CN108051719A - 功率管测试电路及功率管测试装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种功率管测试电路及功率管测试装置,该电路包括主控制器、主测试电路及按键控制电路,主测试电路包括多个测试开关,主控制器的多个按键信号输入端与按键控制电路的多个按键信号输出端一一对应连接,主控制器的多个控制端与多个测试开关的受控端一一对应连接;按键控制电路接收用户输入的按键指令,并将按键指令对应的按键信号输出至主控制器;主控制器根据按键信号控制主测试电路中对应的测试开关闭合,以组成相应的测试支路,实现功率管的多组动态参数和/或静态参数测试。本发明根据测试需求,通过测试开关将功率管的动态参数和静态参数测试支路集成于主测试电路中,从而在同一个设备中同时实现功率管多组动态参数和静态参数测试。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种功率管测试电路及功率管测试装置。
背景技术
IGBT作为一种大功率半导体功率开关器件,广泛应用于电机变频调速、高性能电源及工业电气自动化等领域,具有着广阔的市场。为了优化IGBT器件的设计,如何准确测试IGBT实际应用时的各项参数变得十分重要。
根据测试条件的不同,IGBT的被测参数可以分为两大类:静态参数和动态参数。IGBT的静态参数的需要测试的项目多且杂,并且针对不同的参数需要采用测试设备,通过相应的测试方法来进行,每套设备只能测试特定的项目,设备利用率低,且无法在同一个设备中同时实现多组动态参数和静态参数测试,就必须配置多套测试设备,测试成本较高。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种功率管测试电路及功率管测试装置,旨在在同一个设备中同时实现功率管的动态参数和静态参数测试。
为实现上述目的,本发明提出一种功率管测试电路,包括主控制器、主测试电路及按键控制电路,所述主测试电路包括多个测试开关,所述主控制器的多个按键信号输入端与所述按键控制电路的多个按键信号输出端一一对应连接,所述主控制器的多个控制端与多个所述测试开关的受控端一一对应连接;
所述按键控制电路,用于接收用户输入的按键指令,并将所述按键指令对应的按键信号输出至所述主控制器;
所述主控制器,用于根据所述按键信号控制所述主测试电路中对应的测试开关闭合,以组成相应的测试支路,实现功率管的动态参数和/或静态参数测试。
优选地,所述主测试电路通过所述多个测试开关组成用于测试所述功率管的动态参数的双脉冲测试支路、用于测试所述功率管的开启电压VGE(th)的VGE(th)测试支路、用于测试所述功率管的门极击穿电压VGES和栅射极漏电流IGES的VGES-IGES测试支路、用于测试所述功率管的集电极发射极间耐压VCES和集电极发射极间漏电流ICES的VCES-ICES测试支路,以及测试所述功率管的饱和导通压降VCE(sat)的VCE(sat)测试支路。
优选地,所述双脉冲测试支路包括第一测试开关、第二测试开关、第三测试开关、第四测试开关、第一二极管、第二二极管、第一电感、第一可变电阻器及储能电容,所述第一测试开关的输入端与所述主控制器的脉冲信号输出端连接,所述第一测试开关的输出端经所述第一可变电阻器与所述功率管的受控端连接;所述第二测试开关的输入端与所述功率管的输入端、所述第一电感的第一端及所述第一二极管的阳极互连,所述第二测试开关的输出端与所述第二二极管的阴极连接;所述第二二极管的阳极与所述功率管的输出端及所述储能电容的第一端互连,并接地;所述第一电感的第二端与所述第一二极管的阴极及所述第三测试开关的输入端互连;所述第三测试开关的输出端与所述第四测试开关的输入端连接;所述第四测试开关的输出端与所述储能电容的第二端连接。
优选地,所述VGES-IGES测试支路包括第五测试开关,所述第五测试开关的输入端与所述第一电感的第一端连接,所述第五测试开关的第二端与所述第一二极管的阳极连接。
优选地,所述VGE(th)测试支路包括第六测试开关及第七测试开关,所述第六测试开关的输入端与所述第一可变电阻器连接,所述第六测试开关的输出端与所述功率管的输入端及所述第七测试开关的输入端互连;所述第七测试开关的输出端与所述第一电感的第二端及第三测试开关的输入端互连。
优选地,所述VCES-ICES测试支路包括第八测试开关及第二可变电阻器,所述第八测试开关并联设置于所述功率管的受控端与输出端;所述第二可变电阻器并联设置于所述第三测试开关的输入端与输出端。
优选地,所述主控制器在接收到所述按键控制电路输出的VCE(sat)测试按键信号时,控制所述第一测试开关、所述第四测试开关及所述第七测试开关闭合,以形成所述VCE(sat)测试支路。
