CN108234947B - 多画面图像阵列显示*** - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种多画面图像阵列显示***，包括一体化摄像装置、多个数据接收模块、存储模块、微处理器、显示控制模块、显示器接口模块、显示器和电源保护电路，一体化摄像装置包括电源供电电路和多个摄像头，多个摄像头均与电源供电电路连接，存储模块用于存储预先设定的图像阵列值；电源供电电路包括正极输入端、负极输入端、正极输出端、负极输出端、第一二极管、第一电阻、第二电阻、第二稳压二极管、第一三极管、第三电阻、第一电容、第四电阻、第二三极管、第三稳压二极管和第一MOS管。本发明接线方便简单、能将多个画面以阵列方式进行显示、电路结构较为简单、成本较低、电路的安全性和可靠性较高。

Description

多画面图像阵列显示***

技术领域

本发明涉及图像显示领域，特别涉及一种多画面图像阵列显示***。

背景技术

目前，摄像头主要通过USB(Universal Serial Bus)接口、Ethernet接口或者MIPICSI(Mobile Industry Processor Interface Camera Serial Interface)接口、并行接口、MIPI接口(Mobile Industry Processor Interface，移动产业处理器接口)等，将采集的图像传输给服务器(该服务器可以是Linux操作***，也可以是Windows操作***)。在一些应用场景中，例如自动驾驶领域，往往会在车辆上安装数量较多(例如9路，甚至十几路)的摄像头用于采集环境图像数据，安装太多的摄像头不仅接线复杂，还会造成成本的浪费。传统的图像采集显示***中只能将摄像头采集的图像进行单独显示，不能将多个摄像头采集的图像以阵列方式进行显示。另外，传统的图像采集显示***中的供电部分的电路结构复杂，硬件成本较高。且由于传统的图像采集***中的供电部分缺少相应的电路保护功能，造成电路的安全性和可靠性不高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种接线方便简单、能将多个画面以阵列方式进行显示、电路结构较为简单、成本较低、电路的安全性和可靠性较高的多画面图像阵列显示***。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种多画面图像阵列显示***，包括一体化摄像装置、多个数据接收模块、存储模块、微处理器、显示控制模块、显示器接口模块、显示器和电源保护电路，所述一体化摄像装置包括电源供电电路和多个摄像头，多个所述摄像头均与所述电源供电电路连接，所述存储模块与所述微处理器连接、用于存储预先设定的图像阵列值，每个所述数据接收模块获取与其连接的所述摄像头采集的原始图像，并将所述原始图像发送给所述微处理器，所述显示器接口模块获取所述显示器的参数并将其发送给所述微处理器，所述微处理器将所述预先设定的图像阵列值和显示器的参数发送给所述显示控制模块，所述显示控制模块计算图像缩放比例系数，所述微处理器控制每个所述原始图像按照所述图像缩放比例系数进行缩放后得到已处理图像，并将每个所述已处理图像通过所述显示器接口模块发送到所述显示器，并在所述显示器上以阵列排列方式进行显示，所述电源保护电路与所述微处理器连接、用于进行电源的保护；

所述电源供电电路包括正极输入端、负极输入端、正极输出端、负极输出端、第一二极管、第一电阻、第二电阻、第二稳压二极管、第一三极管、第三电阻、第一电容、第四电阻、第二三极管、第三稳压二极管和第一MOS管，所述第一二极管的阴极与所述正极输入端连接，所述第一二极管的阳极与所述负极输入端连接，所述第一二极管的阴极还分别与所述第一电阻的一端和第二稳压二极管的阴极连接，所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻的另一端和第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述负极输入端连接，所述第一三极管的发射极分别与所述第二稳压二极管的阳极和第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述负极输入端连接；

