CN107852789A - 电致发光装置 - Google Patents
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Abstract
在包括基材(2)和设置在基材(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)的有机EL显示装置(1)中，包括将有机EL元件(4)密封的密封层(14)。该密封层(14)包含氧化硅膜(14a和14c)。而且，这些氧化硅膜(14a和14c)的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。
Description
技术领域
本发明涉及具有EL(电致发光)元件的电致发光装置。
背景技术
近年来，在各种各样的商品和领域中使用平板显示器，要求平板显示器的进一步大型化、高画质化、低耗电化。
在这样的状况下，包括利用有机材料的电致发光(Electro Luminescence)的有机EL(电致发光)元件的有机EL显示装置，作为全固体型且在可低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器，受到高度关注。
例如在有源矩阵方式的有机EL显示装置中，在设置有TFT(薄膜晶体管)的基板上设置有薄膜状的有机EL元件。在有机EL元件中，在一对电极之间层叠有包含发光层的有机EL层。TFT与一对电极中的一个电极连接。通过对一对电极间施加电压使发光层发光，来进行图像显示。
此外，在上述那样的以往的有机EL显示装置中，为了防止由水分或氧气引起的有机EL元件的劣化，提出了将该有机EL元件密封。
具体而言，在上述那样的以往的有机EL显示装置中，例如如下述专利文献1所记载的那样，设置有：有机EL元件；设置有该有机EL元件的基板；和以与该基板相对的方式设置的密封基板。而且，在该以往的有机EL显示装置中，通过在基板与密封基板之间以包围有机EL元件的方式设置框状的玻璃料(glass frit)，能够将有机EL元件密封。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-200890号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在上述那样的以往的有机EL显示装置(电致发光装置)中，为了提高有机EL元件的阻隔性，使用激光设置玻璃料。因此，在该以往的有机EL显示装置中，产生了制造工艺变得复杂、并且制造成品率降低而导致成本增加的问题。
鉴于上述的技术问题，本发明的目的在于提供成本低廉且制造简单的阻隔性优异的电致发光装置。
用于解决技术问题的手段
为了实现上述的目的，本发明的电致发光装置包括基材和设置在上述基材上的电致发光元件，该电致发光装置的特征在于：
包括将上述电致发光元件密封的密封层，
上述密封层包含1层以上的氧化硅膜，并且，
上述1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。
在如上述那样构成的电致发光装置中，在上述密封层中包含1层以上的氧化硅膜。此外，该1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。由此，与上述以往例不同，能够构成成本低廉且制造简单的阻隔性优异的电致发光装置。
此外，在上述电致发光装置中，优选：上述密封层包含有机膜，并且，
在上述密封层中，以覆盖上述电致发光元件的方式设置有氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜，并且在该氧化硅膜上设置有有机膜。
在该情况下，在氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜上层叠有有机膜，因此，能够使阻隔性提高，并且即使在使电致发光装置弯曲时，也能够防止密封层产生膜剥离等异常。
此外，在上述电致发光装置中，可以：在上述密封层中，在上述有机膜上依次层叠有上述1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜和有机膜。
在该情况下，能够构成具有更加优异的阻隔性的电致发光装置。
此外，在上述电致发光装置中，优选：在上述密封层中，作为其最外侧的层，使用上述1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜。
