CN107710575A - 电力变换装置 - Google Patents

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Abstract

电力变换装置具备对来自栅极驱动电路(11)的驱动信号作用，调整半导体元件的栅极电压的栅极电压调整机构(检测电路(12))，所述栅极驱动电路(11)向并联设置的多个半导体元件(Q1～Q2)的各栅极发送驱动信号。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与由流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上叠加。

Description

电力变换装置
技术领域
本发明涉及将直流电力变换为交流电力的电力变换装置。
背景技术
作为将来自电池的直流电力变换为交流电力的装置，例如已知有在专利文献1中公开的电力变换装置。该电力变换装置作为强电继电器而具备半导体元件，半导体元件将来自电池的供电断接。此外，在作为强电继电器而使用半导体元件的电力变换装置中，已知有为了使流到半导体元件中的电流分散而将多个半导体元件并联地设置的电力变换装置。
在将多个半导体元件并联地设置的电力变换装置中，通过半导体元件成为开启的阈值电压按照每个半导体元件而不同，有某1个半导体元件比其他的半导体元件先开启的情况。所以，在以往的电力变换装置中，在半导体元件的发射极的下游具备电抗器，基于由电抗器引起的感应电压，抑制流到先成为开启的半导体元件中的电流的增加，实现了与流到其他的半导体元件中的电流的平衡。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11－41909号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，以往的电力变换装置中，设在半导体元件的发射极的下游的电抗器的尺寸变大，作为整体而大型化。即，在电力变换装置中，在动作开始时，为了防止突入电流而需要使从电池供给的电流逐渐增加，所以流到电抗器中的电流的变化率变小，感应电压变小。因此，为了确保流到以往的电力变换装置的半导体元件中的电流的平衡，需要使电抗器的尺寸变大，使感应电压变大。结果，在以往的电力变换装置中，发生装置整体大型化的问题。
本发明是鉴于上述课题做出的，其目的是提供一种能够小型化的电力变换装置。
有关本发明的电力变换装置具备调整并联设置的多个半导体元件的各栅极电压的栅极电压调整机构。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的各栅极电压叠加。
附图说明
图1是表示有关本发明的第1实施方式的电力变换装置的电路结构的图。
图2是表示有关本发明的第1实施方式的电力变换装置的安装结构的图。
图3是表示有关本发明的第2实施方式的电力变换装置的电路结构的图。
图4是表示有关本发明的第2实施方式的电力变换装置的安装结构的图。
图5是表示有关本发明的第3实施方式的电力变换装置的电路结构的图。
图6是表示有关本发明的第3实施方式的电力变换装置的安装结构的图。
图7是用来说明有关本发明的第4实施方式的电力变换装置的电路结构及动作的图。
图8是用来说明有关本发明的第4实施方式的电力变换装置的动作的时序图。
图9是表示有关本发明的第5实施方式的电力变换装置的安装结构的图。
图10是表示有关本发明的第6实施方式的电力变换装置的安装结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明应用了本发明的实施方式。在图面的记载中，对于相同的部分赋予相同的标号并省略说明。
(第1实施方式)
图1是表示有关本发明的第1实施方式的电力变换装置的电路结构的图。该电力变换装置具备第1半导体开关Q1、第2半导体开关Q2、包括栅极驱动电路11的驱动电路10、检测电路12。第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2对应于本发明的多个半导体元件。栅极驱动电路11对应于本发明的栅极驱动机构。检测电路12对应于本发明的栅极电压调整机构。
第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2例如由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor))构成。或者，也可以使用IGBT(绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor))、JFET(结场效应晶体管(Junction Field－Effect Transistor))等。
这些第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2并联地连接。即，第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的漏极彼此或源极彼此分别连接。