所述第一三极管的集电极通过所述第一电容分别与所述第四电阻的一端和第二三极管的基极连接，所述第四电阻的另一端和第二三极管的发射极均与所述负极输入端连接，所述第二三极管的集电极分别与所述第三稳压二极管的阴极、第一MOS管的栅极、第二稳压二极管的阴极和正极输出端连接，所述第三稳压二极管的阳极和第一MOS管的源极均与所述负极输入端连接，所述第一MOS管的漏极与所述负极输出端连接，所述第一电容的电容值为500pF。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源供电电路还包括第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述第二稳压二极管的阴极连接，所述第四二极管的阴极与所述负极输出端连接，所述第四二极管的型号为S-562。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源供电电路还包括第二电容，所述第二电容的一端与所述第二三极管的集电极连接，所述第二电容的另一端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二电容的电容值为460pF。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源供电电路还包括第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二三极管的发射极连接，所述第五电阻的另一端与所述负极输入端连接，所述第五电阻的阻值为33kΩ。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第二三极管为NPN型三极管，所述第一MOS管为N沟道MOS管。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源保护电路包括直流电源、继电器、第三三极管、第四三极管、第二MOS管、第六电阻、第七电阻、第八滑动变阻器、第三电容、第四电容、发光二极管和电压输出端，所述继电器的动触点与所述直流电源连接，所述继电器的一个静触点分别与所述第三三极管的集电极和第四电容的一端连接，所述第三三极管的发射极与所述继电器的线圈的一端连接，所述继电器的线圈的另一端接地，所述第三三极管的基极分别与所述第四电容的另一端和第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端接地，所述第八滑动变阻器的一个固定端分别与所述第四电容的一端、第二MOS管的漏极、第四三极管的集电极和第三电容的一端连接，所述第八滑动变阻器的另一个固定端和滑动端均分别与所述第七电阻的一端和第四三极管的基极连接，所述第七电阻的另一端接地，所述第四三极管的发射极与所述电源输出端连接，所述第二MOS管的栅极分别与所述第三电容的一端和发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极接地，所述第二MOS管的源极与所述电压输出端连接，所述第三电容的电容值为300pF，所述第四电容的电容值为450pF。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源保护电路还包括第五二极管，所述第五二极管的阳极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第五二极管的阴极与所述第四三极管的集电极连接，所述第五二极管的型号为e-501。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源保护电路还包括第九电阻，所述第九电阻的一端与所述第四三极管的发射极连接，所述第九电阻的另一端与所述电压输出端连接，所述第九电阻的阻值为36kΩ。

在本发明所述的多画面图像阵列显示***中，所述电源保护电路还包括第五电容，所述第五电容的一端与所述第七电阻的一端连接，所述第五电容的另一端与所述第四三极管的基极连接，所述第五电容的电容值为500pF。

实施本发明的多画面图像阵列显示***，具有以下有益效果：由于设有包括一体化摄像装置、多个数据接收模块，显示器可以将多个图像以阵列排列方式进行显示，将多个摄像头做成一体化的摄像装置，这样不仅可以节省成本，还能减少布线的复杂性，电源供电电路包括正极输入端、负极输入端、正极输出端、负极输出端、第一二极管、第一电阻、第二电阻、第二稳压二极管、第一三极管、第三电阻、第一电容、第四电阻、第二三极管、第三稳压二极管和第一MOS管，该电源供电电路相对于传统的供电电路，其使用的元器件较少，这样可以降低硬件成本，另外，第一电容用于防止第一三极管与第二三极管之间的干扰，因此接线方便简单、能将多个画面以阵列方式进行显示、电路结构较为简单、成本较低、电路的安全性和可靠性较高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明多画面图像阵列显示***一个实施例中的结构示意图；

图2为所述实施例中电源供电电路的电路原理图；

图3为所述实施例中电源保护电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明多画面图像阵列显示***实施例中，该多画面图像阵列显示***的结构示意图如图1所示。图1中，该多画面图像阵列显示***包括一体化摄像装置1、多个数据接收模块2、存储模块3、微处理器4、显示控制模块5、显示器接口模块6、显示器7和电源保护电路8，其中，一体化摄像装置1包括电源供电电路11和多个摄像头12，多个摄像头12均与电源供电电路11连接，将多个摄像头12做成一体化的摄像装置1，这样不仅可以节省成本，还能减少布线的复杂性，接线方便简单。存储模块3与微处理器4连接、用于存储预先设定的图像阵列值。存储模块3可以采用位映射方式，以行扫描顺序存储图像数据，自左向右，从上而下将图像的每个像素顺序存储在字节矩阵中，对单色图像，每个字节可存放8个像素的数据。

