CN108010487A - 一种像素电路及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

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张婷婷
王志祥
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Abstract

本发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示装置，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和发光二极管。使用电源电压对作为驱动元件的薄膜晶体管的栅极进行初始化。在发光二极管发光时，流经发光二极管的电流由像素电路中的数据电压和发光二极管的工作电压决定，与该薄膜晶体管的阈值电压无关，因此，可以避免由于薄膜晶体管的阈值电压的不同导致的流经发光二极管的电流的不同，进而使得显示装置亮度不均匀的问题。

Description

一种像素电路及其驱动方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
背景技术
在显示技术领域，一个显示装置可以包含多个像素单元，每一个像素单元可以对应一个像素电路，一个像素电路中可以包含两个薄膜晶体管TFT(英文全拼：Thin FilmTransistor)和一个电容C。如图1所示，为现有的像素电路的电路结构图，从图1可以看出，像素电路中包含两个薄膜场效应晶体管T1和T2，一个电容Cs以及一个有机发光二极管OLED(英文全拼：Organic Light Emitting Diode)。在显示装置的显示过程中，可以通过控制每一个像素电路中的OLED发光，使得显示装置发光。
图1中的薄膜晶体管T1可以作为开关，薄膜晶体管T2可以是驱动元件，Cs为存储电容。图1中像素电路的工作原理为：首先，通过扫描线电压Vsacn开启薄膜晶体管T1，并输入数据电压Vdata，此时，数据电压Vdata可以对电容Cs充电；其次，通过扫描线电压Vsacn关闭薄膜晶体管T1，Vdata电压保持稳定，电源电压Vdd产生的电流通过薄膜晶体管T2驱动发光二极管OLED发光。这样，通过控制显示装置中包含的每一个OLED发光，使得显示装置发光。
通常，在制作TFT时，可以使用低温多晶硅工艺制作得到，但是，在实际应用中，由于低温多晶硅工艺的缺陷性，导致每个TFT的阈值电压不同，这样，在像素电路中，在输入电压相同的情况下，不同的阈值电压会导致流经OLED的电流不同，使得OLED发光的亮度不同，这样，针对整个显示装置而言，由于OLED发光的亮度不同，导致显示装置的亮度不均匀。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种像素电路及其驱动方法、显示装置，用于解决由于薄膜晶体管的阈值电压不同导致显示装置的亮度不均匀的问题。
本发明提供了一种像素电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和发光二极管，其中：
所述第一薄膜晶体管的漏极分别与第一电源、所述存储电容的一端以及所述第四薄膜晶体管的漏极连接；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与第二电源连接；
所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述第四薄膜晶体管的源极、所述存储电容的另一端以及所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第五薄膜晶体管的漏极连接，所述第五薄膜晶体管的源极与数据线连接。
可选地，所述第一电源用于对所述第一薄膜晶体管的栅极进行初始化。
可选地，所述第四薄膜晶体管的栅极与第一扫描线连接，所述第一扫描线控制所述第四薄膜晶体管处于导通状态，使得所述第一电源对所述第一薄膜晶体管的栅极进行初始化；
所述第五薄膜晶体管的栅极与第二扫描线连接，所述第二扫描线对所述第二薄膜晶体管的阈值电压进行采样，进而实现对所述第一薄膜晶体管的阈值电压的补偿；
所述第三薄膜晶体管的栅极与第三扫描线连接，所述第三扫描线控制所述第三薄膜晶体管处于导通状态，使得所述发光二极管发光。
可选地，所述第二扫描线对所述第二薄膜晶体管的阈值电压进行采样，进而实现对所述第一薄膜晶体管的阈值电压的补偿，包括：
所述第二扫描线控制所述第五薄膜晶体管处于导通状态，所述数据线提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管的栅极施加电压，使得所述第一薄膜晶体管的栅极电压为第一节点电压，所述第一节点电压由所述数据电压以及所述第二薄膜晶体管的阈值电压决定；
所述第二扫描线控制所述第五薄膜晶体管处于截止状态，使得所述第一薄膜晶体管至所述发光二极管之间的电流由所述发光二极管的工作电压以及所述数据电压决定，与所述第一薄膜晶体管的阈值电压无关。