在该情况下，能够容易地构成能够大幅抑制水分等从外部渗透的密封层。
此外，在上述电致发光装置中，优选：上述密封层包含多层上述氧化硅膜，并且，
上述电致发光元件侧的氧化硅膜使用氧化度比最外侧的氧化硅膜低的氧化硅膜。
在该情况下，能够容易地构成阻隔性优异的电致发光装置。
此外，在上述电致发光装置中，优选：上述密封层包含多层上述氧化硅膜，并且，
上述电致发光元件侧的氧化硅膜的膜厚为与其他的氧化硅膜的膜厚相比最薄的值。
在该情况下，能够容易地使密封层的透射度提高，能够容易地构成高亮度的电致发光装置。
此外，在上述电致发光装置中，优选：在上述基材与上述电致发光元件之间设置有基底膜，
上述基底膜包含1层以上的氧化硅膜，并且，
上述1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。
在该情况下，即使在使用具有柔性的基材时，也能够利用基底膜容易地防止水分等从该基材侧渗透。
此外，在上述电致发光装置中，优选：上述基底膜包含有机膜，并且，
在上述基底膜中，以与上述电致发光元件接触的方式设置有氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜，并且在该氧化硅膜上设置有有机膜。
在该情况下，在氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜上层叠有有机膜，因此，能够使基底膜的阻隔性提高，并且即使在使电致发光装置弯曲时，也能够防止基底膜产生膜剥离等异常。
此外，在上述电致发光装置中，优选：在上述基底膜中，作为其最外侧的层，使用上述1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜。
在该情况下，能够容易地构成能够大幅抑制水分等从外部渗透的基底膜。
此外，在上述电致发光装置中，优选包括：
在上述电致发光元件侧与上述基板相对的对置基板；和
在上述基板与上述对置基板之间将上述电致发光元件封入的框状的密封件。
在该情况下，能够更可靠地防止电致发光元件的劣化。
此外，在上述电致发光装置中，优选在上述基板、上述对置基板和上述密封件之间设置有填充材料层。
在该情况下，能够进一步提高对电致发光元件的阻隔性。
发明效果
采用本发明，能够提供成本低廉且制造简单的阻隔性优异的电致发光装置。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
图2是对上述有机EL显示装置的像素结构进行说明的放大平面图。
图3是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图3(a)～图3(d)对一系列的主要制造工序进行说明。
图4是表示本发明的第2实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
图5是对图4所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图5(a)～图5(b)对在图3(d)所示的制造工序之后进行的一系列的主要制造工序进行说明。
图6是表示本发明的第3实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
图7是对图6所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图7(a)～图7(b)对在图3(d)所示的制造工序之后进行的一系列的主要制造工序进行说明。
图8是表示本发明的第4实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的电致发光装置的优选实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，例示将本发明应用于有机EL显示装置的情况进行说明。此外，各图中的构成部件的尺寸并没有忠实地表示实际的构成部件的尺寸和各构成部件的尺寸比率等。
[第1实施方式]
图1是表示本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。在图1中，本实施方式的有机EL显示装置1包括基材2和设置在该基材2上的作为电致发光(ElectroLuminescence)元件的有机EL元件4。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，有机EL元件4构成具有多个像素(包含多个子像素)的矩形状的像素区域PA，该有机EL元件4被密封层14密封。此外，上述像素区域PA构成有机EL显示装置1的显示部，进行信息显示。即，在该像素区域PA中，多个像素(多个子像素)呈矩阵状配置，有机EL元件4按每个子像素发光，由此进行信息显示。
