CN107833946A - 一种led封装方法 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 454
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 442
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 442
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 36
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 6
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 7
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 397
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 206010023126 Jaundice Diseases 0.000 description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003034 coal gas Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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Abstract
本发明涉及一种LED封装方法，该方法包括：选取紫外灯芯；利用回流焊焊接工艺将所述紫外灯芯焊接在基板上；在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层以完成所述LED的封装。本发明的LED封装方法通过多层透镜层，折射率依次增大可以提高LED灯芯的透光率，使LED灯芯发射出来的光能够更多的透过封装材料照射出去。
Description
技术领域
本发明涉及封装技术领域，特别是涉及一种LED封装方法。
背景技术
LED具有寿命长、发光效率高、显色性好、安全可靠、色彩丰富和易于维护的特点。在当今环境污染日益严重，气候变暖和能源日益紧张的背景下，基于大功率LED发展起来的半导体照明技术已经被公认为是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。这是自煤气照明、白炽灯和荧光灯之后，人类照明史上的一次大飞跃，迅速提升了人类生活的照明质量。
近年来，LED多采用紫外灯芯加RGB三基色的方式产生白光，以实现照明，这种方式具有以下问题。首先，LED光源发出的光一般呈发散式分布，即朗伯分布，导致光源照明亮度不够集中，一般需要通过外部透镜进行二次整形，以适应具体场合的照明需求，因此增加了生产成本；其次，LED输入功率中只有一部分的能量转化为光能，其余的能量则转化为热能，所以对于LED芯片，尤其是功率密度很大的LED芯片，如何控制其能量，是LED制造和灯具应该着重解决的重要问题；最后，由于大功率LED用于照明等场合，成本控制十分重要，而且大功率LED灯外部热沉的结构尺寸也不允许太大，更不可能容许加电风扇等方式主动散热，LED芯片工作的安全结温应在110℃以内，如果结温过高，会导致光强降低、光谱偏移、色温升高、热应力增高、芯片加速老化等一系列问题，大大降低了LED的使用寿命，同时，还可以导致芯片上面灌装的封装胶胶体加速老化，影响其透光效率。
发明内容
因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种LED封装方法。
具体地，本发明一个实施例提出的一种LED封装方法，包括：
选取紫外灯芯；
利用回流焊焊接工艺将所述紫外灯芯焊接在基板上；
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层以完成所述LED的封装。
在本发明的一个实施例中，所述基板外侧设置有沿宽度方向且平行所述基板平面的圆槽；其中，所述圆槽直径为0.3～2mm，所述圆槽之间的间距为0.5～10mm。
在本发明的一个实施例中，利用回流焊焊接工艺将所述紫外灯芯焊接在基板上，包括：
将焊料印刷到所述紫外灯芯上；
将印刷有焊料的所述紫外灯芯进行固晶检验；
利用回流焊焊接工艺将印刷有焊料的所述紫外灯芯焊接到所述基板上。
在本发明的一个实施例中，在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层，包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层；
在所述第一透镜层上涂覆硅胶制备第二透镜层。
在本发明的一个实施例中，在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层，包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆第一硅胶，其中所述第一硅胶为不含荧光粉的耐高温硅胶；
利用第一半球形模具在所述第一硅胶上形成多个半球形凹槽；
在90～125℃温度下，将带有所述第一半球形模具的所述第一硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第一半球形模具后形成第一下硅胶层；
在所述第一下硅胶层上表面涂覆第二硅胶，其中所述第二硅胶不含荧光粉；
利用所述第二半球形模具在所述第一下硅胶层上表面形成多个球形；
在90～125℃温度下，将带有所述第二半球形模具的所述第二硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第二半球形模具后形成第一球形硅胶透镜层；
在所述第一球形硅胶透镜层及所述第一下硅胶层上方涂覆第三硅胶；
在90～125℃温度下，将第三硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min后形成第一上硅胶层，完成第一透镜层的制备。
在本发明的一个实施例中，在所述第一透镜层上涂覆硅胶制备第二透镜层，包括：
在所述第一透镜层上涂覆第四硅胶；
利用第三半球形模具在所述第四硅胶上形成多个半球形凹槽；
在90～125℃温度下，将带有所述第三半球形模具的所述第四硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第三半球形模具后形成第二下硅胶层；
在所述第二下硅胶层上表面涂覆第五硅胶，其中所述第五硅胶不含荧光粉；
利用所述第四半球形模具在所述第二下硅胶层上表面形成多个球形；
在90～125℃温度下，将带有所述第四半球形模具的所述第五硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第四半球形模具后形成第二球形硅胶透镜层；
在所述第二球形硅胶透镜层及所述第二下硅胶层上方涂覆第六硅胶；
利用第五半球形模具在所述第二球形硅胶透镜层上方形成半球形形状；
在90～125℃温度下，将带有所述第五半球形模具的第六硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第五半球形模具后形成第二上硅胶层以完成所述第二透镜层的制备。
在本发明的一个实施例中，完成所述第二透镜层的制备之后，还包括：
在100～150℃温度下，将所述第一透镜层以及所述第二透镜层进行烘烤，烘烤时间为4～12h。
在本发明的一个实施例中，所述第一上硅胶层和所述第二上硅胶层中至少有一层含有荧光粉。
在本发明的一个实施例中，在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层，包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层；
在所述第一透镜层上涂覆硅胶依次制备第二透镜层至第N透镜层，其中N大于3。
本发明实施例，具备如下优点：
1、LED封装结构中的荧光粉与LED芯片采取了分离的形式，解决了在高温条件下引起的荧光粉的量子效率下降的问题。
2、硅胶层中含有荧光粉，使得光线在二次调整过程中变成白光。
3、通过改变上层硅胶中红色、绿色、蓝色三种荧光粉的含量，可以连续调节光的颜色，除了白光以外，还可以变成任意颜色；另外，还可以调节光源的色温。
4、与LED灯芯接触的硅胶为耐高温的硅胶，解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。
5、本发明制备的LED封装结构从底层硅胶到上层硅胶折射率依次增大，球形硅胶透镜的折射率大于上下两层硅胶折射率，这种设置方式可以提高LED芯片的透光率，使LED芯片所发射出来的光能够更多的透过封装材料照射出去。
6、本发明解决了灯芯封装在薄金属基板上，由于金属基板较薄、热容较小，而且容易变形，导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果的问题。
7、本发明采用圆槽的方式，在强度几乎没有变化的同时，降低了铜基板成本；采用圆槽的方式，增加空气流通的通道，利用空气的热对流，增加了散热效果。
8、本发明中半球形硅胶球透镜改变了光的传播方向，可以有效地抑制全反射效应，有利于更多的光发射到LED外面，即增大了LED器件的外量子效率，或者提高LED的发光效率。
9、本发明中散热基板厚度较厚，因此散热基板不易变形，对于另外增加散热设备的话易于散热，不会出现因为散热基板变形导致与外设散热设备不贴合导致散热效果变差。
通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
附图说明
下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。
图1为本发明实施例提供的一种LED封装方法流程图；
图2为本发明实施例提供的一种双层透镜层LED封装方法流程图；
图3为本发明实施例提供的一种三层透镜层LED封装方法流程图；
图4为本发明实施例提供的一种双层透镜层LED封装结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种三层透镜层LED封装结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种LED封装基板结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种紫外灯芯结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种LED封装结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
实施例一
请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种LED封装方法流程图。该方法包括如下步骤：
步骤1、选取紫外灯芯；
步骤2、利用回流焊焊接工艺将所述紫外灯芯焊接在基板上；
步骤3、在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层以完成所述LED的封装。
进一步地，对于步骤2中所述基板外侧设置有沿宽度方向且平行所述基板平面的圆槽；其中，所述圆槽直径为0.3～2mm、所述圆槽之间的间距为0.5～10mm。
其中，对于步骤2，可以包括：
将焊料印刷到所述紫外灯芯上；
将印刷有焊料的所述紫外灯芯进行固晶检验；
利用回流焊焊接工艺将印刷有焊料的所述紫外灯芯焊接到所述基板上。
其中，对于步骤3，可以包括：
步骤31、在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层；
步骤32、在所述第一透镜层上涂覆硅胶制备第二透镜层。
其中，对于步骤31，可以包括：
步骤3111、在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆第一硅胶，其中所述第一硅胶为不含荧光粉的耐高温硅胶；
步骤3112、利用第一半球形模具在所述第一硅胶上形成多个半球形凹槽；
步骤3113、在90～125℃温度下，将带有所述第一半球形模具的所述第一硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
步骤3114、去除所述第一半球形模具后形成第一下硅胶层；
步骤3115、在所述第一下硅胶层上表面涂覆第二硅胶，其中所述第二硅胶不含荧光粉；
步骤3116、利用所述第二半球形模具在所述第一下硅胶层上表面形成多个球形；
步骤3117、在90～125℃温度下，将带有所述第二半球形模具的所述第二硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
步骤3118、去除所述第二半球形模具后形成第一球形硅胶透镜层；
步骤3119、在所述第一球形硅胶透镜层及所述第一下硅胶层上方涂覆第三硅胶；
步骤3120、在90～125℃温度下，将第三硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min后形成第一上硅胶层以完成第一透镜层的制备.
其中，对于步骤32，可以包括：
步骤3211、在所述第一透镜层上涂覆第四硅胶；
步骤3212、利用第三半球形模具在所述第四硅胶上形成多个半球形凹槽；
步骤3213、在90～125℃温度下，将带有所述第三半球形模具的所述第四硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
步骤3214、去除所述第三半球形模具后形成第二下硅胶层；
步骤3215、在所述第二下硅胶层上表面涂覆第五硅胶，其中所述第五硅胶不含荧光粉；
步骤3216、利用所述第四半球形模具在所述第二下硅胶层上表面形成多个球形；
步骤3217、在90～125℃温度下，将带有所述第四半球形模具的所述第五硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
步骤3218、去除所述第四半球形模具后形成第二球形硅胶透镜层；
步骤3219、在所述第二球形硅胶透镜层及所述第二下硅胶层上方涂覆第六硅胶；
步骤3220、利用第五半球形模具在所述第二球形硅胶透镜层上方形成半球形形状；
步骤3221、在90～125℃温度下，将带有所述第五半球形模具的第六硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
步骤3222、去除所述第五半球形模具后形成第二上硅胶层以完成所述第二透镜层的制备。
其中，在步骤3222之后，还可以包括：
在100～150℃温度下，将所述第一透镜层以及所述第二透镜层进行烘烤，烘烤时间为4～12h。
其中，对于步骤31中所述第一上硅胶层以及步骤32中所述第二上硅胶层至少一层含有荧光粉。
进一步地，对于步骤3，可以包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层；
在所述第一透镜层上涂覆硅胶依次制备第二透镜层至第N透镜层，其中N大于3。
本发明的有益效果具体为：
1、本发明中荧光粉与LED灯芯分离，解决了高温引起荧光粉量子效率下降的问题。
2、本发明中硅胶含有荧光粉，使得光线在二次调整过程中部分变成黄光，通过改变上层硅胶中黄色荧光粉的含量，可以连续调节光的颜色从白光再变为黄光，还可以调节光源的色温。
3、本发明中与LED灯芯接触的硅胶为耐高温的硅胶，解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。
4、本发明利用不同种类硅胶折射率不同的特点，在硅胶中形成半球形硅胶球，改善LED芯片发光分散的问题，使光源发出的光能够更加集中。
5、本发明制备的LED封装结构下层硅胶折射率小于上层硅胶，半球形硅胶球材料的折射率大于下层硅胶折射率且大于上层硅胶折射率，这种设置方式可以提高LED芯片的透光率，使LED芯片所发射出来的光能够更多的透过封装材料照射出去。
6、本发明采用中间通孔的方式，在强度几乎没有变化的同时，降低了铜材料的成本；采用中间通孔的方式，可以增加空气流通的通道，利用空气的热对流，增加了散热效果。
实施例二
请参见图2，图2为本发明实施例提供的一种双层透镜层LED封装方法流程图。在上述实施例的基础上，本实施例将较为详细地对本发明提出的双层透镜层LED封装的工艺流程进行介绍。该方法包括：
S201、灯芯选取
选取紫外灯芯作为LED的灯芯。
S202、基板选取
LED输入功率中只有一部分的能量转化为光能，其它的则转化为热能。所以对于LED芯片，尤其是功率密度很大的LED芯片，如何控制其热能量，是LED制造和灯具应该着重解决的重要问题。大功率二极管、大功率三极管、IGBT、MOSFET的热量可以通过安装在仪器机壳板上的、尺寸几乎不受限制的外部散热器散发出去，或在器件贴装散热器再安装散热风扇，进行主动散热。但这些外部散热措施对LED，尤其是大功率LED来说几乎是不可能的，由于大功率LED用于照明等场合，成本控制十分重要，而且大功率LED灯外部热沉的结构尺寸也不允许太大，更不可能容许加电风扇等方式主动散热。
LED芯片工作的安全结温应在110℃以内，如果结温过高，会导致光强降低、光谱偏移、色温升高、热应力增高、芯片加速老化等一系列问题，大大降低了LED的使用寿命，同时，还可以导致芯片上面灌装的封装胶胶体加速老化，影响其透光效率。
目前，芯片多数是封装在薄金属基板上，由于金属基板较薄、热容较小，而且容易变形，导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果。
S2021、支架/基板准备
选取金属铜作为基板的材料，基板的厚度为0.5～10mm。基板外侧具有沿宽度方向且平行基板平面的圆槽；其中，圆槽直径为0.3～2mm、圆槽间距0.5～10mm。圆槽可以直接铸造形成，或者在铜基板上沿宽度方向直接钻孔形成。基板的面积可以根据灯具需要进行裁剪。
本实施例采用铜基板不容易变形，与散热装置接触紧密，散热效果好；采用圆槽的方式，在强度几乎没有变化的同时，降低了铜基板成本；采用圆槽的方式，增加空气流通的通道，利用空气的热对流，增加了散热效果。
S2022、支架/基板清洗；
将支架/基板的污渍、尤其是油渍清洗干净。进行封装时，支架与基板必须保持清洁。
S2023、支架/基板烘烤；
将支架/基板进行烘烤，保持支架/基板的干燥。
S203、灯芯焊接
S2031、印刷焊料
将焊料印刷到灯芯上；
S2032、固晶检验
将印刷有焊料的灯芯进行固晶检验；
S2033、回流焊接
利用回流焊焊接工艺将灯芯焊接到基板上方，焊接采用标准的回流焊工艺。
S204、第一透镜层生长
S2041、第一下硅胶层的制备；
在设置有灯芯的基板上方利用涂覆方式涂覆第一硅胶，第一硅胶为不含有荧光粉的耐高温硅胶；与LED芯片接触的硅胶为耐高温的硅胶，解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。利用第一半球形模具在第一硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有第一半球形模具的第一硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除第一半球形模具固化形成第一下硅胶层。
S2042、第一球形硅胶透镜层的制备；
