CN108292640B - 半导体装置、逆变器装置及汽车 - Google Patents
半导体装置、逆变器装置及汽车 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108292640B CN108292640B CN201580084694.4A CN201580084694A CN108292640B CN 108292640 B CN108292640 B CN 108292640B CN 201580084694 A CN201580084694 A CN 201580084694A CN 108292640 B CN108292640 B CN 108292640B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fin
- semiconductor device
- fin portion
- base plate
- conductive base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 117
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 36
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/20927—Liquid coolant without phase change
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Cooling, Air Intake And Gas Exhaust, And Fuel Tank Arrangements In Propulsion Units (AREA)
Abstract
目的在于提供能够提高半导体装置的冷却性能的技术。半导体装置具备：鳍片部(16)，其包含与导热性基座板(11)的下表面连接的多个凸起部；冷却部件(17)，其与供朝向鳍片部(16)的冷媒流入的流入口(17a)、以及使来自鳍片部(16)的冷媒流出的流出口(17b)连接，且冷却部件(17)将鳍片部(16)覆盖；以及头部(18)，其是设置于流入口(17a)与鳍片部(16)之间，被以能够使冷媒从流入口(17a)流通至鳍片部(16)的方式与鳍片部(16)隔开的储水室。
Description
技术领域
本发明涉及半导体装置、以及具备该半导体装置的逆变器装置及汽车。
背景技术
就半导体装置而言，始终要求小型化以及轻量化。为了实现小型化，高效地对半导体元件进行冷却的构造是不可或缺的。特别是，不断进行将半导体元件直接接合于冷却鳍片之上，直接实施冷却的直冷构造的开发。其中，盛行的是鳍片一体型半导体装置(例如专利文献1)、鳍片以及冷却器一体型半导体装置(例如专利文献2～5)的开发。
专利文献1：日本特开平11-204700号公报
专利文献2：日本专利第4600199号公报
专利文献3：日本特开2014-082311号公报
专利文献4：日本特开平11-297906号公报
专利文献5：日本特开2007-141872号公报
发明内容
作为现有的鳍片以及冷却器一体型半导体装置，大多提出了使冷却水直接与鳍片碰撞的构造。然而，就上述构造而言，存在冷却水向鳍片的碰撞以及通过变得不均匀，无法对半导体元件均匀地进行冷却这样的问题。
因此，本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供能够提高半导体装置的冷却性能的技术。
本发明涉及的半导体装置具备：半导体元件；导热性基座板，其设置于所述半导体元件的下方；鳍片部，其包含与所述导热性基座板的下表面连接的多个凸起部；冷却部件，其与供朝向所述鳍片部的冷媒流入的流入口、以及使来自所述鳍片部的冷媒流出的流出口连接，且所述冷却部件将所述鳍片部覆盖；以及头部，其是设置于所述流入口与所述鳍片部之间，被以能够使冷媒从所述流入口流通至所述鳍片部的方式与所述鳍片部隔开的储水室。
发明的效果
根据本发明，具备头部，该头部是设置于流入口与鳍片部之间，被以能够使冷媒从流入口流通至鳍片部的方式与鳍片部隔开的储水室。由此，从头部流出至鳍片部的冷媒以被均流化的状态与鳍片部进行碰撞，因此能够提高冷却性能。
本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的一部分的结构的俯视图。
图3是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图4是表示实施方式2涉及的半导体装置的一部分的结构的俯视图。
图5是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图6是表示实施方式3涉及的半导体装置的一部分的结构的俯视图。
图7是表示实施方式4涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图8是表示实施方式4涉及的半导体装置的一部分的结构的俯视图。
图9是表示实施方式5涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图10是表示实施方式5涉及的半导体装置的一部分的结构的仰视图。
图11是表示实施方式6涉及的半导体装置的结构的剖视图。
图12是表示实施方式6涉及的半导体装置的一部分的结构的俯视图。
具体实施方式
下面，一边参照附图一边对实施方式进行说明。此外，附图是概略地示出的，在不同的附图分别示出的结构要素的大小与位置的相互关系不一定是准确地记载的，可能会适当变更。
<实施方式1>
图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置(冷却器一体型模块)的结构的剖视图。图1的半导体装置具备：导热性基座板11、导电图案12a、12b、半导体元件14、接合部件15、鳍片部16、冷却部件17、作为绝缘材料的绝缘基板13、作为储水室的头部18和作为水流控制部件的水流控制板19。其中，鳍片部16、冷却部件17、头部18以及水流控制板19构成使用冷却水(冷媒)对半导体元件14进行冷却的冷却器。此外，在图1中，以箭头示出冷却水在冷却器内流动的方向。
接下来，对图1的半导体装置的各结构要素进行详细说明。
导热性基座板11例如由Al(铝)或Cu(铜)等的金属板(导电板)构成。导热性基座板11的尺寸例如是约80mm×80mm，其厚度例如是2～4mm左右。导热性基座板11的上表面用作将半导体元件14等固定的固定面，导热性基座板11的下表面用作通过冷却器进行冷却的散热面。
在绝缘基板13的下表面以及上表面分别粘贴有导电图案12a、12b，导电图案12a的下表面和导热性基座板11的上表面通过未图示的接合部件进行接合。导电图案12a、12b例如由Al或Cu等构成，绝缘基板13例如由AlN(氮化铝)或Si3N4(Si为硅，N为氮)等构成，接合部件例如由Ag(银)等构成。此外，本实施方式1涉及的绝缘基板13的厚度设为0.32～1mm左右，但为了降低绝缘基板13的热阻，优选尽可能地薄。
