CN108320668A - 柔性显示基板及其制备方法 - Google Patents

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陈航
陈涛
宗记文
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Abstract

本发明涉及一种柔性显示基板及其制备方法。柔性显示基板包括柔性衬底、缓冲层、以及位于柔性衬底与缓冲层之间的刻蚀终点指示层；刻蚀终点指示层用以当干法刻蚀缓冲层时指示刻蚀终点。上述柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。

Description

柔性显示基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性显示基板及其制备方法。
背景技术
随着显示屏的发展，柔性显示技术逐渐成为一种趋势。为实现可弯折效果，阵列工艺通常需要刻蚀至柔性衬底。然而，采用干法刻蚀时，柔性衬底与上层功能层的界面刻蚀不能被抓取，通常会直接刻蚀至柔性衬底上。导致干法刻蚀过程中柔性衬底裸露，容易造成刻蚀腔室污染，不利于应用。
发明内容
基于此，有必要针对如何避免刻蚀腔室污染的问题，提供一种能够避免刻蚀腔室污染的柔性显示基板及其制备方法。
一种柔性显示基板，包括柔性衬底、缓冲层、以及位于柔性衬底与缓冲层之间的刻蚀终点指示层；所述刻蚀终点指示层用以当干法刻蚀所述缓冲层时指示刻蚀终点。
上述柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。
在其中一个实施例中，所述刻蚀终点指示层为a-Si层、氮化硅层或者氮氧化硅层。
在其中一个实施例中，所述刻蚀终点指示层为金属层或者金属氧化物层。
在其中一个实施例中，所述金属层的材质为钼或者钛。
在其中一个实施例中，所述金属氧化物层为ITO层。
在其中一个实施例中，所述刻蚀终点指示层的厚度为10nm～20nm。
在其中一个实施例中，所述缓冲层为氧化硅层。
在其中一个实施例中，所述柔性衬底包括：
第一有机柔性基底；
分隔层，所述分隔层包括依次层叠的氧化硅层、氮化硅层以及a-Si层；
以及第二有机柔性基底；
其中，所述第一有机柔性基底与所述第二有机柔性基底分别位于所述分隔层的两侧。
在其中一个实施例中，所述第一有机柔性基底与所述第二有机柔性基底均为PI层。
此外，还提供一种柔性显示基板的制备方法，包括以下步骤：
提供柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成刻蚀终点指示层；
以及在所述刻蚀终点指示层上形成缓冲层；
其中，所述刻蚀终点指示层用以当刻蚀所述缓冲层时指示刻蚀终点。
采用上述柔性显示基板的制备方法制备得到的柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。
附图说明
图1为一实施方式的柔性显示基板的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
请参见图1，一实施方式的柔性显示基板100包括柔性衬底110、缓冲层120、以及位于柔性衬底110与缓冲层120之间的刻蚀终点指示层130。
其中，刻蚀终点指示层130用以当干法刻蚀缓冲层120时指示刻蚀终点。
在前述实施方式的基础上，刻蚀终点指示层130为a-Si层、氮化硅层或者氮氧化硅层。干法刻蚀时，刻蚀气体产生的等离子体可以与这些种类的刻蚀终点指示层130反应，且反应生成物能够被终点侦测器(EPD，End-point Detector)准确检测到特定且有效的波长，能够形成波长变化，从而能够被有效抓取刻蚀终点，进而停止刻蚀。
其中，当刻蚀终点指示层130为a-Si时，利用a-si与缓冲层120的选择比在柔性衬底110上保留a-si，从而达到防止刻蚀腔室污染的问题。
在前述实施方式的基础上，刻蚀终点指示层130为金属层或者金属氧化物层。干法刻蚀时，刻蚀气体产生的等离子体可以与金属或者金属氧化物反应，且反应生成物能够被EPD准确检测到特定且有效的波长，能够形成波长变化，从而能够被有效抓取刻蚀终点，进而停止刻蚀。
在前述实施方式的基础上，金属层的材质为钼或者钛。干法刻蚀时，刻蚀气体产生的等离子体可以与钼或者钛反应，且反应生成物能够被EPD快速准确地检测到特定且有效的波长，能够形成波长变化，从而能够被有效抓取刻蚀终点，进而停止刻蚀。
钼或者钛的熔点较高，能够避免刻蚀过程以及后续制程中受到高温而损坏。
在前述实施方式的基础上，金属氧化物层为ITO层。干法刻蚀时，刻蚀气体产生的等离子体可以与ITO反应，且反应生成物能够被EPD快速且准确地检测到特定且有效的波长，能够形成波长变化，从而能够被有效抓取刻蚀终点，进而停止刻蚀。此外，ITO层具有耐高温的优点，能够避免刻蚀过程以及后续制程中受到高温而损坏。
在前述实施方式的基础上，刻蚀终点指示层130的厚度为10nm～20nm。当刻蚀终点指示层130的厚度为10nm～20nm时，具有一定的柔性，能够在不影响柔性显示基板100的柔性的同时，避免刻蚀腔室污染。
