CN107887338A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括:基板,基板包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域,并且在弯曲区域中弯曲;显示单元,显示单元布置在基板的上表面上,并且位于第一区域中;保护膜,保护膜位于基板的下表面上,并且包括保护膜基底和粘性层;以及弯曲保护层,弯曲保护层包括第一弯曲保护层和第二弯曲保护层,并且与弯曲区域对应,其中,保护膜具有与弯曲区域以及第一区域和第二区域的至少一部分对应的开口,以及其中,第一弯曲保护层布置在开口的边界的至少一部分上或开口的边界的外部上,并且第二弯曲保护层的至少一部分布置在开口的边界的内部上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年9月29日递交于韩国知识产权局的第10-2016-0125591号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及装置和方法,更具体地,涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
通常,显示装置具有位于基板上的显示器。显示装置的至少一部分是弯曲的,从而增强了在各种角度的可见性或减少了非显示区域的面积。
然而,制造这种弯曲显示装置的过程可能导致产生缺陷、减少显示装置的寿命或制造成本过大。
发明内容
一个或多个示例性实施方式包括能够通过具有低成本和减少的缺陷率的制造过程制造的显示装置,以及制造显示装置的方法,以解决包括上述问题在内的问题。然而,实施方式并不仅限于解决上述问题。
附加方面将部分地在下文的描述中予以阐述,并且部分地,将通过描述而显而易见,或者可以通过对所提出的实施方式的实践而习得。
根据一个或多个实施方式,显示装置包括:基板,基板包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域,并且在弯曲区域中弯曲;显示单元,显示单元布置在基板的上表面上,并且位于第一区域中;保护膜,保护膜位于基板的下表面上,并且包括保护膜基底和粘性层;以及弯曲保护层,弯曲保护层包括第一弯曲保护层和第二弯曲保护层,并且与弯曲区域对应,其中,保护膜具有与弯曲区域以及第一区域和第二区域的至少一部分对应的开口,以及其中,第一弯曲保护层布置在开口的边界的至少一部分上或开口的边界的外部上,并且第二弯曲保护层的至少一部分布置在开口的边界的内部上。
第一弯曲保护层的最大高度可以大于第二弯曲保护层的最大高度。
第一弯曲保护层可以与第二弯曲保护层至少部分地重叠。
与第一弯曲保护层的最大高度对应的点可以在开口的边界外部。
第一弯曲保护层可以布置在基板上并且与开口的边界重叠。
第一弯曲保护层可以形成为闭合环路。
弯曲保护层的面积可以大于开口的面积。
开口的面积可以大于弯曲区域的面积。
显示装置还可以包括:填充物,填充物配置为至少部分地填充开口。
基板可以弯曲,使得第一区域的下表面的一部分和第二区域的下表面的至少一部分彼此面对,并且保护膜基底与第一区域和第二区域对应,并且包括与弯曲区域对应的开口,以及显示装置还包括:垫层,垫层与保护膜基底的在第一区域上的一部分和保护膜基底的在第二区域上的一部分接触。
显示装置还可以包括:无机绝缘层,无机绝缘层布置在基板上;第一导电层,第一导电层经由弯曲区域从第一区域延伸至第二区域,并且布置在无机绝缘层上;以及有机材料层,有机材料层布置在无机绝缘层和第一导电层之间,并且与弯曲区域重叠。
无机绝缘层可以在无机绝缘层与有机材料层重叠的区域中具有平坦的上表面。
无机绝缘层可以在无机绝缘层与有机材料层重叠的区域中具有凹槽或开口,使得有机材料层填充凹槽或开口。
有机材料层的上表面的至少一部分可以具有非平坦表面。
根据一个或多个实施方式,制造显示装置的方法包括:在包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域的基板的第一区域中形成显示单元;将保护膜附接到基板的下表面上,其中,保护膜包括保护膜基底和粘性层;在与开口的边界的至少一部分对应的基板上或开口的边界的外部的基板上形成第一弯曲保护层,并且固化第一弯曲保护层;以及在基板上形成第二弯曲保护层,使得第二弯曲保护层的至少一部分与开口的边界的内部对应。
方法还可以包括:将载体膜附接到保护膜上。
方法还可以包括:固化第二弯曲保护层。
第二弯曲保护层的至少一部分可以与第一弯曲保护层重叠。
第一弯曲保护层的最大高度可以大于第二弯曲保护层的最大高度。
与第一弯曲保护层的最大高度对应的点可以在开口的边界外部。
第一弯曲保护层可以布置在基板上并且与开口的边界重叠。
第一弯曲保护层可以形成为闭合环路。
第一弯曲保护层和第二弯曲保护层中的每一者的面积可以大于开口的面积。
开口的面积可以大于弯曲区域的面积。
方法还可以包括:相对于弯曲区域中的弯曲轴弯曲基板。
方法还可以包括:在弯曲基板之后用填充物至少部分地填充开口。
方法还可以包括:在基板的弯曲之后在第一区域和第二区域之间布置垫层。
方法还可以包括:用液态或糊状填充物涂覆开口。
方法还可以包括:固化液态或糊状填充物。
附图说明
通过结合附图对示例性实施方式作出的以下描述,这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解,其中:
图1是根据示例性实施方式的显示装置的一部分的立体图;
图2是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的平面图;
图3是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图4是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图5是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图6是根据示例性实施方式的根据图5的显示装置的制造顺序制造的显示面板的剖视图;
图7是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图8是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图9是根据示例性实施方式的图8的第一弯曲保护层的平面图;
图10是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图11是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图;
图12是根据示例性实施方式的图1的基板和保护膜的示意性剖视图;
图13是根据另一实施方式的显示装置的剖视图;
图14是根据示例性实施方式的图13的显示装置的基板、保护膜和垫层的示意性剖视图;
图15是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图16是根据另一示例性实施方式的图15的显示装置的基板、保护膜和填充物的示意性剖视图;
图17是根据另一示例性实施方式的显示装置的基板、保护膜、填充物和垫层的剖视图;
图18是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图19是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图20是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图21是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图22是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图;
图23是用于描述根据另一示例性实施方式的当图22的显示装置被制造时形成弯曲保护层的顺序的平面图;以及
图24是用于描述根据另一示例性实施方式的当图22的显示装置被制造时形成弯曲保护层的顺序的平面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和多种实施方式,实施方式将在附图中示出并在书面描述中予以详细描述。可以通过参考以下对一个或多个实施方式和附图的详细描述,更容易地理解一个或多个实施方式以及实现它们的方法的优点和特征。然而,本公开可以以许多不同的形式体现,并且不应被解释为限于本文所阐述的一个或多个实施方式。
现在将详细参考实施方式,其示例在附图中示出。附图中相同的附图标记表示相同的元件,并且将省略关于其重复的描述。
虽然可以使用诸如“第一”和“第二”这样的术语描述各种组件,但这些组件不必限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
除非上下文另外明确指出,否则本文使用的单数形式“一”、“一个”和“所述”意图也包括复数形式。
应当理解,本文中使用的诸如“包括(include)”、“包括(comprise)”和“具有(have)”的术语说明所述特征或组件的存在,但不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。
还将进一步理解,当层、区域或组件被称为在另一层、区域或组件“上”时,其可以直接或间接地在另一层、区域或组件上。即,例如,可存在中间的层、区域或组件。
为便于描述,附图中的组件的尺寸可被夸大。换言之,由于附图中的组件的尺寸和厚度为便于描述而任意示出,因此实施方式不限于此。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三条轴,并且可以在更广泛的意义上解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或可以表示彼此不垂直的不同方向。
当示例性实施方式可以不同地实现时,可以以不同于所描述的顺序执行特定的过程顺序。例如,可以以大致同时或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的过程。如本文所使用的,术语“和/或”包括相关列出的项目的一个或多个的任何和所有组合。
图1是根据示例性实施方式的显示装置的一部分的立体图。
参考图1,显示装置可以包括显示面板(未示出)、保护膜(未示出)和柔性电路(未示出)。显示装置被部分弯曲,以及因此具有部分弯曲的形状。