驱动电路10具备栅极驱动电路11、第1栅极电阻R1、第2栅极电阻R2及检测电路12。栅极驱动电路11向第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的各栅极发送驱动信号。此外，第1栅极电阻R1及第2栅极电阻R2与本发明的速度控制电阻对应。
正电源Vdd和负电源Vss向栅极驱动电路11供给电源。栅极驱动电路11根据来自外部的指示，从输出端子OUT输出驱动信号。栅极驱动电路11的输出端子OUT与作为开关的速度控制电阻发挥功能的第1栅极电阻R1及第2栅极电阻R2的各自的一方的端子连接。
第1栅极电阻R1的另一方的端子与检测电路12的一方的端子连接。检测电路12的另一方的端子与第1半导体开关Q1的栅极连接。栅极驱动电路11经由第1栅极电阻R1向第1半导体开关Q1发送驱动信号。第1栅极电阻R1具有抑制驱动第1半导体开关Q1的栅极的电流的急剧的变化的功能。
第2栅极电阻R2的另一方的端子与第2半导体开关Q2的栅极连接。栅极驱动电路11经由第2栅极电阻R2向第2半导体开关Q2发送驱动信号。第2栅极电阻R2具有抑制驱动第2半导体开关Q2的栅极的电流的急剧的变化的功能。第1栅极电阻R1及第2栅极电阻R2即使在检测电路12中发生急剧的感应电压，也限制驱动电流，所以能够使驱动电路10的稳定性提高。
检测电路12通过由线圈状的布线图案形成的拾波线圈构成。另外，检测电路12也可以由卷绕为线圈状的布线构成。检测电路12作用于来自栅极驱动电路11的驱动信号，调整第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的栅极电压。检测电路12将基于因电流流到第1半导体开关Q1的源极中引起的磁束和因电流流到第2半导体开关Q2的源极中引起的磁束之差发生的感应电压叠加到向第1半导体开关Q1的栅极施加的栅极电压上。
图2是表示有关本发明的第1实施方式的电力变换装置的安装结构的图。端子板20设有栅极端子G1、源极端子S1、栅极端子G2及源极端子S2。栅极端子G1与第1栅极电阻R1连接，源极端子S1与负电源Vss连接。此外，栅极端子G2与第2栅极电阻R2连接，源极端子S2与负电源Vss连接。
栅极端子G1连接在第1栅极电阻R1(参照图1)上并与形成检测电路12的拾波线圈的一端连接，拾波线圈的另一端连接在第1半导体开关Q1的栅极电极G上。源极端子S1连接在负电源Vss(参照图1)上并与第1半导体开关Q1的源极电极S连接。同样，栅极端子G2与第2栅极电阻R2(参照图1)连接并与第2半导体开关Q2的栅极电极G连接，源极端子S2与负电源Vss(参照图1)连接并与第2半导体开关Q2的源极电极S连接。
在搭载有第1半导体开关Q1、第2半导体开关Q2及绝缘部件21的基板上的与第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2对应的位置处，形成有下表面电极图案23。在第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的上表面上设有上表面电极取出部22。上表面电极取出部22可以由接合线、接合带或引线框等构成。
说明如以上那样构成的有关第1实施方式的电力变换装置的动作。如果栅极驱动电路11从输出端子OUT输出驱动信号，则驱动信号经由第1栅极电阻R1及检测电路12向第1半导体开关Q1的栅极供给。通过该驱动信号，在栅极电压比第1半导体开关Q1成为开启的阈值大的情况下，电流流到第1半导体开关Q1的源极中。同样，从栅极驱动电路11的输出端子OUT输出的驱动信号经由第2栅极电阻R2向第2半导体开关Q2的栅极供给。由此，电流流到第2半导体开关Q2的源极中。
此时，通过电流流到第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的源极中，在来自源极的布线周围发生磁束。如果在由流到第1半导体开关Q1的源极中的电流引起的磁束与由流到第2半导体开关Q2的源极中的电流引起的磁束间存在差，则在检测电路12中，产生与该磁束之差对应的感应电压。产生的感应电压叠加到向第1半导体开关Q1的栅极供给的栅极电压上。由此，在第1半导体开关Q1的栅极电压的阈值比第2半导体开关Q2的栅极电压的阈值低的情况下，流到第1半导体开关Q1的源极中的电流变得比流到第2半导体开关Q2的源极中的电流大，但在此情况下，在检测电路12中产生负的感应电压，抑制第1半导体开关Q1的栅极电压的上升，抑制流到第1半导体开关Q1的源极中的电流的上升。
相反，在第1半导体开关Q1的栅极电压的阈值比第2半导体开关Q2的栅极电压的阈值高的情况下，流到第1半导体开关Q1的源极中的电流变得比流到第2半导体开关Q2的源极中的电流小。在此情况下，在检测电路12中产生正的感应电压，促进第1半导体开关Q1的栅极电压的上升，促进流到第1半导体开关Q1的源极中的电流的上升。结果，在本实施方式中，调整半导体开关的栅极电压，以使流到第1半导体开关Q1中的电流与流到第2半导体开关Q2中的电流相等。