可选地，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管以及所述第五薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
本发明提供了一种像素电路的驱动方法，所述像素电路的扫描周期分为第一阶段、第二阶段和第三阶段，其中：
所述第一阶段，所述第一扫描线提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第二扫描线提供的扫描信号保持低电平，所述第三扫描线提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第四薄膜晶体管处于导通状态，所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管处于截止状态，所述第一电源提供的电压通过所述第四薄膜晶体管对所述第一薄膜晶体管的栅极进行初始化；
所述第二阶段，所述第一扫描线提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第二扫描线提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第三扫描线提供的扫描信号保持低电平，所述第四薄膜晶体管处于截止状态，所述第五薄膜晶体管处于导通状态，所述数据线提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管的栅极施加电压，并采样得到所述第二薄膜晶体管的阈值电压，所述第二薄膜晶体管的栅极电压和第一薄膜晶体管的栅极电压由所述数据电压和所述第二薄膜晶体管的阈值电压决定；
所述第三阶段，所述第一扫描线提供的扫描信号保持低电平，所述第二扫描线提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第三扫描线提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第三薄膜晶体管处于导通状态，所述第五薄膜晶体管 处于截止状态，所述第一薄膜晶体管控制所述发光二极管发光。
可选地，在所述第二阶段，所述第五薄膜晶体管处于导通状态时，所述数据电压向所述第一薄膜晶体管的栅极施加电压，使得所述第一薄膜晶体管的栅极电压为Vdata+Vth2，Vdata为所述数据电压，Vth2为所述第二薄膜晶体管的阈值电压。
可选地，在所述第三阶段，所述第三薄膜晶体管处于导通状态时，所述第一薄膜晶体管的栅极电压和源极电压分别是Vdata+Vth2和VOLED，完成对所述第一薄膜晶体管的阈值电压的补偿，VOLED是所述发光二极管工作的电压。
本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的像素电路。
本发明有益效果如下：
本发明实施例，使用电源电压对作为驱动元件的薄膜晶体管的栅极进行初始化，在发光二极管发光时，流经发光二极管的电流由像素电路中的数据电压和发光二极管的工作电压决定，与该薄膜晶体管的阈值电压无关，因此，可以避免由于薄膜晶体管的阈值电压的不同导致的流经发光二极管的电流的不同，进而使得显示装置亮度不均匀的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的显示装置中包含的像素电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动方法的时序图。
具体实施方式
为了实现本发明的目的，本发明实施例中提供了一种像素电路及其驱动方法、显示装置，所述像素电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和发光二极管，其中：所述第一薄膜晶体管的漏极分别与第一电源、所述存储电容的一端以及所述第四薄膜晶体管的漏极连接；所述第一薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与第二电源连接；所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述第四薄膜晶体管的源极、所述存储电容的另一端以及所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第五薄膜晶体管的漏极连接，所述第五薄膜晶体管的源极与数据线连接。
使用电源电压对作为驱动元件的薄膜晶体管的栅极进行初始化，在发光二极管发光时，流经发光二极管的电流由像素电路中的数据电压和发光二极管的工作电压决定，与该薄膜晶体管的阈值电压无关，因此，可以避免由于薄膜晶体管的阈值电压的不同导致的流经发光二极管的电流的不同，进而使得显示装置亮度不均匀的问题。
下面结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
