CN107845715A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种发光装置,包含有承载座、第一支架、第二支架以及半导体发光元件,承载座具有上表面和相对于该上表面的下表面;第一支架具有插槽,且该第一支架设置于该上表面并未穿透该下表面;第二支架***该插槽;半导体发光元件固定于该第一支架上,其中,该半导体发光元件包含基板及发光二极体结构,基板具有相对设置的支撑面与主表面,发光二极体结构设置在该支撑面上。本发明的发光装置可达成多方向或全方向的照明,提高发光效率及发光效果。
Description
技术领域
本发明提供一种发光装置,尤指一种可提供多向性光源的发光装置。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)本身所发出来的光是一种指向性的光源,并非如传统灯泡为一种发散型的光源。因此,发光二极管在应用上会受到限制。举例而言,传统发光二极管在一般室内/室外的照明应用无法或难以达到所需要的发光效果。另外,传统发光二极管的发光装置仅可单面发光,因此其发光效率(luminance efficiency)较传统一般室内/室外照明的发光装置低。
发明内容
本发明的其中一个目的在于提供一种可发出多向性光源的发光装置,以解决上述问题。
为达到本发明的上述目的之一,本发明的一实施例提供一种发光装置,包含有承载座、第一支架、第二支架以及半导体发光元件,承载座具有上表面和相对于该上表面的下表面;第一支架具有插槽,且该第一支架设置于该上表面并未穿透该下表面;第二支架***该插槽;半导体发光元件固定于该第一支架上,其中,该半导体发光元件包含基板及发光二极体结构,基板具有相对设置的支撑面与主表面,发光二极体结构设置在该支撑面上。
作为本发明一实施例的进一步改进,该基板包含设置在该第一支架上的延伸部。
作为本发明一实施例的进一步改进,该发光装置还包含设置在该延伸部的一组连接电极,且该组连接电极电连接该发光二极体结构和该第一支架。
作为本发明一实施例的进一步改进,该发光装置还包含设置在该承载座上的支柱,其中,该第一支架与该第二支架其中之一固定于该支柱上。
作为本发明一实施例的进一步改进,该支柱包含卡槽,且该第一支架与该第二支架其中之一通过该卡槽固定于该支柱上。
作为本发明一实施例的进一步改进,该支柱包含两个卡槽,且该第一支架与该第二支架分别通过该些卡槽固定于该支柱上。
作为本发明一实施例的进一步改进,该支柱还包含设置于该支柱的端面的开槽,该开槽延伸连接于该卡槽。
作为本发明一实施例的进一步改进,该第一支架具有不小于该半导体发光元件的面积。
作为本发明一实施例的进一步改进,该第一支架具有大于该半导体发光元件三倍的面积。
作为本发明一实施例的进一步改进,该发光装置还包含:
底座,用来承载该承载座;以及
灯罩,设置于该底座以覆盖该承载座、该第一支架、该第二支架以及该半导体发光元件。
与现有技术相比,本发明的发光装置可达成多方向或全方向的照明,提高发光效率及发光效果。
附图说明
图1与图2为本发明的一较佳实施例的半导体发光组件的结构示意图。
图3、图4与图5为本发明的一较佳实施例的不同形式的发光二极管结构与导线的耦接示意图。
图6与图7为本发明的一较佳实施例的波长转换层的配置示意图。
图8为本发明的另一较佳实施例的半导体发光组件的剖面示意图。
图9为本发明的另一较佳实施例的半导体发光组件的剖面示意图。
图10为本发明的另一较佳实施例的半导体发光组件的立体示意图。
图11为本发明的一较佳实施例的承载座的示意图。
图12为本发明的一较佳实施例的电路板的示意图。
图13为本发明的一较佳实施例的反射镜的示意图。
图14为本发明的一较佳实施例的类钻碳膜的示意图。
图15为本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图16为本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图17为本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图18、图19与图20为本发明的一较佳实施例的透明基板插接或接合于承载座的示意图。
图21与图22为本发明的一较佳实施例的透明基板接合于具支架的承载座的示意图。
图23为本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图24为本发明的另一较佳实施例的发光装置的装置基座的示意图。
图25为本发明的另一较佳实施例的发光装置的立体示意图。
图26、图27、图28与图29为本发明的一较佳实施例的透明基板以点对称或线对称形式设置于承载机构的示意图。