此外，在图1中，基材2由例如玻璃材料或具有柔性(弯曲性)的膜等构成。此外，在基材2上以覆盖其整个面的方式设置有基底膜(绝缘膜)6。此外，如图1中例示，在有机EL显示装置1的发光区域中，在基底膜6上，对像素区域PA的每个子像素设置有TFT(薄膜晶体管)7。此外，在基底膜6上形成有呈矩阵状设置的包含多个源极线(信号线)和多个栅极线的配线8。源极驱动器和栅极驱动器分别与源极线和栅极线连接(未图示)，根据从外部输入的图像信号，对每个子像素的TFT7进行驱动。此外，TFT7作为对对应的子像素的发光进行控制的开关元件发挥作用，对由有机EL元件4构成的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)中的任一颜色的子像素中的发光进行控制。
另外，基底膜6用于防止由于从基材2向TFT7的杂质扩散而导致TFT7的特性变差，如果不担心这样的特性变差，则能够省略设置。
此外，在作为基材2使用具有柔性的材料的情况下，能够容易地构成能够弯曲的有机EL显示装置1。
此外，如图1所示，在基材2上形成有层间绝缘膜9、边缘罩10和有机EL元件4的第一电极11。层间绝缘膜9也作为平坦化膜发挥作用，以覆盖TFT7和配线8的方式设置在基底膜6上。边缘罩10以覆盖第一电极11的图案端部的方式形成在层间绝缘膜9上。此外，边缘罩10也作为用于防止第一电极11与后述的第二电极13之间的短路的绝缘层发挥作用。此外，第一电极11经由在层间绝缘膜9中形成的接触孔与TFT7连接。
此外，本实施方式的有机EL显示装置1构成为：边缘罩10的开口部、即第一电极11露出的部分实质上构成有机EL元件4的发光区域，如上所述，发出RGB中的任一颜色的光，从而能够进行全色显示。此外，本实施方式的有机EL显示装置1构成具有TFT(薄膜晶体管)7的有源矩阵型的显示装置。
此外，如图1所示，在第一电极11上形成有有机EL层12和第二电极13，由这些第一电极11、有机EL层12和第二电极13构成有机EL元件4。即，有机EL元件4例如是能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，包括第一电极11、有机EL层12和第二电极13。
具体而言，在第一电极11为阳极的情况下，从第一电极11侧起，层叠有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等(未图示)作为有机EL层12，进一步形成有作为阴极的第二电极13。此外，除了该说明以外，也可以构成为像空穴注入层兼空穴传输层等那样，单层具有2个以上的功能。此外，也可以在有机EL层12中适当***载流子阻挡层等。
另一方面，在第二电极13为阳极的情况下，有机EL层12中的层序与上述的层序相反。
此外，在第一电极11由透射电极或半透射电极构成，第二电极13由反射电极构成的情况下，有机EL显示装置1成为从TFT基板2侧射出光的底部发光型。即，在该底部发光型的有机EL显示装置1中，第一电极11的TFT基板2侧的表面构成有机EL元件4的实质上的发光面，向外部射出光。
相反，在第一电极11由反射电极构成，第二电极13由透射电极或半透射电极构成的情况下，有机EL显示装置1成为从密封层14射出光的顶部发光型。即，在该顶部发光型的有机EL显示装置1中，第一电极11的密封层14侧的表面构成有机EL元件4的实质上的发光面，向外部射出光。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，如上所述，构成为：有机EL元件4被密封层14密封，由密封层14防止水分和氧气等从外部渗透(浸入)，防止有机EL元件4的劣化。
此外，该密封层14如在后面详细说明的那样，由氧化硅膜与有机膜的层叠结构构成，在提高对有机EL元件4的阻隔性的同时，提高有机EL显示装置1的显示性能和弯曲性。
在此，也参照图2，对本实施方式的有机EL显示装置1的像素区域PA具体地进行说明。
图2是对上述有机EL显示装置的像素结构进行说明的放大平面图。
如图2所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在其像素区域PA(图1)中，呈矩阵状设置有分别发出红色(R)的光、绿色(G)的光和蓝色(B)的光的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb(以下，总称为子像素P)。即，多个各子像素P由2条配线8和与TFT7的栅极连接的栅极线8g划分。具体而言，在各子像素P的像素区域中，图2的左右方向的尺寸是彼此接近配置的2条配线8的中心线和在图2的左右方向上与该接近配置的2条配线8相邻的2条配线8的中心线之间的尺寸。此外，图2的上下方向的尺寸是彼此相邻的2条栅极线8g的中心间尺寸。此外，在各子像素P中，其像素区域的面积由上述图2的左右方向的尺寸和上下方向的尺寸规定。
此外，在像素区域PA中，由一组的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb构成1个像素。
此外，在红色子像素Pr中，从边缘罩10的开口部re露出的部分构成该红色子像素Pr的实质上的发光区域。同样地，在绿色子像素Pg中，从边缘罩10的开口部ge露出的部分构成该绿色子像素Pg的实质上的发光区域，在蓝色子像素Pb中，从边缘罩10的开口部be露出的部分构成该蓝色子像素Pb的实质上的发光区域。
返回到图1，对上述密封层14具体地进行说明。
如图1中例示，密封层14包括：以覆盖有机EL元件4的方式设置的氧化硅膜14a；设置在该氧化硅膜14a上的有机膜14b；和设置在该有机膜14b上的氧化硅膜14c。
氧化硅膜14a和14c是作为无机材料的氧化硅(SiOx)的膜，其氧化度(即SiOx的x的值)被设定为1.2以上1.8以下的值。此外，通过这样将氧化硅膜14a和14c的氧化度设定为1.2以上1.8以下的值，能够容易地构成阻隔性和透射率优异、并且即使在被弯曲时产生的应力(stress)也小的密封层14、进而有机EL显示装置1。
另外，在使氧化硅膜14a和14c的氧化度为小于1.2的值的情况下，虽然能够提高密封层14的阻隔性，但是透射率降低，并且弯曲时产生的应力变大，从而密封层14产生膜剥离等不良情况的可能性变高。
另一方面，在使氧化硅膜14a和14c的氧化度为大于1.8的值的情况下，能够使密封层14的透射率提高，并且使弯曲时产生的应力变小，但是阻隔性降低，从而容易产生水分等的渗透的可能性变高。
此外，在密封层14中，将氧化硅膜14a和14c的氧化度设定为彼此不同的值。具体而言，有机EL元件4侧的氧化硅膜14a和14c的氧化度分别例如为1.2和1.5。即，在密封层14中，作为有机EL元件4侧的氧化硅膜14a，使用氧化度低的氧化硅膜，作为外侧的氧化硅膜14c，使用氧化度高的氧化硅膜。
此外，在密封层14中，将氧化硅膜14a和14c的膜厚设定为彼此不同的值。具体而言，有机EL元件4侧的氧化硅膜14a和14c的膜厚分别例如为100nm和150nm。即，在密封层14中，作为有机EL元件4侧的氧化硅膜14a，使用膜厚薄的氧化硅膜，作为外侧的氧化硅膜14c，使用膜厚厚的氧化硅膜。
有机膜14b使用例如聚硅氧烷或碳氧化硅等有机硅(organosilicon)、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺或聚酰胺等。此外，该有机膜14b的膜厚例如为100nm以上。
此外，氧化硅膜14a、有机膜14b和氧化硅膜14c例如使用CVD法成膜。另外，除了该说明以外，也可以使用例如溅射法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法形成这些氧化硅膜14a、有机膜14b和氧化硅膜14c。
其中，使用CVD法的情况，能够以比较低的温度形成氧化硅膜14a、有机膜14b和氧化硅膜14c，并且能够大幅抑制对有机EL元件4的不良影响，在这一点上优选。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在有机EL元件4侧设置有氧化硅膜14a，因此，能够利用该氧化硅膜14a更可靠地防止水分对有机EL元件4的不良影响。此外，在氧化硅膜14a上设置有有机层14b，因此，即使产生氧化硅膜的应力松弛或者在氧化硅膜14a中产生由针孔或异物导致的缺损等缺陷，也能够由有机层14b覆盖，能够更可靠地防止密封层14的阻隔性降低。
接着，使用图3对本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法具体地进行说明。另外，在以下的说明中，主要对密封层14的制造方法进行说明。