图2为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图。
如图2所示，所述像素电路包括：第一薄膜晶体管M1、第二薄膜晶体管M2、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5、存储电容C1和发光二极管OLED，其中：
所述第一薄膜晶体管M1的漏极分别与第一电源ELVDD、所述存储电容C1的一端以及所述第四薄膜晶体管M4的漏极连接；
所述第一薄膜晶体管M1的源极与所述第三薄膜晶体管M3的漏极连接，所述第三薄膜晶体管M3的源极与所述发光二极管OLED的阳极连接，所述发光二极管OLED的阴极与第二电源ELVSS连接；
所述第一薄膜晶体管M1的栅极分别与所述第四薄膜晶体管M4的源极、所述存储电容C1的另一端以及所述第二薄膜晶体管M2的栅极连接，所述第二薄膜晶体管M2的漏极与所述第二薄膜晶体管M2的栅极连接，所述第二薄膜晶体管M2的源极与所述第五薄膜晶体管M5的漏极连接，所述第五薄膜晶体管M5的源极与数据线DATA连接。
在所述像素电路中，第一薄膜晶体管M1作为驱动元件，所述第一电源ELVDD的电流流经所述第一薄膜晶体管M1，驱动所述发光二极管OLED发光。
具体地，所述第一电源ELVDD用于对所述第一薄膜晶体管M1的栅极进行初始化。
所述像素电路可以通过电源走线接收外部电路提供的所述第一电源ELVDD，所述第一电源ELVDD对所述存储电容C1进行充电，在充电过程中，可以实现对所述第一薄膜晶体管M1的栅极的初始化。
在所述像素电路中，所述第四薄膜晶体管M4的栅极与第一扫描线S1连接，所述第一扫描线S1可以提供扫描信号，并控制所述第四薄膜晶体管M4的导通和截止，在所述第一扫描线S1控制所述第四薄膜晶体管M4处于导通状态时，所述第一电源ELVDD提供的电压对所述存储电容C1充电，在C1的充电过程中，所述第一电源ELVDD对所述第一薄膜晶体管M1的栅极进行初始化，在所述存储电容C1充电完成后，所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压是Vdd，Vdd为所述第一电源ELVDD提供的电压。此时，所述第一电源ELVDD完成对所述第一薄膜晶体管M1的栅极的初始化。
所述第五薄膜晶体管M5的栅极与第二扫描线S2连接，所述第二扫描线S2可以提供扫描信号，并控制所述第五薄膜晶体管M5的导通和截止，在所述第二扫描线S2控制所述第五薄膜晶体管M5处于导通状态时中，所述第二扫描线S2可以对所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压进行采样，并得到所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压，进而实现对所述第一薄膜晶体管M1的阈值电压的补偿。
具体地，在所述第二扫描线S2控制所述第五薄膜晶体管M5处于导通状态时，所述数据线DATA提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管M1的栅极施加电压(即向所述第二薄膜晶体管M2的栅极施加电压)，并采样得到所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压，此时，所述第二薄膜晶体管M2处于导通状态，所述第二薄膜晶体管M2的栅极电压发生变化(即所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压发生变化)，变化后的所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压由所述数据电压以及所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压决定。
为了便于区分，这里可以将变化后的所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压称为第一节点电压。
在所述第二扫描线S2控制所述第五薄膜晶体管M5处于截止状态时，所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压将保持不变，所述第一电源ELVDD向所述第一薄膜晶体管的漏极施加电压，所述第一电源ELVDD的电流通过所述第一薄膜晶体管M1流入所述发光二极管OLED。
在本发明实施例中，所述第一薄膜晶体管M1和所述第二薄膜晶体管M2的工艺一致，尺寸基本一致，版图布局中紧紧相邻，所以，所述第一薄膜晶体管M1的阈值电压与所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压相同，因此，所述第一薄膜晶体管M1至所述发光二极管OLED之间的电流可以由所述发光二极管OLED的工作电压以及所述数据电压决定，与所述第一薄膜晶体管M1的阈值电压无关。