优选地,所述功率管测试电路还包括用于接入第一测试电源的第一接线端子及用于接入第二测试电源的第二接线端子,所述第一接线端子并联设置于所述第一可变电阻器与所述功率管的输出端;所述第二接线端子并联设置于所述第四开关的输入端与所述储能电容的第二端。
优选地,所述功率管测试电路还包括故障检测电路及第九测试开关,所述第九测试开关的输入端与所述功率管的输入端连接,所述第九测试开关的输出端与所述故障检测电路的检测端连接,所述故障检测电路的输出端与所述主控制器的信号反馈端连接;
所述故障检测电路用于在检测到流经所述功率管的电流大于功率管的电流阈值时,输出过流检测信号至所述主控制器。
本发明还提出一种功率管测试装置,包括如上所述的功率管测试电路;所述功率管测试电路包括主控制器、主测试电路及按键控制电路,所述主测试电路包括多个测试开关,所述主控制器的多个按键信号输入端与所述按键控制电路的多个按键信号输出端一一对应连接,所述主控制器的多个控制端与多个所述测试开关的受控端一一对应连接;所述按键控制电路,用于接收用户输入的按键指令,并将所述按键指令对应的按键信号输出至所述主控制器;所述主控制器,用于根据所述按键信号控制所述主测试电路中对应的测试开关闭合,以组成相应的测试支路,实现功率管的动态参数和/或静态参数测试。
本发明功率管测试电路通过设置多个测试开关来连接主测试电路中的各测试支路,并通过按键控制电路来接收用户输入的按键指令,并将所述按键指令对应的按键信号输出至所述主控制器,以使主控制器根据对应的测试开关闭合,从而形成相应的测试支路。本发明根据测试需求,通过测试开关将功率管的动态参数和静态参数测试支路集成于主测试电路中,从而实现了在同一个设备中同时实现功率管多组动态参数和静态参数测试。本发明还解决了每套设备只能测试特定的项目,设备利用率低,必须配置多套测试设备,测试成本较高的问题。
可以理解的是,本发明功率管测试电路的电路结构简单易于实现,应用范围广,功率管测试电路的生产成本较低,进一步降低了功率管的测试成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明功率管测试电路应用于功率管测试装置一实施例的功能模块示意图;
图2为图1功率管测试电路中主测试电路一实施例的电路结构示意图;
图3为本发明功率管测试电路一实施例的电路结构示意图;
图4为图1功率管测试电路中故障检测电路一实施例的电路结构示意图。
附图标号说明:
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
10 | 主控制器 | L1 | 第一电感 |
20 | 主测试电路 | R1 | 第一电阻 |
30 | 按键控制电路 | C1 | 储能电容 |
40 | 故障检测电路 | U1 | 比较器 |
21 | 双脉冲测试支路 | U2 | 与门 |
22 | VGE(th)测试支路 | Rv1 | 第一可变电阻器 |
23 | VGES-IGES测试支路 | Rv2 | 第二可变电阻器 |
24 | VCES-ICES测试支路 | VCC1 | 第一直流电源 |
25 | VCE(sat)测试支路 | VCC2 | 第二直流电源 |
K1~K9 | 第一测试开关~第九测试开关 | VCC3 | 第三直流电源 |
D1~D3 | 第一二极管~第三二极管 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种功率管测试电路。
IGBT作为一种大功率半导体功率开关器件,广泛应用于电机变频调速、高性能电源及工业电气自动化等领域,具有着广阔的市场。为了优化IGBT器件的设计,如何准确测试IGBT实际应用时的各项参数变得十分重要。
根据测试条件的不同,IGBT的被测参数可以分为两大类:静态参数和动态参数。其中,动态参数测试主要基于双脉冲测试的,通过改变测试电路的工作状态,如不同的母线电压、测试电流、驱动电压、驱动电阻和结温,来得到不同状态下的动态特性。动态参数主要包括导通延迟时间td(on),上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tf、导通损耗Eon、关断损耗Eoff等。IGBT的静态参数的需要测试的项目多且杂,静态参数主要包括开启电压VGE(th)、门极击穿电压VGES、栅极发射极漏电流IGES、集电极发射极间耐压VCES、集电极发射极间漏电流ICES、饱和导通压降VCE(sat),针对上述不同的参数均需要采用不同的测试设备,通过相应的测试方法来对IGBT进行测试。
但是,每套设备只能测试特定的项目,设备利用率低,且无法在同一个设备中同时实现多组动态参数和静态参数测试,就必须配置多套测试设备,测试成本较高。