图30为本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图31与图32为本发明的一较佳实施例的灯罩的示意图。
图33为本发明较佳实施例的半导体发光组件的示意图。
图34为本发明另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图35为本发明较佳实施例的支架的组合示意图。
图36为本发明较佳实施例的搭配灯罩的发光装置的示意图。
图37为本发明另一较佳实施例的发光装置的示意图。
图38为本发明较佳实施例的发光装置的支架与支柱的组合示意图。
图号说明:
1、310 半导体发光组件
1a 第一群发光组件
1b 第二群发光组件
11、10、10’、50、301、302 发光装置
12M 非平面结构
14 发光二极管结构
141 基底
142 N型半导体层
143 主动层
144 P型半导体层
18 第二连接导线
2 透明基板
2e 延伸部
20 第一连接导线
22 第二连接导线
210 支撑面
21A 第一主表面
21B 第二主表面
23A 连接导线
23B 第二连接导线
25、9 类钻碳膜
26 承载座
28 芯片结合层
28A 第一芯片结合层
28B 第二芯片结合层
3 发光二极管结构
30、32 电极
31 连接电极
31A、16 第一电极
31B、18 第二电极
311A 第一连接电极
311B 第二连接电极
322 装置基座
330 缺口
34 发光面
341 承载座
342 条状部
4 波长转换层
5、26 承载座
5a 对称中心
51、62、321 支架
621 插槽
623 支柱
623a 卡槽
623b 导孔
623c 开槽
52、63 组件接合层
6 电路基板
60 承载机构
61 插槽
64 底座
7 灯罩
8 滤波器
θ1 第一夹角
V+、V- 驱动电压
L 光线
P 电路图案
H 孔洞
G 缺口
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
请参考图1与图2,图1与图2为本发明的一较佳实施例的半导体发光组件的结构示意图。如图1与图2所示,半导体发光组件1包含透明基板2、支撑面210、第一主表面21A、第二主表面21B以及至少一多方向出光的发光二极管结构3。平板或薄片状的透明基板2本身具有两个主要表面,其中之一为支撑面210,具有发光功能的发光二极管结构3可设置于此支撑面210之上。发光二极管结构3未被透明基板2遮蔽的发光面34与未设置发光二极管结构3的部分支撑面210共同形成可发光的第一主表面21A。透明基板2未设有发光二极管结构3的另一主要表面则为第二主表面21B。前述布置方式反之亦可,且亦可于透明基板2的两个面均设置发光二极管结构3。在本发明的一实施例中,发光二极管结构3可设置于透明基板2的支撑面210,并与设置于第二主表面21B的其它发光二极管结构3相应交错,使透明基板2的各面上的发光二极管结构3发光时,光线不被透明基板2另一面上的其它发光二极管结构3遮蔽,如此可相应增加半导体发光组件1的发光强度。透明基板2的材料可包含选自于氧化铝(Al2O3)或包含氧化铝的蓝宝石、碳化硅(SiC)、玻璃、塑料或橡胶等素材之一或这些素材的组合,其中,本发明较佳实施例之一采用蓝宝石基板作为透明基板2,因为蓝宝石基板大体上为单晶结构,不但具有较好的透光率,且散热能力佳,可延长半导体发光组件1的寿命。然而,使用传统蓝宝石基板于本发明中会有易碎裂的问题,故本发明经实验验证,本发明的透明基板2较佳选用厚度大于或等于200微米(um)的蓝宝石基板,如此可达成较佳的可靠度,并有较佳的承载以及透光功能。为了使半导体发光组件1有效地发出多向性光线,例如双向性或全向性光线,本发明的半导体发光组件1至少有一发光二极管结构3较佳可选用出光角度大于180度者。相应地,设置于透明基板2上的发光二极管结构3可从发光面34发出往远离透明基板2方向行进的光线,且发光二极管结构3亦会发出至少部分进入透明基板2的光线。而进入透明基板2的光线除可从透明基板2的第二主表面21B出光外,亦可从未设置发光二极管结构3的部分支撑面210或基板2的其他表面出光。如此,半导体发光组件1就可以至少双面出光、多方向出光或全方向出光。于本发明中,第一主表面21A的面积或第二主表面21B的面积为设置于其表面上的所有发光二极管结构3的发光面34的总和面积的五倍以上,如此是兼顾到发光效率以及散热等条件而为较佳的配置比例。
另外,本发明的另一较佳实施例是半导体发光组件1的第一主表面21A与第二主表面21B发出的色温差异等于或小于1500K,使半导体发光组件1有均匀的发光效果。尤其,当透明基板2的厚度如前所述,且发光二极管结构3的发光波长范围在大于或等于420纳米,或小于或等于470纳米时,透明基板2的光穿透率可大于或等于70%。
本发明并不以上述实施例为限。下文将依序介绍本发明的其它较佳实施例,且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明,在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同或近似的组件,且主要针对各实施例的相异处进行说明,而不再对重复部分进行赘述。
请参考图3、图4与图5,本发明的发光二极管结构3包含第一电极31A与第二电极31B以获得供电而进行发光。第一电极31A与第二电极31B分别与透明基板2上的第一连接导线23A及第二连接导线23B电性连接。其中,图3、图4与图5分别揭示了不同形式的发光二极管结构3与导线的耦接方式。图3为横式发光二极管结构,其发光二极管结构3形成于透明基板2的支撑面210上,第一电极31A与第二电极31B以打线方式分别电性耦接于第一连接导线23A与第二连接导线23B。图4为覆晶式发光二极管结构3,将发光二极管结构3倒置并藉第一电极31A与第二电极31B使发光二极管结构3与透明基板2耦接。第一电极31A与第二电极31B以焊接或黏接方式分别直接耦接于第一连接导线23A与第二连接导线23B。如图5所示,第一电极31A与第二电极31B设置于发光二极管结构3的不同面,发光二极管结构3以垂直方式设置,使第一电极31A与第二电极31B可以分别与第一连接导线23A以及第二连接导线23B相连接。
请参考图6与图7,本发明的半导体发光组件1可更包含波长转换层4,其选择性设置于第一主表面21A或/与第二主表面21B之上,或是直接设置于发光二极管结构3上。波长转换层4可直接接触发光二极管结构3,或是与发光二极管结构3相邻一段距离而不直接接触。波长转换层4含有至少一种荧光粉,例如石榴石系、硫酸盐系或硅酸盐系等等无机或有机材质的荧光粉。波长转换层4用以吸收至少部分发光二极管结构3发出光线并转换为另一种波长范围的光线。例如,当发光二极管结构3发出蓝光,波长转换层4可转换部分蓝光为黄光,而使半导体发光组件1在蓝光与黄光混合之下最后发出白光。另外,因第一主表面21A的光源主要来自发光二极管结构3直接发出的光线,而第二主表面21B的光源是来自发光二极管结构3的光线穿过透明基板2发出的光,故第一主表面21A的光线强度(照度)会不同于第二主表面21B的光线强度(照度)。因此,本发明的另一较佳实施例的半导体发光组件1,第一主表面21A与第二主表面21B上配置的波长转换层4的荧光粉含量相应配置。较佳来说,设置在第一主表面21A上的波长转换层4的荧光粉含量相对于设置在第二主表面21B上的波长转换层4的荧光粉含量的比例较佳的可从1比0.5至1比3,但反之亦可。如此,本发明的半导体发光组件1的照度或发光效果可以符合不同的应用需求,且半导体发光组件1的第一主表面21A与第二主表面21B发出的色温差异可控制在等于或小于1500K,以提升半导体发光组件1的波长转换效率与发光效果。
请参考图8。图8绘示了本发明的另一较佳实施例的半导体发光组件的剖面示意图。如图8所示,本实施例的半导体发光组件1包含透明基板2、与至少一提供多向性出光的发光二极管结构14。透明基板2具有彼此相对设置的支撑面210与第二主表面21B。发光二极管结构14设置于透明基板2的支撑面210上。发光二极管结构14包含第一电极16与第二电极18,以电性连接其它装置。发光二极管结构14未被透明基板2遮蔽的发光面34与未设置发光二极管结构14的部分支撑面210共同形成第一主表面21A。
发光二极管结构14可包含基底141、N型半导体层142、主动层143与P型半导体层144。在此实施例中,发光二极管结构14的基底141可藉芯片结合层28与透明基板2耦接。出光亮度可因为芯片结合层28的材料特性优化而提高。举例来说,芯片结合层28的反射率较佳地介于基底141的反射率和透明基板2的反射率之间,藉以增加发光二极管结构14的出光亮度。此外,芯片结合层28可为透明黏胶或其它适合的结合材料。第一电极16与第二电极18设置在发光二极管结构14的另一侧与芯片结合层28相对。第一电极16与第二电极18分别电连接P型半导体层144与N型半导体层142(第二电极18和N型半导体层142的连接关系未示于图8)。第一电极16的上表面与第二电极18的上表面的水平标准实质相同。第一电极16与第二电极18可为金属电极,但不限于此。此外,半导体发光组件1还包含第一连接导线20、第二连接导线22以及波长转换层4。第一连接导线20与第二连接导线22设置在透明基板2上。第一连接导线20与第二连接导线22可为金属导线或其它导电图案,但不限于此。第一电极16与第二电极18以打线或焊接方式分别连接到第一连接导线20与第二连接导线22,但不限于此。波长转换层4设置在透明基板2上并覆盖发光二极管结构14。此外,波长转换层4亦可设置于透明基板2的第二主表面21B上。
除此之外,在此实施例中为了增加光线从透明基板2离开的出光量并使出光的分布均匀,透明基板2的表面还可选择性地设置非平面结构12M。非平面结构12M可为各式凸出或凹陷的几何结构,例如金字塔、圆锥体、半球体或三角柱等,并可为规则性排列或随机性排列。再者,透明基板2的表面也可选择性设置类钻碳(diamond-like carbon,DLC)膜25以增加导热及散热效果。
请参考图9,图9绘示了本发明的另一较佳变化实施例的半导体发光组件的剖面示意图。相较于图8所示的实施例,在本实施例的半导体发光组件1中,第一电极16、第二电极18与第一芯片结合层28A设置于发光二极管结构14的同一面。第一电极16与第二电极18利用覆晶方式电连接于第一连接导线20与第二连接导线22。其中,第一连接导线20与第二连接导线22可分别从相应的第一电极16与第二电极18的位置向外延伸。第一电极16与第二电极18可藉由第二芯片结合层28B分别电连接于第一连接导线20与第二连接导线22。第二芯片结合层28B可为导电凸块,例如金质凸块或焊料凸块,也可为导电胶,例如银胶,亦可为共熔合金层,例如金锡合金层(Au-Sn)或低熔点合金层(In-Bi-Sn),但不限于此。在此实施例中,第一芯片结合层28A可为空缺或包含波长转换层4。
请参考图10,图10绘示了本发明的另一较佳实施例的半导体发光组件的立体示意图。如图10所示,本发明的半导体发光组件310包含透明基板2、至少一发光二极管结构3、第一连接电极311A、第二连接电极311B与至少一波长转换层4。发光二极管结构3设置于透明基板2的支撑面210上,且形成可发光的第一主表面21A。在此实施例中,发光二极管结构3的出光角度大于180度,且发光二极管结构3所发出的至少部分光线会射入透明基板2,而射入光线的至少一部分会从对应第一主表面21A的第二主表面21B出光,其余的射入光线则可从透明基板2的其他表面出光,进而使半导体发光组件310可多向出光。第一连接电极311A以及第二连接电极311B分别设置于透明基板2的不同侧或相同侧(未示于图10)。第一连接电极311A与第二连接电极311B为半导体发光组件310的对外电极,可分别由透明基板2上的第一连接导线与第二连接导线的延伸部形成,故第一连接电极311A与第二连接电极311B相应地电性连接于发光二极管结构3。波长转换层4至少覆盖发光二极管结构3并暴露至少部分的第一连接电极311A与第二连接电极311B。波长转换层4至少部分吸收发光二极管结构3及/或透明基板2所发出的光线,并转换成另一波长范围的光线。被转换的光线与未被波长转换层4吸收的光线混光,以增加半导体发光组件310的发光波长范围,并改善半导体发光组件310的发光效果。由于本实施例的半导体发光组件310具有分别设置于透明基板2的第一连接电极311A与第二连接电极311B,故传统的发光二极管封装制程可省略,且半导体发光组件310可独自完成制作后再与适合的承载座进行结合,因此可达到提升整体制造良率、简化结构以及增加所配合的承载座的应用范围等优点。
请参考图11,为本发明的一实施例的发光装置11。发光装置11包含承载座5与本发明所述的半导体发光组件。半导体发光组件的透明基板2可立设(或平放)于此承载座5并与此承载座5电性耦接。透明基板2与承载座5之间具有第一夹角θ1,第一夹角θ1可为固设或根据发光装置的出光光形需要而变动。第一夹角θ1的范围较佳地介于30度至150度之间。
请参考图12,本发明的发光装置11的承载座5还可包含电路板6,其电性耦接于电源供应。电路板6并电性耦接于透明基板2上的第一连接导线以及第二连接导线(未示于图12),而与发光二极管结构3电性连接,使电源供应可透过电路板6提供发光二极管结构3发光所需电力。在本发明的其它较佳实施例中,若无设置此电路板6,发光二极管结构3亦可透过第一连接导线以及第二连接导线(未示于图12)直接电性连接于承载座5,使电源供应可经由承载座5对发光二极管结构3供电。
请参考图13,本发明的发光装置11还可包含反射镜或滤波器8,设置于透明基板2的第二主表面21B或支撑面210上。反射镜或滤波器8可反射该发光二极管结构3所发出的至少部分穿透该透明基板2的光线,而使部分被反射光线改由该第一主表面21A射出。反射镜8可包含至少一金属层或布拉格反射镜(Bragg reflector),但不以此为限。布拉格反射镜可由多层具有不同折射率的介电薄膜堆栈构成,或是由多层具有不同折射率的介电薄膜与多层金属氧化物堆栈构成。
请参考图14,本发明的发光装置11还可包含类钻碳(diamond-like carbon,DLC)膜9,其中类钻碳膜9设置于透明基板2的支撑面210及/或第二主表面21B上,以增加导热及散热效果。