所述第三薄膜晶体管M3的栅极与第三扫描线S3连接，所述第三扫描线S3提供扫描信号，并控制所述第三薄膜晶体管M3的导通和截止，在所述第三 扫描线S3控制所述第三薄膜晶体管M3处于导通状态时，所述第一电源产生的电流通过所述第一薄膜晶体管M1，流入所述发光二极管OLED，使得所述发光二极管OLED发光。
可选地，在本发明实施例中，可以确定所述第一薄膜晶体管M1、所述第二薄膜晶体管M2、所述第三薄膜晶体管M3、所述第四薄膜晶体管M4以及所述第五薄膜晶体管M5为N型薄膜晶体管。
图3为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动方法的时序图。所述方法如下所述。
在本发明实施例中，所述像素电路的扫描周期包含第一阶段、第二阶段和第三阶段，其中：
所述第一阶段，所述第一扫描线S1提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第二扫描线S2提供的扫描信号保持低电平，所述第三扫描线S3提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第四薄膜晶体管M4处于导通状态，所述第二薄膜晶体管M2、所述第三薄膜晶体管M3和所述第五薄膜晶体管M5处于截止状态，所述第一电源ELVDD提供的电压通过所述第四薄膜晶体管M4对所述第一薄膜晶体管M1的栅极进行初始化；
所述第二阶段，所述第一扫描线S1提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第二扫描线S2提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第三扫描线S3提供的扫描信号保持低电平，所述第四薄膜晶体管M4处于截止状态，所述第五薄膜晶体管M5处于导通状态，所述数据线DATA提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管M1的栅极施加电压，并采样得到所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压，所述第二薄膜晶体管M2的栅极电压和第一薄膜晶体管M1的栅极电压由所述数据电压和所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压决定；
所述第三阶段，所述第一扫描线S1提供的扫描信号保持低电平，所述第二扫描线S2提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第三扫描线S3提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第三薄膜晶体管M3处于导通状态，所述 第五薄膜晶体管M5处于截止状态，所述第一薄膜晶体管M1控制所述发光二极管OLED发光。
在图3中，所述第一阶段为t1阶段，所述第二阶段为t2阶段，所述第三阶段为t3阶段。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述像素电路中包含的薄膜晶体管可以是N型薄膜晶体管，针对N型薄膜晶体管，通过扫描线在薄膜晶体管的栅极上加载的扫描信号的电压为高电平时，薄膜晶体管处于导通状态，通过扫描线在薄膜晶体管的栅极上加载的扫描信号的电压为低电平时，薄膜晶体管处于截止状态。
在本发明实施例中，在进入扫描周期之前，在所述像素电路中，第一扫描线S1提供的扫描信号可以是低电平，第二扫描线S2提供的扫描信号可以是低电平，第三扫描线S3提供的扫描信号可以是高电平，也就是说，在进入扫描周期之前，所述第四薄膜晶体管M4和所述第五薄膜晶体管M5处于截止状态，所述第三薄膜晶体管M3处于导通状态。
在扫描周期内，通过所述像素电路中的扫描线提供的不同高、低电平的扫描信号，控制所述像素电路中包含的薄膜晶体管处于导通状态或截止状态，进而驱动所述像素电路中的发光二极管，使发光二极管发光。
在本发明实施例中，在所述像素电路在进入扫描周期时，即在第一阶段时，可以对所述像素电路包含的第一薄膜晶体管M1的栅极进行初始化。
具体地，如图3所示，在第一阶段，第一扫描线S1提供的扫描信号由低电平变为高电平，第二扫描线S2提供的扫描信号保持低电平，第三扫描线S3提供的扫描信号由高电平变为低电平。
这样，在第一阶段，在第四薄膜晶体管M4的栅极加载的电压为高电平，第四薄膜晶体管M4处于导通状态，在第五薄膜晶体管M5的栅极加载的电压为低电平，第五薄膜晶体管M5处于截止状态，在第三薄膜晶体管M3的栅极加载的电压为低电平，第三薄膜晶体管M3处于截止状态，所述第二薄膜晶体 管处于截止状态。
此时，由于第四薄膜晶体管M4处于导通状态，那么，所述第一电源ELVDD对所述存储电容C1进行充电，在充电的过程中，所述第一电源ELVDD可以对所述第一薄膜晶体管M1的栅极进行初始化，在充电结束后，所述第一电源ELVDD完成对所述第一薄膜晶体管M1的栅极的初始化，此时，所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压是Vdd，Vdd为所述第一电源ELVDD提供的电压。
