CN107946273A - 一种插接功率模块封装装置 - Google Patents
一种插接功率模块封装装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107946273A CN107946273A CN201711405637.9A CN201711405637A CN107946273A CN 107946273 A CN107946273 A CN 107946273A CN 201711405637 A CN201711405637 A CN 201711405637A CN 107946273 A CN107946273 A CN 107946273A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- main terminal
- copper coin
- power module
- chip
- package device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种插接功率模块封装装置,包括DBC板焊接在铜板上,主端子下半部分、第一芯片、第二芯片分别焊接在所述DBC板上的对应位置,所述铜板上表面的四周涂覆一层厚度均匀的硅橡胶,主端子上半部分和塑料壳体以及螺母注塑为一体,所述主端子上半部分与所述主端子下半部分配合且可插接在一起,所述铜板两侧的定位孔与所述塑料壳体两侧对应位置的通孔经由铆钉连接起来,本发明通过降低主端子高度,从而将键合和焊接之间的矛盾化解,焊接作业采用一种焊料,一次性完成,将主端子分成两部分,一部分与下部DBC连接,另一部分和塑壳注塑到一起,中间用插接式结构进行匹配连接,简化装配步骤和难度,工作效率高,降低整体工艺的复杂程度。
Description
技术领域
本发明属于模块封装装置技术领域,尤其涉及一种插接功率模块封装装置。
背景技术
传统的模块封装工艺,因为主端子(通过大电流的铜排)高度限制,导致必须先完成芯片表面的铝丝键合,然后才可以焊接上主端子;且为了避免主端子焊接过程中芯片下焊料的二次熔化,整个工艺中采取了两种不同熔点的焊料;新的设计方案通过降低主端子高度,从而将键合和焊接之间的矛盾化解,焊接作业采用一种焊料,一次性完成,然后由于降低了主端子高度,确保键合作业可行。
传统的模块封装中,主端子一般都是一体成型,尺寸比较大,焊接过程中固定的难度比较大,对辅助夹具及人员操作要求较高,另一方面功率模块封装传统做法中,要经过2~3次焊接作业,才能完成模块内部的线路连接,效率低下。
因此,发明一种插接功率模块封装装置显得非常必要。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种插接功率模块封装装置,以解决现有的模块封装工艺对辅助夹具及人员操作要求较高、工作效率低的问题。
一种插接功率模块封装装置,其特征在于,该插接功率模块封装装置包括主端子下半部分、DBC板、铜板、第一芯片、第二芯片、主端子上半部分和塑料壳体;DBC板焊接在铜板上,主端子下半部分、第一芯片、第二芯片分别焊接在所述DBC板上的对应位置,所述铜板上表面的四周涂覆一层厚度均匀的硅橡胶,主端子上半部分和塑料壳体以及螺母注塑为一体,所述主端子上半部分与所述主端子下半部分配合且可插接在一起。
优选地,所述铜板两侧的定位孔与所述塑料壳体两侧对应位置的通孔经由铆钉连接起来。
优选地,所述塑料壳体顶部的通孔内注入硅凝胶并加热使其充分凝固。
优选地,所述铜板两侧的定位孔和所述塑料壳体两侧的通孔内部分别注入硅凝胶。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明结构简单,通过降低主端子高度,从而将键合和焊接之间的矛盾化解,焊接作业采用一种焊料,一次性完成,将主端子分成两部分,一部分与下部DBC连接,另一部分和塑壳注塑到一起,中间用插接式结构进行匹配连接,简化装配步骤和难度,工作效率高,降低整体工艺的复杂程度。
附图说明
图1是本发明金属连接件安装结构图。
图2是本发明图1中的金属连接件结构图。
图中,
1-主端子下半部分,2-DBC板,3-铜板,4-第一芯片,5-第二芯片,6-主端子下半部分、7-塑料壳体。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步描述:
实施例:
如附图1、2所示,本发明提供一种插接功率模块封装装置,其特征在于,该插接功率模块封装装置包括主端子下半部分1、DBC板2、铜板3、第一芯片4、第二芯片5、主端子上半部分6和塑料壳体7;DBC板2焊接在铜板3上,主端子下半部分1、第一芯片4、第二芯片5分别焊接在DBC板2上的对应位置,铜板3上表面的四周涂覆一层厚度均匀的硅橡胶,主端子上半部分6和塑料壳体7以及螺母注塑为一体,主端子上半部分6与主端子下半部分1配合且可插接在一起,铜板3两侧的定位孔与塑料壳体7两侧对应位置的通孔经由铆钉连接起来,塑料壳体7顶部的通孔内注入硅凝胶并加热使其充分凝固,铜板3两侧的定位孔和塑料壳体7两侧的通孔内部分别注入硅凝胶。
工作原理
本发明将主端子下半部分1、DBC板2、铜板3和第一芯片4、第二芯片5,使用焊料(焊片或焊膏),一次性装配到位后焊接好,如图1所示,将第上述完成的焊接半成品,转移到铝线键合工序,完成第一芯片4、第二芯片5上的铝丝键合作业,按照传统作业方法,在完成铜板3的半成品四周涂覆硅橡胶,将主端子的上半部分6、塑壳7和螺母通过注塑工艺结合到一起,形成模块的外框,匹配外框和焊接半成品上主端子上下部分的对应位置,用力将插接端子的两部分插接起来,形成紧密的连接,在外框和铜板的圆孔位置,卯入定位铆钉,形成机械连接,以辅助固紧外框和底板的连接;然后经过高温烘烤,实现硅橡胶的固化,从外框上方的通孔内,注入一定量的硅凝胶,然后高温烘烤,实现硅凝胶的充分凝固,最终将产品检测、包装入库,完成模块封装作业,通过降低主端子高度,从而将键合和焊接之间的矛盾化解,焊接作业采用一种焊料,一次性完成,然后由于降低了主端子高度,确保键合作业可行,将主端子分成两部分,一部分与下部DBC连接,另一部分和塑壳注塑到一起,中间用插接式结构进行匹配连接,简化装配步骤和难度。
利用本发明所述的技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种插接功率模块封装装置,其特征在于,该插接功率模块封装装置包括主端子下半部分(1)、DBC板(2)、铜板(3)、第一芯片(4)、第二芯片(5)、主端子上半部分(6)和塑料壳体(7);DBC板(2)焊接在铜板(3)上,主端子下半部分(1)、第一芯片(4)、第二芯片(5)分别焊接在所述DBC板(2)上的对应位置,所述铜板(3)上表面的四周涂覆一层厚度均匀的硅橡胶,主端子上半部分(6)和塑料壳体(7)以及螺母注塑为一体,所述主端子上半部分(6)与所述主端子下半部分(1)配合且可插接在一起。
2.如权利要求1所述的插接功率模块封装装置,其特征在于,所述铜板(3)两侧的定位孔与所述塑料壳体(7)两侧对应位置的通孔经由铆钉连接起来。
3.如权利要求1所述的插接功率模块封装装置,其特征在于,所述塑料壳体(7)顶部的通孔内注入硅凝胶并加热使其充分凝固。
