CN107761049A - 蒸镀用uv前处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种蒸镀用UV前处理设备，包括：壳体，所述壳体内部具有固化腔室；所述壳体的一端设置有进料口，所述壳体的相对另一端设置有出料口；UV光源，设置于所述固化腔室内部；其中，所述固化腔室内壁设置有吸光层；有益效果为：本发明提供的蒸镀用UV前处理设备，通过在蒸镀用UV前处理设备的腔室内壁设置吸光层，以吸收部分UV光，避免UV光通过腔室内壁反射到TFT阵列基板的TFT器件上，使得TFT器件免受UV光照射，保证TFT器件的电性不被影响。

Description

蒸镀用UV前处理设备
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种蒸镀用UV前处理设备。
背景技术
在显示面板制备工艺中，存在对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板的透明金属部分进行UV(紫外光)处理的工序，然而，TFT对UV处理较为敏感，即使TFT阵列基板中存在遮光层，经过UV处理后的基板电性依然会发生较大变化,但UV处理是蒸镀段不可缺少的前处理工艺。
综上所述，现有技术对TFT阵列基板进行UV处理时，会对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响，进而导致TFT阵列基板的品质降低，影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种蒸镀用UV前处理设备，能够吸收部分区域的UV光，进而避免UV光照射到TFT阵列基板的TFT器件，以解决UV光对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种蒸镀用UV前处理设备，包括：壳体，所述壳体内部具有固化腔室；所述壳体的一端设置有进料口，所述壳体的相对另一端设置有出料口；UV光源，设置于所述固化腔室内部；其中，所述固化腔室内壁设置有吸光层。
根据本发明一优选实施例，所述UV光源设置于所述固化腔室的顶面，所述吸光层设置于所述固化腔室的底面及四周。
根据本发明一优选实施例，所述固化腔室内设置有基台，所述基台设置于所述固化腔室的底面，所述基台上放置有TFT阵列基板。
根据本发明一优选实施例，所述TFT阵列基板包括：
玻璃基板；
遮光层图案，形成于所述玻璃基板表面；
缓冲层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述遮光层图案；
TFT器件，设置于所述缓冲层表面，且与所述遮光层图案相对应；
间绝缘层，制备于所述缓冲层表面，且覆盖所述TFT器件；
钝化层，制备于所述间绝缘层表面；
平坦化层，制备于所述钝化层表面；
阳极金属图案，制备于所述平坦化层表面；
其中，所述TFT阵列基板设置有阳极金属图案的一侧靠近所述UV光源。
根据本发明一优选实施例，所述固化腔室内设置有遮光板，所述遮光板平行于所述固化腔室底面，所述遮光板的四个端部对应贴合所述固化腔室的四周表面，所述遮光板包括遮光区和位于所述遮光区内的透光区，其中，所述透光区的第一长边的长度等于所述TFT阵列基板的第一长边的长度，所述透光区的第一短边的长度等于所述TFT阵列基板的第一短边的长度。
根据本发明一优选实施例，所述固化腔室的四周表面开设有滑槽，所述滑槽垂直于所述固化腔室底面表面，所述遮光板的边缘设置有匹配所述滑槽的固定件，所述固定件滑移连接所述滑槽。
根据本发明一优选实施例，所述遮光板的遮光区表面设置有所述吸光层。
根据本发明一优选实施例，所述遮光板的遮光区表面设置有可移动至所述透光区的延长板。
根据本发明一优选实施例，所述延长板的一端铰接于所述遮光板的遮光区边缘。
根据本发明一优选实施例，所述吸光层采用碳纳米管制备。
本发明的有益效果为：本发明提供的蒸镀用UV前处理设备，通过在蒸镀用UV前处理设备的腔室内壁设置吸光层，以吸收部分UV光，避免UV光通过腔室内壁反射到TFT阵列基板的TFT器件上，使得TFT器件免受UV光照射，保证TFT器件的电性不被影响；解决了现有技术对TFT阵列基板进行UV处理时，会对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响，进而导致TFT阵列基板的品质降低，影响显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的蒸镀用UV前处理设备结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有技术对TFT阵列基板进行UV处理时，会对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响，进而导致TFT阵列基板的品质降低，影响显示面板的显示效果；本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明提供的蒸镀用UV前处理设备，包括：壳体101，所述壳体101内部具有固化腔室102；所述壳体101的一端设置有进料口，所述壳体101的相对另一端设置有出料口；待UV处理的TFT阵列基板100从所述进料口送入，经过UV处理后，所述TFT阵列基板100从所述出料口移出；UV光源103，设置于所述固化腔室102内部；其中，所述固化腔室102内壁设置有吸光层。
所述壳体101为金属壳体；所述固化腔室102包括有顶面、底面和四个侧面，所述UV光源103设置于所述固化腔室102的顶面，所述TFT阵列基板100设置于所述固化腔室102的底面，所述吸光层可仅设置在所述固化腔室102的底面和四个侧面；从而避免UV光经过所述固化腔室102的侧面和底面反射至TFT器件107上；所述固化腔室102的顶面为金属面，UV光照射至所述TFT阵列基板100的透明金属层后，反射至所述固化腔室102的顶面，UV光再次经所述固化腔室102的顶面反射至所述TFT阵列基板100表面，起到对UV光的充分利用。