为了解决上述问题,参照图1至图4,在本发明一实施例中,该功率管测试电路包括主控制器10、主测试电路20及按键控制电路30,所述主测试电路20包括多个测试开关(测试开关1~测试开关N),所述主控制器10的多个按键信号输入端与所述按键控制电路30的多个按键信号输出端一一对应连接,所述主控制器10的多个控制端与多个所述测试开关的受控端一一对应连接;
所述按键控制电路30,用于接收用户输入的按键指令,并将所述按键指令对应的按键信号输出至所述主控制器10;
所述主控制器10,用于根据所述按键信号控制所述主测试电路20中对应的测试开关闭合,以组成相应的测试支路,实现功率管的动态参数和/或静态参数测试。
本实施例中,各测试开关可以采用接触器、继电器等机械开关来实现,或者采用IGBT、场效应管电子开关来实现。按键控制电路3010可以采用触摸按键、旋钮按键、自复位按键、键盘矩阵等按键及实现按键功能的***电路来实现。功率管可以IGBT、场效应管、晶闸管等,本实施例以IGBT为例进行说明。主控制器10可以是DSP、FPGA、单片机等集成控制芯片,本实施例优选采用单片机来实现,单片机中集成有计数器、存储器、数据处理器,以及存储在所述存储器上并可在所述数据处理器上运行的软件程序和/或模块。主控制器10根据按键控制电路30输入的按键信号,并通过运行或执行存储在存储器内的软件程序和/或模块,以及调用存储在存储器内的数据,设置相应的测试相关参数,并控制相应的开关闭合,以使主测试电路20形成对应的测试支路。
可以理解的是,按键控制电路30中的按键开关数量可以是一个也可以是多个,当设置为一个时,用户在进行测试时,仅需按下一次按键,当接收到该按键信号时,主控制器10根据预设的测试时间、测试顺序等,对依次IGBT的动态参数和静态参数进行测试。当设置为多个时,按键开关的数量对应主测试电路20中的测试支路数量设置,用户可以按下相应的按键开关来对所需测试的IGBT动态参数或静态参数进行测试。当然用户还可以按键控制电路30来实现其他功能设定,按键控制电路30中的按键开关也可以根据测试需求进行设置,在此不做限制。
本发明功率管测试电路通过设置多个测试开关来连接主测试电路20中的各测试支路,并通过按键控制电路30来接收用户输入的按键指令,并将所述按键指令对应的按键信号输出至所述主控制器10,以使主控制器10根据对应的测试开关闭合,从而形成相应的测试支路。本发明根据测试需求,通过测试开关将功率管的动态参数和静态参数测试支路集成于主测试电路20中,从而实现了在同一个设备中同时实现功率管多组动态参数和静态参数测试。本发明还解决了每套设备只能测试特定的项目,设备利用率低,必须配置多套测试设备,测试成本较高的问题。
可以理解的是,本发明功率管测试电路的电路结构简单易于实现,应用范围广,功率管测试电路的生产成本较低,进一步降低了功率管的测试成本。
参照图1至图4,进一步地,上述实施例中,主测试电路20包括第一测试开关K1、第二测试开关K2、第三测试开关K3、第四测试开关K4、第五测试开关K5、第六测试开关K6、第七测试开关K7、第八测试开关K8、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第一可变电阻器Rv1、第二可变电阻器Rv2及储能电容C1等元件组成的相应的测试支路。
基于该实施例,所述功率管测试电路还包括用于接入第一测试电源的第一接线端子J1及用于接入第二测试电源的第二接线端子J2,所述第一接线端子J1并联设置于所述第一可变电阻器Rv1与所述功率管的输出端;所述第二接线端子J2并联设置于所述第四开关的输入端与所述储能电容C1的第二端。
其中,主测试电路20的测试支路通过所述多个测试开关组成,具体包括:用于测试所述功率管的导通延迟时间td(on),上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tf、导通损耗Eon、关断损耗Eoff等动态参数的双脉冲测试支路21、用于测试所述功率管的开启电压VGE(th)的VGE(th)测试支路22、用于测试所述功率管的门极击穿电压VGES和栅射极漏电流IGES的VGES-IGES测试支路23、用于测试所述功率管的集电极发射极间耐压VCES和集电极发射极间漏电流ICES的VCES-ICES测试支路24,以及测试所述功率管的饱和导通压降VCE(sat)的VCE(sat)测试支路25。
具体地,双脉冲测试支路21包括第一测试开关K1、第二测试开关K2、第三测试开关K3、第四测试开关K4、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第一可变电阻器Rv1及储能电容C1,所述第一测试开关K1的输入端与所述主控制器10的脉冲信号输出端连接,所述第一测试开关K1的输出端经所述第一可变电阻器Rv1与所述功率管的受控端连接;所述第二测试开关K2的输入端与所述功率管的输入端、所述第一电感L1的第一端及所述第一二极管D1的阳极互连,所述第二测试开关K2的输出端与所述第二二极管D2的阴极连接;所述第二二极管D2的阳极与所述功率管的输出端及所述储能电容C1的第一端互连,并接地;所述第一电感L1的第二端与所述第一二极管D1的阴极及所述第三测试开关K3的输入端互连;所述第三测试开关K3的输出端与所述第四测试开关K4的输入端连接;所述第四测试开关K4的输出端与所述储能电容C1的第二端连接。
在接收到按键控制电路30输出的动态测试按键信号时,主控制器10控制第一测试开关K1、第二测试开关K2、第三测试开关K3、第四测试开关K4闭合,其他测试开关断开,主控制器10在第一测试开关K1闭合后,通过第一测试开关K1和第一可变电阻器Rv1给待测功率管输出一双脉冲驱动信号,触发IGBT导通/关断。在这个过程中,储能电容C1经第三测试开关K3及第一电感L1进行放电,第一电感L1电流上升至测试所需电流值,在测试结束后,主控制器10控制第一测试开关K1、第二测试开关K2、第三测试开关K3、第四测试开关K4断开,第一电感L1上的电流通过第一二极管D1衰减至零。可以理解的是,储能电容C1的电压可以通过外接高压直流电源进行充电,并将母线电压抬至需要的测试电压值。在测试的过程中,可以通过电流传感器、电压传感器等检测元件来对IGBT的导通延迟时间td(on),上升时间tr、关断延迟时间td(off)、下降时间tf、导通损耗Eon、关断损耗Eoff等动态参数进行检测,并将检测的结果输出至主控制器10,随后,主控制器10可以通过显示电路进行显示,或者通过通讯电路与上位机进行通讯连接,将检测结果输出至上位机,实现人机交互。
参照图1至图4,进一步地,上述实施例中,所述VGES-IGES测试支路23包括第五测试开关K5及第一可变电阻器Rv1,所述第五测试开关K5的输入端与所述第一电感L1的第一端连接,所述第五测试开关K5的第二端与所述第一二极管D1的阳极连接。
在接收到按键控制电路30输出的静态参数VGES-IGES按键信号时,主控制器10控制第五测试开关K5闭合,其他测试开关断开。待测IGBT被第五测试开关K5短路而使IGBT的集电极与发射极短接,并通过第一接线端子J1接入第一直流电源VCC1,调节第一可变电阻器Rv1阻值,使得栅极与发射极两端的电压由0V开始上升,通过电流传感器和电压传感器采集流经IGBT的电流,以及临界击穿时的栅极电压,实现对IGBT的门极击穿电压VGES和栅射极漏电流IGES静态参数的测试。
参照图1至图4,进一步地,上述实施例中,所述VGE(th)测试支路22包括第三测试开关K3、第六测试开关K6及第七测试开关K7,所述第六测试开关K6的输入端与所述第一可变电阻器Rv1连接,所述第六测试开关K6的输出端与所述功率管的输入端及所述第七测试开关K7的输入端互连;所述第七测试开关K7的输出端与所述第一电感L1的第二端及第三测试开关K3的输入端互连。
在接收到按键控制电路30输出的静态参数VGE(th)按键信号时,主控制器10控制第六测试开关K6和第七测试开关K7闭合,其他测试开关断开,并通过第二接线端子J2接入幅值可调的第二直流电源VCC2,待测IGBT被第六测试开关K6短路而使IGBT的集电极与栅极短接,在第三测试开关K3和第七测试开关K7闭合时,接入第二直流电源VCC2,将第二直流电源VCC2的电压由0V开始上升,直至检测到集电极电流达到一限定值,通过电压传感器采集栅极与发射极之间的电压,实现对IGBT的开启电压VGE(th)的静态参数测试。
参照图1至图4,进一步地,上述实施例中,所述VCES-ICES测试支路24包括第七测试电压、第八测试开关K8及第二可变电阻器Rv2,所述第八测试开关K8并联设置于所述功率管的受控端与输出端;所述第二可变电阻器Rv2并联设置于所述第三测试开关K3的输入端与输出端。
在接收到按键控制电路30输出的静态参数VCES-ICES按键信号时,主控制器10控制第七测试开关K7和第八测试开关K8闭合,其他测试开关断开,并通过第二接线端子J2接入幅值可调的第二直流电源VCC2,待测IGBT被第八测试开关K8短路而使IGBT的栅极与发射极短接,在第七测试开关K7闭合时,通过第二可变电阻器Rv2接入第二直流电源VCC2,将第二直流电源VCC2的电压由0V开始上升至待测IGBT临界击穿状态。其中,第二可变电阻器Rv2为限流电阻,其取值范围为通过Rv2来限定回路的可通过的最大电流,防止被IGBT击穿而产生大电流损坏器件,其中Ic为集电极电流。
参照图1至图4,进一步地,上述实施例中,VCE(sat)测试支路25包括第一测试开关K1、第四测试开关K4、第七测试开关K7及第二可变电阻器Rv2。