半导体元件14例如通过Ag等接合部件15而与导电图案12b的上表面接合。由此，上述的导热性基座板11设置于半导体元件14的下方。
此外，在本实施方式1中，半导体元件14是作为由SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)等具有高耐热性的宽带隙半导体构成的元件而进行说明的，但并不限定于此，例如也可以由Si(硅)构成。但是，在将宽带隙半导体用于半导体元件14的情况下，能够实现半导体装置的小型化。
另外，在本实施方式1中，半导体元件14包含第1半导体元件14a和第2半导体元件14b，但半导体元件14的数量并不限定于此。此外，为了对半导体元件14进行保护，也可以使半导体装置具备将与导热性基座板11相比更靠上侧的结构要素(例如半导体元件14)覆盖的壳体、模塑树脂。
鳍片部16与导热性基座板11的下表面连接。该鳍片部16包含用于提高冷却性能的多个凸起部，该凸起部应用的是针式鳍片、板状的鳍片(例如平直(straight)鳍片、丝网(webby)鳍片等)以及锥形(conical)鳍片中的至少任一者。此外，在将针式鳍片用于凸起部的结构中，能够提高鳍片部16的散热性。另外，在将板状的鳍片用于凸起部的结构中，能够提高散热性，并且与针式鳍片相比能够降低压力损失。
冷却部件17将鳍片部16覆盖，并且冷却部件17的上部与导热性基座板11的下表面连接(接合)。根据上述冷却部件17，能够将鳍片部16周边的冷却水封闭起来。
该冷却部件17与供朝向鳍片部16的冷却水流入的流入口17a、以及使来自鳍片部16的冷却水流出的流出口17b连接。在本实施方式1中，流入口17a以及流出口17b这两者设置于鳍片部16的下方。
头部18是设置于流入口17a与鳍片部16之间，被以能够使冷却水从流入口17a流通至鳍片部16的方式与鳍片部16隔开的储水室。在本实施方式1中，与头部18相同的储水室20设置于鳍片部16与流出口17b之间。该储水室20被以能够使冷却水从鳍片部16流通至流出口17b的方式与鳍片部16隔开。但是，该储水室20不是必需的，例如，在后述的实施方式5以及6中未设置。
水流控制板19的上表面与鳍片部16的下部连接(接合)。该水流控制板19以能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的方式将头部18和鳍片部16隔开。同样地，水流控制板19以能够使冷却水从鳍片部16流通至储水室20的方式将鳍片部16和储水室20隔开。
在这里，水流控制板19的面积小于冷却部件17的设置面积，上述的冷却部件17除了鳍片部16以外，也将水流控制板19覆盖。由此，头部18以及储水室20由水流控制板19和冷却部件17构成。
图2是表示本实施方式1涉及的半导体装置的一部分的结构(主要是冷却部件17以及水流控制板19)的俯视图。此外，在图2中以虚线图示出流入口17a、流出口17b以及一部分的冷却部件17(在图4、6、8、10、12中也是相同的)。另外，在图2中图示出x轴以及y轴。
如图2所示，在水流控制板19的-x侧的端部与冷却部件17的内表面之间设置有能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的间隙21a。根据上述结构，除了间隙21a以外，头部18与鳍片部16被隔开。即，头部18与鳍片部16被大致隔开，因此从流入口17a流入的冷却水基本上不会直接冲到鳍片部16。
另外，如图2所示，头部18的y方向的宽度大于流入口17a的y方向的宽度，因此就冷却水流动的方向上的截面积而言，头部18的截面积大于流入口17a的截面积。由此，能够针对从流入口17a流入的冷却水在头部18缓和其流动。即，能够使从流入口17a流入的冷却水实质上储存在头部18。
此外，在本实施方式1中，在水流控制板19的+x侧的端部与冷却部件17的内表面之间还设置有能够使冷却水从鳍片部16流通至储水室20的间隙21b。
<实施方式1的汇总>
根据上述本实施方式1涉及的结构，具备设置于流入口17a与鳍片部16之间的头部18。根据上述结构，能够使从流入口17a流入的冷却水基本上不会直接冲到鳍片部16，并且能够将该冷却水实质上在头部18暂时储存。由此，从头部18流出至鳍片部16的冷却水以被均流化的状态与鳍片部16进行碰撞，因此能够提高冷却性能(例如冷却的均匀性以及稳定性等)。
此外，在图2的俯视观察时，如果以间隙21a与流入口17a不重叠的方式进行配置，则能够使来自流入口17a的冷却水不直接冲到鳍片部16。但是，即使将间隙21a与流入口17a以部分重叠的方式进行配置，也能够在一定程度上使来自流入口17a的冷却水不直接冲到鳍片部16。
另外，如图2所示，如果将间隙21a以及间隙21b以分别与鳍片部16的一端部以及另一端部接近的方式配置，则能够使冷却水遍布至鳍片部16的各个角落，因此能够进一步提高冷却性能。
另外，在本实施方式1中，流入口17a以及流出口17b这两者设置于鳍片部16的下方。由此，能够减小半导体装置(模块)整体在横向上的尺寸、即半导体装置(模块)整体的设置面积，因此能够期待半导体装置(模块)的小型化。此外，即使是流入口17a以及流出口17b中的某一者设置于鳍片部16的下方的结构，也能够在一定程度上减小半导体装置(模块)整体的设置面积。
另外，在本实施方式1中，具备以能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的方式将头部18和鳍片部16隔开的水流控制板19。由此，能够容易地形成头部18。
<实施方式2>
图3是表示本发明的实施方式2涉及的半导体装置(冷却器一体型模块)的结构的剖视图，图4是表示该半导体装置的一部分的结构的俯视图。以下，针对本实施方式2涉及的半导体装置中的与实施方式1相同或相似的结构要素标注相同的参照标号，主要针对不同的结构要素进行说明。
本实施方式2涉及的半导体装置除了实施方式1的结构要素以外，还具备作为外周框的鳍片外周框22。
鳍片外周框22与导热性基座板11的下表面连接，并且将鳍片部16的周围包围。鳍片外周框22的高度与鳍片部16的高度相同，鳍片外周框22的下部以及鳍片部16的下部与水流控制板19连接(接合)。根据上述鳍片外周框22，能够将鳍片部16周边的冷却水封闭起来。此外，鳍片外周框22的材质也可以与鳍片部16的材质相同。
水流控制板19的上表面与鳍片外周框22以及鳍片部16连接(接合)，水流控制板19的下表面与冷却部件17的上部连接(接合)。由此，头部18以及储水室20由水流控制板19和冷却部件17构成。
在水流控制板19设置有能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的狭缝23a、以及能够使冷却水从鳍片部16流通至储水室20的狭缝23b。此外，狭缝23a、23b以分别与鳍片部16的一端部以及另一端部接近的方式配置。
