CN107819045A - 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法 - Google Patents
基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107819045A CN107819045A CN201711029584.5A CN201711029584A CN107819045A CN 107819045 A CN107819045 A CN 107819045A CN 201711029584 A CN201711029584 A CN 201711029584A CN 107819045 A CN107819045 A CN 107819045A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium oxide
- hetero
- nickel
- heterojunction structure
- gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 90
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 90
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 121
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 43
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000008236 heating water Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 5
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 5
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 5
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 4
- 150000002169 ethanolamines Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007868 Raney catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910000564 Raney nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002389 environmental scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000013038 hand mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明属于紫外光电探测器技术领域，具体涉及基于氧化镓异质结结构的紫外光光电探测器及其制备方法，包括α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃以及Ti/Au薄膜电极，α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片是由α‑Ga2O3纳米片作为内核，β‑Ga2O3作为外壳包裹于α‑Ga2O3纳米片***构成。本发明的紫外光电探测器件性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有很好的紫外光电响应。且制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点，有望在自供电火焰探测，高压线电晕、导弹羽辉等领域得到广泛应用，具有很好的推广价值。
Description
技术领域
本发明属于紫外光电探测器技术领域，具体涉及基于氧化镓异质结结构的紫外光光电探测器及其制备方法。
技术背景
目前，已商业化的半导体紫外探测器主要基于SiC、GaN和ZnO等宽禁带半导体无机材料，这类探测器不是基于“日盲型”探测，容易被太阳光所干扰，对弱信号的处理能力比较弱，使其应用受到限制。而β-Ga2O3是一种具有深紫外特性的半导体材料，200nm的β-Ga2O3薄膜在紫外光区域能达到80％以上的透过率，弥补了传统TCO材料在深紫外区域透过性低的缺点，可用于制作“日盲型”的深紫外光电器件，在高压线电晕探测，制导，大气环境质量监测，紫外光通讯，灾害天气预报，天际通信领域等得到广泛应用。
氧化镓有六种同分异构体，分别为α，β，γ，ε，κ和δ相，其中β-Ga2O3为单斜晶系，属于最稳定的相，α-Ga2O3为三方晶系，稳定性次之，当两者结合形成异质结时，在界面处形成第二类型的能带排列，使载流子在界面处发生快速分离，在光电器件领域具有广泛的应用。氧化镓异质结结构的制备主要有液相法、磁控溅射法和化学气相沉积法等。化学气相沉积法，是利用气态物质在固体表面进行化学反应，生成固态淀积物的过程。化学气相法具有装置简单，所用原料成本低，容易实现大规模工业化生产等优越性。
目前，如何在现有基础上研发改进氧化镓异质结，且制备方法简单，易实现工业化，并使其应用于光电器件，具有优异的光电性能，是亟待我们进一步研究解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种灵敏度高、稳定性好、响应时间短、具有日盲特性的基于氧化镓异质结结构的紫外光光电探测器及其制备方法。
本发明的技术方案为：一种基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，其特征在于，包括α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃以及Ti/Au薄膜电极，α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片是由α-Ga2O3纳米片作为内核，β-Ga2O3作为外壳包裹于α-Ga2O3纳米片***构成。
具体地，所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列是由若干α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片和掺镍氧化镓籽晶层构成，所述掺镍氧化镓籽晶层位于ITO透明导电玻璃和α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片之间。
进一步地，所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片的厚度为50～200nm。
具体地，掺镍Ga2O3籽晶层作为生长氧化镓纳米片阵列的催化剂，可以促使纳米片阵列结构的氧化镓的形成，且缩短反应时间。
具体地，所述的ITO透明导电玻璃作为制备氧化镓异质结纳米片阵列的衬底，并作为紫外光电探测器件的阴极，在光照下收集电子；所述的Ti/Au薄膜电极作为阳极。
本发明还包括基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在ITO透明导电玻璃上旋涂一层掺镍氧化镓籽晶层溶液，烘干，即在ITO透明导电玻璃上形成一层掺镍氧化镓籽晶层；
步骤二，并在掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层镓金属层；
步骤三，将步骤二所得样品在真空条件下，氧化性气氛中，先450～500℃煅烧一定时间，再升温至700～750℃保温一定时间，形成α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列；
步骤四，利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO透明导电玻璃上沉积一层Ti/Au薄膜电极作为测量电极。
具体地，所述步骤三的氧化性气氛为H2O2蒸气；所述450～500℃煅烧一定时间为1.5～2h，室温升至450～500℃，升温速率为20℃/分；700～750℃保温一定时间为10-20min。
具体地，步骤三采用化学气相沉积法制备氧化镓异质结纳米片阵列。通过在450-500℃条件下，H2O2水蒸气在高温下分解出氧气和水蒸气，在镍催化剂的作用下，镓金属在氧化镓籽晶层表面缓慢氧化形成α-Ga2O3纳米片阵列；进一步通过快速升温至700-750℃，α-Ga2O3纳米片的***转化为β-Ga2O3，形成α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列。其中，镍作为催化剂可以催化镓金属层在低温下形成氧化镓纳米材料；掺镍氧化镓籽晶层一方面作为催化剂，使得镓金属在低温下即可形成氧化镓纳米片，另一方面掺镍氧化镓籽晶层可以作为阵列生长基底，使得形成的氧化镓纳米片有序、分布均匀。
进一步地，所述步骤一的ITO透明导电玻璃分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，并真空干燥。
优选地，所述步骤一的掺镍Ga2O3籽晶层溶液以乙醇胺、异丙醇镓、硝酸镍、乙二醇甲醚为原料，在60℃水浴加热60min，所述异丙醇镓与硝酸镍的质量比为4∶1。
优选地，所述步骤一旋涂的转速为3000r/min，旋涂时间为15s；所述烘干先在300℃保温30min，再500℃保温60min。
优选地，所述步骤二镓金属层的厚度为0.2～0.5mm，镓金属加热至80～100℃，形成液体镓金属，然后旋涂至掺镍氧化镓籽晶层上。
优选地，所述H2O2蒸气的速率为1～2g/min。
本发明的有益效果：
1、本发明的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有日盲光电特性。所采用的α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列分布均匀，纳米片的厚度可控。
2、本发明的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，a-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片的厚度为50～200nm，光电性能更佳。
3、本发明基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，采用化学气相沉积法制备氧化镓异质结纳米片阵列，制备的α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列的方法具有成本低，纳米片阵列均匀、有序，纳米片尺寸可控。
4、本发明基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，方法简单，成本低，工艺可控性强，零功耗、高响应度以及日盲特性，且重复测试具有可恢复性，有望在自供电火焰探测，高压线电晕、导弹羽辉等领域得到广泛应用。
附图说明
图1是基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的结构示意图；
图2是α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列的SEM照片；
图3是α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列的XRD图谱；
图4是基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的I-t曲线图。
其中1-ITO透明导电玻璃，2-掺镍氧化镓籽晶层，3-β-Ga2O3，4-α-Ga2O3纳米片，5-Ti/Au薄膜电极。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的内容进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。居于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一，在ITO透明导电玻璃上旋涂一层掺镍氧化镓籽晶层溶液，烘干，即在ITO透明导电玻璃上形成一层掺镍氧化镓籽晶层；
步骤二，并在掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层镓金属层；
步骤三，将步骤二所得样品在真空条件下，氧化性气氛中，先450～500℃煅烧一定时间，再升温至700～750℃保温一定时间，形成α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列；
步骤四，利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO透明导电玻璃上沉积一层Ti/i/Au薄膜电极作为测量电极。
具体地，在本实施例中，基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法如下：
(1)ITO透明导电玻璃预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，并真空干燥；
(2)掺镍氧化镓籽晶层溶液的配制：取0.03mL乙醇胺、0.16g的异丙醇镓、0.04g硝酸镍、10mL的乙二醇甲醚分别加入15mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；
(3)氧化镓籽晶层的制备：将步骤(1)处理后的ITO透明导电玻璃固定于匀胶-烘胶机的匀胶样品台上，滴入0.5mL步骤(2)配制的掺镍Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min的条件下，旋涂15秒；在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再500℃保温60min。
(4)镓金属层的制备：在步骤(3)处理后的掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层厚度为0.2mm的镓金属层，即形成Ga/掺镍Ga2O3/ITO片，冷却后置于冰箱中备用；
(5)氧化镓异质结纳米片阵列的制备：采用化学气相沉积法制备氧化镓异质结纳米片阵列。将步骤(4)所得的Ga/掺镍Ga2O3/ITO片置于管式炉中，管式炉两端各加一块耐火砖，封盖。在管式炉的一侧安装一加湿器，并装入H2O2，用于产生H2O2水蒸气。启动机械泵进行抽真空，使管式炉内气压达到-0.1MPa，关阀。启动管式炉，升温至500℃，升温速率为20℃/min，打开加湿器，调节水蒸气产生的速率为1g/min，并通入管式炉内，保温2h。关闭加湿器阀门，将管式炉快速升温至700℃，保温10min，最后，关闭管式炉，自然降温到室温，取出ITO透明导电玻璃衬底，衬底上所得产物为α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列。
(6)器件电极的制备：利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO上面沉积一层Ti/Au薄膜电极作为测量电极，其结构如图1所示。
本实施例中，步骤(5)中，管式炉升温至500℃，H2O2水蒸气在高温下分解出氧气和水蒸气，在镍催化剂的作用下，镓金属在氧化镓籽晶层表面缓慢氧化形成α-Ga2O3纳米片阵列；进一步通过快速升温至700℃α-Ga2O3纳米片的***转化为β-Ga2O3，形成α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列。其中，镍作为催化剂可以催化镓金属层在低温下形成氧化镓纳米材料；掺镍氧化镓籽晶层一方面作为催化剂，使得镓金属在低温下即可形成氧化镓纳米片，另一方面掺镍氧化镓籽晶层可以作为阵列生长基底，使得形成的氧化镓纳米片有序、分布均匀。