这样，根据有关第1实施方式的电力变换装置，由于能够取得流到多个半导体开关中的电流的平衡而不在半导体开关的源极的下游设置电抗器，所以能够使电力变换装置小型化。
此外，在上述第1实施方式中，在第1半导体开关Q1与第2半导体开关Q2之间配置有检测电路12。为了提高并联连接的多个半导体开关的过渡热性能，优选的是将它们分散安装，使各半导体开关之间的距离变大。在有关第1实施方式的电力变换装置中，通过上述配置实现了这一点。
另外，在上述第1实施方式中，设置了1个栅极驱动电路11，但也可以构成为按照每个半导体开关设置。
另外，在上述中，在有关本实施方式的电力变换装置中，记述有也可以在半导体开关的源极的下游不设置电抗器，但并不限于此，也可以在半导体开关的源极的下游设置电抗器。有关本实施方式的电力变换装置即使在半导体开关的源极的下游设有电抗器，由于能够由检测电路12调整栅极电压，所以也不需要设置大型的电抗器，能够实现电力变换装置的小型化。
(第2实施方式)
有关本发明的第2实施方式的电力变换装置单独地控制流到有关第1实施方式的电力变换装置的第1半导体开关Q1和第2半导体开关Q2中的电流。以下，在第2实施方式中，以与第1实施方式不同的部分为中心进行说明。
图3是表示有关本发明的第2实施方式的电力变换装置的电路结构的图。该电力变换装置将有关第1实施方式的电力变换装置的驱动电路10的内部变更而构成。即，将有关第1实施方式的检测电路12的结构及功能变更，并追加了关断用的第3栅极电阻R3、第1二极管D1、关断用的第4栅极电阻R4及第2二极管D2。
检测电路12由控制第1半导体开关Q1的第1检测电路12a和控制第2半导体开关Q2的第2检测电路12b构成。第1检测电路12a和第2检测电路12b对应于本发明的栅极电压调整部。第1检测电路12a通过由线圈状的布线图案形成的拾波线圈构成。另外，第1检测电路12a也可以由卷绕为线圈状的布线构成。第1检测电路12a将由流到第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的源极中的电流产生的感应电压叠加到来自栅极驱动电路11的驱动信号上。
第2检测电路12b通过由线圈状的布线图案形成的拾波线圈构成。另外，第2检测电路12b也可以由卷绕为线圈状的布线构成。第2检测电路12b将由流到第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的源极中的电流产生的感应电压叠加到经由第2栅极电阻R2的来自栅极驱动电路11的驱动信号上。
构成第1检测电路12a的拾波线圈与构成第2检测电路12b的拾波线圈感应性耦合。在流到第1半导体开关Q1的栅极中的电流与流到第2半导体开关Q2的栅极中的电流的朝向相同的情况下，感应分量减少，在电流的朝向不同的情况下感应分量增加。
此外，在栅极驱动电路11的输出端子OUT与第1半导体开关Q1的栅极之间设有由第3栅极电阻R3和第1二极管D1构成的串联电路。同样，在栅极驱动电路11的输出端子OUT与第2半导体开关Q2的栅极之间设有由第4栅极电阻R4和第2二极管D2构成的串联电路。
图4是表示有关本发明的第2实施方式的电力变换装置的安装结构的图。端子板20对第1实施方式的结构追加栅极端子G1a及栅极端子G2a而构成。栅极端子G1a与第3栅极电阻R3连接，栅极端子G2a与第4栅极电阻R4连接。
栅极端子G1与第1栅极电阻R1(参照图3)连接并与形成第1检测电路12a的拾波线圈的一端连接，拾波线圈的另一端连接在第1半导体开关Q1的栅极电极G上。源极端子S1与负电源Vss(参照图3)连接并与第1半导体开关Q1的源极电极S连接。进而，栅极端子G1a与第3栅极电阻R3(参照图3)连接并与第1半导体开关Q1的栅极电极G连接。
同样，栅极端子G2与第2栅极电阻R2(参照图3)连接并与形成第2检测电路12b的拾波线圈的一端连接，拾波线圈的另一端与第2半导体开关Q2的栅极电极G连接。源极端子S2与负电源Vss(参照图3)连接并与第2半导体开关Q2的源极电极S连接。进而，栅极端子G2a与第4栅极电阻R4(参照图3)连接并与第2半导体开关Q2的栅极电极G连接。
以下，说明构成的有关第2实施方式的电力变换装置的动作。如果栅极驱动电路11从输出端子OUT输出驱动信号，则驱动信号经由第1栅极电阻R1及第1检测电路12a向第1半导体开关Q1的栅极供给。由此，电流流到第1半导体开关Q1的源极中。同样，从栅极驱动电路11的输出端子OUT输出的驱动信号经由第2栅极电阻R2及第2检测电路12b向第2半导体开关Q2的栅极供给。由此，电流流到第2半导体开关Q2的源极中。
此时，通过电流流到第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的源极中，在来自源极的布线周围发生磁束。如果在由流到第1半导体开关Q1的源极中的电流引起的磁束与由流到第2半导体开关Q2的源极中的电流引起的磁束间存在差，则在检测电路12中，产生与该磁束之差对应的感应电压。在第1检测电路12a中产生感应电压，该感应电压叠加到向第1半导体开关Q1的栅极供给的栅极电压上。进而，在第1检测电路12b中产生感应电压，在第1检测电路12b中产生的感应电压叠加到向第2半导体开关Q2的栅极供给的栅极电压上。
在第1半导体开关Q1的栅极电压的阈值比第2半导体开关Q2的栅极电压的阈值低的情况下，流到第1半导体开关Q1的源极中的电流变得比流到第2半导体开关Q2的源极中的电流大。在此情况下，在第1检测电路12a中产生负的感应电压，抑制第1半导体开关Q1的栅极电压的上升，抑制流到第1半导体开关Q1的源极中的电流的上升。进而，在第2检测电路12b中产生正的感应电压，促进第2半导体开关Q2的栅极电压的上升，所以促进流到第2半导体开关Q2的源极中的电流的上升。结果，在本实施方式中，调整半导体开关的栅极电压，以使流到第1半导体开关Q1中的电流与流到第2半导体开关Q2中的电流相等。
相反，在第1半导体开关Q1的栅极电压的阈值比第2半导体开关Q2的栅极电压的阈值高的情况下，流到第1半导体开关Q1的源极中的电流变得比流到第2半导体开关Q2的源极中的电流小。在此情况下，在第1检测电路12a中产生正的感应电压，促进第1半导体开关Q1的栅极电压的上升，所以促进流到第1半导体开关Q1的源极中的电流的上升。进而，在第2检测电路12b中产生负的感应电压，抑制第2半导体开关Q2的栅极电压的上升，抑制流到第2半导体开关Q2的源极中的电流的上升。结果，在本实施方式中，调整半导体开关的栅极电压，以使流到第1半导体开关Q1中的电流与流到第2半导体开关Q2中的电流相等。
此外，由于关断用的第3栅极电阻R3及第4栅极电阻R4不经由检测电路12而分别连接在第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2上，所以关断时的栅极电流不穿过检测电路12。结果，能够高速地使第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2关断。
此外，根据如以上这样构成的有关第2实施方式的电力变换装置，由于将调整栅极电压的检测电路12设在从第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的各源极配设的布线(从主电流路径的布线)之间。因而，在检测电路12中通过来自从主电流路径的布线的磁束产生感应电压，所以能够使感应电压叠加到第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的各栅极电压上。
此外，由线圈状的布线图案形成的拾波线圈彼此感应性耦合，以使得在将驱动信号送到栅极中的情况下互电感下降。因此，能够抑制阈值电压较低的半导体元件的栅极电压的上升，并抑制阈值电压较高的半导体元件的栅极电压的上升。即，由于能够利用在检测电路12中产生的感应电压而调整栅极电压，所以能够使流到半导体元件中的电流平衡。结果，不再需要以往配置在半导体元件的下游的电抗器，能够使电力变换装置的电路小型化。
此外，在本实施方式中，检测电路12的布线图案设置为，使得在第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2中流过了相同大小的电流的情况下，由从第1半导体开关Q1的源极配设的布线(主电流路径的布线)产生的磁束和由从第2半导体开关Q2的源极配设的布线(主电流路径的布线)产生的磁束与检测电路12的布线图案相等地交链。由此，当调整栅极电压以使流到从第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的源极配设的布线中的电流相等时，检测电路12叠加适合于平衡的感应电压。此外，由于将从半导体元件的源极配设的布线相互水平地配置，即以磁束与拾波线圈的布线图案交链的方式配置，所以来自布线的磁场变大，能够使在拾波线圈中产生的感应电压变大。
此外，仅接通用的栅极电阻R1及栅极电阻R2经由检测电路12与第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的栅极分别连接。因此，能够高速地执行第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的关断。
进而，在将并联连接的第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2驱动的电流流到2个拾波线圈的两者中的情况下，这2个拾波线圈以普通模式耦合。在电流的朝向是同方向的情况下，拾波线圈的电感减小，在电流的朝向是不同方向的情况下，拾波线圈的电感增加。由此，即使在第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2以高速开启/关闭的情况下，也不仅电压振动不增加，而且能得到抑制在并联配置的第1半导体开关Q1与第2半导体开关Q2之间因电流共振引起的误动作的效果。
(第3实施方式)
