CN107819015B - 显示装置、及阵列基板与ic芯片的绑定方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置，其封装区域的导电粒子，用于实现阵列基板与IC芯片通过导电胶压接贴合之后，所述阵列基板表面的第一金属端子与所述IC芯片表面的第二金属端子之间的电性连接；所述第一金属端子与所述第二金属端子之间分布有至少三个所述导电粒子；其中，所述导电粒子采用准晶体导电粒子，以减小压接过程中所述导电粒子在所述导电胶中的流动性；本发明的有益效果为：本发明所提供的导电粒子，为准晶体导电粒子，因其外形具备多个平面，能够限制导电粒子在树脂中的流动，进而避免导电粒子偏移导致导电粒子分布不均，进而导致位于同一侧的金属端子间短路的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示装置、及阵列基板与IC芯片的绑定方法。
背景技术
显示面板在模组制程中，需要对IC芯片与基板进行绑定。目前的绑定方法主要是将各向异性导电胶(ACF)贴在要绑定一端的bump(金属突起)上，将另一端的bump热压接的在ACF上，固化后完成绑定制程。
IC芯片与基板压接之前，各向异性导电膜中的导电粒子均匀分布在树脂中，热压的过程中因温度上升树脂的流动性增大，绑定的压力使bump接触处的导电粒子被挤压至空隙中，使空隙处导电粒子密度高于bump处，造成短路现象。目前的提高导电粒子利用率的方法主要为在各向异性导电胶中添加无机绝缘粒子，减小导电胶的流动性，但这种方法同时会降低树脂和导电粒子的百分含量，可能造成压接后粘合力减小，压接两端剥离的情况。
综上所述，现有技术的显示面板在绑定IC芯片的制程中，分布在树脂设定位置的导电粒子，受树脂流动性影响导致位置偏移，进而造成bump间短路的现象，进而影响显示面板的品质。
发明内容
本发明提供一种显示装置，在显示装置的封装区域设置准晶体导电粒子，能够减小导电粒子在树脂中的流动性，以解决现有技术的显示面板在绑定IC芯片的制程中，分布在树脂设定位置的导电粒子，受树脂流动性影响导致位置偏移，进而造成bump间短路的现象，进而影响显示面板的品质的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：
阵列基板，所述阵列基板表面设置有绑定区域，所述绑定区域内间隔设置有至少三个第一金属端子；
各向异性导电膜，所述各向异性导电膜设置在所述绑定区域表面，所述各向异性导电膜包括树脂层；
导电粒子，所述导电粒子分布于所述树脂层内，所述导电粒子对应分布于所述第一金属端子上方，所述导电粒子为准晶体导电粒子；
IC芯片，所述IC芯片的一侧设置有至少三个与所述第一金属端子相对应的第二金属端子，所述IC芯片与所述绑定区域对位，且所述第二金属端子与所述第一金属端子一一对位，所述IC芯片与所述阵列基板绑定。
根据本发明一优选实施例，所述IC芯片通过热压工艺与所述阵列基板的绑定区域结合，以使所述各向异性导电膜受热流化，并使得所述第一金属端子与所述第二金属端子进一步接触，从而使得所述第一金属端子与所述第二金属端子通过所述准晶体导电粒子导通来与所述阵列基板进行绑定。
根据本发明一优选实施例，所述导电粒子用于在实现阵列基板与IC芯片通过导电胶压接贴合之后，使得所述阵列基板表面的第一金属端子与所述IC芯片表面的第二金属端子之间的电性连接；
所述第一金属端子与所述第二金属端子之间分布有至少三个所述导电粒子；
所述导电粒子用于减小压接过程中所述导电粒子在所述导电胶中的流动性。
根据本发明一优选实施例，所述导电粒子形状为正五角十二面体，所述导电粒子的每一平面的水平斜面倾角θ＝120°。
依据本发明的上述目的，提供一种阵列基板与IC芯片的绑定方法，所述方法包括：
步骤S10，提供一阵列基板，在所述阵列基板表面设置绑定区域，在所述绑定区域内间隔设置至少三个第一金属端子；
步骤S20，在所述绑定区域表面设置各向异性导电膜，所述各向异性导电膜包括树脂层，以及分布于所述树脂层内的导电粒子，所述导电粒子对应分布于所述第一金属端子上方；所述导电粒子采用准晶体导电粒子；
步骤S30，提供一IC芯片，所述IC芯片的一侧设置有至少三个与所述第一金属端子相对应的第二金属端子，将所述IC芯片与所述绑定区域对位，且所述第二金属端子与所述第一金属端子一一对位；
步骤S40，通过热压工艺，使所述IC芯片与所述阵列基板的绑定区域进一步结合，所述各向异性导电膜受热流化，使得所述第一金属端子与所述第二金属端子进一步接触，所述第一金属端子与所述第二金属端子通过所述准晶体导电粒子实现导通，完成所述阵列基板与所述IC芯片的绑定。
根据本发明一优选实施例，所述导电粒子形状为正五角十二面体，所述导电粒子的每一平面的水平斜面倾角θ＝120°。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S10中，所述第一金属端子的表面为凹面。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S10中，相邻两所述第一金属端子之间设置有无机绝缘粒子。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S10中，相邻两所述第一金属端子的间距为所述准晶体导电粒子的粒径的5-10倍。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S20中，所述准晶体导电粒子的粒径为6-9微米。
根据本发明一优选实施例，通过加热、镭射或紫外光照射的方法对所述各向异性导电膜进行预处理。
根据本发明一优选实施例，所述阵列基板为柔性OLED基板。
本发明的有益效果为：相较于现有显示装置的封装结构中的导电粒子，本发明所提供的导电粒子，为准晶体导电粒子，因其外形具备多个平面，能够限制导电粒子在树脂中的流动，进而避免导电粒子偏移导致导电粒子分布不均，进而导致位于同一侧的金属端子间短路的问题；解决了现有技术的显示面板在绑定IC芯片的制程中，分布在树脂设定位置的导电粒子，受树脂流动性影响导致位置偏移，进而造成bump间短路的现象，进而影响显示面板的品质的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的显示装置结构示意图；
图2为本发明提供的准晶体导电粒子结构示意图；
图3为本发明提供的准晶体导电粒子外圆切面示意图；
图4为本发明提供的准晶体导电粒子接触面示意图；
图5为本发明提供的准晶体导电粒子形变后外圆切面示意图；
图6为本发明提供的阵列基板与IC芯片的绑定方法流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有技术的显示面板在绑定IC芯片的制程中，分布在树脂设定位置的导电粒子，受树脂流动性影响导致位置偏移，进而造成bump间短路的现象，进而影响显示面板的品质，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明提供一种显示装置，包括阵列基板101，所述阵列基板101表面设置有绑定区域102，所述绑定区域102内间隔设置有至少三个第一金属端子103；各向异性导电膜，所述各向异性导电膜设置在所述绑定区域102表面，所述各向异性导电膜包括树脂层104；导电粒子105，所述导电粒子105分布于所述树脂层104内，所述导电粒子105对应分布于所述第一金属端子103上方，所述导电粒子105为准晶体导电粒子；IC芯片106，所述IC芯片106的一侧设置有至少三个与所述第一金属端子103相对应的第二金属端子107，所述IC芯片106与所述绑定区域102对位，且所述第二金属端子107与所述第一金属端子103一一对位，所述IC芯片106与所述阵列基板101绑定。
所述IC芯片106通过热压工艺与所述阵列基板101的绑定区域102结合，以使所述各向异性导电膜受热流化，并使得所述第一金属端子103与所述第二金属端子107进一步接触，从而使得所述第一金属端子103与所述第二金属端子107通过所述准晶体导电粒子导通来与所述阵列基板101进行绑定。
所述导电粒子105用于在实现阵列基板101与IC芯片106通过导电胶压接贴合之后，使得所述阵列基板101表面的第一金属端子103与所述IC芯片106表面的第二金属端子107之间的电性连接；所述第一金属端子103与所述第二金属端子107之间分布有至少三个所述导电粒子105；所述导电粒子105用于减小压接过程中所述导电粒子105在所述导电胶中的流动性。