包括在显示面板中的基板100可以具有在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA可以在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A和第二区域2A之间。基板100可以相对于在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX弯曲,如图1所示。基板100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料,例如,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。基板100可以具有单层结构或多层结构。在一些示例性实施方式中,基板100可以具有包括树脂的树脂层和包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料的阻挡层交替堆叠的结构,还包括在树脂层和阻挡层之间包括非晶硅的中间层的结构。基板100可以以各种方式修改。
现在将在下文详细描述显示装置、保护膜和柔性电路的制造顺序。
图2是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的平面图。图3是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图。图4是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图。图5是用于描述根据示例性实施方式的图1的显示装置的制造顺序的剖视图。
参考图2至图5,可以在母基板100M中形成单个显示单元DU,并且可以在母基板100M中形成多个显示单元DU。为便于描述,如图2所示,下文将详细描述在母基板100M中形成多个显示单元DU的情况。
可以使用各种方法在母基板100M中形成多个显示单元DU。
在示例性实施方式中,多个显示单元DU可以形成在母基板100M的上表面上。可以在形成多个显示单元DU之前执行其它过程。例如,可以执行在母基板100M的整个表面上形成缓冲层的过程。此外,当形成多个显示单元DU时,除显示器件之外,还可以形成电连接到显示器件的诸如薄膜晶体管(TFT)的电子器件。电子器件可以形成在显示器件所在的显示区域外的周边区域中。当形成多个显示单元DU时,也可以形成封装层以保护显示器件。下文将描述显示单元DU的详细配置。
在另一示例性实施方式中,如图3所示,可以在将母基板100M形成在支撑基板CS上之后在母基板100M中形成多个显示单元DU。支撑基板CS可以例如包括足够厚的玻璃。支撑基板CS可以具有足够的硬度,以防止具有柔性或可弯曲特性的母基板100M在制造过程中变形或改性。例如,母基板100M可以形成在具有足够硬度的支撑基板CS上,以及然后可以在母基板100M中形成多个显示单元DU。
为便于描述,下文将详细描述在将母基板100M形成在支撑基板CS上之后在母基板100M中形成多个显示单元DU的情况。
如上所述在形成显示单元DU之后,母基板100M可以与支撑基板CS分离。如图4所示,保护膜175可以附接到母基板100M的、支撑基板CS从其分离(在-z方向)的下表面上。
在将保护膜175附接到母基板100M的下表面上之后,可以同时切割母基板100M和保护膜175。具体地,可以围绕多个显示单元DU中的每一个来切割母基板100M和保护膜175,以将母基板100M分成多个基板100,如图5所示。因此,可以得到多个显示面板。可以通过使用各种方法切割母基板100M和保护膜175。例如,可以通过以激光束照射或通过将切割轮与母基板100M和/或保护膜175接触来切割母基板100M和保护膜175。
保护膜175可以包括保护膜基底170和粘性层180。在这种情况下,保护膜基底170可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。粘性层180可以包括各种粘性材料。为便于描述,现在将在下文详细描述其中保护膜基底170包括PET的情况。
图6是根据示例性实施方式的根据图5的显示装置的制造顺序制造的显示面板的剖视图。
参考图6,可以通过上述过程制造显示面板(未示出)。在这种情况下,基板100的第一区域1A可以包括显示区域DA。除显示区域DA之外,第一区域1A还可以包括显示区域DA外部的非显示区域的一部分,如图6所示。第二区域2A也可以包括非显示区域。诸如有机发光器件300的显示器件或包括TFT 210的显示单元DU可以布置在第一区域1A中。显示单元DU可以仅包括布置在显示区域DA中的组件,或者可以包括属于第一区域1A的并且布置在非显示区域中的组件。基板100可以包括第一区域1A和第二区域2A之间的弯曲区域BA。基板100将随后在弯曲区域BA中弯曲,以具有图1所示的形状。
可以在显示面板的显示区域DA中布置多个像素以形成图像。可以在显示区域DA中设置诸如显示器件(诸如有机发光器件300)、TFT 210、电容器Cst等器件。可以在显示区域DA中进一步包括诸如传输栅极信号的栅极线、传输数据信号的数据线、传输电力的驱动电力线、公共电力线等信号线。可以通过将连接到栅极线、数据线和驱动电力线的TFT 210、电容器Cst、诸如有机发光器件300的显示器件等电联接而形成像素,从而显示图像。对应于根据提供给像素的驱动电力和公共电力的数据信号,像素可以发光,其亮度与通过有机发光器件300的驱动电流对应。多个像素可以配置并且可以布置为诸如条型布局、Pentile布局等各种形状。
有机发光器件300与TFT 210的电连接可以理解为像素电极310与TFT 210的电连接。如有必要,TFT(未示出)可以布置在基板100的显示区域DA外部的周边区域中。布置在周边区域中的TFT可以是例如用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路的一部分。
TFT 210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b,半导体层211包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或有机半导体材料。
栅电极213可以连接到将开/关信号施加到TFT 210的栅极线(未示出),并且可以包括低电阻金属材料。例如,栅电极213可以以单层结构或多层结构包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料。
源电极215a和漏电极215b可以以单层结构或多层结构包括具有高导电性的导电材料,并且可以分别连接到半导体层211的源区和漏区。例如,源电极215a和漏电极215b可以以单层结构或多层结构包括包含铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料。
源电极215a和漏电极215b可以通过接触孔C2和接触孔C1连接到半导体层211。可以通过同时蚀刻层间绝缘层130和栅极绝缘层120而形成接触孔C1和接触孔C2。
根据示例性实施方式的TFT 210可以是顶栅型,其中,栅电极213布置在半导体层211上方,但本公开不限于此。根据另一实施方式的TFT210可以是底栅型,其中,栅电极213布置在半导体层211下方。
为了半导体层211和栅电极213之间的绝缘,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的栅极绝缘层120可以***在半导体层211和栅电极213之间。此外,层间绝缘层130可以布置在栅电极213上,并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。源电极215a和漏电极215b可以布置在层间绝缘层130上。可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成包括无机材料的绝缘层。这适用于将在下文描述的实施方式及其变型。
缓冲层110可以***到具有上述结构的TFT 210和基板100之间,并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以具有单层结构或多层结构。缓冲层110可以增加基板100的上表面的平坦度,或防止或最小化杂质从基板100渗透到TFT210的半导体层211中。
平坦化层140可以布置在TFT 210上。例如,如图6所示,当有机发光器件300布置在TFT 210上时,平坦化层140可以大致平坦化覆盖TFT 210的保护层的上表面。平坦化层140可以例如包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)等有机材料。虽然在图6中平坦化层140具有单层结构,但是平坦化层140可以以诸如多层结构的各种方式修改。如图6所示,平坦化层140可以在显示区域DA的外部具有开口,以物理地分离显示区域DA的平坦化层140的一部分和第二区域2A的平坦化层140的一部分。这可以用于防止外部杂质通过平坦化层140渗透到显示区域DA中。可以不提供第二区域2A的平坦化层140。
在基板100的显示区域DA中,包括像素电极310、相对电极330和***到像素电极310和相对电极330之间并且包括发射层(EML)的中间层320的有机发光器件300可以位于平坦化层140上。像素电极310可以通过形成在平坦化层140等中的开口与源电极215a和漏电极215b中的一个接触,并且可以电连接到TFT 210。
像素限定层150可以布置在平坦化层140上。像素限定层150可以具有与每一个子像素对应的开口,即,至少暴露像素电极310的中部以限定像素的开口。像素限定层150可以增加像素电极310的边缘和像素电极310上的相对电极330之间的距离,以防止在像素电极310的边缘中生成电弧等。像素限定层150可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)等有机材料。
有机发光器件300的中间层320可以包括低分子材料或高分子材料。当中间层320包括低分子材料时,中间层320可以包括堆叠为单一或复杂结构的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、EML、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等,并且可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等各种有机材料。这些层可以通过使用真空沉积方法形成。
当中间层320包括高分子材料时,中间层320通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下,HTL可以包括高分子材料,诸如聚对苯撑乙烯(PPV)和聚芴。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
然而,中间层320不必限定于此,并且可以具有各种结构。中间层320可以包括与多个像素电极310集成的层,并且可以包括图案化的层以与多个像素电极310中的每一个对应。
相对电极330可以布置在显示区域DA的上部中,并且如图6所示,覆盖显示区域DA。即,相对电极330可以与多个有机发光器件300整体形成以与多个像素电极310对应。
多个有机发光器件300可能易于被外部水分或氧气损伤,以及因此封装层400可以覆盖多个有机发光器件300以保护多个有机发光器件300。封装层400可以覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA外部。封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可以覆盖相对电极330,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果必要,可以在第一无机封装层410和相对电极330之间***诸如封盖层的其它层。第一无机封装层410可以根据其下部的结构形成,以及因此,如图6所示,第一无机封装层410的上表面可以是非平坦的。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410,并且与第一无机封装层410不同,可以具有近似平坦的上表面。具体地,有机封装层420的上表面可以在与显示区域DA对应的部分中近似平坦。有机封装层420可以包括从由以下材料构成的群组中选择的一种或多种材料:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层430可以在显示区域DA外部在其边缘与第一无机封装层410接触,以及因此有机封装层420可以不暴露于外部。
由于封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430,所以即使通过这种多层结构在封装层400中产生裂纹,这种裂纹可能不连接在第一无机封装层410和有机封装层420之间或不连接在有机封装层420和第二无机封装层430之间,从而防止或最小化供外部水分或氧气通过以渗透到显示区域DA中的路径的形成。
包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以被称为无机绝缘层。在图6中,无机绝缘层可以在与下文将要描述的与有机材料层160重叠的区域中具有平坦的上表面。
显示面板可以包括布置在无机绝缘层上的第一导电层215c。第一导电层215c可以经由弯曲区域BA从第一区域1A延伸到第二区域2A。第一导电层215c可以用作将电信号传输到显示区域DA的线。第一导电层215c可以包括与源电极215a或漏电极215b相同的材料,并且可以与源电极215a或漏电极215b同时形成。
显示面板可以包括可以***到无机绝缘层和第一导电层215c之间的有机材料层160,并且可以与弯曲区域BA重叠。当基板100和无机绝缘层弯曲时,有机材料层160可以缓冲或吸收施加到基板100和无机绝缘层的拉伸应力,以最小化施加到第一导电层215c的拉伸应力。
如果不在第一导电层215c和无机绝缘层之间***有机材料层160,以及因此第一导电层215c布置在弯曲区域BA中的无机绝缘层上,则当基板100弯曲时,高拉伸应力可能施加到第一导电层215c。由于无机绝缘层的硬度高于有机材料层160的硬度,所以在弯曲区域BA中的无机绝缘层中可能有高的概率产生裂纹。当在无机绝缘层中产生裂纹时,由于裂纹产生在无机绝缘层上的第一导电层215c中,所以可能有高的概率产生诸如第一导电层215c的断开连接的缺陷。
然而,在根据本实施方式的显示装置中,有机材料层160可以在弯曲区域BA中***到第一导电层215c和无机绝缘层之间,以及因此施加到基板100和无机绝缘层的拉伸应力可以被缓冲或吸收,从而最小化施加到第一导电层215c的拉伸应力。因此,可以防止在位于弯曲区域BA中的有机材料层160上的第一导电层215c的一部分中产生裂纹,或可以最小化裂纹的产生率。
有机材料层160可以与弯曲区域BA重叠,并且可以延伸到非弯曲区域的一部分。换言之,有机材料层160可以形成在无机绝缘层上以具有预定的宽度ORW,并且可以与弯曲区域BA重叠。有机材料层160的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此,在图6中,有机材料层160的宽度ORW大于弯曲区域BA的宽度。考虑到根据弯曲施加的应力,与弯曲区域BA重叠的有机材料层160的厚度可以大于非重叠区域的厚度。有机材料层160可以包括聚酰亚胺、丙烯醛基、BCB或HMDSO等。
除第一导电层215c之外,显示面板可以包括第二导电层213a和213b以及布置在与第一导电层215c相同的层中的第三导电层215d。第二导电层213a和213b可以布置在第一区域1A或第二区域2A,从而将第二导电层213a和213b定位在与第一导电层215c不同的层中,并且可以电连接到第一导电层215c或第三导电层215d。在图6中,第二导电层213a和213b包括与在同一层(即栅极绝缘层120)上的TFT 210的栅电极213相同的材料。在图6中,第一导电层215c通过在层间绝缘层130中形成的接触孔与位于第一区域1A中的第二导电层213a接触。此外,在图6中,第三导电层215d与位于第二区域2A中的第二导电层213b接触。
位于第一区域1A中的第二导电层213a可以电连接到显示区域DA的TFT 210等,使得第一导电层215c可以通过第二导电层213a电连接到显示区域DA的TFT 210等。位于第二区域2A中的第二导电层213b也可以电连接到显示区域DA的TFT 210等。第二导电层213a和213b可以位于显示区域DA外部,并且可以电连接到位于显示区域DA中的组件。第二导电层213a和213b可以位于显示区域DA外部,并且可以在显示区域DA的方向上延伸以至少部分地位于显示区域DA中。
跨过弯曲区域BA的第一导电层215c可以包括高延伸率的材料,从而防止诸如在第一导电层215c中产生的裂纹或第一导电层215c的断开连接的缺陷。此外,具有比第一导电层215c低的延伸率并且包括具有与第一导电层215c不同的电/物理特性的材料的第二导电层213a和213b可以形成在第一区域1A或第二区域2A中,从而提高显示装置在传输电信号方面的效率或减少在制造过程中缺陷的产生率。例如,第二导电层213a和213b可以包括钼,并且第一导电层215c可以包括铝。如果必要,第一导电层215c或第二导电层213a和213b可以具有多层结构。
在一些实施方式中,第一导电层215c和第三导电层215d可以与源电极215a和漏电极215b同时形成,并且第二导电层213a和213b可以与栅电极213同时形成。
图7是用于描述图1的显示装置的制造顺序的剖视图。
参考图7,在如上所述制备好显示面板之后,可以在保护膜175中形成开口170OP。在这种情况下,可以通过使用刀片BL和/或激光去除保护膜175的下表面而形成开口170OP。具体地,在这种情况下,可以去除开口170OP处的保护膜基底170,或开口170OP处的保护膜基底170和粘性层180的一部分。然而,为便于描述,下文将详细描述仅去除开口170OP处的保护膜基底170的情况。
在保护膜175中形成开口170OP的方法不限于上述方法。例如,可以通过在保护膜175上形成图案、将单独的膜附接到图案上、以及去除附接的膜而在保护膜175中形成开口170OP。然而,为便于描述,下文将详细描述通过使用激光而形成开口170OP的情况。
为了最小化施加到保护膜基底170的应力,如图7所示,弯曲区域BA可以位于保护膜基底170的开口170OP中。可以理解保护膜基底170的开口170OP的面积大于弯曲区域BA的面积。然而,本公开不限于此。保护膜基底170的开口170OP可以位于弯曲区域BA中。可以理解弯曲区域BA的面积大于保护膜基底170的开口170OP的面积。
图8是用于描述图1的显示装置的制造顺序的剖视图。图9是图8的第一弯曲保护层610的平面图。
参考图8和图9,如上所述在保护膜175中形成开口170OP之后,载体膜195可以附接到保护膜175的下部上。在这种情况下,可以通过使用辊等通过在基板100的上表面的方向(+z方向)上按压载体膜195的表面而附接载体膜195。
在如上所述附接载体膜195之后,偏振器520可以布置在封装层400上。在这种情况下,偏振器520可以形成为膜的形式以附接到封装层400上或形成为封装层400中的层的形式。为便于描述,下文将详细描述偏振器520形成为膜的形式的情况。
具体地,在偏振器520布置在封装层400上之后,通过使用半透明的光学透明粘合剂(OCA)510,偏振器520可以附接到封装层400上。偏振器520可以减少外部光的反射。例如,当外部光通过偏振器520透射时,外部光从相对电极330的上表面反射,以及然后再次通过偏振器520透射;由于外部光通过偏振器520透射两次,所以可以改变外部光的相位。因此,反射光的相位可以与进入偏振器520的外部光的相位不同,这导致相消干涉,以及因此可以减少外部光的反射,从而增强可视性。半透明OCA510和偏振器520可以覆盖平坦化层140的开口。根据本实施方式的显示装置可不必包括偏振器520。如果必要,可以省略偏振器520,并且可以用其它组件代替偏振器520。例如,可以省略偏振器520,并且可以通过使用黑矩阵或滤色器减少外部光的反射。
如果必要,可以进一步执行在封装层400上形成用于触摸屏的功能的各种图案的触摸电极的过程或形成用于保护触摸电极的触摸保护层的过程。此外,可以在封装层400上布置具有耐划伤、耐化学性等功能的功能层(未示出)。
除上述各种配置之外,可以在显示面板上形成(或布置)驱动电路芯片810。显示面板和柔性电路820可以连接。
在这种情况下,驱动电路芯片810和/或柔性电路820可以附接到第二区域2A上。驱动电路芯片810和/或柔性电路820可以连接到在第二区域2A中布置的第一导电层215c、第二导电层213b和第三导电层215d和/或电连接到第一导电层215c、第二导电层213b和第三导电层215d的其它导电层。驱动电路芯片810和/或柔性电路820可以通过第一导电层215c、第二导电层213b、第三导电层215d和其它导电层向显示区域DA提供驱动信号。驱动信号可意为驱动显示装置的驱动电压和各种信号(诸如栅极信号、数据信号等)。在图8中,驱动电路芯片810安装在第一导电层215c的边缘,并且柔性电路820连接到第三导电层215d的边缘。然而,本公开不限于此。驱动电路芯片810和柔性电路820可以连接到第二导电层213b或其它导电层。
在示例性实施方式中,驱动电路芯片810和/或柔性电路820可以通过经由压接装置PB向驱动电路芯片810和/或柔性电路820施加压力和热而附接到导电层。在这种情况下,可以使用各向异性导电膜(ACF)。ACF可以包括双面胶带,其中通过热固化的粘合剂和细小导电颗粒被分散和混合。因此,如果对ACF的上部和下部施加压力,则导电颗粒迅速扩散并且其中所包括的粘合剂填充双面胶带,以及因此ACF可以同时具有导电性和粘附性。
在形成开口170OP并且附接载体膜195之后,可以形成偏振器520、触摸电极、功能层和驱动电路芯片810,并且柔性电路820和显示面板可以彼此连接。在另一实施方式中,在制造了一个显示面板之后,可以形成偏振器520、触摸电极、功能层和驱动电路芯片810,并且柔性电路820和显示面板可以彼此连接。然而,为便于描述,下文将详细描述在形成开口170OP并且将载体膜195附接到保护膜175之后,形成偏振器520、触摸电极、功能层和驱动电路芯片810,并且柔性电路820和显示面板彼此连接的情况。
如果完成上述过程,则第一弯曲保护层610可以形成在显示面板上。在这种情况下,在粘合驱动电路芯片810和/或柔性电路820的过程之后形成第一弯曲保护层610,但本公开不限于此。可以在粘合驱动电路芯片810和/或柔性电路820的过程之前形成第一弯曲保护层610。然而,为便于描述,下文将详细描述在粘合驱动电路芯片810和/或柔性电路820的过程之后形成第一弯曲保护层610的情况。
具体地,第一弯曲保护层610可以通过喷嘴N涂覆在显示面板上。在这种情况下,第一弯曲保护层610可以由喷嘴N在一个方向(例如,图8的X方向或图1的Y方向)上以线形涂覆。在第一弯曲保护层610被涂覆之后,附接到喷嘴N上的硬化器H可以硬化第一弯曲保护层610。在这种情况下,硬化器H可以通过热、激光和/或紫外线(UV)硬化第一弯曲保护层610。
可以在形成弯曲保护层600的区域的边界中连续地执行上述过程。在这种情况下,第一弯曲保护层610可以布置在弯曲保护层600的区域的边界的至少一部分中。然而,为便于描述,下文将详细描述第一弯曲保护层610围绕弯曲保护层600的区域的边界的情况。
在这种情况下,第一弯曲保护层610可以形成闭合环路。在这种情况下,在开口170OP的上表面中布置的显示面板区域可以布置在第一弯曲保护层610中。可以在第一弯曲保护层610中形成空间。即,第一弯曲保护层610的形状可以与坝的形状相同或类似。
当形成第一弯曲保护层610时,第一弯曲保护层610可以布置在开口170OP的边界的至少一部分中或在开口170OP的边界的外部。即,第一弯曲保护层610的一部分可以布置在显示面板上以与开口170OP重叠或不与开口170OP重叠(例如,当第一弯曲保护层610布置在开口170OP外部时)。
第一弯曲保护层610的最高点P可以布置在开口170OP的边界外部。例如,第一弯曲保护层610的最高点P可以不与开口170OP重叠。
在另一实施方式中,第一弯曲保护层610可以布置在弯曲区域BA外部或开口170OP外部以不与弯曲区域BA或开口170OP重叠。在这种情况下,第一弯曲保护层610中的一个可以布置在第二区域2A中,并且另一个可以布置在开口170OP和显示区域DA之间。
然而,为便于描述,下文将详细描述第一弯曲保护层610的一部分布置在显示面板上以与开口170OP重叠的情况。
图10是用于描述图1的显示装置的制造顺序的剖视图。图11是用于描述图1的显示装置的制造顺序的剖视图。
参考图10和图11,在如上所述形成第一弯曲保护层610之后,可以涂覆第二弯曲保护层620。在这种情况下,喷嘴N可以将第二弯曲保护层620喷涂到形成在第一弯曲保护层610中的空间。
当形成第二弯曲保护层620时,第二弯曲保护层620可以在未被硬化的同时在第一弯曲保护层610的空间中流动。在这种情况下,第二弯曲保护层620可以填充第一弯曲保护层610的空间。
涂覆的第二弯曲保护层620的最大高度H2可以低于第一弯曲保护层610的最大高度H1。在这种情况下,第二弯曲保护层620的一部分可以与第一弯曲保护层610重叠。
如果如上所述完全涂覆了第二弯曲保护层620,则可以硬化第二弯曲保护层620。在这种情况下,可以通过附接到喷嘴N上的硬化器H或独立于硬化器H的硬化单元来硬化第二弯曲保护层620。硬化第二弯曲保护层620的方法与硬化第一弯曲保护层610的方法相同或类似,以及因此省略其详细描述。
如果如上所述完全硬化了第二弯曲保护层620,则弯曲保护层600可以形成在开口170OP上的显示面板中。在这种情况下,在第一弯曲保护层610被硬化之后,第二弯曲保护层620可以被硬化,以及因此第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620之间的边界630可以沿着第一弯曲保护层610的外表面而形成。具体地,第一弯曲保护层610可以经由边界630与第二弯曲保护层620分开。
弯曲保护层600的面积可以大于弯曲区域BA的面积和开口170OP的面积。弯曲保护层600的厚度可以在弯曲区域BA或开口170OP中均匀地保持。弯曲保护层600的一个表面可以暴露于外部。
当弯曲保护层600的厚度不均匀时,曲率半径可能不均匀,并且当基板100弯曲时,在弯曲区域BA中可能有高的概率产生裂纹。然而,如上所述形成的弯曲保护层600可以在弯曲区域BA或开口170OP中具有均匀的厚度。
当弯曲区域BA弯曲时,弯曲保护层600可以使拉伸应力最小化。当堆叠结构弯曲时,堆叠结构中存在应力中性面。如果不存在弯曲保护层600,则根据随后将描述的基板100的弯曲,可能对弯曲区域BA中的第一导电层215c施加过量的拉伸应力。这是因为第一导电层215c的位置可能不对应于应力中性面。然而,如果存在弯曲保护层600并且其厚度和模量被调整,则包括所有基板100、第一导电层215c和弯曲保护层600的堆叠结构的应力中性面的位置可以被调整。因此,应力中性面可以通过弯曲保护层600而位于第一导电层215c附近,从而最小化施加到第一导电层215c的拉伸应力并且保护弯曲区域BA。
当弯曲区域BA弯曲时,应力可能集中在弯曲保护层600的小厚度部分上。具体地,小厚度部分可能经常出现在形成第一弯曲保护层610的部分中。在这种情况下,当第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620被同时涂覆或顺序地涂覆之后被同时硬化时,由于第一弯曲保护层610可以不弯曲,所以可减少布置在弯曲保护层600的最外部区域中的第一弯曲保护层610的厚度。在这种情况下,当弯曲区域BA弯曲时,由于在第一弯曲保护层610的最外部分产生裂纹,所以弯曲保护层600可能与显示面板分离。然而,如上所述第一弯曲保护层610可以几乎同时被涂覆和硬化,第一弯曲保护层610可以不弯曲,这可以防止第一弯曲保护层610的最外部分的厚度大幅减少,从而避免应力的集中。
第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以包括相同的材料。在另一实施方式中,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以包括不同的材料。具体地,当第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620包括不同的材料时,当第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620被硬化时,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以具有不同的颜色、密度、硬度等。
在图11中,弯曲保护层600的在显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面不与偏振器520和/或OCA510接触,但本公开不限于此。例如,弯曲保护层600的在显示区域DA的方向(-x方向)上的边缘可以覆盖偏振器520的边缘的上表面的一部分。或者,弯曲保护层600的在显示区域DA的方向(-x方向)上的边缘可以与偏振器520(+z方向)的上表面相同。
图12是图1的基板100和保护膜175的示意性剖视图。
参考图12,在如上所述形成弯曲保护层(未示出)之后,基板100可以相对于弯曲轴(未示出)弯曲。基板100可以在弯曲区域BA中弯曲。保护膜175的保护膜基底170可以保护基板100的下表面以及因此自身具有刚性。因此,当保护膜基底170具有低柔性时,如果基板100弯曲,则保护膜基底170可能与基板100分离。然而,在根据本实施方式的显示装置中,保护膜175可以具有与弯曲区域BA对应的开口170OP,从而有效地防止保护膜基底170与基板100分离。
如上所述保护膜175具有与弯曲区域BA对应的开口170OP,并且附接到在第一区域1A和第二区域2A中的基板100的下表面上,但本公开不限于此。例如,保护膜175可以仅对应基板100的第一区域1A的至少一部分。即,保护膜175可以不存在于基板100的第二区域2A中。
在示例性实施方式中,基板100相对于弯曲轴弯曲,使得第一区域1A的下表面的一部分和第二区域2A的下表面的至少一部分彼此面对,但实施方式不限于此。因此,各种变型可以是可行的,例如,弯曲区域BA的曲率可以比如图所示更小,或虽然弯曲区域BA的曲率没有大的变化,但由于弯曲区域BA具有小的面积,所以第一区域1A的下表面和第二区域2A的下表面可不彼此面对。然而,为便于描述,下文将详细描述第一区域1A的下表面和第二区域2A的下表面彼此面对的情况。
图13是根据另一实施方式的显示装置的剖视图。图14是图13的显示装置的基板100、保护膜175和垫层190的示意性剖视图。
参考图13和图14,显示装置的弯曲保护层600可以延伸到显示装置的基板100的边缘,如图13所示。例如,第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层215c和第二导电层213b的其它导电层中的至少一些可以不被第二区域2A中的层间绝缘层130或平坦化层140覆盖,而可以电连接到驱动电路芯片810或柔性电路820。在这种情况下,电连接部分可能必须被防止免于诸如外部水分等杂质。因此,弯曲保护层600可以覆盖电连接部,以及因此弯曲保护层600可以用作保护层。在图13中,弯曲保护层600部分地覆盖驱动电路芯片810和柔性电路820,但各种变型可以是可行的。弯曲保护层600可以覆盖驱动电路芯片810而不覆盖柔性电路820。