有关本发明的第3实施方式的电力变换装置在有关第2实施方式的电力变换装置中，不仅是接通时、在关断时也经由检测电路供给栅极电流。以下，以与第2实施方式不同的部分为中心进行说明。
图5是表示有关本发明的第2实施方式的电力变换装置的电路结构的图。该电力变换装置将有关第2实施方式的电力变换装置的驱动电路10的内部变更而构成。即，有关第2实施方式的电力变换装置将由第3栅极电阻R3和第1二极管D1构成的串联电路配置在栅极驱动电路11的输出端子OUT与检测电路12之间。此外，将由第4栅极电阻R4和第2二极管D2构成的串联电路配置在栅极驱动电路11的输出端子OUT与检测电路12之间。此外，向栅极驱动电路11的输出端子OUT与第1栅极电阻R1之间追加第3二极管D3，向栅极驱动电路11的输出端子OUT与第2栅极电阻R2之间追加第4二极管D4。
图6是表示有关本发明的第3实施方式的电力变换装置的安装结构的图。端子板20从第2实施方式的该部件中除去了栅极端子G1a及栅极端子G2a。因而，将栅极端子G1a与第1半导体开关Q1的栅极电极G连结的线及将栅极端子G2a与第2半导体开关Q2的栅极电极G连结的线被除去。
在有关第3实施方式的电力变换装置中，如果栅极驱动电路11从输出端子OUT输出驱动信号，则驱动信号经由第3二极管D3、第1栅极电阻R1及第1检测电路12a向第1半导体开关Q1的栅极供给。由此，电流流到第1半导体开关Q1的源极中。同样，从栅极驱动电路11的输出端子OUT输出的驱动信号经由第4二极管D4、第2栅极电阻R2及第2检测电路12b向第2半导体开关Q2的栅极供给。由此，电流流到第2半导体开关Q2的源极中。以后的动作与第2实施方式的动作相同。
此外，由于关断用的第3栅极电阻R3及第4栅极电阻R4经由检测电路12与第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2分别连接，所以接通时及关断时的栅极电流穿过检测电路12。结果，不仅是接通时，在关断时也能够使流到第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2中的电流平衡。
另外，第3二极管D3设置为，使得在关断时接通用的栅极电阻R1不作用，第4二极管D4设置为，使得在关断时接通用的栅极电阻R2不作用。另外，这些第3二极管D3及第4二极管D4可以除去。
(第4实施方式)
有关本发明的第4实施方式的电力变换装置是有关第3实施方式的电力变换装置的变形例。图7是表示有关本发明的第4实施方式的电力变换装置的电路结构的图。另外，由于在图7(a)～图7(c)中表示的电路图是相同的，所以仅对图7(a)赋予了附图标记。
该电力变换装置将栅极电阻R1的一端和栅极电阻R2的一端连接到栅极驱动电路11的输出端子OUT上。在共通连接点与栅极驱动电路11的输出端子OUT之间，配置有由二极管D及栅极电阻R构成的串联电路，所述共通连接点将栅极电阻R1的另一端与第1检测电路12a的连接点、和栅极电阻R2的另一端与第2检测电路12b的连接点连接。
在如上述那样构成的电力变换装置中，在如图7(a)所示那样与拾波线圈交链的磁束从纸面的表侧朝向背侧的情况下，第2半导体开关Q2的电流变化率变得比第1半导体开关Q1的电流变化率大。在图7(c)所示那样与拾波线圈交链的磁束从纸面的背侧朝向表侧的情况下，第1半导体开关Q1的电流变化率变得比第2半导体开关Q2的电流变化率大。如图7(b)所示，在不存在与拾波线圈交链的磁束的情况下，第2半导体开关Q2与第1半导体开关Q1的电流变化率相等。
图8是用来说明有关第4实施方式的电力变换装置的动作的图，图8(a)是用来说明关断时的电流的平衡作用的时序图。图8(a)是表示第1半导体开关Q1及第2半导体开关Q2的Id－Vgs特性的图。这里，假设第2半导体开关Q2的阈值VthQ2比第1半导体开关Q1的阈值VthQ1大。如果如图示那样漏极电流Id开始减少，则立刻发挥作用，以使第1半导体开关Q1与第2半导体开关Q2之间的电流平衡。
(第5实施方式)
有关本发明的第5实施方式的电力变换装置是半导体元件的并联数是3个以上的情况下的例子，以下，举半导体元件的并联数是4的情况为例进行说明。另外，有关第5实施方式的电力变换装置的电路结构只是随着半导体元件的增加而使在第2实施方式中使用的构成要素增加了，所以这里省略详细的说明。
图9是表示有关第5实施方式的电力变换装置的安装结构的图。该电力变换装置具备第1半导体开关Q1～第4半导体开关Q4。第1半导体开关Q1～第4半导体开关Q4与本发明的多个半导体元件对应。
在第1半导体开关Q1与第2半导体开关Q2之间设置检测电路12，在第2半导体开关Q2与第3半导体开关Q3之间设置检测电路13。在第3半导体开关Q3与第4半导体开关Q4之间设置检测电路14。
端子板20设有栅极端子G1～G4及源极端子S1～S4。栅极端子G1与形成检测电路12的拾波线圈的一端连接，拾波线圈的另一端与第1半导体开关Q1的栅极电极连接。源极端子S1与第1半导体开关Q1的源极电极连接。