请参考图15。图15绘示了本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。如图15所示,本实施例的发光装置10包含承载座26与本发明所述的半导体发光组件。半导体发光组件包含透明基板2与至少一发光二极管结构14。半导体发光组件可至少部分嵌入承载座26内。承载座26的电极30、32电性连接半导体发光组件的连接导线,使电源可透过电极30、32相应地提供驱动电压V+,V-以驱动发光二极管结构14发出光线L。发光二极管结构14包含第一电极16与第二电极18,以打线方式分别电性连接第一连接导线20与第二连接导线22,但电性连接的方式不限于此。另外,发光二极管结构14的出光角大于180度或具有多个发光面,使得发光装置10可从第一主表面21A及第二主表面21B出光。再者,因部分光线会由发光二极管结构14及/或由透明基板2的四个侧壁直接射出,故发光装置10可具有多面发光、六面发光或全方向出光的特性。
本发明的半导体发光组件更包含选择性设置有发光二极管结构14、第一主表面21A或第二主表面21B上的波长转换层4。波长转换层4可吸收发光二极管结构14所发出的至少部分光线并转换为另一波长范围的光,以使发光装置10发出特定光色或波长范围较宽的光线。举例来说,当发光二极管结构14产生蓝光,部分的蓝光可被波长转换层4转换成为黄光,而发光装置10即可发出由蓝光与黄光混合成的白光。此外,透明基板2可以平行方式或非平行方式直接地或非直接固设在承载座26。举例来说,藉由将透明基板2的侧壁与承载座26直接接合,透明基板2可直立地固设于承载座26、或是将透明基板2可水平地设置于承载座26上,但不限于此。透明基板2较佳包含热传导性高的材料,藉此发光二极管结构14产生的热量可经由透明基板2散逸到承载座26,故高功率的发光二极管结构可适用在本发明的发光装置。无论如何,在本发明的较佳实施例之一中,在发光装置具有同样的消耗功率的条件下,用多个较小功率的发光二极管结构散布在透明基板12上能充分利用透明基板12的热传导特性,例如本实施例的各发光二极管结构14的功率可等于或小于0.2瓦特,但不以此为限。
请参考图16。图16绘示了本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。相比于图15所示的发光装置,本实施例的发光装置10’包含复数个发光二极管结构14,且至少一部分的发光二极管结构14以串联方式彼此电性连接。各发光二极管结构14包含第一电极16与第二电极18。其中一个发光二极管结构14的第一电极16设置在串联的一端并电性连接于第一连接导线20,且另一个发光二极管结构14的第二电极18设置在串联的另一端并电性连接于第二连接导线22,但不限于此。复数个发光二极管结构14可以串联或并联方式彼此电性连接。复数个发光二极管结构14可发出相同色光,例如都是蓝光二极管;或是复数个发光二极管结构14分别发出不同色光,以符合不同应用需求。本发明的发光装置10’还可藉由波长转换层4发出更多种不同的色光。
请参考图17。图17绘示了本发明的另一较佳实施例的发光装置的示意图。相比于图15与图16所示的发光装置,本实施例的发光装置50更包含支架51,用以连结本发明的半导体发光组件与承载座26。半导体发光组件的透明基板2藉由组件接合层52固设于支架51的一侧,而支架51的另一侧可设置于或***承载座26。另外,支架51具有弹性而可在透明基板2与承载座26之间形成夹角,且夹角介于30-150度之间。支架51的材料可包含选自于铝、铜、复合式金属、电线、陶瓷、印刷电路板或其他适合的材料。
请参考图18、图19与图20,当本发明中的透明基板2设置于承载座5之上时,较佳实施例之一是可透过插接或是接合的方式来达成透明基板2与承载座5的结合。
如图18所示,当透明基板2设置于承载座5之上时,透明基板2插接于承载座5的单一插槽61,而使半导体发光组件透过连接导线电性耦接于插槽61。透明基板2上的发光二极管结构(未示于图18)透过承载座5电性耦接于电源供应,且透明基板2上的至少部分导电图案或连接导线延伸连接至透明基板2的边缘,并整合为具有复数个导电触片的金手指结构或电性端口,例如电性端口可为前述的连接电极311A和连接电极311B(未示于图18)。当透明基板2插接于插槽61,发光二极管结构(未示于图18)可藉由承载座5获得供电,且透明基板2可相应固设于承载座5的插槽61。
请参考图19,图19为透明基板2插接于承载座5的复数个插槽的结构示意图。在此实施例中,透明基板2具有双插脚结构,其中一个插脚可为半导体发光组件的正极,另一个插脚则可为半导体发光组件的负极。两个插脚皆具有至少一导电触片以分别作为端口。对应地,在承载座5则具有与插脚***面尺寸与外型相符的至少两个插槽61,使透明基板2可顺利***承载座5,并让发光二极管结构获得供电。