如图2所示，本发明提供的导电粒子，所述导电粒子用于实现阵列基板与IC芯片通过导电胶压接贴合之后，所述阵列基板表面的第一金属端子与所述IC芯片表面的第二金属端子之间的电性连接；现有技术的导电粒子均为球体，球体表面圆滑，缺少稳固的支撑部位，导电粒子在压缩之后，易于向压迫方向的两侧移动，树脂在高温加热后呈流态，树脂受压迫之后会向周围流动，更加促进球形导电粒子向两侧偏移；而本发明提供的导电粒子采用准晶体导电粒子201。
准晶体，亦称为“准晶”或“拟晶”，是一种介于晶体和非晶体之间的固体结构；在准晶的原子排列中，其结构是长程有序的，这一点和晶体相似；但是准晶不具备平移对称性，这一点又和晶体不同。普通晶体具有的是二次、三次、四次或六次旋转对称性，但是准晶的布拉格衍射图具有其他的对称性，例如五次对称性或者更高的六次以上对称性。因此，准晶体具有多面对称结构。
如图3所示，本发明提供的准晶体导电粒子，所述准晶体导电粒子的外形为帕拉图立体中的正五角十二面体，所述导电粒子的每一平面的水平斜面倾角θ＝120°；所述准晶体导电粒子的外圆切面中，包括准晶体侧面301及准晶体侧棱a，外圆切面的中心与任意相邻两所述准晶体侧棱a的连接点之间的距离为所述准晶体导电粒子的半径r，其中，半径a为所述准晶体侧棱的长度。
如图4所示，相邻两所述准晶体导电粒子之间的接触面为五边形平面，该五边形平面的面积：
S准晶体＝a2×(1+cos 72°)×sin 72°+a2×(1+2cos 72°)×0.3，a为五边形平面的边长。
相邻两所述准晶体导电粒子的接触面越大，导电粒子间的吸引力越大，多个所述准晶体导电粒子结合在一起则更加稳固，不易受外力影响至偏移。
如图5所示，所述准晶体导电粒子的外圆切面中，包括准晶体侧面501及准晶体侧棱a，当所述准晶体导电粒子受应力压缩发生形变，其形变率为60％～80％，在其形变率均值70％的理想形变下接触面积a为准晶体侧棱长度。
量化后S准晶体＝1.73×a2＜1.963×a2＝S形变球体，a为准晶体侧棱长度。准晶体结构较为稳定，但因原材的性质存在一定的形变率，将此形变率最大化为80％时，准晶体水平斜面最大倾角θ＝162°＜180°，且保持较大的反应率。
当所述准晶体导电粒子压缩形变之后，产生形变角402，所述准晶体导电粒子水平斜面倾角减小，且所述准晶体导电粒子的横向长度边长，从而增加了所述准晶体导电粒子的支撑面积，减小滚动惯性。
依据本发明的上述目的，如图6所示，提供一种阵列基板与IC芯片的绑定方法，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一阵列基板，在所述阵列基板表面设置绑定区域，在所述绑定区域内间隔设置至少三个第一金属端子。
步骤S20，在所述绑定区域表面设置各向异性导电膜，所述各向异性导电膜包括树脂层，以及分布于所述树脂层内的导电粒子，所述导电粒子对应分布于所述第一金属端子上方；所述导电粒子采用准晶体导电粒子。
步骤S30，提供一IC芯片，所述IC芯片的一侧设置有至少三个与所述第一金属端子相对应的第二金属端子，将所述IC芯片与所述绑定区域对位，且所述第二金属端子与所述第一金属端子一一对位。
步骤S40，通过热压工艺，使所述IC芯片与所述阵列基板的绑定区域进一步结合，所述各向异性导电膜受热流化，使得所述第一金属端子与所述第二金属端子进一步接触，所述第一金属端子与所述第二金属端子通过所述准晶体导电粒子实现导通，完成所述阵列基板与所述IC芯片的绑定。
所述导电粒子形状为正五角十二面体，所述导电粒子的每一平面的水平斜面倾角θ＝120°。
在所述步骤S10中，所述第一金属端子的表面为凹面；所述凹面的两侧具有坡度，能够对位于所述第一金属端子表面的准晶体导电粒子的移动进行限制，避免其偏移并聚集在相邻所述第一金属端子之间。
在所述步骤S10中，相邻两所述第一金属端子之间设置有无机绝缘粒子，所述无机绝缘粒子用以使得相邻两所述第一金属端子之间绝缘，进一步避免因所述准晶体导电粒子的偏移导致的所述第一金属端子间的短路；进一步，所述无机绝缘粒子的堆叠高度大于所述第一金属端子的高度。