栅极端子G2与形成检测电路12的其他拾波线圈的一端连接，该其他拾波线圈的另一端经由检测电路连接部件30与第2半导体开关Q2的栅极电极G连接。源极端子S2与第2半导体开关Q2的源极电极连接。此外，栅极端子G2经由检测电路连接部件30与形成检测电路13的拾波线圈的一端连接，该拾波线圈的另一端与第2半导体开关Q2的栅极电极连接。
栅极端子G3与形成检测电路13的其他拾波线圈的一端连接，该其他拾波线圈的另一端经由检测电路连接部件30与第3半导体开关Q3的栅极电极连接。源极端子S3与第3半导体开关Q3的源极电极连接。此外，栅极端子G3经由检测电路连接部件30与形成检测电路14的拾波线圈的一端连接，该拾波线圈的另一端与第3半导体开关Q3的栅极电极连接。
栅极端子G4与形成检测电路14的其他拾波线圈的一端连接，该其他拾波线圈的另一端与第4半导体开关Q4的栅极电极连接。源极端子S4与第4半导体开关Q4的源极电极连接。
通过上述结构，与邻接的半导体开关连接的检测电路的2个拾波线圈感应性耦合。因而，发挥作用，以使第1半导体开关Q1和第2半导体开关Q2、第2半导体开关Q2和第3半导体开关Q3、以及第3半导体开关Q3和第4半导体开关Q4的电流平衡。因此，流到第1半导体开关Q1～第4半导体开关Q4的全部中的电流平衡。
在有关第5实施方式的电力变换装置中，由于将拾波线圈与从两端的半导体元件的源极配设的布线邻接设置，所以能够使流到两端的半导体元件中的电流更平衡。
(第6实施方式)
有关本发明的第6实施方式的电力变换装置的特征在于，使在有关第5实施方式的电力变换装置中流到配置在两端的第1半导体开关Q1和第4半导体开关Q4中的电流也平衡。
图10是表示有关第6实施方式的电力变换装置的安装结构的图。该电力变换装置夹着第1半导体开关Q1在检测电路12的相反侧，设有具有绕数为检测电路12～14的一半的拾波线圈的检测电路15a。此外，电力变换装置夹着第4半导体开关Q4在检测电路14的相反侧，设有具有绕数为检测电路12～14的一半的拾波线圈的检测电路15b。检测电路15a的拾波线圈与检测电路15b的拾波线圈串联连接而构成。
更详细地讲，栅极端子G1与形成检测电路15a的拾波线圈的一端连接，该拾波线圈的另一端经由检测电路连接部件30、检测电路12与第1半导体开关Q1的栅极电极连接。
此外，栅极端子G4经由检测电路14、检测电路连接部件30与形成检测电路15b的拾波线圈的一端连接，该拾波线圈的另一端与第4半导体开关Q4的栅极电极连接。
通过以上的结构，第1半导体开关Q1和第2半导体开关Q2、第2半导体开关Q2和第3半导体开关Q3、以及第3半导体开关Q3和第4半导体开关Q4的电流能够平衡。除此以外，能得到第4半导体开关Q4和第1半导体开关Q1的电流也平衡的作用。因此，即使在两端的第1半导体开关Q1或第4半导体开关Q4中流过了过剩的电流的情况下，也能够使全部半导体开关的电流迅速地平衡。
此外，作为跨越第1半导体开关Q1～第4半导体开关Q4之间的拾波线圈的线材，优选的是使用绞合线。由此，能够避免不想要的半导体开关的电流变化的影响。
此外，与第5实施方式同样，使流到半导体开关中的电流平衡的作用如果是具有任意的并联数的半导体开关的电力变换装置也能够实现。
此外，也可以构成为，通过与检测两端的半导体开关间的电流差的检测电路15a、15b同样的结构，在分离的半导体开关彼此间使电流平衡。例如，能够在第1半导体开关Q1和第3半导体开关Q3或第2半导体开关Q2和第4半导体开关Q4等的分离的半导体开关彼此间使电流平衡。
进而，在本实施方式中，设置1个栅极驱动电路，从该栅极驱动电路对多个半导体元件发送驱动信号，但并不一定限定于此，也可以按照每个半导体元件设置驱动电路，也可以按照每个规定的半导体元件设置栅极驱动电路。
附图标记说明
10 驱动电路
11 栅极驱动电路
12～14、15a、15b 检测电路
12a 第1检测电路
12b 第2检测电路
20 端子板
21 绝缘部件
22 上表面电极取出部
23 下表面电极图案
Q1～Q4 第1半导体元件～第4半导体开关
R、R1～R4 电阻、第1栅极电阻～第4栅极电阻
D、D1～D4 二极管
G 栅极电极
S 源极电极

Claims (10)

1.一种电力变换装置，其特征在于，
具备：
并联设置的多个半导体元件；
栅极驱动机构，向前述多个半导体元件的各栅极发送驱动信号；以及
栅极电压调整机构，对来自前述栅极驱动机构的驱动信号作用，调整前述半导体元件的栅极电压，
前述栅极电压调整机构将基于由流到前述多个半导体元件中的1个中的电流引起的磁束与流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差而产生的感应电压叠加到向前述多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上，。
2.如权利要求1所述的电力变换装置，其特征在于，
前述栅极电压调整机构在前述多个半导体元件中的1个半导体元件的阈值电压比其他半导体元件的阈值电压低的情况下，抑制流到该1个半导体元件中的电流的上升。
3.如权利要求1或2所述的电力变换装置，其特征在于，