在接收到按键控制电路30输出的静态参数VCE(sat)按键信号时,主控制器10控制所述第一测试开关K1、所述第四测试开关K4及所述第七测试开关K7闭合,其他测试开关断开,以形成所述VCE(sat)测试支路。主控制器10在第一测试开关K1闭合后,通过第一测试开关K1和第一可变电阻器Rv1给待测功率管输出一单脉冲驱动信号,以触发待测IGBT导通。在这个过程中,储能电容C1经第二可变电阻器Rv2及第一电感L1进行放电,通过调节第二可变电阻器Rv2的阻值来设置设置被测IGBT集电极电流Ic,第二可变电阻器Rv2的取值为栅极驱动电压可以通过调节输出至栅极的单脉冲驱动信号来调节。在测试完成后,通过来将第一电感L1上的电流第一二极管D1衰减至零。可以理解的是,储能电容C1的电压可以通过外接高压直流电源进行充电,并将母线电压抬至需要的测试电压值。
可以理解的是,上述实施例中,可以通过电流传感器、电压传感器来对待测IGBT动态参数和静态参数检测和记录,也可以通过电阻、电容等分立元件组成的检测电路来检测待测IGBT动态参数和静态参数,或者通过电压探头、电流探头、万用表等外接等测量工具来对IGBT动态参数和静态参数进行检测,在此不做限制。可调电阻器VR1可以采用滑动式变阻器来实现,也可以采用旋转式变阻器来实现。
参照图1至图4,基于上述实施例,所述功率管测试电路还进一步包括故障检测电路40及第九测试开关K9,所述第九测试开关K9的输入端与所述功率管的输入端连接,所述第九测试开关K9的输出端与所述故障检测电路40的检测端V连接,所述故障检测电路40的输出端与所述主控制器10的信号反馈端连接;
所述故障检测电路40用于在检测到流经所述功率管的电流大于功率管的电流阈值时,输出过流检测信号至所述主控制器10。
本实施例中,所述故障检测电路40包括第三二极管D3、第一电阻R1、比较器U1及与门U2,所述比较器U1的反相输入端用于接入参考电压Vref,所述比较器U1的正相输入端分别与所述第三二极管D3的阳极及所述第一电阻R1的第一端互连,所述第一电阻R1的第二端接入第一直流电源VCC3源,所述第三二极管D3的阴极为所述为所述故障检测电路40的检测端V,所述比较器U1的输出端与所述与门U2的第一输入端连接,所述与门U2的第二输入端与所述主控制器10的状态信号输出端连接,所述与门U2的输出端为所述故障检测电路40的输出端。
本实施例中,第三二极管D3的阴极经第九测试开关K9与IGBT的集电极连接,在第九测试开关K9闭合后,当集电极与发射极之间的电压超过预设电压阈值时,第三二极管D3导通,该比较器U1正相输入端的电压被第三二极管D3钳位,该电压大于比较器U1反相输入端的参考电压时,比较器U1的输出端输出高电平至与门U2的一输入端。在IGBT导通状态时,主控制器10的状态信号输出端的电平为高电平,此时与门U2的另一输入端的电平也为高,因而与门U2输出为逻辑1,表示逻辑信号z为高电平,该逻辑信号反馈至主控制器10的过流检测端口。在接收到高逻辑信号z时,集成在主控制器10中的计数器开始计时,当逻辑信号z维持高电平的时间超过设定的过流保护时间,则判定IGBT工作在危险状态,主控制器10则输出相应的脉冲信号,以控制被测IGBT关断,实现IGBT过流保护。
本发明还提出一种功率管测试装置,所述功率管测试装置包括如上所述的功率管测试电路。该功率管测试电路的详细结构可参照上述实施例,此处不再赘述;可以理解的是,由于在本发明功率管测试装置中使用了上述功率管测试电路,因此,本发明功率管测试装置的实施例包括上述功率管测试电路全部实施例的全部技术方案,且所达到的技术效果也完全相同,在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种功率管测试电路,其特征在于,包括主控制器、主测试电路及按键控制电路,所述主测试电路包括多个测试开关,所述主控制器的多个按键信号输入端与所述按键控制电路的多个按键信号输出端一一对应连接,所述主控制器的多个控制端与多个所述测试开关的受控端一一对应连接;
所述按键控制电路,用于接收用户输入的按键指令,并将所述按键指令对应的按键信号输出至所述主控制器;
所述主控制器,用于根据所述按键信号控制所述主测试电路中对应的测试开关闭合,以组成相应的测试支路,实现功率管的动态参数和/或静态参数测试。
2.如权利要求1所述的功率管测试电路,其特征在于,所述主测试电路通过所述多个测试开关组成用于测试所述功率管的动态参数的双脉冲测试支路、用于测试所述功率管的开启电压VGE(th)的VGE(th)测试支路、用于测试所述功率管的门极击穿电压VGES和栅射极漏电流IGES的VGES-IGES测试支路、用于测试所述功率管的集电极发射极间耐压VCES和集电极发射极间漏电流ICES的VCES-ICES测试支路,以及测试所述功率管的饱和导通压降VCE(sat)的VCE(sat)测试支路。