在第一阶段结束完成对所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压的初始化后，所述像素电路进入第二阶段。
具体地，如图3所示，在第二阶段，第一扫描线S1提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第二扫描线S2提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第三扫描线S3提供的扫描信号保持低电平。
这样，在第二阶段，在第四薄膜晶体管M4的栅极加载的电压为低电平，第四薄膜晶体管M4处于截止状态，在第五薄膜晶体管M5的栅极加载的电压为高电平，第五薄膜晶体管M5处于导通状态，在第三薄膜晶体管M3的栅极加载的电压为低电平，第三薄膜晶体管M3处于截止状态。
此时，由于所述第五薄膜晶体管M5处于导通状态，外部芯片通过所述数据线DATA向所述像素电路输入数据电压，所述数据电压通过所述第五薄膜晶体管M5向所述第一薄膜晶体管M1的栅极施加电压，并对所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压进行采样，此时，所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压将发生变化。
在第二阶段结束时，所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压(即所述第二薄膜晶体管M2的栅极电压)由电压Vdd变为Vdata+Vth2，Vdata2为所述数据电压，Vth2为所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压。
在第二阶段结束后，所述像素电路进入第三阶段。
具体地，如图3所示，在第三阶段，第一扫描线S1提供的扫描信号保持低电平，第二扫描线S2提供的扫描信号由高电平变为低电平，第三扫描线S3 提供的扫描信号低电平变为高电平。
这样，在第三阶段，在第四薄膜晶体管M4的栅极电压为低电平，第四薄膜晶体管M4处于截止状态，在第五薄膜晶体管M5的栅极电压为低电平，第五薄膜晶体管M5处于截止状态，在第三薄膜晶体管M3的栅极电压为高电平，第三薄膜晶体管M3处于导通状态。
可选地，在第三阶段，所述第二薄膜晶体管M2处于导通状态。
此时，在所述第三薄膜晶体管M3处于导通状态时，所述第一电源ELVDD向所述第一薄膜晶体管M1的漏极施加电压，所述第一电源ELVDD的电流通过所述第一薄膜晶体管M1以及所述第三薄膜晶体管M3，流入所述发光二极管OLED，使得所述发光二极管OLED发光。
由于在进入第三阶段时，所述第一薄膜晶体管M1的栅极电压为Vdata+Vth2，由于所述第一薄膜晶体管M1的阈值电压和所述第二薄膜晶体管M2的阈值电压相同，因此，流经所述发光二极管OLED的电流与所述第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关，此时，所述第一薄膜晶体管M1的源极电压是所述发光二极管OLED的工作电压。
在所述发光二极管OLED发光时，流经所述发光二极管OLED的电流是：
Ion＝1/2·μ·Cox·W/L·(Vdata-VOLED)2，其中，μ为第一薄膜晶体管M1的电子迁移率，Cox为第一薄膜晶体管M1的单位面积电容，W/L为第一薄膜晶体管M1的长宽比，VOLED为所述发光二极管OLED的工作电压。
可以看出，流经所述发光二极管OLED的电流与所述第一薄膜晶体管M1的阈值电压无关，进而可以避免由于阈值电压的不一致导致的显示装置的亮度不均匀的问题。
本发明实施例提供的技术方案，使用电源电压对作为驱动元件的薄膜晶体管的栅极进行初始化，在发光二极管发光时，流经发光二极管的电流由像素电路中的数据电压和发光二极管的工作电压决定，与该薄膜晶体管的阈值电压无关，因此，可以避免由于薄膜晶体管的阈值电压的不同导致的流经发光二极管 的电流的不同，进而使得显示装置亮度不均匀的问题。
除此之外，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述记载的所述像素电路。
本领域的技术人员应明白，尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和发光二极管，其中：
所述第一薄膜晶体管的漏极分别与第一电源、所述存储电容的一端以及所述第四薄膜晶体管的漏极连接；
所述第一薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，所述第三薄膜晶体管的源极与所述发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与第二电源连接；