数据接收模块2的数量与摄像头12的数量是相等的，每个数据接收模块2均与对应的摄像头12连接，每个数据接收模块2获取与其连接的摄像头12采集的原始图像，并将原始图像发送给微处理器4，显示器接口模块6获取显示器7的参数，并将显示器7的参数发送给微处理器4，显示器7的参数包括显示器7的最高分辨率、屏幕宽度和高度，显示器7的参数通过外部显示设备标识数据获取。

微处理器4将预先设定的图像阵列值和显示器7的参数发送给显示控制模块5，显示控制模块5计算图像缩放比例系数，微处理器4从显示控制模块5获取该图像缩放比例系数，并控制每个原始图像按照该图像缩放比例系数进行缩放后得到已处理图像，微处理器4将每个已处理图像通过显示器接口模块6发送到显示器7，并在显示器7上以阵列排列方式进行显示，阵列排列方式是按照预先设定的图像阵列值进行排列的，电源保护电路8与微处理器4连接、用于进行电源的保护。

本发明按原始图像与显示器7的综合参数比例缩放图像，在水平方向按比例缩放相应的倍数，在竖直方向方向按比例缩放相应的倍数，从而获得一幅新的图像，该图像为原始图像的缩略图，并且大小正好能在显示器7中全部显示。本发明通过显示器7的参数和预先设定的图像阵列值计算图像缩放比例系数，按照图像缩放比例系数显示图像，使图像能够根据显示器7的参数缩小一定比例且正好按阵列排列方式显示在显示器7上。因此本发明能将多个画面以阵列方式进行显示。

图2为本实施例中电源供电电路的电路原理图，图2中，该电源供电电路11包括正极输入端Vin+、负极输入端Vin-、正极输出端Vo+、负极输出端Vo-、第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二稳压二极管D2、第一三极管Q1、第三电阻R3、第一电容C1、第四电阻R4、第二三极管Q2、第三稳压二极管D3和第一MOS管M1，其中，第一二极管D1的阴极与正极输入端Vin+连接，第一二极管D1的阳极与负极输入端Vin-连接，第一二极管D1的阴极还分别与第一电阻R1的一端和第二稳压二极管D2的阴极连接，第一三极管Q1的基极分别与第一电阻R1的另一端和第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与负极输入端Vin-连接，第一三极管Q1的发射极分别与第二稳压二极管D2的阳极和第三电阻R3的一端连接，第三电阻R3的另一端与负极输入端Vin-连接。

第一三极管Q1的集电极通过第一电容C1分别与第四电阻R4的一端和第二三极管Q2的基极连接，第四电阻R4的另一端和第二三极管Q2的发射极均与负极输入端Vin-连接，第二三极管Q2的集电极分别与第三稳压二极管D3的阴极、第一MOS管M1的栅极、第二稳压二极管D2的阴极和正极输出端Vo+连接，第三稳压二极管D3的阳极和第一MOS管M1的源极均与负极输入端Vin-连接，第一MOS管M1的漏极与负极输出端Vo-连接。

该电源供电电路11相对于传统的供电电路，其使用的元器件较少，电路结构较为简单，这样可以降低硬件成本。第一电容C1为耦合电容，用于防止第一三极管Q1与第二三极管Q2之间的干扰，因此电路的安全性和可靠性较高。值得一提的是，本实施例中，第一电容C1的电容值为500pF，当然，在实际应用中，第一电容C1的电容值还可以根据具体情况进行相应调整。

第一二极管D1与直流输入电源并联，当直流输入电源接反时，即正极输入端Vin+连接直流输入电源负极，负极输入端Vin-连接直流输入电源正极，此时，第一二极管D1导通，产生很大的短路电流，促使直流输入电源过流保护，或烧断电路中的保险丝来提醒使用者，该第一二极管D1在正常工作时反向截止，***效率损失为零，由于没有串入电路中，故不产生压降，也就不产生损耗，这样输入的反压就不会损坏后续的开关电源。

第二稳压二极管D2通过第三电阻R3获得工作电流，仍处于稳压状态，而第一电阻R1的端电压为第一电阻R1和第二电阻R2的分压所得，不足以使得第一三极管Q1的基极至发射极导通，第一三极管Q1截止，那么，由于第四电阻R4的存在，起到下拉作用，第一三极管Q1的集电极输出低电平，这时第二三极管Q2处于截止状态，第三稳压二极管D3的稳压电压大第一MOS管M1的开启电压V_GS，第一MOS管M1处于饱和导通状态，那么这时直流输入电源的电压全部加到正极输出端Vo+和负极输出端Vo-上，后续的开关电源电路得电正常工作。根据上述工作状态，第一MOS管M1是串联在正极输入端Vin+到负极输出端Vo-的回路中，即通常所说的地线回路中，可以使用直流输入电源经第三稳压二极管D3直接驱动第一MOS管M1，第一MOS管M1导通后的导通内阻(Rds(ON))极低，***损耗低，正常时静态功耗极低；由于没有使用升压电路，故静态功耗进一步降低。

当直流输入电源出现过压时，第二稳压二极管D2通过第三电阻R3获得工作电流，仍处于稳压状态，而第一电阻R1的端电压为第一电阻R1和第二电阻R2的分压所得，却足以使得第一三极管Q1的基极至发射极导通，第一三极管Q1导通，第一三极管Q1的集电极输出高电平，这时第二三极管Q2处于放大状态第二三极管Q2事实上处于饱和导通状态，第三稳压二极管D3的稳压电压因第二三极管Q2的饱和导通，而等于第二三极管Q2的饱和导通压降，一般小于0.3V，远小于第一MOS管M1的开启电压V_GS，第一MOS管M1处于截止状态，那么这时直流输入电源的电压无法加到正极输出端Vo+和负极输出端Vo-上，后续的开关电源电路因为没有输入电压而停止工作。在过压时，防过压作用的第一MOS管M1因为关断，即截止而不容易损坏。

值得一提的是，本实施例中，第一三极管Q1为PNP型三极管，第二三极管Q2为NPN型三极管，第一MOS管M1为N沟道MOS管。当然，在实际应用中，第一三极管Q1也可以为NPN型三极管，第二三极管Q2也可以为PNP型三极管，第一MOS管M1也可以为P沟道MOS管，但这时电路的结构也要相应发生变化。

本实施例中，该电源供电电路11还包括第四二极管D4，第四二极管D4的阳极与第二稳压二极管D2的阴极连接，第四二极管D4的阴极与负极输出端Vo-连接。第四二极管D4为限流二极管，用于对第一三极管Q1与第二三极管Q2之间的支路进行限流保护，以进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，本实施例中，第四二极管D4的型号为S-562，当然，在实际应用中，第四二极管D4可以选择其他型号具有类似功能的二极管。

本实施例中，该电源供电电路11还包括第二电容C2，第二电容C2的一端与第二三极管Q2的集电极连接，第二电容C2的另一端与第一MOS管M1的栅极连接。第二电容C2为耦合电容，用于防止第二三极管Q2与第一MOS管M1之间的干扰，以更进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，本实施例中，第二电容C2的电容值为460pF，当然，在实际应用中，第二电容C2的电容值可以根据具体情况进行相应调整。

本实施例中，该电源供电电路11还包括第五电阻R5，第五电阻R5的一端与第二三极管Q2的发射极连接，第五电阻R5的另一端与负极输入端Vin-连接。第五电阻R5为限流电阻，用于对第二三极管Q2的发射极电流进行限流保护，以进一步增强限流效果。值得一提的是，本实施例中，第五电阻R5的阻值为33kΩ，当然，在实际应用中，第五电阻R5的阻值可以根据具体情况进行相应调整。

图3为本实施例中电源保护电路的电路原理图，图3中，该电源保护电路6包括直流电源VCC、继电器、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第二MOS管M2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八滑动变阻器R8、第三电容C3、第四电容C4、发光二极管LED和电压输出端OUT，其中，继电器的动触点K-1与直流电源VCC连接，直流电源VCC与微处理器5连接，继电器的一个静触点K-2分别与第三三极管Q3的集电极和第四电容C4的一端连接，第三三极管Q3的发射极与继电器的线圈K的一端连接，继电器的线圈K的另一端接地，第三三极管Q3的基极分别与第四电容C4的另一端和第六电阻R6的一端连接，第六电阻R6的另一端接地，第八滑动变阻器R8的一个固定端分别与第四电容C4的一端、第二MOS管M2的漏极、第四三极管Q4的集电极和第三电容C3的一端连接，第八滑动变阻器R8的另一个固定端和滑动端均分别与第七电阻R7的一端和第四三极管Q4的基极连接，第七电阻R7的另一端接地，第四三极管Q4的发射极与电源输出端OUT连接，第二MOS管M2的栅极分别与第三电容C3的一端和发光二极管LED的阳极连接，发光二极管LED的阴极接地，第二MOS管M2的源极与电压输出端OUT连接。

该电源保护电路6相对于传统的电源电路，其使用的元器件较少，电路结构较为简单，这样可以降低硬件成本。第三电容C3为耦合电容，用于防止第四三极管Q4与第二MOS管M2之间的干扰；第四电容C4为耦合电容，用于防止第三三极管Q3与第二MOS管M2之间的干扰，因此电路的安全性和可靠性较高。值得一提的是，本实施例中，第三电容C3的电容值为300pF，第四电容C4的电容值为450pF，当然，在实际应用中，第三电容C3的电容值和第四电容C4的电容值可以根据具体情况进行相应调整。

本实施例中，该电源保护电路6还包括第五二极管D5，第五二极管D5的阳极与第二MOS管M2的漏极连接，第五二极管D5的阴极与第四三极管Q4的集电极连接。第五二极管D5为限流二极管，用于对第四三极管Q4的集电极电流进行限流保护，以进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，本实施例中，第五二极管D5的型号为e-501，当然，在实际应用中，第五二极管D5也可以选择其他型号具有类似功能的二极管。

本实施例中，该电源保护电路6还包括第九电阻R9，第九电阻R9的一端与第四三极管Q4的发射极连接，第九电阻R9的另一端与电压输出端OUT连接。第九电阻R9为限流电阻，用于对第四三极管Q4的发射极电流进行限流保护，以更进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，本实施例中，第九电阻R9的阻值为36kΩ，当然，在实际应用中，第九电阻R9的阻值可以根据具体情况进行相应调整。

本实施例中，该电源保护电路6还包括第五电容C5，第五电容C5的一端与第七电阻R7的一端连接，第五电容C5的另一端与第四三极管Q4的基极连接。第五电容C5为耦合电容，用于防止第二MOS管M2与第四三极管Q4之间的干扰，以更进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，第五电容C5的电容值为500pF，当然，在实际应用中，第五电容C5的电容值可以根据具体情况进行相应调整。

总之，本实施例中，将多个摄像头12做成一体化的摄像装置1，这样不仅可以节省成本，还能减少布线的复杂性，接线方便简单。显示器7可以将多个图像以阵列排列方式进行显示，该电源供电电路11相对于传统的供电电路，其使用的元器件较少，电路结构较为简单，这样可以降低硬件成本。另外，该电源供电电路11中设有耦合电容，因此电路的安全性和可靠性较高。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种多画面图像阵列显示***，其特征在于，包括一体化摄像装置、多个数据接收模块、存储模块、微处理器、显示控制模块、显示器接口模块、显示器和电源保护电路，所述一体化摄像装置包括电源供电电路和多个摄像头，多个所述摄像头均与所述电源供电电路连接，所述存储模块与所述微处理器连接、用于存储预先设定的图像阵列值，每个所述数据接收模块获取与其连接的所述摄像头采集的原始图像，并将所述原始图像发送给所述微处理器，所述显示器接口模块获取所述显示器的参数并将其发送给所述微处理器，所述微处理器将所述预先设定的图像阵列值和显示器的参数发送给所述显示控制模块，所述显示控制模块计算图像缩放比例系数，所述微处理器控制每个所述原始图像按照所述图像缩放比例系数进行缩放后得到已处理图像，并将每个所述已处理图像通过所述显示器接口模块发送到所述显示器，并在所述显示器上以阵列排列方式进行显示，所述电源保护电路与所述微处理器连接、用于进行电源的保护；