在第一下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆第二硅胶，第二硅胶不含有荧光粉；利用第二半球形模具在第一下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的第二硅胶形成球形硅胶透镜；将带有第二半球形模具的第二硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除第二半球形模具固化形成第一球形硅胶透镜层。其中，球形硅胶透镜可以呈矩形均匀排列，或者菱形排列。可以保证光源的光线在集中区均匀分布。
S2043、第一上硅胶层的制备。
在第一球形硅胶透镜层及第一下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆第三硅胶；将第三硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第一上硅胶层。其中，第一下硅胶层、第一球形硅胶透镜层以及第一上硅胶层形成第一透镜层。
S205、第二透镜层生长
S2051、第二下硅胶层的制备；
在第一透镜层上表面利用涂覆方式涂覆第四硅胶，第四硅胶不含荧光粉；利用第三半球形模具在第四硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有第三半球形模具的第四硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除第三半球形模具固化形成第二下硅胶层。
S2052、第二球形硅胶透镜层的制备；
在第二下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆第五硅胶，第五硅胶不含荧光粉；利用第四半球形模具在第二下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的第五硅胶形成球形硅胶透镜；将带有第四半球形模具的第五硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除第四半球形模具固化形成第二球形硅胶透镜层。其中，球形硅胶透镜可以呈矩形均匀排列，或者菱形排列。可以保证光源的光线在集中区均匀分布。
S2053、第二上硅胶层的制备。
在第二球形硅胶透镜层及第二下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆第六硅胶；利用第五半球形模具在第二球形硅胶透镜层上方形成一个大半球形；将带有第五半球形模具的第六硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除第五半球形模具固化形成第二上硅胶层。其中，第二下硅胶层、第二球形硅胶透镜层以及第二上硅胶层形成第二透镜层。
目前的大功率LED封装结构中，荧光粉一般是直接涂覆在芯片表面，由于芯片对于后向散射的光线存在吸收作用，因此，这种直接涂覆的方式将会降低封装的取光效率，此外，芯片产生的高温会使荧光粉的量子效率显著下降，从而严重影响到封装的流明效率。
进一步地，第三硅胶以及第六硅胶至少一个含有荧光粉，荧光粉为红色、绿色、蓝色三种；
本实施例利用不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，是光源发出的光能够更加集中。
S206、长烤；
烘烤第一透镜层以及第二透镜层，烘烤温度为100～150℃，烘烤时间为4～12h，以完成LED的封装；
S207、测试、分捡封装完成的LED
S208、包装测试合格的LED封装结构
本实施例具有如下优点：
1、利用不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，是光源发出的光能够更加集中。
2、通过改变覆盖层硅胶中红色、绿色、蓝色三种荧光粉的含量，可以连续调节光的颜色，除了白光以外，还可以变成任意颜色；另外，还可以调节光源的色温。
3、球形硅胶透镜可以呈矩形均匀排列，或者交错排列。通过两次透镜的整形，可以保证光源的光线在集中区更均匀的分布。
4、从底层硅胶到上层硅胶折射率依次增大，球形硅胶透镜的折射率大于上下两层硅胶折射率，可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出去。
实施例三
请参见图3，图3为本发明实施例提供的一种三层透镜层LED封装方法流程图。在上述实施例的基础上，本实施例将较为详细地对本发明提出的三层透镜层LED封装的工艺流程进行介绍。包括：
S301、灯芯选取
选取紫外灯芯作为LED的灯芯。
S302、基板选取
S3021、支架/基板准备
选取金属铜作为基板的材料，基板的厚度为0.5～10mm。基板外侧具有沿宽度方向且平行基板平面的圆槽；其中，圆槽直径为0.3～2mm、圆槽间距0.5～10mm。圆槽可以直接铸造形成，或者在铜基板上沿宽度方向直接钻孔形成。基板的面积可以根据灯具需要进行裁剪。
S3022、支架/基板清洗；
将支架/基板的污渍、尤其是油渍清洗干净。进行封装时，支架与基板必须保持清洁。
S3023、支架/基板烘烤；
将支架/基板进行烘烤，保持支架/基板的干燥。
S303、灯芯焊接
S3031、印刷焊料
将焊料印刷到灯芯上；
S3032、固晶检验
将印刷有焊料的灯芯进行固晶检验；
S3033、回流焊接
利用回流焊焊接工艺将灯芯焊接到基板上方，焊接采用标准的回流焊工艺。
S304、第一透镜层生长
S3041、第一下硅胶层的制备；
在设置有灯芯的基板上方利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶为不含有荧光粉的耐高温硅胶；与LED芯片接触的硅胶为耐高温的硅胶，解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。利用半球形模具在硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第一下硅胶层。
S3042、第一球形硅胶透镜层的制备；
在第一下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含有荧光粉；利用半球形模具在第一下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的硅胶形成球形硅胶透镜；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第一球形硅胶透镜层。其中，球形硅胶透镜可以呈矩形均匀排列，或者菱形排列。可以保证光源的光线在集中区均匀分布。