所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述第四薄膜晶体管的源极、所述存储电容的另一端以及所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第五薄膜晶体管的漏极连接，所述第五薄膜晶体管的源极与数据线连接。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，
所述第一电源用于对所述第一薄膜晶体管的栅极进行初始化。
3.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，
所述第四薄膜晶体管的栅极与第一扫描线连接，所述第一扫描线控制所述第四薄膜晶体管处于导通状态，使得所述第一电源对所述第一薄膜晶体管的栅极进行初始化；
所述第五薄膜晶体管的栅极与第二扫描线连接，所述第二扫描线对所述第二薄膜晶体管的阈值电压进行采样，进而实现对所述第一薄膜晶体管的阈值电压的补偿；
所述第三薄膜晶体管的栅极与第三扫描线连接，所述第三扫描线控制所述第三薄膜晶体管处于导通状态，使得所述发光二极管发光。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述第二扫描线对所述第二薄膜晶体管的阈值电压进行采样，进而实现对所述第一薄膜晶体管的阈值电压的补偿，包括：
所述第二扫描线控制所述第五薄膜晶体管处于导通状态，所述数据线提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管的栅极施加电压，使得所述第一薄膜晶体管的栅极电压为第一节点电压，所述第一节点电压由所述数据电压以及所述第二薄膜晶体管的阈值电压决定；
所述第二扫描线控制所述第五薄膜晶体管处于截止状态，使得所述第一薄膜晶体管至所述发光二极管之间的电流由所述发光二极管的工作电压以及所述数据电压决定，与所述第一薄膜晶体管的阈值电压无关。
5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管以及所述第五薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
6.一种如权利要求1至5任一项所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，扫描周期分为第一阶段、第二阶段和第三阶段，其中：
所述第一阶段，所述第一扫描线提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第二扫描线提供的扫描信号保持低电平，所述第三扫描线提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第四薄膜晶体管处于导通状态，所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管处于截止状态，所述第一电源提供的电压通过所述第四薄膜晶体管对所述第一薄膜晶体管的栅极进行初始化；
所述第二阶段，所述第一扫描线提供的扫描信号由高电平变为低电平，所述第二扫描线提供的扫描信号由低电平变为高电平，所述第三扫描线提供的扫描信号保持低电平，所述第四薄膜晶体管处于截止状态，所述第五薄膜晶体管处于导通状态，所述数据线提供的数据电压向所述第一薄膜晶体管的栅极施加电压，并采样得到所述第二薄膜晶体管的阈值电压，所述第二薄膜晶体管的栅极电压和第一薄膜晶体管的栅极电压由所述数据电压和所述第二薄膜晶体管的阈值电压决定；
所述第三阶段，所述第一扫描线提供的扫描信号保持低电平，所述第二扫描线提供的扫描信号由高电平变成低电平，所述第三扫描线提供的扫描信号由低电平变成高电平，所述第三薄膜晶体管处于导通状态，所述第五薄膜晶体管处于截止状态，所述第一薄膜晶体管控制所述发光二极管发光。
7.如权利要求6所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，在所述第二阶段，所述第五薄膜晶体管处于导通状态时，所述数据电压向所述第一薄膜晶体管的栅极施加电压，使得所述第一薄膜晶体管的栅极电压为Vdata+Vth2，Vdata为所述数据电压，Vth2为所述第二薄膜晶体管的阈值电压。
8.如权利要求6所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，在所述第三阶段，所述第三薄膜晶体管处于导通状态时，所述第一薄膜晶体管的栅极电压和源极电压分别是Vdata+Vth2和VOLED，完成对所述第一薄膜晶体管的阈值电压的补偿，VOLED是所述发光二极管工作的电压。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至5任一项所述的像素电路。
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