4.如权利要求1或2所述的插接功率模块封装装置,其特征在于,所述铜板(3)两侧的定位孔和所述塑料壳体(7)两侧的通孔内部分别注入硅凝胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711405637.9A CN107946273A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种插接功率模块封装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711405637.9A CN107946273A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种插接功率模块封装装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107946273A true CN107946273A (zh) | 2018-04-20 |
Family
ID=61941175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711405637.9A Pending CN107946273A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种插接功率模块封装装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107946273A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129670A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール |
CN102686013A (zh) * | 2011-01-20 | 2012-09-19 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置、印刷布线板和它们的连接机构 |
CN203746828U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-30 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
US20150008570A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2015119121A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体装置 |
CN105225971A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN207602558U (zh) * | 2017-12-22 | 2018-07-10 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 一种插接功率模块封装装置 |
-
2017
- 2017-12-22 CN CN201711405637.9A patent/CN107946273A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129670A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール |
CN102686013A (zh) * | 2011-01-20 | 2012-09-19 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置、印刷布线板和它们的连接机构 |
US20150008570A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
CN104282641A (zh) * | 2013-07-03 | 2015-01-14 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2015119121A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体装置 |
CN203746828U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-30 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
CN105225971A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-01-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN207602558U (zh) * | 2017-12-22 | 2018-07-10 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 一种插接功率模块封装装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102683509B (zh) | Led模块 | |
CN104767417B (zh) | 智能功率模块的控制电路、智能功率模块及其制造方法 | |
CN205428913U (zh) | 一种功率半导体模块 | |
CN107170691B (zh) | 一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法 | |
CN108461459A (zh) | 一种负极对接双向整流二极管及其制造工艺 | |
CN101373932A (zh) | 微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法 | |
CN207602558U (zh) | 一种插接功率模块封装装置 | |
CN203367241U (zh) | 功率模块pcb板安装结构及功率模块 | |
CN107946273A (zh) | 一种插接功率模块封装装置 | |
CN206505917U (zh) | 一种整流集成模块 | |
CN208848858U (zh) | 一种半导体垂直打线结构 | |
CN102097340A (zh) | 用cob灌胶封装制作smd的方法 | |
CN107481944A (zh) | 一种半导体器件混合封装方法 | |
CN202034361U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
CN104600047B (zh) | 功率模块及其封装方法 | |
CN205248250U (zh) | 一种低电感轻薄型功率模块 | |
CN103985693A (zh) | 无刷直流电机集成驱动电路的封装结构及其封装方法 | |
CN106783762A (zh) | 一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构和制造方法 | |
CN207651047U (zh) | 一种贴片芯片实验用面包板 | |
CN103078477B (zh) | 智能功率模块端子的连接结构 | |
CN208538840U (zh) | 一种功率模块 | |
CN110224055A (zh) | 一种贴片式发光二极管的封装结构及封装工艺 | |
CN105845584B (zh) | 一种半导体二极管框架快速装配工艺及其辅助工具 | |
CN104625282A (zh) | 卫星用微矩形电连接器激光焊接装置及其激光焊接方法 | |
CN113488395B (zh) | 封装体和封装体的封装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |