CN107731789A - 基于coa面板的tft及coa面板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种基于COA面板的薄膜晶体管TFT及COA面板，包括：基板、栅极、钝化层、半导体层、源极、漏极、第一光阻层、第二光阻层及有机层，其中，栅极设于基板之上；钝化层覆盖栅极；半导体层设于钝化层之上；源级和漏极设于半导体层之上；第一光阻层覆盖源级、漏极以及源极和漏极之间的区域；第二光阻层位于第一光阻层之上；有机层位于第二光阻层之上。用于提高对TFT电路的保护性能。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种基于COA面板的TFT及COA面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，彩色滤光片与阵列(Color Filter On Array，简称COA)面板得到了广泛的应用。
COA面板包括上基板、下基板和液晶层，其中，液晶层设置在上基板和下基板之间。在下基板中包括多个像素和多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，其中，每一个子像素对应一个TFT，通过TFT的导通与断开可以控制COA面板中色彩的显示。每个TFT中包括子像素对应的光阻层和TFT电路，例如，在蓝色子像素对应的TFT中包括蓝色光阻层，在红色子像素对应的TFT中包括红色光阻层，在绿色子像素对应的TFT中包括绿色光阻层。TFT电路中至少包括源级、栅极、漏极、半导体层等，其中，半导体层特别容易受到外界的影响，例如，半导体层特别容易受到外界光线、温度、气体等杂质的影响。
然而，在实际应用过程中，不同颜色的光阻层仅能吸收特定颜色的光线，使得部分光线很容易透过光阻层照射到TFT电路上，在光线照射到TFT电路上之后，会影响半导体层的导电性能，使得在TFT电路的源级和栅极之间存在漏电流，进而影响TFT电路的寿命。
发明内容
本发明实施例提供一种基于COA面板的TFT及COA面板，提高了对TFT电路的保护性能。
第一方面，本发明实施例提供一种基于COA面板的薄膜晶体管TFT，包括：基板、栅极、钝化层、半导体层、源极、漏极、第一光阻层、第二光阻层及有机层，其中，
所述栅极设于所述基板之上；
所述钝化层覆盖所述栅极；
所述半导体层设于所述钝化层之上；
所述源级和所述漏极设于所述半导体层之上；
所述第一光阻层覆盖所述源级、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的区域；
所述第二光阻层位于所述第一光阻层之上；
所述有机层位于所述第二光阻层之上。
在本发明实施例提供的基于COA面板的TFT中，由于TFT的光阻层中包括两种类型的光阻层，不同类型的光阻层对不同类型的光线具有较好的吸收能力，这样，可以增强TFT的光阻层对多种颜色光线的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。
在一种可能的实施方式中，所述第一光阻层为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个；
所述第二光阻层为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个，且所述第二光阻层与所述第一光阻层不同。
当第一光阻层为红色光阻层时，第二光阻层为绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个。
当第一光阻层为绿色光阻层时，第二光阻层为红色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个。
当第一光阻层为蓝色光阻层时，第二光阻层为红色光阻层、绿色光阻层、及黄色光阻层中的任意一个。
当第一光阻层为黄色光阻层时，第二光阻层为红色光阻层、绿色光阻层及蓝色光阻层中的任意一个。
在另一种可能的实施方式中，所述第一光阻层的厚度大于所述第二光阻层的厚度。
当然，在实际应用过程中，可以根据实际需要设置第一光阻层和第二光阻层的厚度，本发明实施例对此不作具体限定。
在另一种可能的实施方式中，所述源级覆盖所述半导体层的第一区域；
所述漏极覆盖所述半导体层的第二区域；
其中，所述源极与所述漏极之间的区域为所述半导体层的第三区域，所述第一区域和所述第二区域相对于所述第三区域对称。
在另一种可能的实施方式中，所述半导体层覆盖所述钝化层的中间区域；
所述源级还覆盖所述钝化层的第一边缘区域，和/或，所述漏极还覆盖所述钝化层的第二边缘区域，其中，所述第一边缘区域和所述第二边缘区域分别位于所述中间区域的两侧。
在另一种可能的实施方式中，所述源级还覆盖所述基板的部分区域；
和/或，
所述漏极还覆盖所述基板的部分区域。
在另一种可能的实施方式中所述钝化层还覆盖所述基板的部分区域。这样，可以增大钝化层的水平面积，使得钝化层可以更好的阻隔外界杂质对半导体的侵害，进而提高钝化层对半导体层的保护性能。
在另一种可能的实施方式中，所述钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。
在另一种可能的实施方式中，所述半导体层的材质为氢化非晶硅。
第二方面，本发明实施例提供一种COA面板，包括上基板、液晶层和下基板，所述液晶层设置在所述上基板和所述下基板之间，其中，
所述下基板至少包括彩色子像素及彩色子像素对应的TFT，所述TFT为上述第一方面任一项所述的TFT。
可选的，彩色子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
在上述COA面板中，由于TFT的光阻层中包括两种类型的光阻层，不同类型的光阻层对不同类型的光线具有较好的吸收能力，这样，可以增强TFT的光阻层对多种颜色光线的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。
本发明实施例提供的基于COA面板的TFT和COA面板，TFT中包括：所述栅极设于所述基板之上；所述钝化层覆盖所述栅极；所述半导体层设于所述钝化层之上；所述源级和所述漏极设于所述半导体层之上；所述第一光阻层覆盖所述源级、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的区域；所述第二光阻层位于所述第一光阻层之上；所述有机层位于所述第二光阻层之上。由于TFT的光阻层中包括两种类型的光阻层，不同类型的光阻层对不同类型的光线具有较好的吸收能力，这样，可以增强TFT的光阻层对多种颜色光线的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的COA面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的基于COA面板的TFT的结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的基于COA面板的TFT的结构示意图二。
附图标记说明：
11、上基板；
12、下基板；
12-1、栅极线；
12-2、源级线；
12-3、下基板；
21、基板；
22、栅极；
23、钝化层；
24、半导体层；
25、源极；
26、漏极；
27、第一光阻层；
28、第二光阻层；
29、有机层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的COA面板的结构示意图。请参见图1，包括上基板11、下基板12、及设置在上基板11与下基板12之间的液晶层(图中未示出)。在下基板12中包括栅极线12-1、源级线12-2、下基板12-3、红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、及每一个子像素对应的TFT，每一个子像素对应的TFT用于对子像素进行控制。需要说明的是，每一个子像素对应的TFT用于对子像素进行控制的过程可以参见现有技术，本发明实施例对此不再进行赘述。
在COA面板的TFT中，包括光阻层和TFT电路，光阻层可以对光线进行阻隔，避免光线对TFT电路进行直接照射，进而实现保护TFT电路。在本申请中，TFT中可以包括至少两种不同类型的光阻层，不同类型的光阻层可以对不同颜色的光线具有较好的吸收能力，这样，可以使得TFT中的光阻层对多种颜色的光线均具有较好的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。
下面，通过具体实施例对本申请所示的COA面板中的TFT的结构进行详细说明。需要说明的是，下面几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的内容，在不同的实施例中不再进行重复说明。
图2为本发明实施例提供的基于COA面板的TFT的结构示意图一。请参见图2，TFT可以包括：基板21、栅极22、钝化层23、半导体层24、源极25、漏极26、第一光阻层27、第二光阻层28及有机层29，其中，
栅极22设于基板21之上。
钝化层23覆盖栅极22。
半导体层24设于钝化层23之上。
源级25和漏极26设于半导体层24之上。
第一光阻层27覆盖源级25、漏极26以及源极25和漏极26之间的区域。
第二光阻层28位于第一光阻层27之上。
有机层29位于第二光阻层28之上。
可选的，栅极22、源极25、及漏极26的材料可以为钼、钛、铝、铜中的任意一种，也可以为上述材料的组合。
当然，在实际应用过程中，还可以根据实际需要选择栅极22、源极25、及漏极26的材料，本发明实施例对栅极22、源极25、及漏极26的材料不作具体限定。
钝化层23可以对杂质起到隔离作用，通过在栅极22上边覆盖钝化层23，可以有效防止杂质入侵到TFT内部，例如，杂质可以包括水汽、钠离子、及氧离子等。
可选的，钝化层23的材料可以为氮化硅、氧化硅中的任意一种，也可以为氮化硅和氧化硅的组合。
当然，在实际应用过程中，还可以根据实际需要选择钝化层23的材料，本发明实施例对钝化层23的材料不作具体限定。
可选的，在TFT内部，由于半导体层24易受温度、光敏感性、反应气体等的影响，因此，需要对半导体层24进行保护，以防止外界的杂质(例如温度、光线、气体等)通过基板21对半导体层24造成影响。为了使得钝化层23对半导体层24进行良好的保护，钝化层23的水平面积大于半导体层24的水平面积，且半导体层24完全位于钝化层24的上表面，进而可以通过钝化层23防止外界杂质对半导体层24造成影响。