所述电源供电电路包括正极输入端、负极输入端、正极输出端、负极输出端、第一二极管、第一电阻、第二电阻、第二稳压二极管、第一三极管、第三电阻、第一电容、第四电阻、第二三极管、第三稳压二极管和第一MOS管，所述第一二极管的阴极与所述正极输入端连接，所述第一二极管的阳极与所述负极输入端连接，所述第一二极管的阴极还分别与所述第一电阻的一端和第二稳压二极管的阴极连接，所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻的另一端和第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述负极输入端连接，所述第一三极管的发射极分别与所述第二稳压二极管的阳极和第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述负极输入端连接；

所述第一三极管的集电极通过所述第一电容分别与所述第四电阻的一端和第二三极管的基极连接，所述第四电阻的另一端和第二三极管的发射极均与所述负极输入端连接，所述第二三极管的集电极分别与所述第三稳压二极管的阴极、第一MOS管的栅极、第二稳压二极管的阴极和正极输出端连接，所述第三稳压二极管的阳极和第一MOS管的源极均与所述负极输入端连接，所述第一MOS管的漏极与所述负极输出端连接，所述第一电容的电容值为500pF；

所述电源供电电路还包括第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述第二稳压二极管的阴极连接，所述第四二极管的阴极与所述负极输出端连接，所述第四二极管的型号为S-562；

所述电源供电电路还包括第二电容，所述第二电容的一端与所述第二三极管的集电极连接，所述第二电容的另一端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二电容的电容值为460pF。

2.根据权利要求1所述的多画面图像阵列显示***，其特征在于，所述电源供电电路还包括第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二三极管的发射极连接，所述第五电阻的另一端与所述负极输入端连接，所述第五电阻的阻值为33kΩ。

3.根据权利要求1或2所述的多画面图像阵列显示***，其特征在于，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第二三极管为NPN型三极管，所述第一MOS管为N沟道MOS管。

4.根据权利要求1或2所述的多画面图像阵列显示***，其特征在于，所述电源保护电路包括直流电源、继电器、第三三极管、第四三极管、第二MOS管、第六电阻、第七电阻、第八滑动变阻器、第三电容、第四电容、发光二极管和电压输出端，所述继电器的动触点与所述直流电源连接，所述继电器的一个静触点分别与所述第三三极管的集电极和第四电容的一端连接，所述第三三极管的发射极与所述继电器的线圈的一端连接，所述继电器的线圈的另一端接地，所述第三三极管的基极分别与所述第四电容的另一端和第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端接地，所述第八滑动变阻器的一个固定端分别与所述第四电容的一端、第二MOS管的漏极、第四三极管的集电极和第三电容的一端连接，所述第八滑动变阻器的另一个固定端和滑动端均分别与所述第七电阻的一端和第四三极管的基极连接，所述第七电阻的另一端接地，所述第四三极管的发射极与所述电源输出端连接，所述第二MOS管的栅极分别与所述第三电容的一端和发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极接地，所述第二MOS管的源极与所述电压输出端连接，所述第三电容的电容值为300pF，所述第四电容的电容值为450pF。

5.根据权利要求 4所述的多画面图像阵列显示***，其特征在于，所述电源保护电路还包括第五二极管，所述第五二极管的阳极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第五二极管的阴极与所述第四三极管的集电极连接，所述第五二极管的型号为e-501。

6.根据权利要求 5所述的多画面图像阵列显示***，其特征在于，所述电源保护电路还包括第九电阻，所述第九电阻的一端与所述第四三极管的发射极连接，所述第九电阻的另一端与所述电压输出端连接，所述第九电阻的阻值为36kΩ。

7.根据权利要求 6所述的多画面图像阵列显示***，其特征在于，所述电源保护电路还包括第五电容，所述第五电容的一端与所述第七电阻的一端连接，所述第五电容的另一端与所述第四三极管的基极连接，所述第五电容的电容值为500pF。

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