前述栅极电压调整机构在前述多个半导体元件中的1个半导体元件的阈值电压比其他半导体元件的阈值电压高的情况下，促进流到该1个半导体元件中的电流的上升。
4.如权利要求1～3中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，
前述栅极电压调整机构由与前述多个半导体元件分别对应的多个栅极电压调整部构成；
邻接的2个栅极电压调整部感应性耦合，以使得在流到与前述2个栅极电压调整部分别连接的2个半导体元件的栅极中的电流的朝向是同方向的情况下感应分量减少、在不同方向的情况下感应分量增加。
5.如权利要求1～4中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，
前述栅极电压调整机构是由形成在前述多个半导体元件与前述栅极驱动机构之间的多个布线图案构成的，设置在从前述多个半导体元件中的1个半导体元件及其他半导体元件配设而作为主电流路径的布线的中间。
6.如权利要求5所述的电力变换装置，其特征在于，
前述栅极电压调整机构设置为，使得在流到前述1个半导体元件的主电流路径及前述其他半导体元件的主电流路径中的电流相同的情况下，从作为前述1个半导体元件的主电流路径的布线产生的磁束和从作为前述其他半导体元件的主电流路径的布线产生的磁束与前述布线图案相等地交链。
7.如权利要求1～6中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，
前述多个半导体元件由并联设置的3个以上的半导体元件构成；
前述3个以上的半导体元件中的两端的半导体元件的栅极电压调整机构与从两端的半导体元件的至少一方的源极配设的布线邻接设置。
8.如权利要求1～7中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，
在前述多个半导体元件的各栅极与前述栅极驱动机构之间，具备抑制驱动各栅极的电流的急剧的变化的速度控制电阻。
9.如权利要求8所述的电力变换装置，其特征在于，
前述速度控制电阻并联地设有前述多个半导体元件的各自的接通用和关断用；
前述接通用的速度控制电阻经由前述栅极电压调整机构连接在前述多个半导体元件的各栅极上；
前述关断用的速度控制电阻直接连接在前述多个半导体元件的各栅极上。
10.如权利要求8所述的电力变换装置，其特征在于，
前述速度控制电阻并联地设有前述多个半导体元件的各自的接通用和关断用；
前述接通用的速度控制电阻及前述关断用的速度控制电阻经由前述栅极电压调整机构连接在前述多个半导体元件的各栅极上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111181363A (zh) * 2019-07-01 2020-05-19 苏州纳芯微电子股份有限公司 一种隔离电源电路及其控制方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9503079B1 (en) * 2015-05-28 2016-11-22 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Method and apparatus for current/power balancing
WO2019016857A1 (ja) * 2017-07-18 2019-01-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
DE102017117566B4 (de) * 2017-08-02 2022-07-21 Technische Universität Dortmund Vorrichtung und Verfahren zur homogenen Stromverteilung und/oder zur Reduzierung von Schaltverlusten von elektrisch steuerbaren Schaltelementen
JP2020167612A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 住友電装株式会社 給電制御装置
JP2021125946A (ja) * 2020-02-04 2021-08-30 オムロン株式会社 半導体回路
WO2023157185A1 (ja) * 2022-02-17 2023-08-24 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路及び電力変換装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4878432A (zh) * 1972-01-29 1973-10-22
JPH07177727A (ja) * 1993-12-22 1995-07-14 Toshiba Corp 電圧駆動型スイッチング素子のゲート駆動回路および電圧駆動型スイッチング素子のゲート駆動方法
JP2012039790A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置
JP2015023774A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 日新電機株式会社 ゲート駆動回路

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3737756A (en) * 1972-05-15 1973-06-05 Bell Telephone Labor Inc Converter circuit with balanced parallel switching paths
AT349104B (de) 1974-12-27 1979-03-26 Siemens Ag Oesterreich Schaltungsanordnung mit parallelgeschalteten und durch eine gemeinsame steuerspannung gesteuerten transistoren
JPS5453954A (en) * 1977-10-07 1979-04-27 Fuji Electric Co Ltd Parallel connection mthod of transistor
SU1083306A1 (ru) * 1981-07-16 1984-03-30 Предприятие П/Я Г-4514 Устройство дл равномерного токораспределени при параллельном включении транзисторов,работающих в импульсном режиме с насыщением
SU1304007A1 (ru) * 1985-11-05 1987-04-15 Предприятие П/Я Г-4173 Устройство дл автоматического выравнивани эмиттерных токов параллельно включенных транзисторов
JPH0819246A (ja) * 1994-07-04 1996-01-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体スイッチ素子の並列接続回路
JP3421544B2 (ja) 1997-07-14 2003-06-30 株式会社東芝 半導体モジュール
JP2003244966A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路
JP4082672B2 (ja) * 2003-03-06 2008-04-30 株式会社デンソー 電気絶縁型スイッチング素子駆動回路
JP2005005595A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Murata Mfg Co Ltd コイル部品
JP2006049341A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4586739B2 (ja) * 2006-02-10 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路及び電子機器
JP5850901B2 (ja) 2013-11-08 2016-02-03 三菱電機株式会社 車載用電力変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4878432A (zh) * 1972-01-29 1973-10-22
JPH07177727A (ja) * 1993-12-22 1995-07-14 Toshiba Corp 電圧駆動型スイッチング素子のゲート駆動回路および電圧駆動型スイッチング素子のゲート駆動方法
JP2012039790A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置
JP2015023774A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 日新電機株式会社 ゲート駆動回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111181363A (zh) * 2019-07-01 2020-05-19 苏州纳芯微电子股份有限公司 一种隔离电源电路及其控制方法
CN111181363B (zh) * 2019-07-01 2020-10-16 苏州纳芯微电子股份有限公司 一种隔离电源电路及其控制方法

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