S3043、第一上硅胶层的制备。
在第一球形硅胶透镜层及第一下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆硅胶；将硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第一上硅胶层。第一下硅胶层、第一球形硅胶透镜层以及第一上硅胶层形成第一透镜层。
S305、第二透镜层生长
S3051、第二下硅胶层的制备；
在第一透镜层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第二下硅胶层。
S3052、第二球形硅胶透镜层的制备；
在第二下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在第二下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的硅胶形成球形硅胶透镜；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第二球形硅胶透镜层。
S3053、第二上硅胶层的制备。
在第二球形硅胶透镜层及第二下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆硅胶；将硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第二上硅胶层。第二下硅胶层、第二球形硅胶透镜层以及第二上硅胶层形成第二透镜层。
S306、第三透镜层生长
S3061、第三下硅胶层的制备；
在第二透镜层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第三下硅胶层。
S3062、第三球形硅胶透镜层的制备；
在第三下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在第三下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的硅胶形成球形硅胶透镜；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第三球形硅胶透镜层。
S3063、第三上硅胶层的制备。
在第三球形硅胶透镜层及第三下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆硅胶；利用半球形模具在第三球形硅胶透镜层上形成一个半球形形状；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第三上硅胶层。第三下硅胶层、第三球形硅胶透镜层以及第三上硅胶层形成第三透镜层。
目前的大功率LED封装结构中，荧光粉一般是直接涂覆在芯片表面，由于芯片对于后向散射的光线存在吸收作用，因此，这种直接涂覆的方式将会降低封装的取光效率，此外，芯片产生的高温会使荧光粉的量子效率显著下降，从而严重影响到封装的流明效率。
其中，第一上硅胶层、第二上硅胶层以及第三上硅胶层至少有一层硅胶层含有荧光粉，荧光粉包括红色、绿色、蓝色三种。
本实施例利用不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，是光源发出的光能够更加集中。
S307、长烤；
烘烤第一透镜层以及第二透镜层，烘烤温度为100～150℃，烘烤时间为4～12h，以完成LED的封装；
S308、测试、分捡封装完成的LED
S309、包装测试合格的LED封装结构
实施例四
在上述实施例的基础上，本实施例将较为详细地对多层透镜层的LED封装工艺流程进行介绍。设该LED共有N层球形硅胶透镜层，工艺步骤如下所示：
S401、灯芯选取
选取紫外灯芯作为LED的灯芯。
S402、基板选取
S4021、支架/基板准备
选取金属铜作为基板的材料，基板的厚度为0.5～10mm。基板外侧具有沿宽度方向且平行基板平面的圆槽；其中，圆槽直径为0.3～2mm、圆槽间距0.5～10mm。圆槽可以直接铸造形成，或者在铜基板上沿宽度方向直接钻孔形成。基板的面积可以根据灯具需要进行裁剪。
S4022、支架/基板清洗；
将支架/基板的污渍、尤其是油渍清洗干净。进行封装时，支架与基板必须保持清洁。
S4023、支架/基板烘烤；
将支架/基板进行烘烤，保持支架/基板的干燥。
S403、灯芯焊接
S4031、印刷焊料
将焊料印刷到灯芯上；
S4032、固晶检验
将印刷有焊料的灯芯进行固晶检验；
S4033、回流焊接
利用回流焊焊接工艺将灯芯焊接到基板上方，焊接采用标准的回流焊工艺。
S404、第一透镜层生长
S4041、第一下硅胶层的制备；
在设置有灯芯的基板上方利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶为不含有荧光粉的耐高温硅胶；利用半球形模具在硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第一下硅胶层。
S4042、第一球形硅胶透镜层的制备；
在第一下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含有荧光粉；利用半球形模具在第一下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的硅胶形成球形硅胶透镜；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第一球形硅胶透镜层。
S4043、第一上硅胶层的制备。
在第一球形硅胶透镜层及第一下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆硅胶；将硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第一上硅胶层。第一下硅胶层、第一球形硅胶透镜层以及第一上硅胶层形成第一透镜层。
S405、第二透镜层生长
S4051、第二下硅胶层的制备；
在第一透镜层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第二下硅胶层。
S4052、第二球形硅胶透镜层的制备；