请参考图20。透明基板2藉由组件接合层接合于承载座5。在接合的过程中,可以透过使用金、锡、铟、铋、银等金属材料将透明基板2与承载座5结合或焊接在一起。或者,也可使用具导电性的硅胶或是环氧树脂将透明基板2固设于承载座5上。如此,半导体发光组件的导电图案或连接导线即可透过组件接合层电性连接于承载座。
请参考图21与图22。本发明的发光装置11的承载座5可为基板,基板材料可包含选自于铝、铜、含铝的复合金属、电线、陶瓷或印刷电路板等的素材之一。承载座5的表面或是侧边具有至少一支架62。支架62为与承载座5可为相互分离的两机构件,或是一体化的机构件。半导体发光组件可透过接合的方式与支架62电性耦接,组件接合层63则用以将透明基板2固设于承载座5。承载座5与透明基板2之间具有如前述的第一夹角θ1。承载座5无支架的表面亦可设置半导体发光组件,以提升发光装置11的发光效果。另外,半导体发光组件亦可透过插接方式连接支架62(未示于图21与图22),也就是藉由使用连接器来连接半导体发光组件与支架(及/或支架与承载座),以将透明基板2固设于承载座5。因为承载座5与支架62是可弯折机构件,因此增加了本发明在应用时的灵活性;同时亦可透过使用不同发光波长的半导体发光组件组合出不同光色,使发光装置11出光具有变化性以满足不同需求。
请参考图23。如图23所示,本实施例的发光装置包含至少一半导体发光组件1及承载座5。承载座5包含至少一支架62以及至少一电路图案P。半导体发光组件1的透明基板的一端与支架62电性耦接,以避免或减少支架62对半导体发光组件1出光的遮蔽效果。承载座5可选自于金属如铝、铜、含铝复合式金属、电线、陶瓷或印刷电路板等的素材。支架62可为从承载座5的一部分加以切割并弯折一角度(如图21与图22所示的第一夹角θ1)而成。电路图案P设置于承载座5上,电路图案P并具有至少一组电性端点以电性连接电源供应。电路图案P另有一部分延伸于支架62上以电性连接半导体发光组件1,使半导体发光组件1可透过承载座5的电路图案P电性连接于电源供应。此外,承载座5可更包含至少一孔洞H或至少一缺口G,使固定件如螺丝、钉子或插销等等可透过该孔洞H或缺口G将承载座5与其他组件依发光装置应用情形作进一步构装或安装。同时,孔洞H或缺口G的设置亦增加承载座5的散热面积,提升发光装置的散热效果。
请参考图24。图24绘示了本发明的另一较佳实施例的发光装置的装置基座的立体示意图。如图24所示,本实施例的装置基座322包含承载座5以及至少一支架62。相较于图23的实施例,本实施例的支架62包含至少一条状部342与缺口330。电极30、32分别设置于缺口330的两侧,条状部342至少构成缺口330的一边墙。本发明的半导体发光组件对应设置于缺口330而与支架62电性耦接。半导体发光组件的连接导线电性连接于电极30、32,使电源供应可透过支架62及承载座5上的电路图案驱动半导体发光组件。缺口330的尺寸可不小于半导体发光组件的主要发光面,使半导体发光组件的出光不会被支架62遮蔽。支架62与承载座5之间的连接处可为可活动设计,使支架62与承载座5之间夹角可视需要进行调整。
请参考图24与图25。图25绘示了本发明的另一较佳实施例的发光装置的立体示意图。相比于图24的实施例,图25所示的发光装置302更包含具有复数个缺口330的至少一支架62。复数个缺口330分别设置于支架62的两相对边,且条状部342至少构成各缺口330的一边墙。复数个半导体发光组件310与复数个缺口330对应设置,且各半导体发光组件310的电路图案或连接电极(未示于图25)分别对应设置并电性连结于电极30以及电极32。本实施例的发光装置302可更进一步包含复数个支架62,支架62设置于半导体发光组件1与承载座5之间。支架62的长度可实质介于5.8-20毫米(mm)。每个设置有半导体发光组件的支架62与承载座5之间的夹角可视需要各自进行调整。换句话说,承载座5与至少一个支架62之间的夹角可不同于承载座5与其它个支架62之间的夹角,以达到所需的发光效果,但并不以此为限。另外,亦可在相同支架或不同支架设置具有不同发光波长范围的半导体发光组件的组合,使发光装置的色彩效果更丰富。