在所述步骤S10中，相邻两所述第一金属端子的间距为所述准晶体导电粒子的粒径的5-10倍；通过增加相邻两所述第一金属端子的间距，减小所述第一金属端子间短路的可能性。
在所述步骤S20中，所述准晶体导电粒子的粒径为6-9微米。
通过加热、镭射或紫外光照射的方法对所述各向异性导电膜进行预处理。
本发明的有益效果为：相较于现有的导电粒子，本发明所提供的导电粒子，为准晶体导电粒子，因其外形具备多个平面，能够限制导电粒子在树脂中的流动，进而避免导电粒子偏移导致导电粒子分布不均；解决了现有技术的显示面板在绑定IC芯片的制程中，分布在树脂设定位置的导电粒子，受树脂流动性影响导致位置偏移，进而造成bump间短路的现象，进而影响显示面板的品质的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
阵列基板，所述阵列基板表面设置有绑定区域，所述绑定区域内间隔设置有至少三个第一金属端子；
各向异性导电膜，所述各向异性导电膜设置在所述绑定区域表面，所述各向异性导电膜包括树脂层；
导电粒子，所述导电粒子分布于所述树脂层内，所述导电粒子对应分布于所述第一金属端子上方，所述导电粒子为准晶体导电粒子，所述准晶体导电粒子的外形为帕拉图立体中的正五角十二面体，所述导电粒子的每一平面的水平斜面倾角θ＝120°；
IC芯片，所述IC芯片的一侧设置有至少三个与所述第一金属端子相对应的第二金属端子，所述IC芯片与所述绑定区域对位，且所述第二金属端子与所述第一金属端子一一对位，所述IC芯片与所述阵列基板绑定。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述IC芯片通过热压工艺与所述阵列基板的绑定区域结合，以使所述各向异性导电膜受热流化，并使得所述第一金属端子与所述第二金属端子进一步接触，从而使得所述第一金属端子与所述第二金属端子通过所述准晶体导电粒子导通来与所述阵列基板进行绑定。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述导电粒子用于在实现阵列基板与IC芯片通过导电胶压接贴合之后，使得所述阵列基板表面的第一金属端子与所述IC芯片表面的第二金属端子之间的电性连接；
所述第一金属端子与所述第二金属端子之间分布有至少三个所述导电粒子；
所述导电粒子用于减小压接过程中所述导电粒子在所述导电胶中的流动性。
4.一种阵列基板与IC芯片的绑定方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S10，提供一阵列基板，在所述阵列基板表面设置绑定区域，在所述绑定区域内间隔设置至少三个第一金属端子；
步骤S20，在所述绑定区域表面设置各向异性导电膜，所述各向异性导电膜包括树脂层，以及分布于所述树脂层内的导电粒子，所述导电粒子对应分布于所述第一金属端子上方；所述导电粒子采用准晶体导电粒子，所述准晶体导电粒子的外形为帕拉图立体中的正五角十二面体，所述导电粒子的每一平面的水平斜面倾角θ＝120°；
步骤S30，提供一IC芯片，所述IC芯片的一侧设置有至少三个与所述第一金属端子相对应的第二金属端子，将所述IC芯片与所述绑定区域对位，且所述第二金属端子与所述第一金属端子一一对位；
步骤S40，通过热压工艺，使所述IC芯片与所述阵列基板的绑定区域进一步结合，所述各向异性导电膜受热流化，使得所述第一金属端子与所述第二金属端子进一步接触，所述第一金属端子与所述第二金属端子通过所述准晶体导电粒子实现导通，完成所述阵列基板与所述IC芯片的绑定。
5.根据权利要求4所述的绑定方法，其特征在于，在所述步骤S10中，所述第一金属端子的表面为凹面。
6.根据权利要求4所述的绑定方法，其特征在于，在所述步骤S10中，相邻两所述第一金属端子之间设置有无机绝缘粒子。
7.根据权利要求4所述的绑定方法，其特征在于，在所述步骤S10中，相邻两所述第一金属端子的间距为所述准晶体导电粒子的粒径的5-10倍。
8.根据权利要求7所述的绑定方法，其特征在于，在所述步骤S20中，所述准晶体导电粒子的粒径为6-9微米。
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