图3是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图3(a)～图3(d)对一系列的主要制造工序进行说明。
如图3(a)所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在基材2上形成基底膜6后，在该基底膜6上形成有机EL元件4。
接着，如图3(b)所示，例如使用CVD法，以覆盖有机EL元件4的方式形成氧化硅膜14a。更详细而言，氧化硅膜14a以如下方式形成：通过适当调节成膜时的加热温度、压力、原料气体的供给速率、气体流量等，使其氧化度的值为1.2的值，并且使其厚度为100nm的膜厚。
接着，如图3(c)所示，例如使用CVD法在氧化硅膜14a上形成有机膜14b。具体而言，例如形成100nm的膜厚的聚硅氧烷作为有机膜14b。
接着，如图3(d)所示，例如使用CVD法在有机膜14b上形成氧化硅膜14c。更详细而言，氧化硅膜14c以如下方式形成：通过适当调节成膜时的加热温度、压力、原料气体的供给速率、气体流量等，使其氧化度的值为1.5的值，并且使其厚度为150nm的膜厚。
在如以上那样构成的本实施方式的有机EL显示装置1中，密封层14中包含氧化硅膜14a和14c。此外，这些氧化硅膜14a和14c的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。由此，在本实施方式中，与上述以往例不同，能够构成成本低廉且制造简单的阻隔性优异的有机EL显示装置(电致发光装置)1。
在此，对本申请发明的发明人实施的验证试验的结果具体地进行说明。
作为本实施方式品，形成了具有氧化硅膜14a、有机膜14b和氧化硅膜14c的密封层14。在该密封层14中，氧化硅膜14a、有机膜14b和氧化硅膜14c的膜厚分别为100nm、100nm和150nm。此外，有机膜14b由聚硅氧烷构成。此外，氧化硅膜14a和氧化硅膜14c的氧化度分别为1.2和1.5的值。另外，这些氧化度是通过例如X射线光电子能谱法(XPS或ESCA)测定得到的，该X射线光电子能谱法(XPS或ESCA)是表面分析方法的一种，是通过对试样表面照射X射线，对从试样表面放出的光电子的动能进行测量，来对构成试样表面的元素的组成、化学键合状态进行分析的方法。更具体而言，这些氧化度是利用ULVAC-PHI株式会社制造的PHI5000测定得到的。
此外，作为比较品1，准备了使上述本实施方式品中的氧化硅膜14a和14c的氧化度为1.0的值(即由SiO构成氧化硅膜14a和14c的情况)的样品。
另外，作为比较品2，准备了使上述本实施方式品中的氧化硅膜14a和14c的氧化度为2.0的值(即由SiO2构成氧化硅膜14a和14c的情况)的样品。
将如以上那样构成的本实施方式品、比较例1和比较例2的阻隔性、透射率和弯曲时的应力的验证试验的结果示于表1。
[表1]
如表1所示可知，本实施方式品与比较例1相比，透射率高，并且弯曲时的应力小。其结果，证实了在使用本实施方式品的情况下，能够容易地构成具有优异的显示性能、并且柔性(弯曲性)优异的有机EL显示装置1。
此外，如表1所示可知，本实施方式品与比较例2相比，阻隔性优异。其结果，确认了在使用本实施方式品的情况下，能够容易地构成能够容易地防止水分等对有机EL元件4的渗透且能够容易地防止该有机EL元件4的劣化的发生的可靠性优异的有机EL显示装置1。
此外，在本实施方式中，有机EL元件4侧的氧化硅膜14a使用氧化度低的氧化硅膜，并且最外侧的氧化硅膜14c使用氧化度高的氧化硅膜。由此，能够容易地构成阻隔性优异的有机EL显示装置1。
此外，在本实施方式中，有机EL元件4侧的氧化硅膜14a的膜厚为比氧化硅膜14c的膜厚小的值。由此，能够容易地提高密封层14的透射度，从而能够容易地构成高亮度的有机EL显示装置1。
[第2实施方式]
图4是表示本发明的第2实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
在图中，本实施方式与上述第1实施方式的主要不同点是，在密封层中，从有机EL元件侧起依次层叠有氧化硅膜、有机膜、氧化硅膜、有机膜和氧化硅膜。另外，对与上述第1实施方式相同的要素，标注相同的附图标记，省略其重复的说明。
即，如图4所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在氧化硅膜14c上形成有有机膜14d，进一步在该有机膜14d上形成有氧化硅膜14e。