3.如权利要求2所述的功率管测试电路,其特征在于,所述双脉冲测试支路包括第一测试开关、第二测试开关、第三测试开关、第四测试开关、第一二极管、第二二极管、第一电感、第一可变电阻器及储能电容,所述第一测试开关的输入端与所述主控制器的脉冲信号输出端连接,所述第一测试开关的输出端经所述第一可变电阻器与所述功率管的受控端连接;所述第二测试开关的输入端与所述功率管的输入端、所述第一电感的第一端及所述第一二极管的阳极互连,所述第二测试开关的输出端与所述第二二极管的阴极连接;所述第二二极管的阳极与所述功率管的输出端及所述储能电容的第一端互连,并接地;所述第一电感的第二端与所述第一二极管的阴极及所述第三测试开关的输入端互连;所述第三测试开关的输出端与所述第四测试开关的输入端连接;所述第四测试开关的输出端与所述储能电容的第二端连接。
4.如权利要求3所述的功率管测试电路,其特征在于,所述VGES-IGES测试支路包括第五测试开关,所述第五测试开关的输入端与所述第一电感的第一端连接,所述第五测试开关的第二端与所述第一二极管的阳极连接。
5.如权利要求3所述的功率管测试电路,其特征在于,所述VGE(th)测试支路包括第六测试开关及第七测试开关,所述第六测试开关的输入端与所述第一可变电阻器连接,所述第六测试开关的输出端与所述功率管的输入端及所述第七测试开关的输入端互连;所述第七测试开关的输出端与所述第一电感的第二端及第三测试开关的输入端互连。
6.如权利要求5所述的功率管测试电路,其特征在于,所述VCES-ICES测试支路包括第八测试开关及第二可变电阻器,所述第八测试开关并联设置于所述功率管的受控端与输出端;所述第二可变电阻器并联设置于所述第三测试开关的输入端与输出端。
7.如权利要求6所述的功率管测试电路,其特征在于,所述主控制器在接收到所述按键控制电路输出的VCE(sat)测试按键信号时,控制所述第一测试开关、所述第四测试开关及所述第七测试开关闭合,以形成所述VCE(sat)测试支路。
8.如权利要求2至7任意一项所述的功率管测试电路,其特征在于,所述功率管测试电路还包括用于接入第一测试电源的第一接线端子及用于接入第二测试电源的第二接线端子,所述第一接线端子并联设置于所述第一可变电阻器与所述功率管的输出端;所述第二接线端子并联设置于所述第四开关的输入端与所述储能电容的第二端。
9.如权利要求2至7任意一项所述的功率管测试电路,其特征在于,所述功率管测试电路还包括故障检测电路及第九测试开关,所述第九测试开关的输入端与所述功率管的输入端连接,所述第九测试开关的输出端与所述故障检测电路的检测端连接,所述故障检测电路的输出端与所述主控制器的信号反馈端连接;
所述故障检测电路用于在检测到流经所述功率管的电流大于功率管的电流阈值时,输出过流检测信号至所述主控制器。
10.一种功率管测试装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任意一项所述的功率管测试电路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201711274145.0A CN108051719B (zh) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | 功率管测试电路及功率管测试装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108051719A true CN108051719A (zh) | 2018-05-18 |
CN108051719B CN108051719B (zh) | 2020-12-11 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201711274145.0A Active CN108051719B (zh) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | 功率管测试电路及功率管测试装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN108051719B (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108776313A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-09 | 广东美的制冷设备有限公司 | 动态特性测试电路及ipm测试装置 |
