CN107861295A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 41
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000002101 lytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- Mathematical Physics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括基板；分别设置于基板上的第一公共电极、第一薄膜晶体管；设置于第一薄膜晶体管上的像素电极；设置于第一薄膜晶体管上，且覆盖像素电极的平坦层；设置于平坦层上的配向膜层。本发明能够使得配向膜的扩散均匀，显示面板平坦，显示质量更好。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
液晶显示装置因其体积小、功耗低、辐射低等特点，占据了目前平板显示装置市场的主导地位。液晶显示装置一般包括分别含有像素电极和公共电极的一对面板以及填充在面板间的液晶。当像素电极与公共电极被加载一定的电势差，液晶会在电压作用下偏转，从而改变入射到液晶的光的偏振状态，使液晶显示装置呈现相应图像。
本申请的发明人在长期的研发中发现，液晶显示装置中多以ITO(Indium tinoxide，氧化铟锡)作为像素电极，但是ITO阻抗较大，并不适合作为电极导线，因此目前用金属作为电极导线，通过转接孔将金属导线承载的电讯号传输至ITO像素电极。但是因为转接孔的存在，使得覆盖在转接孔上的配向膜扩散不均匀，对应转接孔的边缘位置出现堆积，导致显示面板不平坦，影响显示质量。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有技术中覆盖在转接孔上的配向膜扩散不均匀的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种阵列基板，包括：
基板；
第一公共电极、第一薄膜晶体管，分别设置于所述基板上；
像素电极，设置于所述第一薄膜晶体管上；
平坦层，设置于所述第一薄膜晶体管上，且覆盖所述像素电极；
配向膜层，设置于所述平坦层上。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种阵列基板的制备方法，包括：
分别在基板上制备第一公共电极和第一薄膜晶体管；
在所述第一薄膜晶体管上制备像素电极；
在所述第一薄膜晶体管上通过涂布和高温退火制备平坦层，所述平坦层覆盖所述像素电极；
在所述平坦层上涂布配向膜层。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本发明通过在薄膜晶体管上设置平坦层，实现良好的平坦化，能够使得配向膜的扩散均匀，显示面板平坦，显示质量更好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本发明阵列基板实施例的结构示意图；
图2是本发明阵列基板实施例的结构示意图；
图3是本发明阵列基板的制备方法实施例的流程示意图；
图4是本发明显示面板实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
参见图1和图2，本发明阵列基板实施例包括：
基板10；
第一公共电极20、第一薄膜晶体管30，分别设置于基板10上；
其中，第一薄膜晶体管30包括栅极301、第一绝缘层701、源极302和漏极303，栅极301设置于基板10上；第一绝缘层701设置于栅极301和第一公共电极20上；源极302设置于第一绝缘层701上；漏极303设置于第一绝缘层701上，且与像素电极40连接。
可选的，漏极303与像素电极40可以通过第一转接孔401连接。
可选的，第一公共电极20可以通过第二转接孔201连接。
像素电极40，设置于第一薄膜晶体管30上；
扫描线801，设置于基板10上，且与第一公共电极20位于同一层；
非晶硅层304，设置于第一绝缘层701上，且与源极302、漏极303位于同一层；
数据线802，与扫描线801彼此交叉设置，且与像素电极40位于同一层；
第二绝缘层702，设置于源极302、漏极303和非晶硅层304上；
可选的，非晶硅层304包括第一非晶硅层3041和第二非晶硅层3042，用于配合栅极301、源极302和漏极303实现第一薄膜晶体管30的功能；第二非晶硅层3042中形成沟道，使得第二绝缘层702在对应沟道的位置形成凹槽。
第二薄膜晶体管901，与第一薄膜晶体管30连接；
第三薄膜晶体管902，与像素电极40连接；
平坦层50，设置于第一薄膜晶体管30上，且覆盖像素电极40；
可选的，平坦层50覆盖第一转接孔401和第二转接孔201，以使得平坦层50远离所述第一转接孔401和第二转接孔201的一侧平坦化。
可选的，平坦层50为透明有机膜，透明有机膜由PFA(Polytetrafluoro ethylene，PFA塑料)制成，PFA包括树脂、多功能单体、光起始剂、溶剂和添加剂。其中，光起始剂由苯乙酮类和二苯甲酮组成，在紫外光照射下会产生自由基；多功能单体由多种单/双/多官能基单体组成，在起始剂产生的自由基作用下发生互联，单体互联后，对碱性的显影液产生抵抗；树脂由聚酯和环氧丙烯酸酯组成，决定PFA的主要性能，例如显影特性、机械特性和化学表现等；溶剂为PFA性能材料的溶解剂，在制程中通过抽气和烘烤挥发，极少残留在最终的膜层中；添加剂由硅烷的官能团组成，用来改善PFA的流平性能和附着性能。
可选的，平坦层50可以通过有机涂布和高温退火过程流平性作用，使得平坦层50远离第一转接孔401、第二转接孔201和凹槽的一侧平坦化。
配向膜层60，设置于平坦层50上；
本发明实施例通过在本发明通过在薄膜晶体管上设置平坦层，实现良好的平坦化，能够使得配向膜的扩散均匀，显示面板平坦，显示质量更好。
参见图1和图3，本发明阵列基板的制备方法包括：
S101.分别在基板10上制备第一公共电极20和第一薄膜晶体管30；
具体的，分别在基板10上制备第一公共电极20和栅极301；在第一公共电极20和栅极301上覆盖第一绝缘层701；在第一绝缘层701上制备非晶硅层304；在第一绝缘层701上制备源极302/漏极303，且源极302/漏极303部分覆盖非晶硅层304；在源极302/漏极303上制备第二绝缘层702。其中，栅极301、源极302/漏极303和非晶硅层304构成第一薄膜晶体管30。
在本实施例中，栅极301、源极302/漏极303可以通过溅射、刻蚀等方式制备；第一绝缘层701、非晶硅层304可以通过沉积等方式制备。
S102.在第一薄膜晶体管30上制备像素电极40；
在本实施例中，像素电极40可以通过溅射、刻蚀等方式制备；
S103.在第一薄膜晶体管30上通过涂布和高温退火制备平坦层50；
在本实施例中，平坦层50覆盖像素电极40；其中，平坦层50可以为有机膜。
S104.在平坦层50上涂布配向膜层60。
在本实施例中，配向膜层60可以为PI(Polyimide，聚酰亚胺)膜。
本发明实施例通过在本发明通过在薄膜晶体管上设置平坦层，实现良好的平坦化，能够使得配向膜的扩散均匀，显示面板平坦，显示面板的充电要求降低，液晶填充量减少，显示质量更好。
参见图4，本发明显示面板实施例包括上述的阵列基板100、与阵列基板100对向设置的对列基板200和设置于阵列基板100、对列基板200之间的液晶300。
具体的，本发明实施例中阵列基板100的结构参见上述阵列基板实施例，在此不再赘述。
其中，对列基板200上设有第二公共电极2001，液晶300在像素电极40和第二公共电极2001之间形成的电压控制下偏转，以实现显示面板上的画面显示。由于阵列基板100增加了平坦层50，使得阵列基板100与对列基板200之间的距离减小，像素电极40与第二公共电极2001之间的电容减小，显示面板的充电要求降低，显示面板内液晶填充量也随之降低。
本发明实施例通过在本发明通过在薄膜晶体管上设置平坦层，实现良好的平坦化，能够使得配向膜的扩散均匀，显示面板平坦，显示面板的充电要求降低，液晶填充量减少，显示质量更好。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一公共电极、第一薄膜晶体管，分别设置于所述基板上；