将步骤(5)得到a-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列在扫描电镜中观察，发现纳米片生长均匀，如图2所示，显示α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片的厚度为50～200nm。图3是步骤(5)中的氧化镓异质结纳米片阵列的XRD图谱，由图可知，700℃煅烧10分钟后制得的样品既有α-Ga2O3纳米片阵列的(104)、(110)晶面衍射峰，又有β-Ga2O3纳米片阵列的(-401)(002)、(-111)、(111)、(401)、(-311)等晶面衍射峰，表明所得的纳米片阵列为α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列，其中，α-Ga2O3纳米片在高温下快速煅烧，将α-Ga2O3的表面氧化成一层β-Ga2O3，形成异质结结构。图4为本发明所得基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的I-t曲线图。从图中可以看出，在不加电压下(0伏特)控制254nm紫外灯开关，电流瞬时发生变化，而对于365nm的紫外光则没有响应，表明本发明所得的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器具有零功耗、高响应度以及日盲特性，有望在自供电火焰探测，高压线电晕、导弹羽辉等领域得到广泛应用。
实施例2
基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法如下：
(1)ITO透明导电玻璃预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，并真空干燥；
(2)掺镍氧化镓籽晶层溶液的配制：取0.03mL乙醇胺、0.16g的异丙醇镓、0.04g硝酸镍、10mL的乙二醇甲醚分别加入15mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；
(3)氧化镓籽晶层的制备：将步骤(1)处理后的ITO透明导电玻璃固定于匀胶-烘胶机的匀胶样品台上，滴入1.5mL步骤(2)配制的掺镍Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min的条件下，旋涂15秒；在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再500℃保温60min。
(4)镓金属层的制备：在步骤(3)处理后的掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层厚度为0.4mm的镓金属层，冷却后置于冰箱中备用；
(5)氧化镓异质结纳米片阵列的制备：采用化学气相沉积法制备氧化镓异质结纳米片阵列。将步骤(4)所得的Ga/掺镍Ga2O3/ITO片置于管式炉中，管式炉两端各加一块耐火砖，封盖。在管式炉的一侧安装一加湿器，并装入H2O2，用于产生H2O2水蒸气。启动机械泵进行抽真空，使管式炉内气压达到-0.1MPa，关阀。启动管式炉，升温至450℃，升温速率为20℃/min，打开加湿器，调节水蒸气产生的速率为1g/min，并通入管式炉内，保温2h。关闭加湿器阀门，将管式炉快速升温至720℃，保温10min，最后，关闭管式炉，自然降温到室温，取出ITO透明导电玻璃衬底，衬底上所得产物为α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列。所得氧化镓异质结纳米片阵列的化学成分、形貌结构与实例1类似。
(6)器件电极的制备：利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO上面沉积一层Ti/Au薄膜电极作为测量电极，其结构如图1所示，其紫外光电性能与实例1类似。
实施例3
基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法如下：
(1)ITO透明导电玻璃预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，并真空干燥；
(2)掺镍氧化镓籽晶层溶液的配制：取0.03mL乙醇胺、0.16g的异丙醇镓、0.04g硝酸镍、10mL的乙二醇甲醚分别加入15mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；
(3)氧化镓籽晶层的制备：将步骤(1)处理后的ITO透明导电玻璃固定于匀胶-烘胶机的匀胶样品台上，滴入1.0mL步骤(2)配制的掺镍Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min的条件下，旋涂15秒；在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再500℃保温60min。
(4)镓金属层的制备：在步骤(3)处理后的掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层厚度为0.5mm的镓金属层，即形成Ga/掺镍Ga2O3/ITO片，冷却后置于冰箱中备用；
(5)氧化镓异质结纳米片阵列的制备：采用化学气相沉积法制备氧化镓异质结纳米片阵列。将步骤(4)所得的Ga/掺镍Ga2O3/ITO片置于管式炉中，管式炉两端各加一块耐火砖，封盖。在管式炉的一侧安装一加湿器，并装入H2O2，用于产生H2O2水蒸气。启动机械泵进行抽真空，使管式炉内气压达到-0.1MPa，关阀。启动管式炉，升温至460℃，升温速率为20℃/min，打开加湿器，调节水蒸气产生的速率为1.5g/min，并通入管式炉内，保温2h。关闭加湿器阀门，将管式炉快速升温至750℃，保温10min，最后，关闭管式炉，自然降温到室温，取出ITO透明导电玻璃衬底，衬底上所得产物为α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列。
(6)器件电极的制备：利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO上面沉积一层Ti/Au薄膜电极作为测量电极，其结构如图1所示。
实施例4
基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法如下：
(1)ITO透明导电玻璃预处理：分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，并真空干燥；
(2)掺镍氧化镓籽晶层溶液的配制：取0.03mL乙醇胺、0.16g的异丙醇镓、0.04g硝酸镍、10mL的乙二醇甲醚分别加入15mL的烧杯中，60℃水浴加热60min，冷却后置于冰箱中备用；
(3)氧化镓籽晶层的制备：将步骤(1)处理后的ITO透明导电玻璃固定于匀胶-烘胶机的匀胶样品台上，滴入2mL步骤(2)配制的掺镍Ga2O3籽晶层溶液，在转速为3000r/min的条件下，旋涂15秒；在烘胶机上烘干后，置于烘箱中300℃保温30min，再500℃保温60min。
(4)镓金属层的制备：在步骤(3)处理后的掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层厚度为0.3mm的镓金属层，即形成Ga/掺镍Ga2O3/ITO片，冷却后置于冰箱中备用；