在前述实施方式的基础上，缓冲层120为氧化硅层。氧化硅层起到缓冲和阻隔水氧的作用。
在前述实施方式的基础上，柔性衬底110包括第一有机柔性基底111、分隔层112以及第二有机柔性基底116。其中，第一有机柔性基底111与第二有机柔性基底116分别位于分隔层112的两侧。
其中，分隔层112包括依次层叠的氧化硅层113、氮化硅层114以及a-Si层115。
其中，氧化硅层113与氮化硅层114起到阻隔水氧的作用，a-Si层115具有一定的粘度，起到连接氮化硅层114与第二有机柔性基底116的作用。
当然，分隔层113不限于上述材质，还可以为其他既能够起到分隔作用、又能够起到阻隔水氧作用的功能层。
在前述实施方式的基础上，第一有机柔性基底111与第二有机柔性基底116均为PI层。传统的刻蚀过程中，刻蚀气体产生的等离子体与PI反应后的反应生成物不能被EPD准确检测到特定且有效的波长。而本发明的柔性显示基板100中，由于PI层上形成有刻蚀终点指示层130，因此能够避免PI层被刻蚀损坏裸露而污染腔室。
当然，第一有机柔性基底111与第二有机柔性基底116的材质不限于此，亦可以为其他材质的有机柔性基底。
需要说明的是，柔性衬底110不限于上述实施方式，亦可以为其他形式。例如，还可以为单层的PI层。
上述柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。
此外，采用本发明的柔性显示基板进行刻蚀时，由于不需要进行单腔管控，保养频率不需要提升，能有效提升机台稼动率。
一实施方式的柔性显示基板的制备方法，包括以下步骤：
S10、提供柔性衬底110。
较优的，柔性衬底110包括第一有机柔性基底111、分隔层112以及第二有机柔性基底116。其中，第一有机柔性基底111与第二有机柔性基底116分别位于分隔层112的两侧。
其中，分隔层112包括依次层叠的氧化硅层113、氮化硅层114以及a-Si层115。
其中，氧化硅层113与氮化硅层114起到阻隔水氧的作用，a-Si层115具有一定的粘度，起到连接氮化硅层114与第二有机柔性基底116的作用。
S20、在柔性衬底110上形成刻蚀终点指示层130。
可以采用CVD工艺在柔性衬底110上形成刻蚀终点指示层130。
较优的，刻蚀终点指示层130为a-Si层、氮化硅层或者氮氧化硅层。
较优的，刻蚀终点指示层130为金属层或者金属氧化物层。
更优的，金属层的材质为钼或者钛。
更优的，金属氧化物层为ITO层。
较优的，刻蚀终点指示层的厚度为10nm～20nm。
S30、在刻蚀终点指示层130上形成缓冲层120。其中，刻蚀终点指示层130用以当刻蚀缓冲层120时指示刻蚀终点。
可以采用CVD工艺在刻蚀终点指示层130上形成缓冲层120。
较优的，缓冲层120为氧化硅层。
采用上述柔性显示基板的制备方法制备得到的柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。
此外，采用本发明的柔性显示基板进行刻蚀时，由于不需要进行单腔管控，保养频率不需要提升，能有效提升机台稼动率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种柔性显示基板，其特征在于，包括柔性衬底、缓冲层、以及位于所述柔性衬底与所述缓冲层之间的刻蚀终点指示层；所述刻蚀终点指示层用以当干法刻蚀所述缓冲层时指示刻蚀终点。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述刻蚀终点指示层为a-Si层、氮化硅层或者氮氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述刻蚀终点指示层为金属层或者金属氧化物层。
4.根据权利要求3所述的柔性显示基板，其特征在于，所述金属层的材质为钼或者钛。
5.根据权利要求3所述的柔性显示基板，其特征在于，所述金属氧化物层为ITO层。
6.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述刻蚀终点指示层的厚度为10nm～20nm。
7.根据权利要求6所述的柔性显示基板，其特征在于，所述缓冲层为氧化硅层。
8.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述柔性衬底包括：
第一有机柔性基底；
分隔层，所述分隔层包括依次层叠的氧化硅层、氮化硅层以及a-Si层；
以及第二有机柔性基底；
其中，所述第一有机柔性基底与所述第二有机柔性基底分别位于所述分隔层的两侧。
9.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述第一有机柔性基底与所述第二有机柔性基底均为PI层。
10.一种柔性显示基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成刻蚀终点指示层；
以及在所述刻蚀终点指示层上形成缓冲层；
其中，所述刻蚀终点指示层用以当刻蚀所述缓冲层时指示刻蚀终点。
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