并且，水流控制板19的面积大于在俯视观察时鳍片外周框22所包围部分的面积、以及在俯视观察时冷却部件17的外周部(上部)所包围部分的面积中的每一者。
<实施方式2的汇总>
根据上述本实施方式2，具备与实施方式1相同的头部18。因此，根据本实施方式2，与实施方式1同样地，从头部18向鳍片部16流出的冷却水以被均流化的状态与鳍片部16进行碰撞，因此能够提高冷却性能(例如冷却的均匀性以及稳定性等)。
另外，在本实施方式2中，水流控制板19的面积大于在俯视观察时鳍片外周框22所包围部分的面积、以及在俯视观察时冷却部件17的外周部所包围部分的面积中的每一者。由此，能够将水流控制板19与冷却部件17之间的平面方向的间隙消除。其结果，能够更高效地对鳍片部16乃至半导体元件14进行冷却，因此能够进一步提高冷却性能。
<实施方式3>
图5是表示本发明的实施方式3涉及的半导体装置(冷却器一体型模块)的结构的剖视图，图6是表示该半导体装置的一部分的结构的俯视图。以下，针对本实施方式3涉及的半导体装置中的与实施方式1相同或相似的结构要素标注相同的参照标号，主要针对不同的结构要素进行说明。
在实施方式2中，具备鳍片外周框22，但在本实施方式3中，取代鳍片外周框22而使用水流控制板19的端部19a。
具体而言，在本实施方式3中，水流控制板19的上表面与鳍片部16连接(接合)，水流控制板19的下表面与冷却部件17的上部连接(接合)。由此，头部18以及储水室20由水流控制板19和冷却部件17构成。
在水流控制板19设置有能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的狭缝23a、以及能够使冷却水从鳍片部16流通至储水室20的狭缝23b。此外，狭缝23a、23b以分别与鳍片部16的一端部以及另一端部接近的方式配置。
水流控制板19的面积大于在俯视观察时冷却部件17的外周部(上部)所包围部分的面积。并且，水流控制板19的端部19a向导热性基座板11侧弯折而与导热性基座板11连接，并且将鳍片部16的周围包围。
<实施方式3的汇总>
根据上述本实施方式3，具备与实施方式1相同的头部18，因此，与实施方式1同样地，能够提高冷却性能(例如冷却的均匀性以及稳定性等)。另外，与实施方式2同样地，能够将水流控制板19与冷却部件17之间的平面方向的间隙消除。
此外，在本实施方式3中，水流控制板19的端部19a向导热性基座板11侧弯折而与导热性基座板11连接，并且将鳍片部16的周围包围。由此，不需要具备实施方式2中说明的鳍片外周框22，因此能够减少部件个数以及接合工序。
<实施方式4>
图7是表示本发明的实施方式4涉及的半导体装置(冷却器一体型模块)的结构的剖视图，图8是表示该半导体装置的一部分的结构的俯视图。以下，针对本实施方式4涉及的半导体装置中的与实施方式1相同或相似的结构要素标注相同的参照标号，主要针对不同的结构要素进行说明。
在实施方式3中取代鳍片外周框22而使用了水流控制板19的端部19a(图5)，但在本实施方式4中，取代鳍片外周框22而使用导热性基座板11的端部11a(图8)。
具体而言，在本实施方式4中，水流控制板19的上表面与鳍片部16连接(接合)，水流控制板19的下表面与冷却部件17的上部连接(接合)。由此，头部18以及储水室20由水流控制板19和冷却部件17构成。
在水流控制板19设置有能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的狭缝23a、以及能够使冷却水从鳍片部16流通至储水室20的狭缝23b。此外，狭缝23a、23b以分别与鳍片部16的一端部以及另一端部接近的方式配置。
水流控制板19的面积大于在俯视观察时冷却部件17的外周部(上部)所包围部分的面积。并且，导热性基座板11的端部11a向水流控制板19侧弯折而与水流控制板19连接，并且将鳍片部16的周围包围。
<实施方式4的汇总>
根据上述本实施方式4，具备与实施方式1相同的头部18，因此，与实施方式1同样地，能够提高冷却性能(例如冷却的均匀性以及稳定性等)。另外，与实施方式2同样地，能够将水流控制板19与冷却部件17之间的平面方向的间隙消除。
此外，在本实施方式4中，导热性基座板11的端部11a向水流控制板19侧弯折而与水流控制板19连接，并且将鳍片部16的周围包围。由此，不需要具备实施方式2中说明的鳍片外周框22，因此能够减少部件个数以及接合工序。
<实施方式5>
图9是表示本发明的实施方式5涉及的半导体装置(冷却器一体型模块)的结构的剖视图，图10是表示该半导体装置的一部分的结构的仰视图。以下，针对本实施方式5涉及的半导体装置中的与实施方式1相同或相似的结构要素标注相同的参照标号，主要针对不同的结构要素进行说明。
在本实施方式5中，流入口17a设置于导热性基座板11的下方。水流控制部件24以将导热性基座板11中的位于流入口17a上方的部分即上方部分11b包围的方式垂直地与导热性基座板11的下表面连接(接合)。并且，水流控制部件24的下部与冷却部件17的底面连接(接合)。由此，头部18由上方部分11b、水流控制部件24和冷却部件17构成。
此外，水流控制部件24由在导热性基座板11的面方向上以大致Y字状延伸的4个延伸部分构成。并且，4个延伸部分不仅具有用于将头部18包围的部分(在图10中，与大致四边形的四边对应地设置的部分)，还具备用于使来自头部18的冷却水遍布至鳍片部16的各个角落的部分(在图10中，与导热性基座板11的对角线大致对应地设置的部分)。
在导热性基座板11的除了上方部分11b以外的部分设置有鳍片部16。另一方面，在导热性基座板11的上方部分11b(头部18)未设置鳍片部16、或者设置有比鳍片部16低的鳍片部(未图示)。
在这里，在本实施方式5中，使用半导体装置的情况下的第2半导体元件14b的发热大于第1半导体元件14a的发热。并且，在水流控制部件24设置有第1狭缝25a，该第1狭缝25a能够使冷却水从头部18流通至在第1半导体元件14a的下方设置的鳍片部16。另外，在水流控制部件24设置有第2狭缝25b，该第2狭缝25b能够使冷却水从头部18流通至在第2半导体元件14b的下方设置的鳍片部16。在这里，第2狭缝25b的宽度大于第1狭缝25a的宽度。
<实施方式5的汇总>
根据上述本实施方式5，具备与实施方式1相同的头部18，因此，与实施方式1同样地，能够提高冷却性能(例如冷却的均匀性以及稳定性等)。
另外，在实施方式1～4中，头部18设置于鳍片部16的下侧，与此相对，在本实施方式5中，头部18设置于鳍片部16的横向侧。由此，能够减小半导体装置(模块)整体在厚度方向上的尺寸，因此能够期待半导体装置(模块)的小型化。