弯曲保护层600可以包括在弯曲保护层600的边界区域中的第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620。在这种情况下,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以以如上所述相同或类似的方式形成,以及因此省略其详细描述。
在基板100弯曲之后,垫层190可以进一步布置在面向第一区域1A和第二区域2A的区域中。即,垫层190可以与保护膜基底170的第一区域1A处的部分和保护膜基底170的第二区域2A处的部分接触。在基板100弯曲之后,垫层190可以布置在第一区域1A和第二区域2A彼此间隔开的空间中,可以支撑显示面板,并且可以吸收冲击。垫层190可以包括弹性材料。在这种情况下,显示装置不限于此。垫层190可以在基板100弯曲之前附接到保护膜基底170上。
图15是根据另一实施方式的显示装置的剖视图。图16是图15的显示装置的基板100、保护膜175和填充物193的示意性剖视图。
参考图15和图16,显示装置的弯曲保护层600可以以如图13所示的类似的方式形成。在这种情况下,弯曲保护层600可以包括在外部形成坝的第一弯曲保护层610和布置在第一弯曲保护层610内部的第二弯曲保护层620。
填充物193可以进一步布置在保护膜175的开口170OP中。可以通过在保护膜175的开口170OP中注入和固化液态或糊状材料而形成填充物193。可以通过向填充物193照射UV光或施加热而固化填充物193。填充物193可以包括粘性材料,并且可以通过UV光或热而固化,从而防止或最小化基板100由于基板100的恢复力而变形到基板100弯曲之前的状态。
可以在基板100弯曲之后注入填充物193,但在另一实施方式中,可以在形成开口170OP之后注入液态或糊状填充物193。在这种情况下,基板100可以在液态或糊状填充物193可以固化之前弯曲。此后,可以通过对液态或糊状填充物193用UV照射或施加热而使填充物193固化。
图17是根据另一实施方式的显示装置的基板100、保护膜175、填充物193和垫层190的剖视图。
参考图17,填充物193可以与垫层190一起使用。在这种情况下,可以在基板100弯曲之后布置填充物193和垫层190。在另一实施方式中,可以在基板100弯曲之前布置填充物193和垫层190。在这种情况下,本公开不限于此。填充物193和垫层190可以通过使用各种方法布置。
图18是根据另一实施方式的显示装置的剖视图。
参考图18,显示装置可以包括与弯曲区域BA重叠的弯曲保护层600。在这种情况下,弯曲保护层600可以包括彼此连接的第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620。第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以以如上所述相同或类似的方式形成,以及因此省略其详细描述。
弯曲保护层600可以与弯曲区域BA重叠并且可以布置在平坦化层140上。在这种情况下,弯曲保护层600可以部分地与OCA 510和偏振器520接触。
如上所述,无机绝缘层在无机绝缘层和有机绝缘层重叠的区域中具有平坦的上表面,但本公开不限于此。例如,如图18所示,无机绝缘层可以在与弯曲区域BA对应的位置具有凹槽。
缓冲层110可以在第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A中不连续。栅极绝缘层120可以具有与弯曲区域BA对应的开口120a。层间绝缘层130也可以具有与弯曲区域BA对应的开口130a。因此,包括缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的无机绝缘层可以理解为具有与弯曲区域BA对应的凹槽。无机绝缘层可以具有不同形状和各种形状的凹槽。例如,可以部分地去除缓冲层110(+z方向)的上表面。与图示不同的,栅极绝缘层120(-z方向)的下表面可以不被去除,并且各种变型可以是可行的。凹槽可以与用于形成将TFT 210的源电极215a和漏电极215b连接到半导体层211的接触孔C2和接触孔C1的图案化过程同时形成。
与弯曲区域BA对应的凹槽可以是与弯曲区域BA重叠的凹槽。在这种情况下,凹槽的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此,在图18中,凹槽的宽度GW大于弯曲区域BA的宽度。在这种情况下,凹槽的面积可以被限定为从栅极绝缘层120和层间绝缘层130的开口120a和130a之中具有最小面积的开口的面积。在图18中,凹槽的面积由栅极绝缘层120的开口120a的面积限定。在根据本实施方式的显示装置中,有机材料层160可以***到无机绝缘层和第一导电层215c之间并且可以填充凹槽。
虽然为便于描述,在图18中显示装置没有弯曲,但在根据本实施方式的显示装置中,基板100可以在弯曲区域BA中弯曲,如图1所示。为此,在制造过程中,基板100可以制造为大致平坦的,以及然后可以在弯曲区域BA中弯曲,以及因此显示装置可以具有如图1所示的形状。在这种情况下,在弯曲区域BA中弯曲基板100的过程中,虽然拉伸应力可能施加到第一导电层215c,但是在根据本实施方式的显示装置中,无机绝缘层可以在弯曲区域BA中具有凹槽,并且第一导电层215c的弯曲区域BA可以位于填充无机绝缘层的凹槽的至少一部分的有机材料层160上。因此,可以防止在位于有机材料层160上的第一导电层215c的弯曲区域BA中产生裂纹,或可以使裂纹的产生率最小化。
由于无机绝缘层的硬度高于有机材料层160的硬度,所以在弯曲区域BA中的无机绝缘层中可能有高的概率产生裂纹。当在无机绝缘层中产生裂纹时,裂纹可能有高的概率扩散到第一导电层215c。虽然裂纹的扩散可以被有机材料层160防止,但是由于在无机绝缘层中形成了凹槽,所以在无机绝缘层中产生裂纹的概率可以进一步减少。因此,第一导电层215c上的拉伸应力的集中可以最小化。
图19是根据另一实施方式的显示装置的剖视图。
参考图19,显示装置可以包括弯曲保护层600以与弯曲区域BA对应。弯曲保护层600可以包括彼此分开的第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620。在这种情况下,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以以与如上所述相同或类似的方式形成,以及因此省略其详细描述。
无机绝缘层可以在与弯曲区域BA对应的位置处具有开口。
缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别具有与弯曲区域BA对应的开口110a、120a和130a。与弯曲区域BA对应的开口可以是与弯曲区域BA重叠的开口。在这种情况下,开口的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此,在图19中,开口的宽度GW大于弯曲区域BA的宽度。在这种情况下,开口的面积可以被限定为从缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的开口110a、120a和130a之中具有最小面积的开口的面积。在图19中,开口的面积由缓冲层110的开口110a的面积限定。
当形成上述显示单元DU时,可以形成填充无机绝缘层的开口的至少一部分的有机材料层160。在根据本实施方式的显示装置中,如上所述,无机绝缘层可以在弯曲区域BA中具有开口,并且第一导电层215c的弯曲区域BA可以位于填充无机绝缘层的开口的至少一部分的有机材料层160上。由于无机绝缘层在弯曲区域BA中具有开口,所以在无机绝缘层中产生裂纹的概率可以进一步减少。由于有机材料层160包括有机材料,所以在有机材料层160中产生裂纹的概率很低。因此,可以防止在位于有机材料层160上的第一导电层215c的弯曲区域BA中产生裂纹,或裂纹的产生率可以最小化。由于有机材料层160的硬度低于无机绝缘层的硬度,所以有机材料层160可以吸收当基板100弯曲时生成的拉伸应力,以及因此第一导电层215c上的拉伸应力的集中可以最小化。
图20是根据另一实施方式的显示装置的剖视图。
参考图20,显示装置可以包括弯曲保护层600以与弯曲区域BA对应。弯曲保护层600可以包括彼此分开的第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620。在这种情况下,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以以如上所述相同或类似的方式形成,以及因此省略其详细描述。
有机材料层160可以在其上表面(+z方向)的至少一部分上具有非平坦表面160s。有机材料层160可以具有非平坦表面160s,使得位于有机材料层160上的第一导电层215c的上表面和/或下表面可以具有与有机材料层160的非平坦表面160s对应的形状。
如上所述,在制造过程中,当基板100在弯曲区域BA中弯曲时,拉伸应力可能施加到第一导电层215c,以及因此第一导电层215c的上表面和/或下表面可具有与有机材料层160的非平坦表面160s对应的形状,从而最小化可能施加到第一导电层215c的拉伸应力的量。即,可以通过使具有低强度的有机材料层160的形状变形来减少弯曲过程中可能生成的拉伸应力。在这种情况下,至少在基板100弯曲之前,具有非平坦形状的第一导电层215c可以变形以与由于弯曲而变形的有机材料层160的形状对应,从而有效地防止诸如第一导电层215c的断开连接的缺陷。
非平坦表面160s可以形成在有机材料层160(+z方向)的上表面的至少一部分中,以及因此有机材料层160的上表面的表面积可以大于在第一开口中的第一导电层215c的上表面和下表面的表面积。由于有机材料层160的上表面的表面积大于第一导电层215c的上表面的表面积和下表面的表面积中的至少一个,所以有机材料层160和第一导电层215c的变形量可以增加,其减小了由基板100的弯曲而生成的拉伸应力。
由于第一导电层215c位于有机材料层160中,所以第一导电层215c的下表面可以具有与有机材料层160的非平坦表面160s对应的形状,而第一导电层215c的上表面可以具有不与有机材料层160的非平坦表面160s对应的独立形状的非平坦表面。
不仅在具有非平坦表面的无机绝缘层包括开口的情况下,而且还在其中无机绝缘层在无机绝缘层和有机材料层160重叠的区域中具有平坦上表面的情况下以及其中无机绝缘层包括凹槽的情况下,有机材料层160可以以如上所述相同或类似的方式形成。