为了提高亮度与改善发光效果,本发明的另一较佳实施例的发光装置将复数个具有透明基板的半导体发光组件布置于诸如前述实施例的承载座或其他承载机构之上,此时可采取点对称或线对称排列方式布置,即多个具有透明基板的半导体发光组件以点对称或线对称的形式设置于承载机构之上。请参考图26、图27、图28与图29,各实施例的发光装置在各种不同形状的承载机构上设置复数个半导体发光组件。因为是以点对称或线对称的形式配置,使本发明的发光装置11的出光能够均匀(发光二极管结构省略示意)。发光装置11的出光效果还可藉由改变上述的第一夹角的大小而再做进一步的调整与改善。如图26所示,半导体发光组件之间以点对称方式彼此夹90度角排列,此时至少二个半导体发光组件可正对发光装置11的四面中的任一面。如图27所示,发光装置11的半导体发光组件之间夹角小于90度。如图28所示,发光装置11的半导体发光组件延承载机构60的边缘设置。如图29所示,发光装置的半导体发光组件之间夹角大于90度。在本发明的另一较佳实施例(未示于图中),多个半导体发光组件可以非对称布置方式,且多个半导体发光组件的至少一部分会集中或分散设置,以达成发光装置11于不同应用时的光形需要。
请参考图30。图30绘示了本发明的另一较佳实施例的发光装置的剖面示意图。如图30所示,发光装置301包含半导体发光组件310以及支架321。支架321包含缺口330,且半导体发光组件310与缺口330对应设置。本实施例中,支架321的对外部亦可当作插脚或弯折成表面焊接所需接垫,以固设并电性连接于其他电路组件。半导体发光组件310的发光面设置于缺口330内,故不论支架321是否为透光材料,发光装置301皆可保有多面或六面发光的发光效果。
请参考图31,为本发明具体实施例的发光装置。发光装置包含管形灯罩7、至少一半导体发光组件1以及承载机构60。半导体发光组件1设置于承载机构60上,且至少一部分的半导体发光组件1位于管形灯罩7所形成的空间内。请再参考图32的剖面示意。当多个半导体发光组件1设置于灯罩7之内时,各半导体发光组件1的第一主表面21A之间是以不互相平行的方式分开排列。另外,多个半导体发光组件1的至少一部分会设置于灯罩7所形成的空间内,且不紧贴灯罩7的内壁。较佳的实施例为,半导体发光组件1与灯罩7之间的距离D可相等或大于500微米(μm);但亦可以灌胶方式形成灯罩7,并使灯罩7至少部分包覆并直接接触于半导体发光组件1。
请参考图33,图33为本发明较佳实施例的半导体发光组件1的示意图。相较于图10所示实施例,本实施例的半导体发光组件1包含透明基板2与至少一个发光二极管结构3,其中透明基板2具有延伸部2e,用以设置一组连接电极31,发光二极管结构3设置在透明基板2上与连接电极31相对的位置。该组连接电极31可包含第一连接电极311A与第二连接电极311B,其位于半导体发光组件1的同侧面,且用以电连接发光二极管结构3与电源。第一连接电极311A和第二连接电极311B分别可为正电极与负电极,用以电连接本发明各实施例所述的支架62或承载座/承载机构上的对应电极。因此,发光二极管结构3和覆盖在发光二极管结构3上的波长转换层4可伸出支架62或承载座的一侧。且如先前本发明实施例所述,发光二极管结构3所发出的光藉由透明基板2而能达成多方向或全方向的照明。
请参考图34至图36。图34为本发明较佳实施例的发光装置11的示意图,图35为本发明较佳实施例的支架62的组合示意图,图36为本发明较佳实施例的搭配灯罩7的发光装置11的示意图。如图34所示,发光装置11包含承载座5、至少两个支架62设置在承载座5上且彼此耦合、及至少两个半导体发光组件1与对应的支架62耦合。该些支架62的至少一个可具有插槽621,且另一个支架62可***插槽621,故使两个支架62能够藉插槽621彼此耦合。另外,如图35所示,两个支架62也可各自具有插槽621,使两个支架62能透过两个插槽621相互嵌合而耦合在一起。其中一个支架62的顶端和底端可分别对齐于另一个支架62的顶端和底端,使两个支架62可对称且规则地设置在承载座5上。
该些支架62的至少一个支架的形状可相同或相似于板状或片状结构,且可包含两个相互平行且平坦的表面,其中其表面面积不小于半导体发光组件1的面积。根据此实施例,支架62的表面面积较佳为半导体发光组件1的面积三倍以上,以使发光装置11能够具有较佳的散热效率和发光效能。复数个半导体发光组件1可以对称方式或非对称方式设置在对应的支架62上。如图34所示实施例,设置在其中一个支架62上的半导体发光组件1对齐于设置在另一个支架62上的半导体发光组件1。但根据本发明其它实施例,设置在其中一个支架62上的半导体发光组件1也可不对齐于设置在另一个支架62上的半导体发光组件1,或相对于另一个支架62上的半导体发光组件1交错设置,亦即设置在不同支架62上的多个半导体发光组件1也可以任意地交错排列,以补偿发光时因某些结构单元遮蔽光路径而造成的阴影。如图36所示,发光装置11可包含底座64以及灯罩7。承载座5设置在底座64上。灯罩7可为球形或烛形,用来覆盖承载座5并连接于底座64。如图36所示实施例,复数个半导体发光组件1分散排列在多个支架62上,且每一个支架62各自指往不同方向,故具有灯罩7的发光装置11能够均匀地提供全向性发光照明功能。发光装置11的光强度可藉由增加或减少半导体发光组件1的数量来改变和调整。支架62可由散热材质组成,用来散逸半导体发光组件1产生的热量。该些支架62的至少一个支架的材料选自于印刷电路板、陶瓷、玻璃、塑料等素材之一或其组合。不过,支架62的材料较佳为金属芯电路板(metal core print circuitboard)。