另外，根据本实施方式5，与发热较大的第2半导体元件14b对应的第2狭缝25b的宽度大于与发热较小的第1半导体元件14a对应的第1狭缝25a的宽度。根据上述结构，通过对第1以及第2狭缝25a、25b的宽度进行调整，从而能够使第2半导体元件14b侧的冷却能力高于第1半导体元件14a侧的冷却能力，因此能够使针对第1半导体元件14a以及第2半导体元件14b的冷却性能变得适当。
例如，在本实施方式5涉及的半导体装置是由Si-IGBT(绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor))和SiC-SBD(肖特基势垒二极管(SchottkyBarrier Diode))构成的混合模块的情况下，发热量较小的SiC-SBD用作第1半导体元件14a，发热量较大的Si-IGBT用作第2半导体元件14b。在该情况下，Si-IGBT的第2狭缝25b的宽度大于SiC-SBD的第1狭缝25a的宽度，因此能够使模块整体的冷却变得适当。
<实施方式6>
图11是表示本发明的实施方式6涉及的半导体装置(冷却器一体型模块)的结构的剖视图，图12是表示该半导体装置的一部分的结构的俯视图。以下，针对本实施方式6涉及的半导体装置中的与实施方式1相同或相似的结构要素标注相同的参照标号，主要针对不同的结构要素进行说明。
本实施方式6涉及的半导体装置不具备水流控制板19和水流控制部件24这两者。另外，头部18设置于冷却部件17的外侧。具体而言，头部18设置于流入口17a与冷却部件17的连接至流入口17a的底面之间。并且，在冷却部件17的该底面设置有能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的多个通水用孔17c。
<实施方式6的汇总>
根据上述本实施方式6，具备与实施方式1相同的头部18，因此，与实施方式1同样地，能够提高冷却性能(例如冷却的均匀性以及稳定性等)。
另外，在本实施方式6中，在冷却部件17的规定出头部18的底面设置有能够使冷却水从头部18流通至鳍片部16的多个通水用孔17c。根据上述结构，通过将头部18以及通水用孔17c设置于所期望的区域，从而能够优先地对所期望的区域进行冷却。例如，通过将头部18以及通水用孔17c设置于发热大的半导体元件14的设置区域的下方，从而能够高效地对半导体装置(模块)整体进行冷却。
<变形例>
在上述中，也可以将刚性高的材料(Cu或Al合金)用于导热性基座板11(实施方式1～6)、水流控制板19(实施方式1～4)、鳍片外周框22(实施方式2)以及水流控制部件24(实施方式6)中的至少任一者。根据上述结构，能够使由刚性高的材料构成的结构要素具有作为梁的功能，能够提高半导体装置(模块)整体的刚性。因此，作为冷却部件17的材料，可以使用刚性较低但能够轻量化的树脂类材料。其结果，半导体装置(模块)的低廉化、轻量化以及小型化变容易。特别是，在将绝缘性高的树脂用作冷却部件17的材料的情况下，与现有的金属制的冷却部件相比，能够将绝缘距离设计得短，因此能够实现半导体装置的进一步小型化。
另外，鳍片部16和导热性基座板11也可以通过未图示的例如Ag等接合部件进行连接。根据上述结构，除了鳍片部16以外能够通用化，每次都能够将最佳的鳍片应用于鳍片部16。因此，能够实现可根据半导体元件14的发热状况而实施适当的冷却的半导体装置。但是，在不需要该效果的情况等下，也可以对导热性基座板11的一部分进行加工而形成鳍片部16。
另外，如上说明的半导体装置既可以设置于逆变器装置，也可以设置于汽车(例如能够进行电动机驱动的汽车中的电动机控制电路)。由此，能够将提高了冷却性能的半导体装置用于逆变器装置以及汽车的半导体装置。
此外，本发明能够在该发明的范围内对各实施方式及各变形例自由地进行组合，或者对各实施方式以及各变形例适当地进行变形、省略。
对本发明进行了详细说明，但上述说明在所有方面都为例示，本发明并不限定于此。可以理解为在不脱离本发明的范围的情况下能够想到未例示出的无数的变形例。
标号的说明
11导热性基座板，11b上方部分，14半导体元件，14a第1半导体元件，14b第2半导体元件，16鳍片部，17冷却部件，17a流入口，17b流出口，17c通水用孔，18头部，19水流控制板，22鳍片外周框，23a狭缝，24水流控制部件，25a第1狭缝，25b第2狭缝。
Claims (8)
1.一种半导体装置，其具备：
半导体元件；
导热性基座板，其设置于所述半导体元件的下方；
鳍片部，其包含与所述导热性基座板的下表面连接的多个凸起部；
冷却部件，其与供朝向所述鳍片部的冷媒流入的流入口、以及使来自所述鳍片部的冷媒流出的流出口连接，且所述冷却部件将所述鳍片部覆盖；以及
头部，其是设置于所述流入口与所述鳍片部之间，被以能够使冷媒从所述流入口流通至所述鳍片部的方式与所述鳍片部局部地隔开的储水室，
所述半导体装置还具备水流控制部件，该水流控制部件与所述鳍片部或所述导热性基座板连接，该水流控制部件以能够使冷媒从所述头部流通至所述鳍片部的方式将所述头部和所述鳍片部局部地隔开，
所述流入口设置于所述导热性基座板的下方，
所述水流控制部件以将所述导热性基座板中的位于所述流入口上方的部分即上方部分包围的方式垂直地与所述导热性基座板的下表面连接，
所述头部由所述上方部分、所述水流控制部件和所述冷却部件构成，
在所述导热性基座板的除了所述上方部分以外的部分设置有所述鳍片部，
在所述导热性基座板的所述上方部分未设置所述鳍片部、或者设置有比所述鳍片部低的鳍片部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述鳍片部设置于所述流入口以及所述流出口中的至少任一者与所述导热性基座板之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述水流控制部件设置有：
第1狭缝，其能够使冷媒从所述头部流通至在第1所述半导体元件的下方设置的所述鳍片部；以及
第2狭缝，其能够使冷媒从所述头部流通至在与所述第1半导体元件相比发热大的第2所述半导体元件的下方设置的所述鳍片部，
所述第2狭缝的宽度大于所述第1狭缝的宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述鳍片部的所述凸起部是针式鳍片以及板状的鳍片中的至少任一者。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件由宽带隙半导体构成。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述鳍片部和所述导热性基座板通过接合部件进行连接。
7.一种逆变器装置，其具备权利要求1至3中任一项所述的半导体装置。
8.一种汽车，其具备权利要求1至3中任一项所述的半导体装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2015/083007 WO2017090106A1 (ja) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 半導体装置、インバータ装置及び自動車 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108292640A CN108292640A (zh) | 2018-07-17 |