所述TFT阵列基板100包括：玻璃基板104；遮光层图案105，形成于所述玻璃基板104表面；缓冲层106，制备于所述玻璃基板104表面，且覆盖所述遮光层图案105；TFT器件107，设置于所述缓冲层106表面，且与所述遮光层图案105相对应；间绝缘层108，制备于所述缓冲层106表面，且覆盖所述TFT器件107；钝化层109，制备于所述间绝缘层108表面；平坦化层110，制备于所述钝化层109表面；阳极金属图案111，制备于所述平坦化层110表面；其中，所述TFT阵列基板100设置有所述阳极金属图案111的一侧靠近所述UV光源103；从而，所述TFT阵列基板100的所述TFT器件107与所述UV光源103之间存在所述间绝缘层108、所述钝化层109以及所述平坦化层110，多层膜层的保护避免UV光穿透膜层照射到所述TFT器件107上。
所述固化腔室102内设置有遮光板，所述遮光板平行于所述固化腔室102底面，所述遮光板的四个端部对应贴合所述固化腔室102的四周表面，所述遮光板包括遮光区和位于所述遮光区内的透光区，其中，所述透光区的第一长边的长度等于所述TFT阵列基板100的第一长边的长度，所述透光区的第一短边的长度等于所述TFT阵列基板100的第一短边的长度；在所述固化腔室102内增设遮光板，所述遮光板的透光区域的尺寸与所述TFT阵列基板100的尺寸相当，以保证所述TFT阵列基板100表面都够正常照射到UV光；所述遮光板的遮光区置于所述TFT阵列基板100的边缘与所述固化腔室102的侧面之间的区域，以将所述TFT阵列基板100***区域的UV光遮挡，避免UV光通过所述固化腔室102的侧面反射至所述TFT器件107。
所述固化腔室102的四周表面开设有滑槽，所述滑槽垂直于所述固化腔室102底面表面，所述遮光板的边缘设置有匹配所述滑槽的固定件，所述固定件滑移连接所述滑槽；从而，所述遮光板可在所述固化腔室102内垂直移动，通过移动所述遮光板，可调节所述遮光板与所述UV光源103之间的距离，所述遮光板距离所述UV光源103的距离越近，所述UV光源103的辐射范围越广，从而可适用于不同尺寸的所述TFT阵列基板100。
所述遮光板的遮光区表面设置有所述吸光层；设置于所述遮光板表面的吸光层，与设置于所述固化腔室102内侧的吸光层，均采用碳纳米管制备，经实验得出，采用碳纳米管制备的吸光层，吸光率超过90％。
所述遮光板的遮光区表面设置有可移动至所述透光区的延长板；所述延长板表面同样设置有吸光层；所述延长板用以选择性的增加所述遮光板的遮光面积，从而适配不同尺寸的所述TFT阵列基板100。
例如，在所述遮光板的内侧边缘设置卡件，将所述延长板卡设于所述卡件中，所述延长板的大部分区域伸入至所述透光区内，进而满足小尺寸TFT阵列基板的UV处理。
又如，所述延长板的一端铰接于所述遮光板的遮光区边缘；在需要增加所述遮光板的遮光面积时，将所述延长板翻转至另一侧，使得所述延长板转至所述透光区内。
本发明的有益效果为：本发明提供的蒸镀用UV前处理设备，通过在蒸镀用UV前处理设备的腔室内壁设置吸光层，以吸收部分UV光，避免UV光通过腔室内壁反射到TFT阵列基板的TFT器件上，使得TFT器件免受UV光照射，保证TFT器件的电性不被影响；解决了现有技术对TFT阵列基板进行UV处理时，会对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响，进而导致TFT阵列基板的品质降低，影响显示面板的显示效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，包括：壳体，所述壳体内部具有固化腔室；所述壳体的一端设置有进料口，所述壳体的相对另一端设置有出料口；UV光源，设置于所述固化腔室内部；其中，所述固化腔室内壁设置有吸光层。
2.根据权利要求1所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述UV光源设置于所述固化腔室的顶面，所述吸光层设置于所述固化腔室的底面及四周。
3.根据权利要求2所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述固化腔室内设置有基台，所述基台设置于所述固化腔室的底面，所述基台上承载有待UV处理的TFT阵列基板。
4.根据权利要求3所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：
玻璃基板；
遮光层图案，形成于所述玻璃基板表面；
缓冲层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述遮光层图案；
TFT器件，设置于所述缓冲层表面，且与所述遮光层图案相对应；
间绝缘层，制备于所述缓冲层表面，且覆盖所述TFT器件；
钝化层，制备于所述间绝缘层表面；
平坦化层，制备于所述钝化层表面；
阳极金属图案，制备于所述平坦化层表面；
其中，所述TFT阵列基板设置有阳极金属图案的一侧靠近所述UV光源。
5.根据权利要求3所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述固化腔室内设置有遮光板，所述遮光板平行于所述固化腔室底面，所述遮光板的四个端部对应贴合所述固化腔室的四周表面，所述遮光板包括遮光区和位于所述遮光区内的透光区，其中，所述透光区的第一长边的长度等于所述TFT阵列基板的第一长边的长度，所述透光区的第一短边的长度等于所述TFT阵列基板的第一短边的长度。
6.根据权利要求5所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述固化腔室的四周表面开设有滑槽，所述滑槽垂直于所述固化腔室底面表面，所述遮光板的边缘设置有匹配所述滑槽的固定件，所述固定件滑移连接所述滑槽。
7.根据权利要求5所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述遮光板的遮光区表面设置有所述吸光层。
8.根据权利要求5所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述遮光板的遮光区表面设置有可移动至所述透光区的延长板。
9.根据权利要求8所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述延长板的一端铰接于所述遮光板的遮光区边缘。
10.根据权利要求1-9任一项权利要求所述的蒸镀用UV前处理设备，其特征在于，所述吸光层采用碳纳米管制备。
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