请参阅图37与图38,图37为本发明另一较佳实施例的发光装置11的示意图,图38为本发明较佳实施例的支架62与支柱623的组合示意图。相较于图34所示实施例,图37所示实施例的发光装置11还包含支柱623,且至少一个支架62可耦合于支柱623。如图所示,支柱623可包含至少一个卡槽623a,使支架62能藉由***支柱623的卡槽623a而与支柱623耦合。在此实施例中,复数个支架62可分别***对应的卡槽623a并以对称方式或非对称方式环设于支柱623,如此发光装置11可均匀地提供多向性发光功能。
支柱623的形状可相同或相似于导管,即具有设置在支柱623的至少一个端面的导孔623b。本发明可将固定组件突设在承载座5上,并将固定组件***支柱623的导孔623b,而使支柱623与承载座5耦合。依此结构设计,支柱623以可拆卸方式与承载座5耦合,支柱623可透过移除固定组件而轻易从承载座5拆卸分离。固定组件可为连接器、管件、钉子、闩扣件、螺钉或螺拴等等,然不限于此。具有导孔623b的支柱623可用来散逸半导体发光组件1产生的热量,以提高发光装置11的操作性能。根据本发明某些实施例,还可在支柱623的导孔623b存放或流通气体或液体型态的材料以传导更多热量,而提高发光装置11的使用年限。
如图38所示,支柱623还可包含至少一个开槽623c,设置在支柱623的至少一端面。开槽623c延伸连接于卡槽623a的一端,藉以形成供支架62插设的开放空间。支架62可沿着支柱623的径向方向移动以卡合到支柱623的卡槽623a内,或是沿着支柱623的轴向方向移动,以经由开槽623c移入卡槽623a。因此,本发明的发光装置11能够以简单快速的组装方式更换损坏的支架62、或替换具有失效半导体发光组件1的支架62。
应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本发明的保护范围,凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光装置,其特征在于包括:
承载座,具有上表面和相对于该上表面的下表面;
第一支架,具有插槽,且该第一支架设置于该上表面并未穿透该下表面;
第二支架,***该插槽;以及
半导体发光元件,固定于该第一支架上,其中,该半导体发光元件包含:
基板,具有相对设置的支撑面与主表面;以及
发光二极体结构,设置在该支撑面上。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该基板包含设置在该第一支架上的延伸部。
3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该发光装置还包含设置在该延伸部的一组连接电极,且该组连接电极电连接该发光二极体结构和该第一支架。
4.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该发光装置还包含设置在该承载座上的支柱,其中,该第一支架与该第二支架其中之一固定于该支柱上。
5.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,该支柱包含卡槽,且该第一支架与该第二支架其中之一通过该卡槽固定于该支柱上。
6.如权利要求5所述的发光装置,其特征在于,该支柱包含两个卡槽,且该第一支架与该第二支架分别通过该些卡槽固定于该支柱上。
7.如权利要求5所述的发光装置,其特征在于,该支柱还包含设置于该支柱的端面的开槽,该开槽延伸连接于该卡槽。
8.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一支架具有不小于该半导体发光元件的面积。
9.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一支架具有大于该半导体发光元件三倍的面积。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于该发光装置还包含:
底座,用来承载该承载座;以及
灯罩,设置于该底座以覆盖该承载座、该第一支架、该第二支架以及该半导体发光元件。
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