在根据上述实施方式的显示装置中,可以应用关于包括保护膜基底170和粘性层180的保护膜175的上述实施方式中所说明的结构、制造方法或特性。
图21是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图。
参考图21,如上所述的有机材料层(未示出)可以不存在于显示装置中。在这种情况下,布置在第一导电层215c的下表面中的层间绝缘层130和布置在层间绝缘层130的下表面中的栅极绝缘层120可以是平坦的,如图21所示。
在这种情况下,当不存在有机材料层时,可以应用关于包括保护膜基底170和粘性层180的保护膜175的上述实施方式中所说明的结构、制造方法或特性。
显示装置可以不包括平坦化层(未示出),以及因此第一导电层215c可以在弯曲区域BA中暴露于外部。在这种情况下,弯曲保护层600可以遮蔽第一导电层215c的一部分。
弯曲保护层600可以包括彼此分开的第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620。在这种情况下,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以以如图1至图13所描述的相同或类似的方式形成,以及因此省略其详细描述。
弯曲保护层600可以如图21所示形成,但示例性实施方式不限于此。在另一实施方式中,如上所述的显示装置可以不包括有机材料层,可以包括平坦化层,并且可以在平坦化层上包括弯曲保护层600。
弯曲保护层600可以形成为与OCA 510和偏振器520接触。
图22是根据另一示例性实施方式的显示装置的剖视图。图23是用于描述当图22的显示装置被制造时形成弯曲保护层600的顺序的平面图。图24是用于描述当图22的显示装置被制造时形成弯曲保护层600的顺序的平面图。
参考图22至图24,显示装置可以不包括上述有机材料层(未示出)。显示装置可以包括上述平坦化层(未示出)。
在这种情况下,在实施方式中,布置在第一导电层215c的下表面中的层间绝缘层130、布置在层间绝缘层130的下表面中的栅极绝缘层120和布置在栅极绝缘层120的下表面中的缓冲层110可以被去除,使得可以形成如图22所示的孔。在另一实施方式中,可以去除布置在第一导电层215c的下表面中的层间绝缘层130的一部分和栅极绝缘层120的一部分,同时缓冲层110可以不被去除。然而,为便于描述,下文将详细描述布置在第一导电层215c的下表面中的层间绝缘层130的一部分、栅极绝缘层120的一部分和缓冲层110的一部分被去除的情况。
在这种情况下,当不存在有机材料层时,可以应用关于包括保护膜基底170和粘性层180的保护膜175的上述实施方式中所说明的结构、制造方法或特性。
显示装置可以不包括平坦化层(未示出),以及因此第一导电层215c可以在弯曲区域BA中暴露于外部。在这种情况下,弯曲保护层600可以遮蔽第一导电层215c的一部分。
弯曲保护层600可以包括彼此分开的第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620。在这种情况下,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以以如图1至图13所描述的相同或类似的方式形成。
具体地,如图23所示,第一弯曲保护层610可以布置在开口170OP外部。在这种情况下,第一弯曲保护层610可以布置在弯曲区域BA外部。第一弯曲保护层610可以形成如上所述闭合环路。此后,可以在固化第一弯曲保护层610之后在第一弯曲保护层610内部形成第二弯曲保护层620。在这种情况下,第一弯曲保护层610可以被固化以用作坝,使得第二弯曲保护层620可以不移动到第一弯曲保护层610外部。如果第二弯曲保护层620被完全涂覆,则第二弯曲保护层620可以被固化。此后,如图24所示,基板100的边缘的一部分可以被去除。在这种情况下,基板100、堆叠在基板100中的各种层、保护膜175的一部分和第一弯曲保护层610可以被去除。具体地,在图24中在Y方向上布置在基板100的侧表面中的第一弯曲保护层610可以被部分地或全部去除。在这种情况下,在图24中在Y方向上的基板100的侧表面中,第一弯曲保护层610的一部分和第二弯曲保护层620可以以堆叠状态存在,或可以仅保留第二弯曲保护层620。在图24中,第一弯曲保护层610和第二弯曲保护层620可以在X方向上在基板100上完全存在。
弯曲保护层600可以如图22所示形成,但实施方式不限于此。在另一实施方式中,如上所述的显示装置可以不包括有机材料层,可以包括平坦化层,并且可以包括在平坦化层上的弯曲保护层600。
弯曲保护层600可以形成为与OCA 510和偏振器520接触。
在另一示例性实施方式中,弯曲保护层600的至少一部分可以与封装层400的一部分重叠。在这种情况下,弯曲保护层600的一部分可以与第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一个重叠。在这种情况下,第一弯曲保护层610的至少一部分可以布置在封装层400上。弯曲区域BA或开口170OP可以布置在第二弯曲保护层620的下表面中,使得弯曲保护层600可以完全覆盖弯曲区域BA。第二导电层213a和第一导电层215c的一部分可以布置在弯曲保护层600的下表面中。在这种情况下,第一导电层215c和第二导电层213a可以通过弯曲保护层600与外部空气隔绝。在这种情况下,实施方式不限于此。即,如上所述,除弯曲保护层600与第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一个重叠的情况之外,弯曲保护层600可以不与第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一个重叠。根据示例性实施方式,弯曲保护层600可以以如图11、图13、图15及图18至图21所示相同或类似的方式不与第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一个重叠。图11、图13、图15及图18至图21的弯曲保护层600可以以与图22的弯曲保护层600相同或类似的方式与第一无机封装层410和第二无机封装层430中的至少一个重叠。
根据实施方式的显示装置可以形成弯曲保护层,以在确定的范围内具有确定的高度。当显示装置弯曲时,根据实施方式的显示装置还可以足以承受集中在弯曲保护层的边缘上的应力。
根据制造示例性实施方式的显示装置的方法,弯曲保护层可以形成为在精确位置具有设计的宽度。此外,根据制造示例性实施方式的显示装置的方法,弯曲保护层可以简单且快速地形成。
应当理解,本文描述的示例性实施方式应仅在描述性意义上被考虑,而不是为了限制的目的。对每个实施方式中的特征或方面的描述应通常被理解为可适用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。
虽然参照附图描述了一个或多个示例性实施方式,但本领域普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (29)
1.显示装置,包括:
基板,所述基板包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域,并且在所述弯曲区域中弯曲;
显示单元,所述显示单元布置在所述基板的上表面上,并且位于所述第一区域中;
保护膜,所述保护膜位于所述基板的下表面上,并且包括保护膜基底和粘性层;以及
弯曲保护层,所述弯曲保护层包括第一弯曲保护层和第二弯曲保护层,并且与所述弯曲区域对应,
其中,所述保护膜具有与所述弯曲区域以及所述第一区域和所述第二区域的至少一部分对应的开口;以及
其中,所述第一弯曲保护层布置在所述开口的边界的至少一部分上或所述开口的所述边界的外部上,并且所述第二弯曲保护层的至少一部分布置在所述开口的所述边界的内部上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一弯曲保护层的最大高度大于所述第二弯曲保护层的最大高度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一弯曲保护层与所述第二弯曲保护层至少部分地重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,与所述第一弯曲保护层的最大高度对应的点在所述开口的所述边界外部。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一弯曲保护层布置在所述基板上并且与所述开口的所述边界重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一弯曲保护层形成为闭合环路。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述弯曲保护层的面积大于所述开口的面积。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述开口的面积大于所述弯曲区域的面积。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
填充物,所述填充物配置为至少部分地填充所述开口。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基板弯曲,使得所述第一区域的下表面的一部分和所述第二区域的下表面的至少一部分彼此面对,以及所述保护膜基底与所述第一区域和所述第二区域对应并且包括与所述弯曲区域对应的所述开口;以及
所述显示装置还包括:
垫层,所述垫层与所述保护膜基底的在所述第一区域上的一部分和所述保护膜基底的在所述第二区域上的一部分接触。
11.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
无机绝缘层,所述无机绝缘层布置在所述基板上;
第一导电层,所述第一导电层经由所述弯曲区域从所述第一区域延伸至所述第二区域,并且布置在所述无机绝缘层上;以及
有机材料层,所述有机材料层布置在所述无机绝缘层和所述第一导电层之间,并且与所述弯曲区域重叠。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述无机绝缘层在所述无机绝缘层与所述有机材料层重叠的区域中具有平坦的上表面。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述无机绝缘层在所述无机绝缘层与所述有机材料层重叠的区域中具有凹槽或开口,使得所述有机材料层填充所述凹槽或所述开口。