有机膜14d例如使用100nm的膜厚的聚硅氧烷。
氧化硅膜14e使用氧化度被调节为比氧化硅膜14c的氧化度高的氧化度、例如1.8的值的氧化硅膜。而且，该氧化硅膜14e使用膜厚被调节为比氧化硅膜14c的膜厚厚的值、例如200nm的氧化硅膜。
接着，参照图5对本实施方式的有机EL显示装置1的制造工序具体地进行说明。另外，在以下的说明中，主要对有机膜14d和氧化硅膜14e的制造工序进行说明。
图5是对图4所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图5(a)～图5(b)对在图3(d)所示的制造工序之后进行的一系列的主要制造工序进行说明。
如图5(a)所示，例如使用CVD法在氧化硅膜14c上形成有机膜14d。具体而言，例如形成100nm的膜厚的聚硅氧烷作为有机膜14d。
接着，如图5(b)所示，例如使用CVD法在有机膜14b上形成氧化硅膜14e。更详细而言，氧化硅膜14e以如下方式形成：通过适当调节成膜时的加热温度、压力、原料气体的供给速率、气体流量等，使其氧化度的值为1.8的值，并且使其厚度为200nm的膜厚。
通过以上的方案，在本实施方式中，能够实现与上述第1实施方式同样的作用和效果。
此外，在本实施方式中，在密封层14中，多个氧化硅膜14a、14c和14e与多个有机膜14b和14d交替地设置。由此，能够构成具有更优异的阻隔性的有机EL显示装置1。
另外，除了上述的说明以外，例如也可以构成为氧化硅膜14e使用氧化度为2.0的值的氧化硅膜。
[第3实施方式]
图6是表示本发明的第3实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
在图中，本实施方式与上述第1实施方式的主要不同点是，设置有：在有机EL元件侧与基材相对的对置基板；和在基材与对置基板之间将有机EL元件封入的框状的密封件。另外，对与上述第1实施方式相同的要素，标注相同的附图标记，省略其重复的说明。
即，在图6中，在本实施方式的有机EL显示装置1中，有机EL元件4被基材2、以与该基材2相对的方式设置的对置基板3和设置在基材2与对置基板3之间的框状的密封件5封入。
此外，对置基板3与基材2同样使用例如玻璃材料或具有柔性(弯曲性)的膜等。此外，在该对置基板3的有机EL元件4侧的表面设置有彩色滤光片17，使上述的RGB的各子像素的发光品质等发光特性提高。
上述密封件5例如由在环氧树脂等树脂中分散间隔物和无机颗粒而得到的材料构成，其中，上述间隔物用于规定基材2与对置基板3之间的单元间隙，密封件5在像素区域PA的周围形成为框状。此外，在密封件5中，通过分散无机颗粒，能够使透湿性进一步降低。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，在基材2、对置基板3和密封件5之间以覆盖有机EL元件4的方式设置有填充材料层16。该填充材料层16例如使用在树脂中分散氢氧化铝或氧化钙等金属氧化物或活性炭而得到的材料。
接着，参照图7对本实施方式的有机EL显示装置1的制造工序具体地进行说明。另外，在以下的说明中，主要对基材2与对置基板3的贴合工序进行说明。
图7是对图6所示的有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图，图7(a)～图7(b)对在图3(d)所示的制造工序之后进行的一系列的主要制造工序进行说明。
如图7(a)所示，就基材2而言，在该基材2上形成有有机EL元件4和密封层14。此外，在基材2上，以包围有机EL元件4的方式呈框状设置有密封件5’，并且在密封层14上载置有填充材料层16’。
另一方面，在对置基板3的有机EL元件4侧的表面形成有彩色滤光片17。
然后，进行将基材2和对置基板3贴合的贴合工序。在该贴合工序中，如图7(b)所示，在真空气氛下(例如100Pa以下)，将基材2相对于对置基板3贴合。由此，本实施方式的有机EL显示装置1完成。
通过以上的方案，在本实施方式中，能够实现与上述第1实施方式同样的作用和效果。
此外，在本实施方式中，设置有：在有机EL元件4侧与基材2相对的对置基板3；和在基材2与对置基板3之间将有机EL元件4封入的框状的密封件5。由此，在本实施方式中，能够更可靠地防止有机EL元件4的劣化。
此外，在本实施方式中，在基材2、对置基板3和密封件5之间设置有填充材料层16，因此，能够进一步提高对有机EL元件4的阻隔性。
[第4实施方式]