(5)氧化镓异质结纳米片阵列的制备：采用化学气相沉积法制备氧化镓异质结纳米片阵列。将步骤(4)所得的Ga/掺镍Ga2O3/ITO片置于管式炉中，管式炉两端各加一块耐火砖，封盖。在管式炉的一侧安装一加湿器，并装入H2O2，用于产生H2O2水蒸气。启动机械泵进行抽真空，使管式炉内气压达到-0.1MPa，关阀。启动管式炉，升温至480℃，升温速率为20℃/min，打开加湿器，调节水蒸气产生的速率为2g/min，并通入管式炉内，保温2h。关闭加湿器阀门，将管式炉快速升温至740℃，保温10min，最后，关闭管式炉，自然降温到室温，取出ITO透明导电玻璃衬底，衬底上所得产物为α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列。
(6)器件电极的制备：利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/ββ-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO上面沉积一层Ti/Au薄膜电极作为测量电极，其结构如图1所示。
实施例5
如图1所示，基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，包括α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃1以及Ti/Au薄膜电极5，α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片是由α-Ga2O3纳米片4作为内核，β-Ga2O33作为外壳包裹于α-Ga2O3纳米片4***构成。
具体地，所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列是由若干α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片和掺镍氧化镓籽晶层2构成，所述掺镍氧化镓籽晶层2位于ITO透明导电玻璃1和α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片之间。
优选地，所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片的厚度为50～200nm。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上、在本发明的方法和原则之内，所作的任何修改等同替换、改进，均应包含在本发明的保护范围之内。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，其特征在于，包括α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃以及Ti/Au薄膜电极，α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片是由α-Ga2O3纳米片作为内核，β-Ga2O3作为外壳包裹于α-Ga2O3纳米片***构成。
2.根据权利要求1所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，其特征在于，所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列是由若干α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片和掺镍氧化镓籽晶层构成，所述掺镍氧化镓籽晶层位于ITO透明导电玻璃和α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片之间。
3.根据权利要求1或2所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，其特征在于，所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片的厚度为50～200nm。
4.基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在ITO透明导电玻璃上旋涂一层掺镍氧化镓籽晶层溶液，烘干，即在ITO透明导电玻璃上形成一层掺镍氧化镓籽晶层；
步骤二，并在掺镍氧化镓籽晶层远离ITO透明导电玻璃一侧旋涂一层镓金属层，即形成Ga/掺镍Ga2O3/ITO片；
步骤三，将步骤二所得Ga/掺镍Ga2O3/ITO片在真空条件下，氧化性气氛中，先450～500℃煅烧一定时间，再升温至700～750℃保温一定时间，形成α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列；
步骤四，利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术分别在α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米片阵列和ITO透明导电玻璃上沉积一层Ti/Au薄膜电极作为测量电极。
5.根据权利要求4所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤三的氧化性气氛为H2O2蒸气；所述450～500℃煅烧一定时间为1.5～2h，室温升至450～500℃，升温速率为20℃/分；700～750℃保温一定时间为10-20min。
6.根据权利要求4所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤一的ITO透明导电玻璃分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10min，并真空干燥。
7.根据权利要求4或5或6所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤一的掺镍Ga2O3籽晶层溶液以乙醇胺、异丙醇镓、硝酸镍、乙二醇甲醚为原料，在60℃水浴加热60min，所述异丙醇镓与硝酸镍的质量比为4∶1。
8.根据权利要求4或5或6所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤一旋涂的转速为3000r/min，旋涂时间为15s；所述烘干先在300℃保温30min，再500℃保温60min。
9.根据权利要求4或5或6所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤二镓金属层的厚度为0.2～0.5mm，镓金属加热至80～100℃，形成液体镓金属，然后旋涂至掺镍氧化镓籽晶层上。
10.根据权利要求4或5或6所述的基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述H2O2蒸气的速率为1～2g/min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711029584.5A CN107819045B (zh) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711029584.5A CN107819045B (zh) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107819045A true CN107819045A (zh) | 2018-03-20 |
| CN107819045B CN107819045B (zh) | 2019-07-30 |
Family