14.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述有机材料层的上表面的至少一部分具有非平坦表面。
15.制造显示装置的方法,包括:
在包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域的基板的所述第一区域中形成显示单元;
将保护膜附接到所述基板的下表面上,其中,所述保护膜包括保护膜基底和粘性层并具有与所述弯曲区域以及所述第一区域和所述第二区域的至少一部分对应的开口;
在与所述开口的边界的至少一部分对应的所述基板上或所述开口的所述边界的外部的所述基板上形成第一弯曲保护层,并且固化所述第一弯曲保护层;以及
在所述基板上形成第二弯曲保护层,使得所述第二弯曲保护层的至少一部分与所述开口的所述边界的内部对应。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括:
将载体膜附接到所述保护膜上。
17.根据权利要求15所述的方法,还包括:
固化所述第二弯曲保护层。
18.根据权利要求15所述的方法,其中,所述第二弯曲保护层的至少一部分与所述第一弯曲保护层重叠。
19.根据权利要求15所述的方法,其中,所述第一弯曲保护层的最大高度大于所述第二弯曲保护层的最大高度。
20.根据权利要求15所述的方法,其中,与所述第一弯曲保护层的最大高度对应的点在所述开口的所述边界外部。
21.根据权利要求15所述的方法,其中,所述第一弯曲保护层布置在所述基板上,并且与所述开口的所述边界重叠。
22.根据权利要求15所述的方法,其中,所述第一弯曲保护层形成为闭合环路。
23.根据权利要求15所述的方法,其中,所述第一弯曲保护层和所述第二弯曲保护层中的每一者的面积大于所述开口的面积。
24.根据权利要求15所述的方法,其中,所述开口的面积大于所述弯曲区域的面积。
25.根据权利要求15所述的方法,还包括:
相对于所述弯曲区域中的弯曲轴弯曲所述基板。
26.根据权利要求25所述的方法,还包括:
在弯曲所述基板之后用填充物至少部分地填充所述开口。
27.根据权利要求25所述的方法,还包括:
在所述基板的所述弯曲之后在所述第一区域和所述第二区域之间布置垫层。
28.根据权利要求15所述的方法,还包括:
用液态或糊状填充物涂覆所述开口。
29.根据权利要求28所述的方法,还包括:
固化所述液态或糊状填充物。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
US (4) | US10224498B2 (zh) |
EP (1) | EP3301720B1 (zh) |
KR (2) | KR102405120B1 (zh) |
CN (2) | CN117750817A (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108986661A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性基板、制作方法以及显示装置 |
CN109148716A (zh) * | 2018-08-14 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及其母板结构 |
CN109166894A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制造方法、保护膜、显示装置 |
CN110473466A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110497091A (zh) * | 2018-05-18 | 2019-11-26 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种柔性显示屏的加工方法及装置 |
CN110560918A (zh) * | 2018-05-18 | 2019-12-13 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种显示器件的加工方法及装置 |
CN110956900A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN111048681A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 三星显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
CN111599845A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN111697154A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 三星显示有限公司 | 显示设备及制造显示设备的方法 |
CN112017535A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102572720B1 (ko) * | 2016-05-03 | 2023-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102559837B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2023-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20180030365A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102327991B1 (ko) * | 2016-12-16 | 2021-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조방법 |
CN106773384A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Goa电路结构 |
JP2019012099A (ja) * | 2017-06-29 | 2019-01-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
JP7064846B2 (ja) * | 2017-10-23 | 2022-05-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
KR102408164B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2022-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조방법 |
US11081660B2 (en) | 2018-05-03 | 2021-08-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and support film structure for display device |
KR102493621B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102645335B1 (ko) | 2018-06-27 | 2024-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 모듈, 표시 장치 및 표시 모듈 제조 방법 |
KR102545950B1 (ko) | 2018-07-12 | 2023-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102573704B1 (ko) * | 2018-09-06 | 2023-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 만입된 형상의 표시부를 포함하는 표시 장치 |
KR102538829B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2023-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR102568726B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
WO2020065910A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR102573780B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2023-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109494241B (zh) * | 2018-10-08 | 2020-11-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法 |
KR20200053991A (ko) | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109377889B (zh) * | 2018-12-19 | 2020-08-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置 |
WO2020129194A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
KR20200108139A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20210004008A (ko) * | 2019-07-02 | 2021-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210072869A (ko) * | 2019-12-09 | 2021-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기 |