在第二下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在第二下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的硅胶形成球形硅胶透镜；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第二球形硅胶透镜层。
S4053、第二上硅胶层的制备。
在第二球形硅胶透镜层及第二下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆硅胶；将硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第二上硅胶层。第二下硅胶层、第二球形硅胶透镜层以及第二上硅胶层形成第二透镜层。
S406、参照上述S5第二透镜层生长的工艺，继续进行第三透镜层生长、第四透镜层生长直至第N-1透镜层生长N-1，具体工艺过程此处不再赘述。
S407、第N透镜层生长
S4071、第N下硅胶层的制备；
在第N-1透镜层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在硅胶上形成多个半球形凹槽；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第N下硅胶层。
S4072、第N球形硅胶透镜层的制备；
在第N下硅胶层上表面利用涂覆方式涂覆硅胶，硅胶不含荧光粉；利用半球形模具在第N下硅胶层上表面形成多个半球形，该半球形与半球形凹槽中的硅胶形成球形硅胶透镜；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；去除半球形模具固化形成第N球形硅胶透镜层。
S4073、第N上硅胶层的制备。
在第N球形硅胶透镜层及第N下硅胶层上方利用涂覆方式涂覆硅胶；利用半球形模具在第N球形硅胶透镜层上形成一个半球形形状；将带有半球形模具的硅胶进行烘烤，烘烤温度为90～125℃，烘烤时间为15～60min；固化形成第N上硅胶层。第N下硅胶层、第N球形硅胶透镜层以及第N上硅胶层形成第N透镜层。
目前的大功率LED封装结构中，荧光粉一般是直接涂覆在芯片表面，由于芯片对于后向散射的光线存在吸收作用，因此，这种直接涂覆的方式将会降低封装的取光效率，此外，芯片产生的高温会使荧光粉的量子效率显著下降，从而严重影响到封装的流明效率。
其中，第一上硅胶层至第N上硅胶层至少有一层硅胶层含有荧光粉，荧光粉包括红色、绿色、蓝色三种。
本实施例利用不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点，在硅胶中形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，是光源发出的光能够更加集中。
S408、长烤；
烘烤第一透镜层以及第二透镜层，烘烤温度为100～150℃，烘烤时间为4～12h，以完成LED的封装；
S409、测试、分捡封装完成的LED
S410、包装测试合格的LED封装结构
实施例五
请一并参见图4～图8，图4为本发明实施例提供的一种双层透镜层LED封装结构示意图；图5为本发明实施例提供的一种三层透镜层LED封装结构示意图；图6为本发明实施例提供的一种LED封装基板结构示意图；图7为本发明实施例提供的一种紫外灯芯结构示意图；图8为本发明实施例提供的一种LED封装结构示意图。本实施例在上述实施例的基础上对双层透镜层LED封装结构详细介绍，该LED封装结构如图4所示，包括：带有LED灯芯的封装基板21，第一下硅胶层221A、第一球形硅胶透镜层222A、第一上硅胶层223A、第二下硅胶层231A、第二球形硅胶透镜层232A以及第二上硅胶层233A。其中，第一球形硅胶透镜层222A以及第二球形硅胶透镜层232A的半径R大于10微米；第一球形硅胶透镜层222A到灯芯的距离大于3微米；第一球形硅胶透镜层222A之间的间距以及第二球形硅胶透镜层232A之间的间距为5～10微米，越小越好，间距可以相同也可以不同；基板21的厚度D为90～140微米；基板21的宽度W大于5mil(1mil＝1/45mm)，或者大于20微米。
其中，第一下硅胶层221A、第一球形硅胶透镜层222A以及第一上硅胶层形223A成第一透镜层22A，第二下硅胶层231A、第二球形硅胶透镜层232A以及第二上硅胶层233A形成第二透镜层23A。第一上硅胶层223A以及第二上硅胶层233A至少有一层包含荧光粉。
进一步地，第一透镜层22A及第二透镜层23A呈球状形成凸凸镜，在空气中，凸凸镜的焦距在1.07R～1.5R之间，而在本实施方式中，由于第一下硅胶层221A的存在，因此，凸凸镜的焦距可以修正为R/(2*(n2-n1))，其中，n2是第一球形硅胶透镜层222A在空气中的折射率，n1是第一下硅胶层221A在空气中的折射率，R是第一球形硅胶透镜层222A球形透镜的半径。在本实施方式中，优选地，两层球形透镜之间的距离是0～R/(n2-n1)；优选地，第二下硅胶层231A厚度大于R+0.5R/(n2-n1)；第二上硅胶层233A的厚度为R+50毫米～R+500毫米，进而可以实现更有的聚光效果。
进一步地，第一球形硅胶透镜层222A以及第二球形硅胶透镜层232A的材料为聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲脂、玻璃；第一下硅胶层221A、第二下硅胶层231A、第一上硅胶层223A以及第二上硅胶层233A的材料为环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅材料等(也可用作透镜材料)，但是环氧树脂类材料一定要与灯芯隔离，以防氧化。
第一下硅胶层221A、第二下硅胶层231A、第一上硅胶层223A以及第二上硅胶层233A的最新材料为甲基1.41折光率硅橡胶、苯基高折(1.54光折射率)有机硅橡胶，用到最外层最佳。
三层透镜层LED封装结构如图5所示，包括：带有LED灯芯的封装基板21，第一下硅胶层221B、第一球形硅胶透镜层222B、第一上硅胶层223B、第二下硅胶层231B、第二球形硅胶透镜层232B、第二上硅胶层233B、第三下硅胶层241B、第三球形硅胶透镜层242B以及第三上硅胶层243B。其中，第一球形硅胶透镜层222B、第二球形硅胶透镜层232B以及第三球形硅胶透镜层242B的半径R大于10微米；第一球形硅胶透镜层222B到灯芯的距离大于3微米；第一球形硅胶透镜层222B之间的间距、第二球形硅胶透镜层232B以及第三球形硅胶透镜层242B之间的间距为5～10微米，越小越好，间距可以相同也可以不同；基板21的厚度D为90～140微米；基板21的宽度W大于5mil(1mil＝1/45mm)，或者大于20微米。
