CN107863453B - 一种基于端面封装的oled器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种基于端面封装的OLED器件,包括:基板、形成于基板上的发光层、用于封装发光层的薄膜封装层和在所述基板端面边缘上形成的一圈金属膜,以及与基板胶合的封装箔,所述基板边缘金属膜通过超声焊接与封装箔边缘联接;所述金属膜和封装箔为基板上正负极预留缺口。基于上述设计,基板边缘金属膜和封装箔通过超声焊接联接在一起,能够有效地实现屏体边缘密封,增强边缘封装效果。
Description
技术领域
本发明一般涉及电子显示技术领域,具体涉及一种基于端面封装的OLED器件及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Display,中文名有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。根据这种发光原理而制成显示器或照明产品被称为有机发光显示器或有机发光照明产品。柔性化、弯曲化、超薄成为OLED屏体将来的发展方向,封装技术将是制约其发展的重要因素。
目前OLED封装方式主要有以下两种:
(1)硬屏封装:即于玻璃基板上制备OLED器件,通过在封装片顶部或器件四周分布干燥剂,以及边缘通过封装胶或Frit密封阻隔水氧;硬屏封装虽然封装效果好,但其屏体厚度大且基材不能弯折,故不适用于超薄OLED屏和柔性OLED屏的封装。
(2)软屏封装:在基板材料OLED器件制备(包括薄膜封装)完成后通过粘接胶和封装膜贴合完成OLED器件封装。软屏封装即端面封装,通常采用封装箔和粘结剂贴合的方式封装,由于粘结剂属于有机材料且水氧阻隔能力有限,特别是在屏体边缘位置更是直接与大气接触,在一定程度上对于屏体寿命影响严重。
发明内容
第一方面,鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种相较于现有技术而言,能够在屏体边缘位置有效地实现水氧阻隔的基于端面封装的OLED器件。
一种基于端面封装的OLED器件,包括:基板、形成于基板上的发光层、用于封装发光层的薄膜封装层和在所述基板端面边缘上形成的一圈金属膜,以及与基板胶合的封装箔,所述基板与封装箔边缘超声焊接;所述金属膜和封装箔为基板上正负极预留缺口。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述金属膜厚度大于200nm、宽度为1-3mm。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述金属膜与所述基板之间设有一层或多层金属过渡层。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述金属过渡层为Cr、Ti或Ni中的一种或几种合金;其厚度10—50nm。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述金属膜和封装箔材质相同且材质为铝或铜或钛。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述薄膜封装层为单层无机层或有机与无机的叠层结构。
第二方面,鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种相较于现有技术而言,能够在屏体边缘位置有效地实现水氧阻隔的基于端面封装的OLED器件制备方法。
一种基于端面封装的OLED器件制备方法,包括如下步骤:
制作基础部件:在所述基板上形成电极和发光层、以及用于封装发光层的薄膜封装层,得到基础部件;
图形化金属膜:在所述基板端面边缘上形成一圈金属膜且为基板上正负极预留缺口;
胶合封装箔:在所述封装箔表面涂覆粘结剂或在所述基础部件上涂覆粘结剂,将所述封装箔与基板贴合;
高温脱泡:将上述步骤制备所得的屏体进行高温脱泡得到初步屏体;
超声焊接:超声焊接所述初步屏体边缘,使得基板和封装箔焊接为一体。