图8是表示本发明的第4实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
在图中，本实施方式与上述第1实施方式的主要不同点是，使用由氧化硅膜、有机膜和氧化硅膜构成的基底膜。另外，对与上述第1实施方式相同的要素，标注相同的附图标记，省略其重复的说明。
即，如图8所示，在本实施方式的有机EL显示装置1中，作为基底膜6，形成有以与有机EL元件4接触的方式设置的氧化硅膜6a、设置在该氧化硅膜6a上的有机膜6b和设置在该有机膜6b上的氧化硅膜6c。
氧化硅膜6a和6c的氧化度(即SiOx的x的值)被设定为1.2以上1.8以下的值。
此外，在基底膜6中，将氧化硅膜6a和6c的氧化度设定为彼此不同的值。具体而言，有机EL元件4侧的氧化硅膜6a和6c的氧化度分别例如为1.2和1.5。即，在基底膜6中，作为有机EL元件4侧的氧化硅膜6a，使用氧化度低的氧化硅膜，作为外侧的氧化硅膜6c，使用氧化度高的氧化硅膜。
此外，在基底膜6中，将氧化硅膜6a和6c的膜厚设定为彼此不同的值。具体而言，有机EL元件4侧的氧化硅膜6a和6c的膜厚分别例如为100nm和150nm。即，在基底膜6中，作为有机EL元件4侧的氧化硅膜6a，使用膜厚薄的氧化硅膜，作为外侧的氧化硅膜6c，使用膜厚厚的氧化硅膜。
有机膜6b使用例如聚硅氧烷或碳氧化硅等有机硅(organosilicon)、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺或聚酰胺等。此外，该有机膜6b的膜厚例如为100nm以上。
此外，氧化硅膜6a、有机膜6b和氧化硅膜6c例如使用CVD法成膜。另外，除了该说明以外，也可以例如使用溅射法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法形成这些氧化硅膜6a、有机膜6b和氧化硅膜6c。
通过以上的方案，在本实施方式中，能够实现与上述第1实施方式同样的作用和效果。
此外，在本实施方式中，使用了由氧化硅膜6a、有机膜6b和氧化硅膜6c构成的基底膜6，因此，即使在使用具有柔性的基材2时，也能够利用基底膜6容易地防止水分等从该基材2侧渗透。
另外，在上述的说明中，对使用由氧化硅膜、有机膜和氧化硅膜构成的基底膜的结构进行了说明，但是本发明的基底膜并不限定于此，只要包含1层以上的氧化硅膜、并且该1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值，就没有任何限定。
但是，如上述的实施方式那样，以与有机EL元件(电致发光元件)接触的方式设置氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜、并且在该氧化硅膜上层叠有机膜的情况，能够提高阻隔性，并且即使在使电致发光装置弯曲时也能够防止基底膜产生膜剥离等异常，在这一点上优选。
此外，如上述的实施方式那样，作为基底膜的最外侧的层，使用1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜的情况，能够容易地构成能够大幅抑制水分等从外部渗透的基底膜，在这一点上优选。另外，在该情况下，例如也可以构成为，作为最外侧的层，使用氧化度的值为2.0的氧化硅膜。
另外，上述的实施方式均为例示，而不是限制性的内容。本发明的技术范围由权利要求书规定，与权利要求书中记载的方案等同的范围内的所有变更也包含在本发明的技术范围内。
例如，在上述的说明中，对作为电致发光元件使用有机EL元件的情况进行了说明，但是本发明不限定于此，例如也可以使用具有无机化合物的无机EL元件。
此外，在上述的说明中，对具有将氧化硅膜和有机膜层叠而得到的层叠结构的密封层进行了说明，但是本发明的密封层并不限定于此，只要包含1层以上的氧化硅膜、并且该1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值，就没有任何限定。具体而言，例如也可以构成由至少1层上述氧化硅膜构成的密封层。
但是，如上述的各实施方式那样，以覆盖有机EL元件(电致发光元件)的方式设置氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层的氧化硅膜、并且在该氧化硅膜上层叠有机膜的情况，能够提高阻隔性，并且即使在使电致发光装置弯曲时也能够防止密封层产生膜剥离等异常，在这一点上优选。