可选的，半导体层24的材质为氢化非晶硅。当然，在实际应用过程中，还可以根据实际需要选择半导体层24的材料，本发明实施例对半导体层24的材料不作具体限定。
半导体层24的导电性能为可变的，在半导体层24满足预设条件时，半导体层24可以导电，否则，半导体层24不可导电。
可选的，当栅极22的电压大于开启电压阈值时，半导体层24作为导体，并可以进行导电，以使源极25和漏极26导通，产生开态源漏电流。当栅极22电压小于关闭电压阈值时，半导体层24作为绝缘体，并不可以进行导电，以使源极25和漏极26不导通，产生关态源漏电流。
可选的，第一光阻层27的厚度大于第二光阻层28的厚度。当然，在实际应用过程中，还可以根据实际需要设置第一光阻层27和第二光阻层28的厚度，本发明实施例对此不作具体限定。
可选的，第一光阻层27为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个；第二光阻层28为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个，且第二光阻层28与第一光阻层27不同。
可选的，不同类型的光阻层可以吸收不同类型的光线，例如，蓝色光阻层可以吸收除蓝色光线以外的其它颜色的光线，红色光阻层可以吸收除红色光线以外的其它颜色的光线，绿色光阻层可以吸收除绿色光线以外的其它颜色的光线，黄色光阻层可以吸收除黄色光线以外的其它颜色的光线。
当第一光阻层27为红色光阻层时，第二光阻层28为绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个。
当第一光阻层27为绿色光阻层时，第二光阻层28为红色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个。
当第一光阻层27为蓝色光阻层时，第二光阻层28为红色光阻层、绿色光阻层、及黄色光阻层中的任意一个。
当第一光阻层27为黄色光阻层时，第二光阻层28为红色光阻层、绿色光阻层及蓝色光阻层中的任意一个。
可选的，在实际应用过程中，针对蓝色子像素对应的TFT，为了简化TFT的制作流程，蓝色子像素对应的TFT的两个光阻层中可以至少包括蓝色光阻层，还可以包括红色光阻层或者绿色光阻层或者黄色光阻层，例如，可以通过多种组合方式对蓝色子像素对应的TFT的两个光阻层进行组合，以得到TFT中的两个光阻层。
例如，假设蓝色子像素对应的TFT中包括蓝色光阻层和红色光阻层，且第一光阻层为红色光阻层，第二光阻层为蓝色光阻层。这样，在实际应用过程中，光线首先照射到蓝色光阻层，在光线到达有机层之后，有机层对光线进行反射，使得光线再次到达蓝色光阻层，然后再到达红色光阻层，蓝色光阻层对有机层反射的、除蓝色光线以外的其它颜色的光线进行一次吸收，再由红色光阻层对有机层反射的、除红色光线以外的其它颜色的光线进行第二次吸收，这样，可以确定该两个光阻层对大部分颜色的光线进行了良好的吸收，降低了照射到TFT电路上的光线强度，进而提高了对TFT电路的保护性能。
还需要说明的是，在实际应用过程中，也可以在TFT中设置三种光阻层，该三种光阻层可以分别为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层和黄色光阻层中的任意三种。当然，可以根据实际需要设置该三种光阻层的排布方式，本发明实施例对此不作具体限定。
下面，通过具体示例对本申请所示的基于COA面板的TFT可达到的有益效果进行详细说明：在现有技术中，针对蓝色子像素对应的TFT，TFT中仅包括蓝色光阻层，由于蓝色光阻层对蓝色光线的吸收能力较差，这样，蓝色光线很容易通过蓝色光阻层照射到TFT电路上，又由于蓝色光线的能量较强，因此，当蓝色光线照射在TFT电路之后，会影响TFT电路的寿命。而在本申请中，假设蓝色子像素对应的TFT中包括蓝色光阻层和红色光阻层，蓝色光阻层可以对除蓝色光线外其它颜色的光线(包括红色光线)进行良好的吸收，在光线经过蓝色光阻层之后，透过蓝色光阻层的光线基本上为蓝色光线，在蓝色光线照射到红色光阻层时，红色光阻层可以对蓝色光线进行良好的吸收，进而避免蓝色光线照射在TFT电路上，确保了通过蓝色光阻层和红色光阻层对多数的光线进行良好的吸收，降低了照射到TFT电路上的光线强度，进而提高对TFT电路的保护性能。
本发明实施例提供的基于COA面板的TFT包括：所述栅极设于所述基板之上；所述钝化层覆盖所述栅极；所述半导体层设于所述钝化层之上；所述源级和所述漏极设于所述半导体层之上；所述第一光阻层覆盖所述源级、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的区域；所述第二光阻层位于所述第一光阻层之上；所述有机层位于所述第二光阻层之上。由于TFT的光阻层中包括两种类型的光阻层，不同类型的光阻层对不同类型的光线具有较好的吸收能力，这样，可以增强TFT的光阻层对多种颜色光线的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。
在图2所示实施例的基础上，为了增强对半导体层24的保护性能，还可以对TFT中源级25和漏极26的设置方式进行进一步改进，具体的，请参见图3所示的实施例。
图3为本发明实施例提供的基于COA面板的TFT的结构示意图二。在图2所示实施例的基础上，请参见图3，
源级25覆盖半导体层24的第一区域，漏极26覆盖半导体层24的第二区域；其中，源极与漏极26之间的区域为半导体层24的第三区域，第一区域和第二区域相对于第三区域对称。可选的，源级25和漏极26相对于半导体层24的中轴对称。
可选的，半导体层24覆盖钝化层的中间区域；源级25还覆盖钝化层的第一边缘区域，和/或，漏极26还覆盖钝化层的第二边缘区域，其中，第一边缘区域和第二边缘区域分别位于中间区域的两侧。
这样，不但可以保证源级25和漏极26可以覆盖半导体层24的两侧，进而提高对半导体层24的保护性能。
可选的，源级25还可以覆盖基板的部分区域；和/或，漏极26还可以覆盖基板的部分区域。这样，增加了源级25和漏极26的对半导体层24的覆盖厚度，进一步提高了对半导体层的保护性能。
可选的，钝化层23还可以覆盖所述基板的部分区域。这样，可以增大钝化层23的水平面积，使得钝化层23可以更好的阻隔外界杂质对半导体层24的侵害，进而提高钝化层23对半导体层24的保护性能。
在图3所示的实施例中，由于TFT的光阻层中包括两种类型的光阻层，不同类型的光阻层对不同类型的光线具有较好的吸收能力，这样，可以增强TFT的光阻层对多种颜色光线的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。进一步的，通过设置源级和漏极位置，可以进一步提高对半导体层的保护性能，进而提高对TFT电路的保护性能。
本发明实施例还提供一种COA面板，该COA面板的结构如图1所示，在本发明实施例中，包括上基板、液晶层和下基板，液晶层设置在上基板和下基板之间，其中，下基板至少包括彩色子像素、及彩色子像素对应的TFT，所述TFT为图2实施例中所述的TFT。
可选的，彩色子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
在上述COA面板中，由于TFT的光阻层中包括两种类型的光阻层，不同类型的光阻层对不同类型的光线具有较好的吸收能力，这样，可以增强TFT的光阻层对多种颜色光线的吸收能力，增强了TFT中的光阻层对光线的阻隔性能，进而可以有效降低光线对TFT电路进行照射的强度，进而增强对TFT电路的保护性能。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明实施例的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例方案的范围。
Claims (10)
1.一种基于COA面板的薄膜晶体管TFT，其特征在于，包括：基板、栅极、钝化层、半导体层、源极、漏极、第一光阻层、第二光阻层及有机层，其中，
所述栅极设于所述基板之上；
所述钝化层覆盖所述栅极；
所述半导体层设于所述钝化层之上；
所述源级和所述漏极设于所述半导体层之上；
所述第一光阻层覆盖所述源级、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的区域；
所述第二光阻层位于所述第一光阻层之上；
所述有机层位于所述第二光阻层之上。
2.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，
所述第一光阻层为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个；
所述第二光阻层为红色光阻层、绿色光阻层、蓝色光阻层及黄色光阻层中的任意一个，且所述第二光阻层与所述第一光阻层不同。
3.根据权利要求1或2所述的TFT，其特征在于，所述第一光阻层的厚度大于所述第二光阻层的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的TFT，其特征在于，
所述源级覆盖所述半导体层的第一区域；
所述漏极覆盖所述半导体层的第二区域；
其中，所述源极与所述漏极之间的区域为所述半导体层的第三区域，所述第一区域和所述第二区域相对于所述第三区域对称。
5.根据权利要求1或2所述的TFT，其特征在于，
所述半导体层覆盖所述钝化层的中间区域；
所述源级还覆盖所述钝化层的第一边缘区域，和/或，所述漏极还覆盖所述钝化层的第二边缘区域，其中，所述第一边缘区域和所述第二边缘区域分别位于所述中间区域的两侧。
6.根据权利要求3所述的TFT，其特征在于，
所述源级还覆盖所述基板的部分区域；
和/或，
所述漏极还覆盖所述基板的部分区域。
7.根据权利要求1或2所述的TFT，其特征在于，所述钝化层还覆盖所述基板的部分区域。
8.根据权利要求1或2所述的TFT，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。
9.根据权利要求1或2所述的TFT，其特征在于，所述半导体层的材质为氢化非晶硅。
10.一种COA面板，其特征在于，包括上基板、液晶层和下基板，所述液晶层设置在所述上基板和所述下基板之间，其中，
所述下基板至少包括彩色子像素、及所述彩色子像素对应的TFT，所述TFT为权利要求1-9任一项所述的TFT。
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