CN110954842A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-04-03 | 财团法人工业技术研究院 | 测试***、用于测试***的测试方法以及测试载具 |
CN111007381A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-14 | 东风航盛(武汉)汽车控制***有限公司 | Igbt热态带载的电压应力测试***及其方法 |
CN112731114A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 浙江华晟金属制品有限公司 | 一种快速测量串联逆变电路中晶闸管和电容器的仪器 |
CN112986782A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-18 | 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 | 一种功率半导体特性参数测试*** |
CN113359000A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-09-07 | 上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司 | 一种在线老化测试装置 |
CN113495204A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-10-12 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种小功率管开关时间测试*** |
CN113504460A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-10-15 | 南京创维平面显示科技有限公司 | 电路板检测装置和电路板的检测方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013068588A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
CN203455449U (zh) * | 2013-07-23 | 2014-02-26 | 广东美的制冷设备有限公司 | 用于智能功率模块的测试电路 |
CN106291310A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-01-04 | 天津大学 | 一种利用双脉冲技术测试igbt动态开关特性的测试方法及装置 |
CN106291305A (zh) * | 2016-08-04 | 2017-01-04 | 同济大学 | 一种基于开关特性的变流器igbt模块故障预诊断方法 |
CN106556791A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-04-05 | 全球能源互联网研究院 | 一种大功率igbt动态测试电路及其控制方法 |
CN106841967A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-06-13 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 高压大电流igbt的动态测试平台及测试方法 |
CN106872870A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-20 | 全球能源互联网研究院 | 一种高压功率器件的动态特性测试电路及测试方法 |
-
2017
- 2017-12-04 CN CN201711274145.0A patent/CN108051719B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013068588A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
CN203455449U (zh) * | 2013-07-23 | 2014-02-26 | 广东美的制冷设备有限公司 | 用于智能功率模块的测试电路 |
CN106291305A (zh) * | 2016-08-04 | 2017-01-04 | 同济大学 | 一种基于开关特性的变流器igbt模块故障预诊断方法 |
CN106291310A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-01-04 | 天津大学 | 一种利用双脉冲技术测试igbt动态开关特性的测试方法及装置 |