此外，如上述的各实施方式那样，作为密封层的最外侧的层，使用1层以上的氧化硅膜中包含的1层的氧化硅膜的情况，能够容易地构成能够大幅抑制水分等从外部渗透的密封层，在这一点上优选。另外，在该情况下，例如也可以构成为，作为最外侧的层，使用氧化度的值为2.0的氧化硅膜。
此外，在上述的说明中，对应用于具有TFT(薄膜晶体管)7的有源矩阵型的有机EL显示装置的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，也能够应用于没有设置薄膜晶体管的无源矩阵型的有机EL显示装置。
此外，在上述的说明中，对应用于有机EL显示装置的情况进行了说明，但是本发明并不限定于此，例如也能够应用于背光源装置等照明装置。
此外，除了上述的说明以外，也可以将上述第1实施方式～第4实施方式适当组合。
产业上的可利用性
本发明对于成本低廉且制造简单的阻隔性优异的电致发光装置是有用的。
附图标记说明
1 有机EL显示装置
2 基材
3 对置基板
4 有机EL元件(电致发光元件)
5 密封件
6 基底膜
6a 氧化硅膜
6b 有机膜
6c 氧化硅膜
14 密封层
14a 氧化硅膜
14b 有机膜
14c 氧化硅膜
14d 有机膜
14e 氧化硅膜
16 填充材料层
Claims (11)
1.一种电致发光装置，其包括基材和设置在所述基材上的电致发光元件，该电致发光装置的特征在于：
包括将所述电致发光元件密封的密封层，
所述密封层包含1层以上的氧化硅膜，并且，
所述1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。
2.如权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于：
所述密封层包含有机膜，并且，
在所述密封层中，以覆盖所述电致发光元件的方式设置有氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜，并且在该氧化硅膜上设置有有机膜。
3.如权利要求2所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述密封层中，在所述有机膜上依次层叠有所述1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜和有机膜。
4.如权利要求3所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述密封层中，作为其最外侧的层，使用所述1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜。
5.如权利要求1至4中任一项所述的电致发光装置，其特征在于：
所述密封层包含多层所述氧化硅膜，并且，
所述电致发光元件侧的氧化硅膜使用氧化度比最外侧的氧化硅膜低的氧化硅膜。
6.如权利要求1至5中任一项所述的电致发光装置，其特征在于：
所述密封层包含多层所述氧化硅膜，并且，
所述电致发光元件侧的氧化硅膜的膜厚为与其他的氧化硅膜的膜厚相比最薄的值。
7.如权利要求1至6中任一项所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述基材与所述电致发光元件之间设置有基底膜，
所述基底膜包含1层以上的氧化硅膜，并且，
所述1层以上的氧化硅膜中的至少1层氧化硅膜的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。
8.如权利要求7所述的电致发光装置，其特征在于：
所述基底膜包含有机膜，并且，
在所述基底膜中，以与所述电致发光元件接触的方式设置有氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值的1层氧化硅膜，并且在该氧化硅膜上设置有有机膜。
9.如权利要求8所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述基底膜中，作为其最外侧的层，使用所述1层以上的氧化硅膜中包含的1层氧化硅膜。
10.如权利要求1至9中任一项所述的电致发光装置，其特征在于，包括：
在所述电致发光元件侧与所述基板相对的对置基板；和
在所述基板与所述对置基板之间将所述电致发光元件封入的框状的密封件。
11.如权利要求10所述的电致发光装置，其特征在于：
在所述基板、所述对置基板和所述密封件之间设置有填充材料层。
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