第一下硅胶层221B、第一球形硅胶透镜层222B以及第一上硅胶层223B形成第一透镜层22B，第二下硅胶层231B、第二球形硅胶透镜层232B以及第二上硅胶层233B形成第二透镜层23B，第三下硅胶层241B、第三球形硅胶透镜层242B以及第三上硅胶层243B形成第三透镜层24B。第一上硅胶层223B、第二上硅胶层233B以及第三上硅胶层243B至少有一层包含荧光粉。
进一步地，第一球形硅胶透镜层222B、第二球形硅胶透镜层232B以及第三球形硅胶透镜层242B的材料为聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲脂、玻璃；第一下硅胶层221B、第二下硅胶层231B、第三下硅胶层241B、第一上硅胶层223B、第二上硅胶层233B以及第三上硅胶层243B的材料为环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅材料等(也可用作透镜材料)，但是环氧树脂类材料一定要与灯芯隔离，以防氧化。第一下硅胶层221B、第二下硅胶层231B、第三下硅胶层241B、第一上硅胶层223B、第二上硅胶层233B以及第三上硅胶层243B的最新材料为甲基1.41折光率硅橡胶、苯基高折(1.54光折射率)有机硅橡胶，最好用到最外层。
优选地，LED封装结构可以包括多层透镜层，多层透镜层依次层叠。
如图6所示，其中，基板21的材料为金属铜，基板的厚度D1为0.5～10mm。基板外侧具有沿宽度W1方向且平行基板平面L1的圆槽；其中，圆槽直径R为0.3～2mm、圆槽间距L2为0.5～10mm。圆槽可以直接铸造形成，或者在铜基板上沿宽度方向直接钻孔形成。基板的面积可以根据灯具需要进行裁剪。
如图7所示，LED灯芯为紫外灯芯，紫外灯芯结构包括：依次设置于蓝宝石衬底31(Sapphire)表面的n-AlGaN层32，MQW层33，p-AlGaN层34，p-GaN层35，还包括阳极接触电极36以及阴极接触电极37；其中，MQW层33包括多个层叠设置的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN。
进一步地，荧光粉为红色、绿色、蓝色荧光粉。其中，蓝色荧光粉为InGaN或GaN，波长为465nm，黄色荧光粉为(Y1Gd)3(AlGa)5O12，波长为550nm三基色红色荧光粉为Y2O2S:Eu3+，波长为626nm，蓝色荧光粉还可以为Sr5(PO4)3Cl:Eu2+，波长为447nm，绿色荧光粉为BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+，波长为515nm。
进一步地，从下层到上层(不包含球形硅胶透镜层)所有材料折射率从小到大排列，最上层折射率越小越好，小于1.5左右最佳，球形硅胶透镜层的折射率大于下硅胶层折射率以及大于上硅胶层折射率。
进一步地，如图8所示，LED紫外设置于基板上，LED灯芯上层封装含有荧光粉的硅胶层，荧光粉为红色、绿色、蓝色荧光粉，LED灯芯发出的紫外光激发荧光粉产生红光、绿光以及蓝光，混合形成LED发出的白光。
综上所述，本文中应用了具体个例对本发明实施例提供的一种LED封装方法的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。
Claims (9)
1.一种LED封装方法，其特征在于，包括：
选取紫外灯芯；
利用回流焊焊接工艺将所述紫外灯芯焊接在基板上；
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层以完成所述LED的封装。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板外侧设置有沿宽度方向且平行所述基板平面的圆槽；其中，所述圆槽直径为0.3～2mm，所述圆槽之间的间距为0.5～10mm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用回流焊焊接工艺将所述紫外灯芯焊接在基板上，包括：
将焊料印刷到所述紫外灯芯上；
将印刷有焊料的所述紫外灯芯进行固晶检验；
利用回流焊焊接工艺将印刷有焊料的所述紫外灯芯焊接到所述基板上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层，包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层；
在所述第一透镜层上涂覆硅胶制备第二透镜层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层，包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆第一硅胶，其中所述第一硅胶为不含荧光粉的耐高温硅胶；
利用第一半球形模具在所述第一硅胶上形成多个半球形凹槽；
在90～125℃温度下，将带有所述第一半球形模具的所述第一硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第一半球形模具后形成第一下硅胶层；
在所述第一下硅胶层上表面涂覆第二硅胶，其中所述第二硅胶不含荧光粉；
利用所述第二半球形模具在所述第一下硅胶层上表面形成多个球形；
在90～125℃温度下，将带有所述第二半球形模具的所述第二硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第二半球形模具后形成第一球形硅胶透镜层；
在所述第一球形硅胶透镜层及所述第一下硅胶层上方涂覆第三硅胶；
在90～125℃温度下，将第三硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min后形成第一上硅胶层以完成第一透镜层的制备。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一透镜层上涂覆硅胶制备第二透镜层，包括：
在所述第一透镜层上涂覆第四硅胶；
利用第三半球形模具在所述第四硅胶上形成多个半球形凹槽；
在90～125℃温度下，将带有所述第三半球形模具的所述第四硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第三半球形模具后形成第二下硅胶层；
