CN108203809A - 溅射装置以及溅射方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种溅射装置以及溅射方法，能够稳定地形成高品质的膜。溅射装置具备能够在内部相互对置地配置靶材和基板的真空腔、能够与靶材电连接的直流电源、以及将从直流电源流到靶材的电流脉冲化的脉冲化单元，在真空腔内生成等离子体从而在基板上形成薄膜，溅射装置还具备：电流计，其对从直流电源流到脉冲化单元的电流进行测量；电源控制器，其对直流电源进行反馈控制，使得由电流计测量的电流值成为给定值；以及脉冲控制器，其对脉冲化单元指示与电源控制器对直流电源的控制周期错开的脉冲周期。

Description

溅射装置以及溅射方法
技术领域
本发明涉及进行对半导体晶片等基板的成膜的溅射装置以及溅射方法。
背景技术
在半导体器件的制造中，在基板上形成金属、氧化物等的薄膜，将其形成为所希望的图案，除了形成电极、布线以外，还形成电阻、电容器等。近年来，例如，器件的使用环境变得更加高温，要求对器件进行保护的钝化薄膜更加高密度化等，对高密度或结晶性高的薄膜的形成技术的必要性提高。
在器件的薄膜形成中，一般来说，从生产速度、生产稳定性的观点出发，多数情况下使用直流溅射、高频溅射等进行制造。其中，在形成化合物的薄膜的情况下，使用使成为原料的靶材料与反应气体反应并沉积的反应性溅射。但是，根据靶材料与反应气体的组合，有时得不到充分的反应速度，特别是在进行使用了氮气的氮化膜的形成的情况下，在一般的溅射中，难以得到高密度或结晶性高的薄膜。
以往，作为以形成这样的高密度、高取向的薄膜为目的的成膜方法之一，有脉冲溅射(例如，参照专利文献1。)。
因此，主要参照图6对以往的脉冲溅射法进行说明。在此，图6是以往的脉冲溅射装置的概略剖视图。真空腔1通过经由阀3连接的真空泵2进行排气，从而能够进行减压而设为真空状态。气体供给源4能够以恒定速度向真空腔1供给溅射所需的气体。阀3通过使其开闭率变化，从而能够将真空腔1内的真空度控制为所希望的气体压力。在真空腔1内配置有靶材7。支承板8对靶材7进行支承。电源控制器40与直流电源30连接，能够将电源输出的开启、关断控制为恒定的定时。直流电源30的输出与支承板8电连接，通过经由支承板8对靶材7施加电压，从而能够使真空腔1内的一部分的气体解离而产生等离子体。在真空腔1内，与靶材7对置地配置有基板6。基板保持器5配置在基板6的下部，并对基板6进行支承。
在电压施加的开启的时间，靶材7由于在真空腔1内产生的脉冲状的等离子体而溅射并飞出，到达基板6并沉积靶材7的薄膜。与此同时，真空腔1内的气体以及等离子体与沉积在基板6上的靶材7反应。此外，在电压施加的关断的时间，真空腔1内的气体以及等离子体也与沉积在基板6上的靶材7反应，从而形成靶材7与气体进行反应的致密的化合物。通过将这一系列的脉冲成膜反复给定的次数，从而得到高密度的化合物薄膜。
此外，一般来说，在靶材7的背面配置磁体11和磁轭12，在靶材7的表面中使等离子体集中在相对于靶材7的平面的平行磁场成为最大的位置，从而使成膜速度提高。另外，将该等离子体集中的位置称为侵蚀部。此外，若侵蚀部集中在特定的位置，则只有靶材7的一部分消耗，不能有效地利用材料，因此虽然未图示，但是有时通过驱动装置使磁体11和磁轭12相对于靶材7平行地移动而使侵蚀部位置移动。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本发明专利第5490368号公报
发明内容
然而，关于上述的以往的溅射装置(参照图6)，在直流电源30内部的电压恒定控制的周期与脉冲的开启、关断的定时的周期同步的情况下，电压的脉动增大，放电电流变动，不能稳定地进行成膜。此外，在旋转磁体11而使侵蚀部移动的情况下，根据磁体11的旋转周期，伴随着靶材7的表面中的材料与气体的反应不均匀，放电变得不稳定，或者所形成的薄膜的密度、折射率等膜质在基板6的面内的分布变差。进而，在长时间的成膜中，伴随着靶材7的消耗，靶材7与基板6的位置关系变化，因此存在如下问题，即，在基板6的面内，膜质分布变差，需要在用完靶材7之前进行更换。
考虑到上述的以往的问题，本发明的目的在于，提供一种能够稳定地形成高品质的膜的溅射装置以及溅射方法。
本发明涉及的溅射装置具备：
真空腔，能够在内部相互对置地配置靶材和基板；
直流电源，能够与所述靶材电连接；以及
脉冲化单元，将从所述直流电源流到所述靶材的电流脉冲化，
在所述真空腔内生成等离子体从而在所述基板上形成薄膜，
所述溅射装置还具备：
电流计，对从所述直流电源流到所述脉冲化单元的电流进行测量；
电源控制器，对所述直流电源进行反馈控制，使得由所述电流计测量的电流值成为给定值；以及
脉冲控制器，对所述脉冲化单元指示与所述电源控制器对所述直流电源的反馈控制的周期错开的脉冲周期。
本发明涉及的溅射方法是在真空腔内生成等离子体从而在基板上形成薄膜的溅射方法，包括：
在真空腔内相互对置地配置靶材和基板的步骤；
将所述靶材和直流电源电连接的步骤；
通过脉冲化单元将从所述直流电源流到所述靶材的电流进行脉冲化的步骤；
对从所述直流电源流到所述脉冲化单元的电流进行测量的步骤；
对所述直流电源进行反馈控制，使得所测量的电流值成为给定值的步骤；以及
对所述脉冲化单元指示与所述直流电源的反馈控制的周期错开的脉冲周期的步骤。
发明效果
根据本发明涉及的溅射装置以及溅射方法，进行反馈控制，使得用电流计测量的电流值成为给定值，因此放电稳定化。即使进行长时间成膜而消耗靶材，侵蚀部与基板的位置关系的变化也被抑制为最小限度，因此能够维持高品质且均匀的膜质，能够稳定地形成高品质的膜。
附图说明
图1是示出实施方式1涉及的溅射装置的结构的概略剖视图。
图2是示出实施方式1的溅射装置的、直流电源的电压以及电流值与脉冲电压以及电流的关系的时序图。
图3A是示出在溅射装置中脉冲周期与直流电源的控制周期同步的情况下的、等离子体的发光强度的变动和此时的电流值的变动的图。
图3B是示出使脉冲的周期与直流电源的反馈控制的周期错开的情况下的等离子体的发光强度的变动和此时的电流值的变动的图。
图4是示出实施方式2的溅射装置的结构的概略剖视图。
图5是示出实施方式2的溅射装置的累计脉冲数、磁体旋转角、基板位置与脉冲数的关系的时序图。
图6是以往的脉冲溅射装置的概略剖视图。
附图标记说明：
1真空腔；2泵；3闸式阀；4气体供给源；5基板保持器；6基板；7靶材；8支承板；10、10a溅射装置；11磁体；12磁轭；13磁场(磁力线)；14溅射粒子；20旋转机构；21升降机构；30直流电源；31电流计；32脉冲化单元；40电源控制器；41脉冲控制器；42旋转控制器；43升降控制器；PP脉冲周期。
具体实施方式
第一方式涉及的溅射装置具备：
真空腔，能够在内部相互对置地配置靶材和基板；
直流电源，能够与所述靶材电连接；以及
脉冲化单元，将从所述直流电源流到所述靶材的电流脉冲化，
在所述真空腔内生成等离子体从而在所述基板上形成薄膜，所述溅射装置还具备：
电流计，对从所述直流电源流到所述脉冲化单元的电流进行测量；
电源控制器，对所述直流电源进行反馈控制，使得由所述电流计测量的电流值成为给定值；以及
脉冲控制器，对所述脉冲化单元指示与所述电源控制器对所述直流电源的反馈控制的周期错开的脉冲周期。
第二方式涉及的溅射装置可以是，在上述第一方式中，还具备：
磁体，配置在所述靶材的与所述基板对置的面的相反侧的背面；
旋转机构，使所述磁体相对于与所述靶材的所述背面交叉的旋转轴旋转；
旋转控制器，控制所述旋转机构；
升降机构，使所述基板的位置相对于所述靶材进行升降移动，使得所述基板与所述靶材的间隔变化；以及
升降控制器，控制所述升降机构。
第三方式涉及的溅射装置可以是，在上述第一或第二方式中，
所述脉冲控制器计算开启时间和关断时间并指示给所述脉冲化单元，使得在将所述电源控制器的反馈控制的周期设为F1、将所述脉冲周期设为F2、将F1和F2的最小公倍数设为F3的情况下，通过F3÷F1＝N得到的整数N成为10以上。
第四方式涉及的溅射装置可以是，在上述第一或第二方式中，
所述脉冲控制器计算开启时间和关断时间并指示给所述脉冲化单元，使得脉冲周期相对于所述电源控制器的反馈控制的整数倍周期错开1％以上。
第五方式涉及的溅射装置可以是，在上述第二方式中，
所述脉冲控制器基于设定的脉冲的开启时间以及关断时间，运算旋转速度并指示给所述旋转控制器，使得所述磁体的旋转的一个周期成为1000个脉冲以上，
所述脉冲控制器基于事先得到的相对于脉冲数的所述靶材的消耗量的信息，运算使所述基板的位置接近所述靶材的移动量并指示给所述升降控制器。
第六方式涉及的溅射方法是在真空腔内生成等离子体从而在基板上形成薄膜的溅射方法，包括：
在真空腔内相互对置地配置靶材和基板的步骤；
将所述靶材和直流电源电连接的步骤；
通过脉冲化单元将从所述直流电源流到所述靶材的电流进行脉冲化的步骤；
对从所述直流电源流到所述脉冲化单元的电流进行测量的步骤；
对所述直流电源进行反馈控制，使得所测量的电流值成为给定值的步骤；以及
对所述脉冲化单元指示与所述直流电源的反馈控制的周期错开的脉冲周期的步骤。
以下，参照附图对实施方式涉及的溅射装置以及溅射方法进行详细说明。另外，在附图中，对于实质上相同的构件标注相同的附图标记。
(实施方式1)
首先，主要参照图1对实施方式1的溅射装置10的结构进行说明。图1是实施方式1涉及的溅射装置10的概略剖视图。
该溅射装置10具备真空腔1、直流电源30、脉冲化单元32、电流计31、电源控制器40、以及脉冲控制器41。在真空腔1中，能够在内部相互对置地配置靶材7和基板6。直流电源30能够与靶材7电连接。通过脉冲化单元32，将从直流电源30流到靶材7的电流脉冲化。通过电流计31对从直流电源30流到脉冲化单元32的电流进行测量。通过电源控制器40对直流电源30进行反馈控制，使得用电流计31测量的电流值成为给定值。通过脉冲控制器41，对脉冲化单元32指示与电源控制器40对直流电源30的控制周期错开的脉冲周期。
根据该溅射装置10，以与直流电源30的反馈控制的周期错开的脉冲周期向靶材7流过脉冲化了的电流。因此，在反馈控制中，电流检测的周期与脉冲的周期不一致，因此不会检测到直流电源的直流电流值的胍动的特定的位置。由此，通过取所检测的电流值的平均值，从而能够计算出正确的时间平均的电流值。因此，通过基于计算出的电流值对直流电源进行反馈控制，从而能够抑制等离子体强度的变动。
以下，对构成该溅射装置10的各构成构件进行说明。
<真空腔>
真空腔1通过用经由阀3连接的真空泵2进行排气，从而能够进行向真空状态的减压。
<气体供给源>
气体供给源4能够以恒定速度向真空腔1供给溅射所需的气体。由气体供给源4供给的气体例如能够选择氮、氧等与目标的材料具有反应性的气体、具有反应性的气体与氩等稀有气体的混合气体等。
<阀>
阀3通过使其开闭率变化，从而能够将真空腔1内的真空度控制为所希望的气体压力。
<靶材>
在图1中，在真空腔1内的上部配置有靶材7。靶材7是任意的溅射材料，例如是金属材料、半导体材料等无机材料。
<支承板>
支承板8对靶材7进行支承。
<直流电源>
直流电源30经由电流计31、脉冲化单元32、以及支承板8与靶材7电连接，能够对靶材7施加电压。
<脉冲化单元>
脉冲化单元32能够将由直流电源30产生的直流电流积蓄在内置的电容器等，并通过内置的半导体开关元件等进行开启、关断，从而脉冲化。
<电流计>
电流计31能够检测从直流电源30流向脉冲化单元32的电流。
<电源控制器>
电源控制器40与电流计31和直流电源30连接，能够对直流电源的电压设定值进行反馈控制，使得电流计31检测的电流值稳定为给定值。
<脉冲控制器>
脉冲控制器41与电源控制器40和脉冲化单元32连接，基于从电源控制器40得到的直流电源30的状态，对向脉冲化单元32指示的脉冲的开启时间、关断时间进行控制。
<磁体以及磁轭>
磁体11以及磁轭12配置在支承板8的背面，能够在靶材7的表面产生磁场13。磁体11只要为一个以上即可。另外，磁体11可以是永久磁铁、电磁铁中的任一者。磁轭12与磁体11的一端连接，构成磁路，能够抑制无用的磁场向与靶材7相反侧泄漏。
<基板以及基板保持器>
在图1中，在真空腔1内的下部与靶材7对置地配置有基板6。基板保持器5配置在基板6的下部，对基板6进行支承。
(溅射装置的动作)
接下来，对本实施方式1涉及的溅射装置10的动作进行说明，并且还对本实施方式1涉及的溅射方法进行说明(对于另外的实施方式2也是同样的)。
(1)首先，在真空腔1设置靶材7，并且在靶材7的下方大致水平地设置基板6。
(2)接下来，使真空泵2工作而进行减压，使得真空腔1内成为真空状态，在达到给定的真空度之后，从气体供给源4导入气体，调整闸式阀3的开度，使得成为给定的气体压力。
(3)接下来，通过直流电源30产生电压，并通过脉冲化单元32在给定的开启时间、关断时间进行开关，从而使其脉冲化而施加于靶材7，使真空腔1内产生等离子体。
<脉冲的发生状态>
使用图2的时序图对脉冲的产生状态进行说明。图2(a)至图2(d)是示出实施方式1的溅射装置的、直流电源的电压(图2(a))以及电流值(图2(b))和脉冲电压(图2(c))以及电流(图2(d))的关系的时序图。从直流电源30供给到脉冲化单元32的是负的直流电压、直流电流(图2(c)、图2(d))。脉冲化单元生成的脉冲电压呈反复给定的开启时间、关断时间的接近矩形的脉冲形状(图2(a))。通过脉冲电压的施加，在脉冲开启的时间的期间，产生等离子体，脉冲电流逐渐增大，在脉冲关断的时间的期间，在等离子体消失的过程中脉冲电流逐渐减小而成为零(图2(b))。此时，在直流电源30中，因为供给脉冲化单元32所消耗的电流，所以直流电源30的电压值向正方向产生电压下降而胍动(图2(c))。另一方面，直流电源30的电流值在负方向上向增加的方向胍动(图2(d))，即，在直流电源30的直流电压以及直流电流产生与脉冲的周期一致的胍动。电流计31以恒定的周期检测胍动的电流值，电源控制器40对检测的电流值进行给定的次数的平均，并对直流电源30进行反馈控制，使得平均电流值成为给定值。
在该溅射装置中，在上述直流电源30的反馈控制时，将脉冲的周期设定为相对于反馈控制的周期错开的值，使得直流电源30的反馈控制的周期与脉冲的周期不同步。为了使脉冲的周期错开，例如，只要稍微加长脉冲开启的时间或脉冲关断的时间即可。另外，若变更开启时间，则脉冲电流的上升沿改变，因此优选变更脉冲关断的时间。在将反馈控制的周期设为F1、将脉冲周期设为F2、将F1和F2的最小公倍数设为F3的情况下，通过N＝F3÷F1得到的整数N表示反馈控制以N次中一次的比例与脉冲周期一致。N优选为10以上，即，优选为周期一致的比例为10次中一次以下。在溅射材料不同、高速成膜的情况等脉冲成为大电流而使电流的变动大的情况下，为了进一步抑制变动，将N设为20以上为佳。作为错开的时间，具体地，优选使脉冲周期错开1％以上，使得成为满足所述N的周期，作为进一步抑制变动的效果，优选为5％以上。另外，若好划分地使脉冲周期错开100％、200％，则脉冲周期成为整数倍，因此周期一致的比例变得与错开之前相同，因此最好避开该情况。
<反馈控制>
使用图3A以及图3B对使脉冲的频率错开的直流电源30的反馈控制进行说明。
图3A是示出假设脉冲周期10kHz与直流电源的反馈控制的周期10kHz同步的情况下的、等离子体发光强度的变动的图。在图3A中，等离子体发光强度的观测间隔与脉冲周期相比长100倍以上，观测到100个以上的脉冲的平均强度的变动。此外，框A、B、C之中是示出图2(d)中的直流电流值的变动的图。框A、B、C分别为相同的检测周期，但是检测的定时分别错开。因此，即使是相同的电流波形，在框A、B、C各自中检测到的电流值也不同。在该情况下，电流计31中的检测周期与脉冲的周期不相同，但是大致同步，因此如框A、B、C的图所示，检测到电流值的胍动分别不同的特定的位置。若基于此对电流值进行反馈控制，则在检测的电流值的平均值与实际的电流值的平均值产生偏移。此外，该偏移为脉冲周期与反馈控制的周期的差分周期，如其它框图所示，逐渐进行时间变化。因此，在反馈控制中胍动增长，不能使等离子体稳定，如图所示，等离子体发光强度会大幅变动。
图3B是示出使脉冲的周期与直流电源的反馈控制的周期错开5％的情况下的等离子体发光强度的变动的图。在该情况下，在反馈控制中，电流检测的周期与脉冲的周期两次中只有一次一致，因此检测到直流电源的直流电流值的胍动的特定的位置的比例减小，通过取检测的电流值的平均值，从而能够计算出更正确的时间平均的电流值。如上所述，作为脉冲周期而相对于反馈控制的周期错开1％以上，由此通过基于计算出的电流值对直流电源进行反馈控制，从而像图3B那样，能够抑制等离子体强度的变动。
如上所述，由于在真空腔1内产生的脉冲状的等离子体，靶材7溅射而飞出，到达基板6并沉积靶材料7的薄膜，同时，真空腔1内的气体以及等离子体与沉积在基板6上的靶材料7进行反应。此外，在电压施加的关断的时间，真空腔1内的气体以及等离子体与沉积在基板6上的靶材料7进行反应，从而形成靶材料7与气体反应的致密的化合物。通过将这一系列的脉冲成膜反复给定的次数，从而得到高密度的化合物薄膜。
根据以上，在该脉冲溅射装置10中，对用电流计测量的电流值进行反馈的控制被稳定化，因此能够抑制等离子体放电的电压以及电流的变动。由此，能够使等离子体对靶材7的溅射速度恒定，即，能够使靶材料7向基板6的沉积速度不变动而恒定。因此，对于气体以及等离子体与沉积在基板6上的靶材料7的反应，也能够使得不变动而恒定，因此能够稳定地成膜高品质的膜。
(实施方式2)
接下来，主要参照图4对实施方式2的溅射装置10a的结构进行说明。
在此，图4是示出实施方式2涉及的溅射装置10a的结构的概略剖视图。关于图4，对于与图1所示的部分相同或相当的部分标注相同的附图标记，并省略一部分的说明。
在图4中，在支承板8的背面侧配置有磁体11以及磁轭12。在该溅射装置10a中，与实施方式1涉及的溅射装置对比，不同点在于，在磁轭12中，在偏心位置连接旋转机构20，能够使磁体11以及磁轭12进行偏心旋转。此外，在旋转机构20连接旋转控制器42，能够基于设定对旋转机构20的旋转进行控制。此外，在旋转控制器42连接脉冲控制器41，能够接受旋转的指示值而设定为给定的旋转速度。
进而，在该溅射装置10a中，与实施方式1涉及的溅射装置对比，不同点在于，在基板保持器5连接升降机构21，能够变更靶材7与基板6的对置距离。在升降机构21连接升降控制器43，能够基于设定值对升降机构21的升降位置进行控制。此外，在升降控制器43连接脉冲控制器41，能够接受升降的指示值而设定为给定的升降速度。
通过使磁体11进行偏心旋转，从而侵蚀部也在靶表面移动，因此靶材7的消耗量不会集中在靶材7的表面的一部分。当在基板6上连续地进行长时间成膜的情况、在基板6上反复进行成膜的情况下等脉冲的累计数增大时，靶材7的表面的消耗量变大。例如，相对于靶材7的厚度为5mm，消耗量有时甚至达到4mm。在该情况下，从靶材7的表面的侵蚀部位置到对置的基板6的距离与靶材7消耗之前相比将远离与消耗量对应的量，从靶材7的表面飞出的溅射粒子14到达基板时的能量减少，有时得不到高品质的膜。
使用图5对本实施方式2中的、脉冲、磁体旋转以及基板6的升降的控制步骤进行说明。图5是示出实施方式2的溅射装置10a的、脉冲、磁体11的旋转、以及基板6的升降的关系的时序图。图5(a)是示出累计脉冲数与脉冲数的关系的时序图。图5(b)是示出磁体的旋转角与脉冲数的关系的时序图。图5(c)是示出基于基板升降的基板位置与脉冲数的关系的时序图。