KR20210086285A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20210102526A (ko) * | 2020-02-10 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20210102562A (ko) * | 2020-02-11 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111416056A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11570911B2 (en) * | 2020-08-20 | 2023-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR20220030512A (ko) * | 2020-09-02 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR20230007598A (ko) * | 2021-07-05 | 2023-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20230061675A (ko) * | 2021-10-28 | 2023-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
CN114241906B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-06-14 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示装置及其制备方法 |
CN118155510A (zh) * | 2022-08-29 | 2024-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示模组及显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130169515A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Valeriy Prushinskiy | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same |
US20150102296A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
US20150115248A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN104733498A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机发光显示器及其制造方法 |
CN105280673A (zh) * | 2014-06-25 | 2016-01-27 | 株式会社日本显示器 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
WO2016093476A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | LG Display Co.,Ltd. | Flexible display device with multiple types of micro-coating layers |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4684041A (en) | 1985-04-12 | 1987-08-04 | Phillips Petroleum Company | Solid particle dispensing |
KR20100082439A (ko) | 2009-01-09 | 2010-07-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101117399B1 (ko) | 2010-05-11 | 2012-03-07 | 주식회사 에이치엔에이치글로벌리소스 | 휴대용 디스플레이 장치 및 장치의 결합 방법 |
JP5512888B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-06-04 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 柔軟な基板を有する電子素子 |
KR101330759B1 (ko) | 2012-05-14 | 2013-11-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 대면적 평판 조명 장치 및 그 제조방법, 이를 포함하는 액정표시장치 |
KR101416768B1 (ko) | 2012-11-15 | 2014-07-09 | 안성룡 | 플렉서블 인쇄회로기판이 연결된 디스플레이 장치에 유리 기판을 부착하는 방법 |
US9349969B2 (en) * | 2013-02-01 | 2016-05-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same |
CN104167513A (zh) * | 2014-07-22 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板的制作方法和柔性显示装置 |
JP6602585B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2019-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
-
2016
- 2016-09-29 KR KR1020160125591A patent/KR102405120B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-09-20 EP EP17192003.6A patent/EP3301720B1/en active Active
- 2017-09-28 CN CN202311786225.XA patent/CN117750817A/zh active Pending
- 2017-09-28 CN CN201710895383.7A patent/CN107887338B/zh active Active
- 2017-09-28 US US15/719,183 patent/US10224498B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-18 US US16/251,751 patent/US10826003B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-02 US US17/087,408 patent/US20210050537A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-05-30 KR KR1020220066356A patent/KR20220082786A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-07-11 US US17/861,883 patent/US12010907B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130169515A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Valeriy Prushinskiy | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same |
US20150102296A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
US20150115248A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN104733498A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机发光显示器及其制造方法 |
CN105280673A (zh) * | 2014-06-25 | 2016-01-27 | 株式会社日本显示器 | 显示装置以及显示装置的制造方法 |
WO2016093476A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | LG Display Co.,Ltd. | Flexible display device with multiple types of micro-coating layers |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110473466A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110473466B (zh) * | 2018-05-11 | 2024-01-23 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110497091A (zh) * | 2018-05-18 | 2019-11-26 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种柔性显示屏的加工方法及装置 |
CN110560918A (zh) * | 2018-05-18 | 2019-12-13 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种显示器件的加工方法及装置 |
CN108986661A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性基板、制作方法以及显示装置 |
CN109148716A (zh) * | 2018-08-14 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及其母板结构 |
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