像素电极，设置于所述第一薄膜晶体管上；
平坦层，设置于所述第一薄膜晶体管上，且覆盖所述像素电极；
配向膜层，设置于所述平坦层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设置于所述基板上；
第一绝缘层，设置于所述栅极和第一公共电极上；
源极，设置于所述第一绝缘层上；
漏极，设置于所述第一绝缘层上，且与所述像素电极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述漏极与所述像素电极通过第一转接孔连接，所述第一公共电极之间通过第二转接孔连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述平坦层覆盖所述第一转接孔和第二转接孔，以使得所述平坦层远离所述第一转接孔和第二转接孔的一侧平坦化。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
扫描线，设置于所述基板上，且与所述第一公共电极位于同一层；
非晶硅层，设置于所述第一绝缘层上，且与所述源极、漏极位于同一层；
数据线，与所述扫描线彼此交叉设置，且与所述像素电极位于同一层；
第二绝缘层，设置于所述源极、漏极和非晶硅层上。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管连接；
第三薄膜晶体管，与所述像素电极连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述平坦层为透明有机膜。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述透明有机膜由PFA制成，所述PFA包括树脂、多功能单体、光起始剂、溶剂和添加剂。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
分别在基板上制备第一公共电极和第一薄膜晶体管；
在所述第一薄膜晶体管上制备像素电极；
在所述第一薄膜晶体管上通过涂布和高温退火制备平坦层，所述平坦层覆盖所述像素电极；
在所述平坦层上涂布配向膜层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711200193.5A CN107861295A (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711200193.5A CN107861295A (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107861295A true CN107861295A (zh) | 2018-03-30 |
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ID=61703730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711200193.5A Pending CN107861295A (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109976017A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1020321A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-23 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US20020106839A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-08 | International Business Machines Corporation | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
| CN101140399A (zh) * | 2006-09-06 | 2008-03-12 | 索尼株式会社 | 液晶显示装置及电子设备 |
| CN102466928A (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-23 | Nlt科技股份有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN104965365A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其阵列基板 |
| CN105445969A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-03-30 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN105655292A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法 |
| CN105655290A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法 |
-
2017
- 2017-11-24 CN CN201711200193.5A patent/CN107861295A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1020321A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-23 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US20020106839A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-08 | International Business Machines Corporation | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
| CN101140399A (zh) * | 2006-09-06 | 2008-03-12 | 索尼株式会社 | 液晶显示装置及电子设备 |
| CN102466928A (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-23 | Nlt科技股份有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN105445969A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-03-30 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN104965365A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其阵列基板 |
| CN105655292A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法 |
| CN105655290A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、阵列基板及其制造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109976017A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN109976017B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-09-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
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