| CN108292640B true CN108292640B (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=58763309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580084694.4A Active CN108292640B (zh) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 半导体装置、逆变器装置及汽车 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10388589B2 (zh) |
| JP (1) | JP6463505B2 (zh) |
| CN (1) | CN108292640B (zh) |
| DE (1) | DE112015007145T5 (zh) |
| WO (1) | WO2017090106A1 (zh) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10331182B2 (en) * | 2015-07-31 | 2019-06-25 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Heat exchangers |
| US11268505B2 (en) * | 2016-11-14 | 2022-03-08 | Ihi Corporation | Electric compressor |
| DE102017101126B4 (de) * | 2017-01-20 | 2021-08-19 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungselektroniksystem und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US10950522B2 (en) * | 2017-02-13 | 2021-03-16 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device |
| CN107316852B (zh) * | 2017-08-08 | 2019-09-27 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体器件的散热结构及半导体器件 |
| JP7033443B2 (ja) * | 2017-12-05 | 2022-03-10 | 昭和電工株式会社 | 半導体冷却装置 |
| USD920242S1 (en) * | 2018-04-13 | 2021-05-25 | Abb Power Grids Switzerland Ag | Transformer monitor |
| USD887355S1 (en) * | 2018-04-20 | 2020-06-16 | Delta Electronics, Inc. | Inverter |
| CN110531571B (zh) * | 2018-05-24 | 2021-08-24 | 中强光电股份有限公司 | 液冷式散热器 |
| USD914594S1 (en) * | 2018-06-08 | 2021-03-30 | Siemens Ltd., China | Automation demo case |
| USD894833S1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-09-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Inverter |
| USD889405S1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-07-07 | Hevo, Inc. | Inverter component of a charging system |
| US11129310B2 (en) * | 2018-11-22 | 2021-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, vehicle and manufacturing method |
| USD896753S1 (en) * | 2018-12-31 | 2020-09-22 | Panoramic Power Ltd. | Modularly connecting bridge, meter and power supply unit assembly |
| DE102019200142A1 (de) * | 2019-01-08 | 2020-07-09 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Kühleinheit zur Abfuhr von Abwärme von zumindest einem Leistungsbauteil |
| JP7257893B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2023-04-14 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| CN110377130B (zh) * | 2019-07-04 | 2024-04-26 | 东莞市冰点智能科技有限公司 | 一种新型水冷散热器 |
| DE102020207947A1 (de) * | 2019-11-25 | 2021-05-27 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Kühlanordnung für elektronische Komponenten eines Kraftfahrzeugs und Herstellungsverfahren dafür |
| WO2021155018A1 (en) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | Colorado State University Research Foundation | Jet impingement cooling devices, systems, and methods |