CN106556791A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-04-05 | 全球能源互联网研究院 | 一种大功率igbt动态测试电路及其控制方法 |
CN106841967A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-06-13 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 高压大电流igbt的动态测试平台及测试方法 |
CN106872870A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-20 | 全球能源互联网研究院 | 一种高压功率器件的动态特性测试电路及测试方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
夏明华: "高压大电容IGBT测试技术及测试平台的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
姚丹: "基于虚拟仪器的IGBT老化电参量自动测试***的研究与开发", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库(电子期刊)》 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108776313A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-09 | 广东美的制冷设备有限公司 | 动态特性测试电路及ipm测试装置 |
CN110954842A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-04-03 | 财团法人工业技术研究院 | 测试***、用于测试***的测试方法以及测试载具 |
CN111007381A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-14 | 东风航盛(武汉)汽车控制***有限公司 | Igbt热态带载的电压应力测试***及其方法 |
CN111007381B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-03-29 | 东风航盛(武汉)汽车控制***有限公司 | Igbt热态带载的电压应力测试***及其方法 |
CN112731114A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 浙江华晟金属制品有限公司 | 一种快速测量串联逆变电路中晶闸管和电容器的仪器 |
CN112986782A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-18 | 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 | 一种功率半导体特性参数测试*** |
CN113495204A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-10-12 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种小功率管开关时间测试*** |
CN113495204B (zh) * | 2021-06-03 | 2023-04-11 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种小功率管开关时间测试*** |
CN113359000A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-09-07 | 上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司 | 一种在线老化测试装置 |
CN113504460A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-10-15 | 南京创维平面显示科技有限公司 | 电路板检测装置和电路板的检测方法 |
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Publication number | Publication date |
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