在所述第二下硅胶层上表面涂覆第五硅胶，其中所述第五硅胶不含荧光粉；
利用所述第四半球形模具在所述第二下硅胶层上表面形成多个球形；
在90～125℃温度下，将带有所述第四半球形模具的所述第五硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第四半球形模具后形成第二球形硅胶透镜层；
在所述第二球形硅胶透镜层及所述第二下硅胶层上方涂覆第六硅胶；
利用第五半球形模具在所述第二球形硅胶透镜层上方形成半球形；
在90～125℃温度下，将带有所述第五半球形模具的第六硅胶进行烘烤，烘烤时间为15～60min；
去除所述第五半球形模具后形成第二上硅胶层以完成所述第二透镜层的制备。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，完成所述第二透镜层的制备之后，还包括：
在100～150℃温度下，将所述第一透镜层以及所述第二透镜层进行烘烤，烘烤时间为4～12h。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一上硅胶层和所述第二上硅胶层中至少有一层含有荧光粉。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备多层透镜层，包括：
在所述紫外灯芯和所述基板上涂覆硅胶制备第一透镜层；
在所述第一透镜层上涂覆硅胶依次制备第二透镜层至第N透镜层，其中N大于3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711211401.1A CN107833946A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 一种led封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201711211401.1A CN107833946A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 一种led封装方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107833946A true CN107833946A (zh) | 2018-03-23 |
Family
ID=61646222
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201711211401.1A Pending CN107833946A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 一种led封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107833946A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020015425A1 (zh) * | 2018-12-17 | 2020-01-23 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | 深紫外发光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1729350A2 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package |
| CN102422081A (zh) * | 2009-05-12 | 2012-04-18 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 产生闪耀的led灯 |
| US20120217863A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and method for manufacturing the same |
| CN203192852U (zh) * | 2013-04-28 | 2013-09-11 | 杭州龙尚光电有限公司 | Led封装结构 |
| WO2016150837A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronische leuchtvorrichtung |
-
2017
- 2017-11-28 CN CN201711211401.1A patent/CN107833946A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1729350A2 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package |
| CN102422081A (zh) * | 2009-05-12 | 2012-04-18 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 产生闪耀的led灯 |
| US20120217863A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and method for manufacturing the same |
| CN203192852U (zh) * | 2013-04-28 | 2013-09-11 | 杭州龙尚光电有限公司 | Led封装结构 |
| WO2016150837A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronische leuchtvorrichtung |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020015425A1 (zh) * | 2018-12-17 | 2020-01-23 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | 深紫外发光装置 |
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