacure(注册商标)OXE02”)

·填充材料(D)

(D)-1：二氧化硅填料(熔融石英填料，平均粒径8μm)

·着色剂(E)

(E)-1：将酞菁系蓝色色素(Pigment Blue 15：3)32质量份、异吲哚啉酮系黄色色素(Pigment Yellow 139)18质量份、以及蒽醌系红色色素(Pigment Red 177)50质量份混合，以上述3种色素的总量/苯乙烯丙烯酸树脂量＝1/3(质量比)的方式颜料化而得到的颜料。

·偶联剂(F)

(F)-1：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制“KBM-503”，硅烷偶联剂)

[实施例1]

<保护膜形成用膜的制造>

(保护膜形成用组合物的制造)

将聚合物成分(A)-1(32质量份)、能量线固化性化合物(B)-1(10质量份)、光聚合引发剂(C)-1(0.3质量份)、光聚合引发剂(C)-2(0.3质量份)、填充材料(D)-1(56质量份)、着色剂(E)-1(2质量份)及偶联剂(F)-1(0.4质量份)混合，得到了保护膜形成用组合物。将配合成分的种类和其配合量示于表1。需要说明的是，表1所示的配合量全部为固体成分量。另外，在表1中，将仅以其末尾符号示出了各成分，例如，将聚合物成分(A)简单表示为“(A)”等。

(保护膜形成用膜的制造)

使用刮刀涂布机将上述得到的保护膜形成用组合物涂布于通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一面进行了剥离处理而成的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET381031”，厚度38μm)的上述剥离处理面，在120℃下使其干燥，从而得到了保护膜形成用膜(厚度25μm)。进一步将与上述相同的剥离膜贴合于得到的保护膜形成用膜的露出面，使得该剥离处理面与保护膜形成用膜接触，得到了在保护膜形成用膜的两面设置有上述剥离膜的层叠体。将得到的上述层叠体卷取成卷状进行保存。

<保护膜形成用膜的评价>

(保护膜的杨氏模量及断裂伸长率的评价)

将上述得到的层叠体送出，在照度230mW/cm²、光量170mJ/cm²的条件下照射紫外线，由此使该保护膜形成用膜固化，形成了保护膜。

接着，将该带剥离膜的保护膜切成宽度15mm、长度140mm的大小，从两面去除剥离膜而制成试验片。根据JIS K7161：1994及JIS K7127：1999，将试验用挡板(标签)粘贴于自该试验片的距两端部沿长度方向20mm的部分，使用万能试验机(株式会社岛津制作所制“Autograph AG-IS 500N”)利用夹具固定该部分，使得夹具间的距离为100mm，以拉伸速度200mm/分进行了拉伸试验。

然后，制作此时的应力应变曲线，根据试验初期的应力应变曲线的斜率计算出杨氏模量，进一步根据断裂时试验片的伸长量求出断裂伸长率。将结果示于表1。

(保护膜的可靠性的评价)

将上述得到的层叠体送出，从保护膜形成用膜的一面去除上述剥离膜中的一个，使用贴膜机(琳得科株式会社制Adwill RAD-3600F/12)将在一面具备上述剥离膜的保护膜形成用膜的露出面在70℃下加热并粘贴于进行了#2000磨削的硅晶片(直径200mm，厚度280μm)的磨削面。接着，在照度230mW/cm²、光量170mJ/cm²的条件下照射紫外线，由此使保护膜形成用膜固化，在硅晶片的磨削面形成了保护膜。

接着，从上述保护膜去除了另一个剥离膜后，粘贴切割片(琳得科株式会社制“Adwill G-562”)，使用切割装置(DISCO公司制“DFD651”)将形成了上述保护膜的硅晶片切割成3mm×3mm的大小，得到了带保护膜的半导体芯片。

接着，将上述得到的带保护膜的半导体芯片置于模仿了安装半导体芯片时的工艺的如下所示的预处理条件中。即，将带保护膜的半导体芯片在125℃下烘烤20小时后，在85℃、相对湿度85％的条件下吸湿168小时，接着，将刚从该吸湿环境中取出的带保护膜的半导体芯片在预热160℃、峰值温度260℃的条件的IR回流焊炉中通过三次。然后，将进行了至此为止的操作的25个带保护膜的半导体芯片放入冷热冲击装置(ESPEC公司制“TSE-11-A”)，重复进行1000次在-65℃下保持了10分钟后于150℃下保持10分钟的冷热循环。

接着，将全部带保护膜的半导体芯片从冷热冲击装置中取出，使用扫描式超声波探伤装置(Sonoscan公司制“D9600^TMCSAM”)观察带保护膜的半导体芯片的截面，由此对半导体芯片与保护膜的接合部有无浮起/剥离、半导体芯片中有无裂纹进行了确认。然后，计算产生上述浮起/剥离及裂纹的至少一者的带保护膜的半导体芯片的个数，将其个数(NG数)为2个以下的情况判定为可靠性合格(A)，将3个以上的情况判定为可靠性不合格(B)。将结果示于表1。

<保护膜形成用膜的制造及评价>

[实施例2～4、比较例1～6]

将制造保护膜形成用组合物时的配合成分的种类和其配合量设为如表1所示，除此以外，利用与实施例1相同的方法制造并评价了保护膜形成用膜。

将结果示于表1。

「表1]

※1:切割时发生崩裂，无法得到带保护膜的半导体芯片。

根据上述结果可知，由实施例1～4的保护膜形成用膜形成的保护膜的杨氏模量及断裂伸长率高，具有足够的保护作用，而且可靠性也高。

相比之下，由比较例1～2、4及6的保护膜形成用膜形成的保护膜的断裂伸长率低，保护作用不足，可靠性也低。可推测其原因分别在于，对于比较例1～2而言，使用了能量线固化性化合物(B2)-1，对于比较例4而言，能量线固化性化合物(B1)-1的用量过多。对于比较例6而言，有这两种原因。

另外，由比较例3及5的保护膜形成用膜形成的保护膜的杨氏模量低，切割时发生崩裂，不能得到带保护膜的半导体芯片，无法对保护膜的可靠性进行评价。可推测其原因在于，对于比较例3而言，能量线固化性化合物(B1)-1的用量过少，对于比较例5而言，能量线固化性化合物(B2)-1的使用量也过少。

工业实用性

本发明可用于制造背面受到保护膜保护的半导体芯片等，因此，在工业上极其有用。

Claims (2)

1.一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有聚合性成分(A)及能量线固化性化合物(B)，并且，相对于所述聚合性成分(A)100质量份，所述能量线固化性化合物(B)的含量为5～150质量份，

所述能量线固化性化合物(B)为一个分子中具有2～4个能量线聚合性基团的能量线固化性化合物(B1)，

所述保护膜形成用膜具有以下特性：

在通过照射能量线使所述保护膜形成用膜固化而形成固化物时，所述固化物的杨氏模量为500MPa以上且10000MPa以下，且断裂伸长率为8％以上且100％以下。

2.一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备权利要求1所述的保护膜形成用膜。

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