ID=61604237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711029584.5A Active CN107819045B (zh) | 2017-10-27 | 2017-10-27 | 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107819045B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108767028A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 陈谦 | 基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法 |
| CN108767050A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 张权岳 | 基于氧化亚铜/氧化镓pn结的柔性紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN109000790A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-12-14 | 张紫菡 | 一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法 |
| CN109473489A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 北京镓族科技有限公司 | 一种可区分紫外波段的自供电光电探测器 |
| CN109755341A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-14 | 北京镓族科技有限公司 | 基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 |
| CN110350043A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-10-18 | 北京邮电大学 | 一种自组装结晶/非晶氧化镓相结光电探测器及其制造方法 |
| CN110808320A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 清华大学 | 深紫外led结构及其制作方法 |
| CN112186051A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-05 | 冯云龙 | 一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN114725235A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 双极性响应多波长光电探测器、其制作方法及应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1754013A (zh) * | 2003-02-24 | 2006-03-29 | 学校法人早稻田大学 | β－Ga2O3单晶生长方法、薄膜单晶生长方法、Ga2O3发光器件及其制造方法 |
| JP2009274883A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Nippon Light Metal Co Ltd | 半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法 |
| CN102312279A (zh) * | 2010-07-05 | 2012-01-11 | 赵钧永 | 籽晶诱导的晶体铸造方法 |
| CN103924298A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-07-16 | 中国科学院金属研究所 | 一种氧化镓异质结结构及其生长方法和专用装置 |
| CN105742398A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-06 | 浙江理工大学 | 基于β-Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 |
| CN106229373A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-14 | 浙江理工大学 | 基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN106449889A (zh) * | 2016-11-26 | 2017-02-22 | 浙江理工大学 | 基于氧化镓/CuAlO2异质结日盲型紫外探测器的制备方法 |
-
2017
- 2017-10-27 CN CN201711029584.5A patent/CN107819045B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1754013A (zh) * | 2003-02-24 | 2006-03-29 | 学校法人早稻田大学 | β－Ga2O3单晶生长方法、薄膜单晶生长方法、Ga2O3发光器件及其制造方法 |
| JP2009274883A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Nippon Light Metal Co Ltd | 半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法 |
| CN102312279A (zh) * | 2010-07-05 | 2012-01-11 | 赵钧永 | 籽晶诱导的晶体铸造方法 |
| CN103924298A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-07-16 | 中国科学院金属研究所 | 一种氧化镓异质结结构及其生长方法和专用装置 |
| CN105742398A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-06 | 浙江理工大学 | 基于β-Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 |
| CN106229373A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-14 | 浙江理工大学 | 基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN106449889A (zh) * | 2016-11-26 | 2017-02-22 | 浙江理工大学 | 基于氧化镓/CuAlO2异质结日盲型紫外探测器的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 崔启良 等: "氧化镓的同步辐射研究", 《高压物理学报》 * |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108767050A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 张权岳 | 基于氧化亚铜/氧化镓pn结的柔性紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN109000790A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-12-14 | 张紫菡 | 一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法 |
| CN108767028A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 陈谦 | 基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法 |