根据本申请实施例提供的技术方案,在所述图形化金属膜之前还包括:图形化金属过渡层:在所述基板端面边缘上形成一圈金属过渡层且所述金属过渡层为一层或多层。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述金属过渡层为Cr、Ti或Ni中的一种或几种合金;其厚度10—50nm。
根据本申请实施例提供的技术方案,所述金属膜厚度大于200nm、宽度为1-3mm。
根据本申请实施例提供的技术方案,在胶合封装箔中,粘结剂的涂覆区域大于基板上的发光区域。
根据本申请实施例提供的技术方案,粘结剂涂覆区域的边缘与所述金属膜边缘之间的距离大于0.3mm。
综上所述,本申请基于上述技术方案的改进,提供有一种基于端面封装的OLED器件,基于上述设计,基板边缘金属膜和封装箔通过超声焊接联接在一起,能够有效地实现屏体边缘密封,增强边缘封装效果。
此外,本申请还提供有一种基于端面封装的OLED器件的制备方法,此制备方法相较于现有技术而言,能够制备得到上述基于端面封装的OLED器件,相较于现有技术而言,能够在屏体边缘位置有效地实现水氧阻隔,能够有效地实现屏体边缘密封,增强边缘封装效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本申请中一种基于端面封装的OLED器件的示意图(实施例一);
图2是本申请中一种基于端面封装的OLED器件制备方法的流程图(实施例二和三);
图3是本申请中一种基于端面封装的OLED器件制备方法的流程图(实施例四和五)。
图中:1、基板;2、发光层;3、薄膜封装层;4、封装箔;5、金属膜。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
实施例一:
请参阅图1,本实施例中具体地公开了一种基于端面封装的OLED边缘密封结构,包括:基板1、形成于基板1上的发光层2、用于封装发光层2的薄膜封装层3和在所述基板1端面边缘上形成的一圈金属膜5,以及与基板1胶合的封装箔4,所述基板1与封装箔4边缘超声焊接;所述金属膜5和封装箔4为基板1上正负极预留缺口。
在上述技术方案中,所述基板、发光层和薄膜封装层为基础部件,用于实现OLED的基础功能。
在任一优选的实施例中,所述薄膜封装层为单层无机层或有机与无机的叠层结构。
所述金属膜,本实施例中的关键结构,其在所述基板1端面边缘上形成且其为一圈结构,其形成的具体方法是:在屏体边缘通过光刻或者溅射等方式制备适宜的厚度。
当然,在其形成的过程中,所述金属膜5为基板1上正负极预留缺口。
为确保金属膜与基板结合力良好,在任一优选的实施例中,所述金属膜与所述基板之间设有一层或多层金属过渡层,金属过渡层为Cr、Ti或Ni中的一种或几种合金;其厚度10—50nm;所述金属膜厚度大于200nm、宽度为1-3mm。
所述封装箔,本实施例中的关键结构,距其边缘位置的一定区域刮涂或旋涂具有一定吸水能力的粘结剂,以便于与基板相互胶合。在刮涂或旋涂的过程中,需要注意根据屏体正负极设置安排相应位置预留缺口。
粘结剂刮涂或旋涂的一定区域可与基板上的发光区域相同或者略大于发光区域,但不能涂覆在金属膜上,否则影响到焊接效果。
在上述技术方案中,金属膜与封装箔能够通过超声焊接连接在一起,实现屏体边缘密封,增强边缘封装效果,有效地解决现有技术中的技术问题。
在任一优选的实施例中,所述金属膜和封装箔材质相同且材质为铝或铜或钛。
实施例二:
请参阅图2,本实施例中具体地公开了一种基于端面封装的OLED边缘密封方法,包括如下步骤:
S1、制作基础部件:在所述基板上形成电极和发光层、以及用于封装发光层的薄膜封装层,得到基础部件;
S2、图形化金属膜:在所述基板端面边缘上形成一圈金属膜且为基板上正负极预留缺口;
S3、胶合封装箔:在所述封装箔表面涂覆粘结剂,将所述封装箔与基板贴合;
S4、高温脱泡:将上述步骤制备所得的屏体进行高温脱泡得到初步屏体;
S5、超声焊接:超声焊接所述初步屏体边缘,使得基板和封装箔焊接为一体。
在任一优选的实施例中,所述金属膜厚度大于200nm、宽度为1-3mm。
在任一优选的实施例中,在胶合封装箔中,粘结剂的涂覆区域大于基板上的发光区域。此处“大于”主要是强调粘结剂不能涂覆在金属膜上,否则影响到焊接效果。
在任一优选的实施例中,粘结剂涂覆区域的边缘与所述金属膜边缘之间的距离大于0.3mm。