| JP7474629B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-04-25 | 株式会社フジクラ | コールドプレート |
| JP7380417B2 (ja) * | 2020-05-21 | 2023-11-15 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| CN114121849A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 讯凯国际股份有限公司 | 水冷散热装置及其制造方法 |
| US11482482B2 (en) * | 2020-09-11 | 2022-10-25 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structures, methods for forming the same and semiconductor device structures comprising the same |
| CN113377180A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-10 | 英业达科技有限公司 | 液冷式散热器 |
| US20230284414A1 (en) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | Aavid Thermalloy, Llc | Liquid cooled heat exchanger |
| WO2023171529A1 (ja) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | ニデック株式会社 | 冷却装置、放熱部材、および半導体モジュール |
| JP2023150887A (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-16 | 三菱重工業株式会社 | 冷却装置 |
| CN114975405B (zh) * | 2022-05-27 | 2024-06-07 | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 | 一种晶圆封装***及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5316075A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | Liquid jet cold plate for impingement cooling |
| CN101682268A (zh) * | 2007-06-11 | 2010-03-24 | 三菱电机株式会社 | 功率转换装置 |
| JP6471156B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2019-02-13 | オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド | 照明システムのための電力線通信 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1071156A (en) * | 1911-12-21 | 1913-08-26 | John Haug | Internal-combustion engine. |
| JPH0783078B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体冷却装置 |
| JPH11204700A (ja) | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Hitachi Ltd | 放熱フィン一体型パワーモジュール |
| JPH11297906A (ja) | 1998-03-23 | 1999-10-29 | Motorola Inc | 電子アセンブリおよび製造方法 |
| US20040217472A1 (en) * | 2001-02-16 | 2004-11-04 | Integral Technologies, Inc. | Low cost chip carrier with integrated antenna, heat sink, or EMI shielding functions manufactured from conductive loaded resin-based materials |
| JP4138562B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2008-08-27 | 株式会社日立製作所 | 車両用インバータ装置及びそれを搭載した電動車両 |
| JP4600199B2 (ja) | 2005-07-29 | 2010-12-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 冷却器及びパワーモジュール |
| JP4672529B2 (ja) | 2005-11-14 | 2011-04-20 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却装置 |
| JP5024600B2 (ja) | 2007-01-11 | 2012-09-12 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 発熱体冷却構造及びその構造を備えた駆動装置 |
| US20080230208A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Claus Nygaard Rasmussen | Liquid Cooling System Cold Plate Assembly |
| US9453691B2 (en) * | 2007-08-09 | 2016-09-27 | Coolit Systems, Inc. | Fluid heat exchange systems |
| US7834448B2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-11-16 | Delphi Technologies, Inc. | Fluid cooled semiconductor power module having double-sided cooling |
| US20090114373A1 (en) | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Calsonic Kansei Corporation | Heat exchanger |
| CN101426359B (zh) * | 2007-11-02 | 2013-07-03 | 康奈可关精株式会社 | 换热器 |
| US8210243B2 (en) * | 2008-07-21 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | Structure and apparatus for cooling integrated circuits using cooper microchannels |
| JP5013213B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-08-29 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 発熱体冷却装置 |
| US7952875B2 (en) * | 2009-05-29 | 2011-05-31 | GM Global Technology Operations LLC | Stacked busbar assembly with integrated cooling |
| CN102576697B (zh) * | 2009-10-22 | 2014-11-12 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板、带散热器的功率模块用基板、功率模块、功率模块用基板的制造方法及带散热器的功率模块用基板的制造方法 |
| US8243451B2 (en) * | 2010-06-08 | 2012-08-14 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Cooling member for heat containing device |
| EP2468170A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Electrolux Home Products Corporation N.V. | Dishwasher spray arm support integral to sump structure |
| US20120175094A1 (en) * | 2011-01-10 | 2012-07-12 | Asetek A/S | Liquid Cooling System Cold Plate Assembly |
| US9237676B2 (en) * | 2011-04-26 | 2016-01-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module cooler and semiconductor module |
| JPWO2012157247A1 (ja) * | 2011-05-16 | 2014-07-31 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール用冷却器 |
| US8526186B2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Electronic assembly including die on substrate with heat spreader having an open window on the die |
| US9355986B2 (en) * | 2012-02-14 | 2016-05-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Solder joint structure, power module, power module substrate with heat sink and method of manufacturing the same, and paste for forming solder base layer |
| US9219022B2 (en) * | 2012-03-08 | 2015-12-22 | International Business Machines Corporation | Cold plate with combined inclined impingement and ribbed channels |
| JP6060553B2 (ja) * | 2012-04-06 | 2017-01-18 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
| KR101540146B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2015-07-28 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈용 방열 시스템 |
| US20140004376A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Robert J. Gaster | Hard-faced composite article |
| CN104247009A (zh) * | 2012-09-19 | 2014-12-24 | 富士电机株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
| JP2014082311A (ja) | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Toyota Motor Corp | 衝突噴流冷却器およびその製造方法 |
| JP2014135396A (ja) | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Fujitsu Ltd | 冷却ヘッド及び電子機器 |
| JP6164304B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2017-07-19 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール用冷却器の製造方法、半導体モジュール用冷却器、半導体モジュール及び電気駆動車両 |
| WO2015093169A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電気駆動車両 |
| US9282681B2 (en) * | 2014-01-21 | 2016-03-08 | Seagate Technology Llc | Dissipating heat during device operation |
| CN105814685B (zh) * | 2014-05-20 | 2018-07-13 | 富士电机株式会社 | 半导体模块用冷却器及其制造方法 |
| JP6318857B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2018-05-09 | 富士通株式会社 | ヒートシンク及び基板ユニット |
| JP6315091B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2018-04-25 | 富士電機株式会社 | 冷却器及び冷却器の固定方法 |
| CN107210278B (zh) * | 2015-01-22 | 2020-06-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JP6351804B1 (ja) * | 2017-07-06 | 2018-07-04 | 株式会社ケーヒン | 電力変換装置 |
-
2015
- 2015-11-25 CN CN201580084694.4A patent/CN108292640B/zh active Active
- 2015-11-25 US US15/742,536 patent/US10388589B2/en active Active
- 2015-11-25 DE DE112015007145.8T patent/DE112015007145T5/de active Pending
- 2015-11-25 WO PCT/JP2015/083007 patent/WO2017090106A1/ja active Application Filing
- 2015-11-25 JP JP2017552574A patent/JP6463505B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5316075A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | Liquid jet cold plate for impingement cooling |
| CN101682268A (zh) * | 2007-06-11 | 2010-03-24 | 三菱电机株式会社 | 功率转换装置 |
| JP6471156B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2019-02-13 | オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド | 照明システムのための電力線通信 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112015007145T5 (de) | 2018-08-30 |
| JP6463505B2 (ja) | 2019-02-06 |
| JPWO2017090106A1 (ja) | 2018-02-08 |
| US20180204784A1 (en) | 2018-07-19 |
| CN108292640A (zh) | 2018-07-17 |
| US10388589B2 (en) | 2019-08-20 |
| WO2017090106A1 (ja) | 2017-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108292640B (zh) | 半导体装置、逆变器装置及汽车 | |
| JP5900610B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置用冷却器 | |
| EP3454367B1 (en) | Semiconductor module | |
| EP2546869A1 (en) | Semiconductor device, and process for manufacture of semiconductor device | |
| JP5114323B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP7062082B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6932632B2 (ja) | 液冷式冷却装置 | |
| JP2015159149A (ja) | 冷却装置及び半導体装置 | |
| JP6834815B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| JP6922450B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| US20140373557A1 (en) | Temperature control device | |
| CN112908951A (zh) | 半导体冷却装置 | |
| JP7367394B2 (ja) | 半導体モジュール、車両および製造方法 | |
| JP7023349B2 (ja) | 液冷式冷却器 | |
| JP7160216B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPWO2016016985A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5065202B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2018182143A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5834758B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| JP2021132111A (ja) | 半導体モジュール | |
| JP2020061395A (ja) | ヒートシンク | |
| JP2017163109A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008218828A (ja) | 冷却装置及び冷却装置付半導体装置 | |
| CN109671687B (zh) | 功率模块 | |
| JP7178978B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |