CN108070908A - 4H-SiC晶体生长设备及方法 - Google Patents

4H-SiC晶体生长设备及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108070908A
CN108070908A CN201611022469.0A CN201611022469A CN108070908A CN 108070908 A CN108070908 A CN 108070908A CN 201611022469 A CN201611022469 A CN 201611022469A CN 108070908 A CN108070908 A CN 108070908A
Authority
CN
China
Prior art keywords
source
carbon
sic
silicon source
sic crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611022469.0A
Other languages
English (en)
Inventor
三重野文健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zing Semiconductor Corp
Original Assignee
Zing Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zing Semiconductor Corp filed Critical Zing Semiconductor Corp
Priority to CN201611022469.0A priority Critical patent/CN108070908A/zh
Priority to TW106112994A priority patent/TW201819696A/zh
Publication of CN108070908A publication Critical patent/CN108070908A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/08—Downward pulling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种4H‑SiC晶体生长设备及方法，所述4H‑SiC晶体生长设备包括：晶体生长炉；石墨坩埚，位于所述晶体生长炉内；碳源及硅源供给***，包括气体源及输气管；所述输气管一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉的顶部延伸至所述石墨坩埚内的碳源及硅源上方；加热器，位于所述晶体生长炉内，且位于所述石墨坩埚的***。通过增设碳源及硅源供给***，可以在4H‑SiC晶体生长过程中为其提供充足的碳源及硅源补给；同时，由于补充的碳源及硅源以SiC的形式形成于碳源及硅源溶液的表面，不会对碳源及硅源溶液的温度造成不良影响，生长的4H‑SiC晶体中不会产生缺陷。

Description

4H-SiC晶体生长设备及方法
技术领域
本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及4H-SiC晶体生长设备及方法。
背景技术
在现有技术中，4H-SiC晶体的生长方法主要有TSM(Traveling Solvent Method，移动溶剂法)、SCT(Slow Cooling Technique，降温法)、VLS(Vapor Liquid Solid，气液固生长法)及TSSG(Top Seeded Solution Growth，顶部籽晶体拉法)。
TSSG法生长4H-SiC晶体的设备如图1所示，包括晶体生长炉10；支撑架11，位于所述晶体生长炉10内，且位于所述晶体生长炉10的底部；石墨坩埚12，位于所述晶体生长炉10内，且位于所述支撑架11的顶部；基座15，位于所述晶体生长炉10内，且位于所述石墨坩埚12的***；隔热层16，位于所述晶体生长炉10内，且位于所述基座15的***；加热器17，位于所述晶体生长炉10内，且位于所述隔热层16的***。使用上述设备采用TSSG法生长4H-SiC时，将籽晶13置于所述石墨坩埚12的底部，并将碳源及硅源14置于所述石墨坩埚12内，使用所述加热器17加热使得所述碳源及硅源14熔化为液体，当温度适合时，4H-SiC晶体在所述籽晶13的表面形成。采用上述设备采用TSSG法进行4H-SiC晶体生长的过程中，由于所述碳源及硅源14置于所述石墨坩埚12内，石墨坩埚12可以提供4H-SiC晶体生长所需的碳源，使得碳源在4H-SiC晶体生长的过程中得以持续供应，但4H-SiC晶体生长所需的硅源非常有限，随着4H-SiC晶体的生长硅源会出现缺乏从而影响晶体的生长。
针对上述设备存在的问题，一种改进设备如图2所示，图2中所示的设备在图1中的设备的基础上增设了碳源及硅源补充容器18，所述碳源及硅源补充容器18放置有补充碳源及硅源19，在4H-SiC晶体生长的过程中，所述碳源及硅源补充容器18持续向所述石墨坩埚12中加入所述补充碳源及硅源19，以确保所述4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源。但如图2所示的设备中增设提供所述补充碳源及硅源19的碳源及硅源补充容器18之后，在4H-SiC晶体生长的过程中，所述补充碳源及硅源19的持续加入会使得所述石墨坩埚12中的熔化的所述碳源及硅源14的温度降低，从而使得生长的4H-SiC晶体中产生缺陷。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的缺陷，提供一种4H-SiC晶体生长设备及方法，用于解决现有技术中的4H-SiC晶体生长设备无法持续补充4H-SiC晶体生长所需的硅源的问题，以及4H-SiC晶体生长过程中向石墨坩埚中持续加入补充碳源及硅源而导致的晶体生长所需的碳源及硅源溶液降低，从而使得生长的4H-SiC晶体内存在缺陷的问题。
为了实现上述目的及其他相关目标，本发明提供一种4H-SiC晶体生长设备，所述4H-SiC晶体生长设备包括：
晶体生长炉；
石墨坩埚，位于所述晶体生长炉内；所述石墨坩埚适于放置4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源；
碳源及硅源供给***，包括气体源及输气管；所述输气管一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉的顶部延伸至所述石墨坩埚内的碳源及硅源上方；所述碳源及硅源供给***适于在晶体生长过程中向所述晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在所述碳源及硅源表面形成SiC；
加热器，位于所述晶体生长炉内，且位于所述石墨坩埚的***，适于在晶体生长过程中为所述石墨坩埚内的所述碳源及硅源加热以使其熔化，并为所述碳源气体及所述硅源气体提供反应所需的温度。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述碳源气体为含碳化合物。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述碳源气体为CnHn+2，其中，n≥1。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述硅源气体包括SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2Cl6。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述4H-SiC晶体生长设备还包括第一排气孔，所述第一排气孔位于所述晶体生长炉的底部。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述石墨坩埚包括坩埚主体及盖体；所述盖体扣置于所述坩埚主体顶部，所述碳源及所述硅源位于所述坩埚主体内，所述输气管穿过所述盖体延伸至所述坩埚主体内；所述盖体内设有上下贯通的第二排气孔。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述加热器包括RF加热器、电阻加热器或IR加热器中的至少一种。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述4H-SiC晶体生长设备还包括冷却壁，所述冷却壁位于所述晶体生长炉内，且位于所述加热器与所述石墨坩埚之间。
作为本发明的4H-SiC晶体生长设备的一种优选方案，所述4H-SiC晶体生长设备还包括支撑架，所述支撑架位于所述晶体生长炉内，所述石墨坩埚位于所述支撑架的顶部。
本发明还提供一种4H-SiC晶体的生长方法，在生长4H-SiC晶体的同时向晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在用于生长4H-SiC晶体的碳源及硅源表面形成SiC。
作为本发明的4H-SiC晶体的生长方法的一种优选方案，采用顶部籽晶提拉法生长所述4H-SiC晶体。
作为本发明的4H-SiC晶体的生长方法的一种优选方案，所述碳源气体与所述硅源气体反应形成形成所述SiC的温度为1000℃～1800℃。
本发明的4H-SiC晶体生长设备及方法具有如下有益效果：本发明的4H-SiC晶体生长设备通过增设碳源及硅源供给***，可以在4H-SiC晶体生长过程中为其提供充足的碳源及硅源补给；同时，由于补充的碳源及硅源以SiC的形式形成于碳源及硅源溶液的表面，不会对碳源及硅源溶液的温度造成不良影响，生长的4H-SiC晶体中不会产生缺陷。
附图说明
图1及图2显示为现有技术中提供的4H-SiC晶体生长设备的结构示意图。
图3显示为本发明的4H-SiC晶体生长设备的结构示意图。
图4显示为本发明的4H-SiC晶体生长设备在晶体生长过程中其内部的温度分布示意图。
元件标号说明
10 晶体生长炉
11 支撑架
12 石墨坩埚
13 籽晶
14 碳源及硅源
15 基座
16 隔热层
17 加热器
18 碳源及硅源补充容器
19 补充碳源及硅源
20 晶体生长炉
21 支撑架
22 石墨坩埚
221 坩埚主体
222 盖体
2221 第二排气孔
23 输气管
24 碳源及硅源
25 加热器
26 第一排气孔
27 冷却壁
28 籽晶
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图3～图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图3，本发明提供一种4H-SiC晶体生长设备，所述4H-SiC晶体生长设备包括：晶体生长炉20；石墨坩埚22，所述石墨坩埚22位于所述晶体生长炉20内；所述石墨坩埚22适于放置4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源24；碳源及硅源供给***，所述碳源及硅源供给***包括气体源(未示出)及输气管23；所述输气管23一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉20的顶部延伸至所述晶体生长炉20的内部，并延伸至所述石墨坩埚22内的所述碳源及硅源24上方；所述碳源及硅源供给***适于在晶体生长过程中向所述晶体生长炉20内通入碳源气体及硅源气体，以在所述碳源及硅源24表面形成SiC；加热器25，所述加热器25位于所述晶体生长炉20内，且位于所述石墨坩埚22的***，适于在晶体生长过程中为所述石墨坩埚22内的所述碳源及硅源24加热以使其熔化，并为所述碳源气体及所述硅源气体提供反应所需的温度，以确保通入到所述晶体生长炉20内的所述碳源气体及硅源气体可以反应生成SiC。通过增设所述碳源及硅源供给***，可以在4H-SiC晶体生长过程中向所述晶体生长炉20内提供充足的所述4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源补给；同时，由于通入的所述碳源气体及硅源气体反应生成SiC的形式形成于熔化的所述碳源及硅源24的表面，不会对融化的碳源及硅源24的温度造成不良影响，生长的4H-SiC晶体中不会产生缺陷。
作为示例，所述碳源气体可以为所有的含碳化合物。优选地，本实施例中，所述碳源气体为CnHn+2，其中，n≥1。
作为示例，所述硅源气体包括SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2Cl6，及所述硅源气体可以为SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2Cl6中的任意一种、任意两种或两种以上的组合。
作为示例，所述4H-SiC晶体生长设备还包括第一排气孔26，所述第一排气孔26位于所述晶体生长炉20的底部；所述第一排气孔26适于排出多余的碳源气体、硅源气体及二者的反应生成气体，以减小所述晶体生长炉20内的压力，从而减小通入所述碳源气体及硅源气体后对所述4H-SiC晶体生长的不良影响。
作为示例，所述石墨坩埚22包括坩埚主体221及盖体222；所述盖体222扣置于所述坩埚主体221的顶部，所述碳源及所述硅源24位于所述坩埚主体221内，所述输气管23穿过所述盖体222延伸至所述坩埚主体221内；所述盖体222内设有上下贯通的第二排气孔2221；所述第二排气孔2221适于将多余的碳源气体、硅源气体及二者的反应生成气体排出所述石墨坩埚22，并经由所述第一排气孔26排出所述晶体生长炉20，以减小所述晶体生长炉20内的压力，从而减小通入所述碳源气体及硅源气体后对所述4H-SiC晶体生长的不良影响。
作为示例，所述加热器25包括RF(射频)加热器、电阻加热器或IR(红外)加热器中的至少一种；即所述加热器25可以为RF加热器；也可以为电阻加热器；也可以为IR加热器；还可以为RF加热器与电阻加热器的组合，电阻加热器与IR加热器的组合，RF加热器与IR加热器的组合，RF加热器、电阻加热器与IR加热器的组合。
作为示例，所述4H-SiC晶体生长设备还包括冷却壁27，所述冷却壁27位于所述晶体生长炉20内，且位于所述加热器25与所述石墨坩埚22之间。
作为示例，所述4H-SiC晶体生长设备还包括支撑架21，所述支撑架21位于所述晶体生长炉20内，所述支撑架21用于支持所述石墨坩埚22，即所述石墨坩埚22位于所述支撑架21的顶部。
本发明的4H-SiC晶体生长设备的工作原理为：将籽晶28与所述碳源及硅源24置于所述石墨坩埚22内，并将装有所述籽晶28、所述碳源及硅源24的所述石墨坩埚22置于所述晶体生长炉20内，使用所述加热器25加热使得所述碳源及硅源24熔化，当温度适合时，所述4H-SiC晶体在所述籽晶28的表面形成；所述碳源及硅源供给***可以在所述4H-SiC晶体开始生长时即向所述晶体生长炉20内通入所述碳源气体及所述硅源气体，也可以在所述4H-SiC晶体生长一段时间后向所述晶体生长炉20内通入所述碳源气体及所述硅源气体。在所述4H-SiC晶体生长过程中，所述晶体生长炉20内的温度如图4所示，由图4可知，所述石墨坩埚20内的最大温度也可以达到1800℃，而所述碳源与所述硅源反应生成所述SiC所需的温度为1000℃～1800℃，由此可知，在所述4H-SiC晶体生长过程中，所述加热器25可以提供所述碳源与所述硅源反应所需的温度。
实施例二
本发明还提供一种4H-SiC晶体的生长方法，在生长4H-SiC晶体的同时向晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在用于生长4H-SiC晶体的碳源及硅源表面形成SiC。所述4H-SiC晶体的生长方法在实施例一中所述的4H-SiC晶体生长设备中进行，所述4H-SiC晶体生长设备的具体结构及工作原理请参阅实施例一，此处不再累述。
作为示例，采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长所述4H-SiC晶体。
作为示例，所述碳源气体与所述硅源气体反应形成形成所述SiC的温度为1000℃～1800℃。
综上所述，本发明提供一种4H-SiC晶体生长设备及方法，所述4H-SiC晶体生长设备包括：晶体生长炉；石墨坩埚，位于所述晶体生长炉内；所述石墨坩埚适于放置4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源；碳源及硅源供给***，包括气体源及输气管；所述输气管一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉的顶部延伸至所述石墨坩埚内的碳源及硅源上方；所述碳源及硅源供给***适于在晶体生长过程中向所述晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在所述碳源及硅源表面形成SiC；加热器，位于所述晶体生长炉内，且位于所述石墨坩埚的***，适于在晶体生长过程中为所述石墨坩埚内的所述碳源及硅源加热以使其熔化，并为所述碳源气体及所述硅源气体提供反应所需的温度。本发明的4H-SiC晶体生长设备通过增设碳源及硅源供给***，可以在4H-SiC晶体生长过程中为其提供充足的碳源及硅源补给；同时，由于补充的碳源及硅源以SiC的形式形成于碳源及硅源溶液的表面，不会对碳源及硅源溶液的温度造成不良影响，生长的4H-SiC晶体中不会产生缺陷。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (12)

1.一种4H-SiC晶体生长设备，其特征在于，所述4H-SiC晶体生长设备包括：
晶体生长炉；
石墨坩埚，位于所述晶体生长炉内；所述石墨坩埚适于放置4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源；
碳源及硅源供给***，包括气体源及输气管；所述输气管一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉的顶部延伸至所述石墨坩埚内的碳源及硅源上方；所述碳源及硅源供给***适于在晶体生长过程中向所述晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在所述碳源及硅源表面形成SiC；
加热器，位于所述晶体生长炉内，且位于所述石墨坩埚的***，适于在晶体生长过程中为所述石墨坩埚内的所述碳源及硅源加热以使其熔化，并为所述碳源气体及所述硅源气体提供反应所需的温度。
2.根据权利要求1所述的4H-SiC晶体生长设备，其特征在于：所述碳源气体为含碳化合物。
3.根据权利要求2所述的4H-SiC晶体生长设备，其特征在于：所述碳源气体为CnHn+2，其中，n≥1。
4.根据权利要求1所述的4H-SiC晶体生长设备，其特征在于：所述硅源气体包括SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2Cl6。
5.根据权利要求1所述的4H-SiC晶体生长设备，其特征在于：所述4H-SiC晶体生长设备还包括第一排气孔，所述第一排气孔位于所述晶体生长炉的底部。
6.根据权利要求1所述的4H-SiC晶体生长设备，其特征在于：所述石墨坩埚包括坩埚主体及盖体；所述盖体扣置于所述坩埚主体顶部，所述碳源及所述硅源位于所述坩埚主体内，所述输气管穿过所述盖体延伸至所述坩埚主体内；所述盖体内设有上下贯通的第二排气孔。
7.根据权利要求1所述的4H-SiC晶体生长设备，其特征在于：所述加热器包括RF加热器、电阻加热器或IR加热器中的至少一种。
8.根据权利要求1所述4H-SiC晶体生长设备，其特征在于，所述4H-SiC晶体生长设备还包括冷却壁，所述冷却壁位于所述晶体生长炉内，且位于所述加热器与所述石墨坩埚之间。
9.根据权利要求1所述4H-SiC晶体生长设备，其特征在于，所述4H-SiC晶体生长设备还包括支撑架，所述支撑架位于所述晶体生长炉内，所述石墨坩埚位于所述支撑架的顶部。
10.一种4H-SiC晶体的生长方法，其特征在于，在生长4H-SiC晶体的同时向晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在用于生长4H-SiC晶体的碳源及硅源表面形成SiC。
11.根据权利要求10所述的4H-SiC晶体的生长方法，其特征在于：采用顶部籽晶提拉法生长所述4H-SiC晶体。
12.根据权利要求10所述的4H-SiC晶体的生长方法，其特征在于：所述碳源气体与所述硅源气体反应形成形成所述SiC的温度为1000℃～1800℃。
CN201611022469.0A 2016-11-17 2016-11-17 4H-SiC晶体生长设备及方法 Pending CN108070908A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611022469.0A CN108070908A (zh) 2016-11-17 2016-11-17 4H-SiC晶体生长设备及方法
TW106112994A TW201819696A (zh) 2016-11-17 2017-04-18 碳化矽晶體（４Ｈ－ＳｉＣ）生長設備及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611022469.0A CN108070908A (zh) 2016-11-17 2016-11-17 4H-SiC晶体生长设备及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108070908A true CN108070908A (zh) 2018-05-25

Family

ID=62160321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611022469.0A Pending CN108070908A (zh) 2016-11-17 2016-11-17 4H-SiC晶体生长设备及方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108070908A (zh)
TW (1) TW201819696A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110777427A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 昭和电工株式会社 晶体生长装置
CN111676519A (zh) * 2020-08-05 2020-09-18 郑红军 碳化硅晶体熔体生长装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101220504A (zh) * 1999-10-08 2008-07-16 克里公司 碳化硅晶体生长的方法和装置
JP2010111569A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Tokai Carbon Co Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶
CN102534797A (zh) * 2010-11-26 2012-07-04 信越化学工业株式会社 SiC单晶的制造方法
CN104718601A (zh) * 2013-03-15 2015-06-17 道康宁公司 具有SiC外延膜的SiC衬底

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101220504A (zh) * 1999-10-08 2008-07-16 克里公司 碳化硅晶体生长的方法和装置
JP2010111569A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Tokai Carbon Co Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶
CN102534797A (zh) * 2010-11-26 2012-07-04 信越化学工业株式会社 SiC单晶的制造方法
CN104718601A (zh) * 2013-03-15 2015-06-17 道康宁公司 具有SiC外延膜的SiC衬底

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. KUSUNOKI: "Growth of large diameter 4H-SiC by TSSG technique", 《MATERIALS SCIENCE FORUM》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110777427A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 昭和电工株式会社 晶体生长装置
US11105016B2 (en) 2018-07-25 2021-08-31 Showa Denko K.K. Crystal growth apparatus with controlled center position of heating
CN110777427B (zh) * 2018-07-25 2021-11-19 昭和电工株式会社 晶体生长装置
CN111676519A (zh) * 2020-08-05 2020-09-18 郑红军 碳化硅晶体熔体生长装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201819696A (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206624942U (zh) 一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置
CN104695012B (zh) 一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法
JP6712759B2 (ja) バルクの炭化ケイ素を製造するための装置
CN108070909A (zh) 坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法
CN103097283B (zh) 石墨烯生长工艺
CN105603520B (zh) 一种高速单晶生长装置及方法
CN102947025B (zh) 单晶半导体材料的制造
CN107916454A (zh) 一种用于氮化铝晶体生长炉的热场
CN108070908A (zh) 4H-SiC晶体生长设备及方法
JP2019214511A (ja) 炭化ケイ素前駆体からのバルクの炭化ケイ素の製造方法及び装置
CN110484965B (zh) 一种氧化镓晶体及其生长方法和生长装置
CN106400101A (zh) 一种化合物半导体单晶生长装置及方法
CN108866630A (zh) 一种砷化镓多晶合成方法
CN104264215A (zh) 一种蓝宝石晶体导模法生长装置及生长方法
CN205990463U (zh) 一种用于氮化铝晶体生长炉的热场
CN108474139A (zh) 单晶碳化硅的制造方法及收容容器
Avetissov et al. Simulation and crystal growth of CdTe by axial vibration control technique in Bridgman configuration
CN108103577A (zh) 一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置
WO2023279652A1 (zh) 磁场下浸入式磷化物合成及连续生长装置和方法
CN107949665A (zh) 单晶制造装置
CN117286575A (zh) 一种溶液法碳化硅单晶的生长方法和装置
CN201158722Y (zh) 砷化镓晶体生长用热场装置
CN106048728B (zh) 一种生长高品质碳化硅晶须的方法
PL411695A1 (pl) Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej
CN110499532B (zh) 快速制备碳化硅的装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180525