脉冲控制器41在脉冲化单元32设定脉冲的开启时间、关断时间，并且对执行的脉冲数进行累计(图5(a))。脉冲控制器41基于脉冲的开启时间、关断时间的设定值，运算旋转速度并将运算的旋转速度指示给旋转控制器42，使得磁体11的旋转的一个周期成为1000个脉冲以上的时间(图5(b))。由此，在用脉冲状的等离子体对靶材7进行溅射时，能够使靶材7的表面均等地溅射。因此，即使在长时间的成膜中，靶材7的表面也不会被脉冲不均匀地消耗，能够稳定地进行溅射成膜。
此外，进而，在长时间持续成膜时，脉冲控制器41基于事先在实验上得到的相对于脉冲数的靶材7的消耗量的信息，运算使基板6的位置接近靶材7的移动量，并将运算的值指示给升降控制器43(图5(c))。由此，能够通过磁体11的旋转对靶材7的表面均等地进行溅射，进而，即使在长时间的成膜中，也可维持与靶材7的表面的侵蚀部对置的基板6的位置关系，能够稳定地成膜均质的薄膜。
据此，在脉冲溅射装置10a中，进行反馈控制，使得用电流计测量的电流值的时间平均值成为给定值，因此放电稳定化。此外，即使靶材7因长时间成膜而消耗，侵蚀部与基板6的位置关系的变化也被抑制为最小限度，因此能够维持高品质且均匀的膜质，能够长期间稳定地成膜高品质的膜。
另外，在本公开中，还包括对前述的各种实施方式和/或实施例中的任意的实施方式和/或实施例进行适当组合，能够实现各实施方式和/或实施例具有的效果。
产业上的可利用性
本发明涉及的溅射装置以及溅射方法例如能够稳定地形成高密度的氮化硅薄膜，在薄膜器件的制造中对于高品质钝化薄膜的形成等是有用的。

Claims (6)

1.一种溅射装置，具备：
真空腔，其能够在内部相互对置地配置靶材和基板；
直流电源，其能够与所述靶材电连接；以及
脉冲化单元，其将从所述直流电源流到所述靶材的电流脉冲化，
在所述真空腔内生成等离子体从而在所述基板上形成薄膜，
所述溅射装置还具备：
电流计，其对从所述直流电源流到所述脉冲化单元的电流进行测量；
电源控制器，其对所述直流电源进行反馈控制，使得由所述电流计测量的电流值成为给定值；以及
脉冲控制器，其对所述脉冲化单元指示与所述电源控制器对所述直流电源的控制周期错开的脉冲周期。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，还具备：
磁体，其配置在所述靶材的与所述基板对置的面相反侧的背面；
旋转机构，其使所述磁体相对于与所述靶材的所述背面交叉的旋转轴旋转；
旋转控制器，其控制所述旋转机构；
升降机构，其使所述基板的位置相对于所述靶材进行升降移动，使得所述基板与所述靶材的间隔变化；以及
升降控制器，其控制所述升降机构。
3.根据权利要求1所述的溅射装置，所述脉冲控制器计算开启时间和关断时间，并指示给所述脉冲化单元，使得在将所述电源控制器的反馈控制的周期设为F1、将所述脉冲周期设为F2、将F1和F2的最小公倍数设为F3的情况下，由F3÷F1＝N得到的整数N成为10以上。
4.根据权利要求1所述的溅射装置，所述脉冲控制器计算开启时间和关断时间，并指示给所述脉冲化单元，使得脉冲周期相对于所述电源控制器的反馈控制的整数倍周期错开1％以上。
5.根据权利要求2所述的溅射装置，所述脉冲控制器基于所设定的脉冲的开启时间以及关断时间，运算旋转速度并指示给所述旋转控制器，使得所述磁体的旋转的一个周期成为1000个脉冲以上，
所述脉冲控制器基于事先得到的相对于脉冲数的所述靶材的消耗量的信息，运算使所述基板的位置接近所述靶材的移动量并指示给所述升降控制器。
6.一种溅射方法，在真空腔内生成等离子体从而在基板上形成薄膜，包括：
在所述真空腔内相互对置地配置靶材和所述基板的步骤；
将所述靶材和直流电源电连接的步骤；
通过脉冲化单元将从所述直流电源流到所述靶材的电流进行脉冲化的步骤；
对从所述直流电源流到所述脉冲化单元的电流进行测量的步骤；
对所述直流电源进行反馈控制，使得所测量的电流值成为给定值的步骤；以及
对所述脉冲化单元指示与所述直流电源的控制周期错开的脉冲周期的步骤。
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