| CN108767050B (zh) * | 2018-05-30 | 2020-06-02 | 张权岳 | 基于氧化亚铜/氧化镓pn结的柔性紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN108767028B (zh) * | 2018-05-30 | 2021-10-15 | 陈谦 | 基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法 |
| CN109473489A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 北京镓族科技有限公司 | 一种可区分紫外波段的自供电光电探测器 |
| CN109473489B (zh) * | 2018-10-18 | 2020-06-16 | 北京镓族科技有限公司 | 一种可区分紫外波段的自供电光电探测器 |
| CN109755341A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-14 | 北京镓族科技有限公司 | 基于β-Ga2O3/FTO异质结的日盲紫外光电探测器及其制备 |
| CN110350043B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-09-07 | 北京邮电大学 | 一种自组装结晶/非晶氧化镓相结光电探测器及其制造方法 |
| CN110350043A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-10-18 | 北京邮电大学 | 一种自组装结晶/非晶氧化镓相结光电探测器及其制造方法 |
| CN110808320A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 清华大学 | 深紫外led结构及其制作方法 |
| CN112186051A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-05 | 冯云龙 | 一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN112186051B (zh) * | 2020-10-14 | 2022-05-20 | 河北光森电子科技有限公司 | 一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN114725235A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 双极性响应多波长光电探测器、其制作方法及应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107819045B (zh) | 2019-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107819045B (zh) | 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法 | |
| CN107919409B (zh) | 一种基于CsPbBr3全无机钙钛矿纳米线的可见光光电探测器及其制备方法 | |
| Liu et al. | Preparation of ZnO porous thin films by sol–gel method using PEG template | |
| CN106549079A (zh) | 一种紫外光探测器及其制备方法 | |
| CN106571425B (zh) | 一种基于ZnO-钙钛矿结构的紫外-可见可调光电探测器及其制备方法 | |
| CN108767050B (zh) | 基于氧化亚铜/氧化镓pn结的柔性紫外光电探测器及其制备方法 | |
| CN102664215B (zh) | 一种制备硒化锌光电薄膜的方法 | |
| CN101318703A (zh) | 一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法 | |
| CN107275434B (zh) | 一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器 | |
| CN108767028A (zh) | 基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法 | |
| CN105070664B (zh) | 光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法 | |
| CN107658384B (zh) | 基于有机-无机多异质结纳米阵列的广谱光电探测器及其制备方法 | |
| CN109000790A (zh) | 一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法 | |
| CN108735833B (zh) | 一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器及其制备方法 | |
| Gu et al. | Structural, optical and photoelectric properties of Mn-doped ZnO films used for ultraviolet detectors | |
| CN106784124A (zh) | 一种基于P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结结构的紫外探测器及其制备方法 | |
| CN109256438A (zh) | 一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法 | |
| CN207381434U (zh) | 一种钙钛矿纳米线阵列光电探测器 | |
| CN108828021A (zh) | 基于支化SnO2/ZnO异质结构敏感材料的乙醇气体传感器及其制备方法 | |
| CN103400892A (zh) | 一种制备硫化锌光电薄膜的方法 | |
| CN105136869A (zh) | 聚苯胺/氧化铁纳米复合电阻型材料传感器及其制备方法 | |
| CN106784318A (zh) | 甲氨基卤化物‑碳纳米管半导体光敏传感器及制备方法 | |
| CN102219253A (zh) | 溶液法制备超两维纳米结构氧化锌 | |
| CN111162181A (zh) | 一种铪掺杂氧化锌的光电探测器及其制备方法 | |
| CN106410041B (zh) | 聚合物太阳能电池及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221116 Address after: No. 99, Gangcheng Road, Administrative Committee of Dongying Port Economic Development Zone, Dongying City, Shandong Province 257237 Patentee after: Dongying Ruigang Investment Promotion Service Co.,Ltd. Address before: 322207 Da Fan Xiang Da Fan Cun, Pujiang County, Jinhua City, Zhejiang Province Patentee before: Zhang Xiangli |
|
| TR01 | Transfer of patent right |