基于本实施例中的上述步骤,即可得到如实施例一所述的基于端面封装的OLED器件。
在上述步骤中,胶合封装箔这一步骤,不仅仅可以通过在所述封装箔表面涂覆粘结剂来实现,还可以通过在所述基础部件上涂覆粘结剂来实现,如实施例三所示。
制作基础部件和图形化金属膜的步骤顺序并不固定,即图形化金属膜也可位于制作基础部件之前,如实施四所示。
基于实施例四,胶合封装箔这一步骤,不仅仅可以通过在所述封装箔表面涂覆粘结剂来实现,还可以通过在所述基础部件上涂覆粘结剂来实现,如实施例五所示。
实施例三:
请参阅图2,本实施例中具体地公开了一种基于端面封装的OLED器件的制备方法,与实施例二不同的是,本实施例中,在胶合封装箔时,在所述基础部件上涂覆粘结剂,将所述封装箔与基板贴合。
实施例四:
请参阅图3,本实施例中具体地公开了一种基于端面封装的OLED器件的制备方法,与实施例二不同的是,本实施例中,所述图形化金属膜的步骤位于所述制作基础部件的步骤之前。
实施例五:
请参阅图3,本实施例中具体地公开了一种基于端面封装的OLED器件的制备方法,与实施例二和三不同的是,本实施例中,所述图形化金属膜的步骤位于所述制作基础部件的步骤之前。
与实施例四不同的是,本实施例中,本实施例中,在胶合封装箔时,在所述基础部件上涂覆粘结剂,将所述封装箔与基板贴合。
为确保金属膜与基板结合力良好,在任一优选的实施例中,在所述图形化金属膜之前还包括:图形化金属过渡层:在所述基板端面边缘上形成一圈金属过渡层且所述金属过渡层为一层或多层。在形成金属过渡层的过程中需要避开基板上正负极位置。
在任一优选的实施例中,所述金属过渡层为Cr、Ti或Ni中的一种或几种合金;其厚度10—50nm。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (9)
1.一种基于端面封装的OLED器件,其特征在于:包括:基板(1)、形成于基板(1)上的发光层(2)、用于封装发光层(2)的薄膜封装层(3)和在所述基板(1)端面边缘上通过光刻或者溅射的方式形成的一圈金属膜(5),以及与基板(1)胶合的封装箔(4),所述基板(1)与封装箔(4)边缘超声焊接;所述金属膜(5)和封装箔(4)为基板(1)上正负极预留缺口;所述金属膜和封装箔材质相同;所述金属膜(5)与所述基板(1)之间设有一层或多层金属过渡层。
2.根据权利要求1所述的一种基于端面封装的OLED器件,其特征在于:所述金属膜厚度大于200nm、宽度为1-3mm。
3.根据权利要求1所述的一种基于端面封装的OLED器件,其特征在于:所述金属过渡层为Cr、Ti或Ni中的一种或几种合金;其厚度10—50nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于端面封装的OLED器件,其特征在于:所述金属膜和封装箔材质为铝或铜或钛。
5.根据权利要求1或2所述的一种基于端面封装的OLED器件,其特征在于:所述薄膜封装层(3)为单层无机层或有机与无机的叠层结构。
6.一种用于制备权利要求1-5中任一项所述的基于端面封装的OLED器件的方法,其特征在于:包括如下步骤:
制作基础部件:在所述基板上形成电极和发光层、以及用于封装发光层的薄膜封装层,得到基础部件;
图形化金属膜:在所述基板端面边缘上形成一圈金属膜且为基板上正负极预留缺口;
胶合封装箔:在所述封装箔表面涂覆粘结剂或在所述基础部件上涂覆粘结剂,将所述封装箔与基板贴合;
高温脱泡:将上述步骤制备所得的屏体进行高温脱泡得到初步屏体;
超声焊接:超声焊接所述初步屏体边缘,使得基板和封装箔焊接为一体。
7.根据权利要求6所述的一种制备基于端面封装的OLED器件的方法,其特征在于:在所述图形化金属膜之前还包括:图形化金属过渡层:在所述基板端面边缘上形成一圈金属过渡层且所述金属过渡层为一层或多层。
8.根据权利要求6或7所述的一种制备基于端面封装的OLED器件的方法,其特征在于:在胶合封装箔中,粘结剂的涂覆区域大于基板上的发光区域。
9.根据权利要求8所述的一种制备基于端面封装的OLED器件的方法,其特征在于:粘结剂涂覆区域的边缘与所述金属膜边缘之间的距离大于0.3mm。
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