CN107706315A

CN107706315A - 一种量子点发光二极管及其制备方法

Info

Publication number: CN107706315A
Application number: CN201710736808.XA
Authority: CN
Inventors: 张芹; 顾小兵; 蒋杰; 纪丽珊; 张虚谷; 王凛烽; 李丹阳; 张青松; 徐小均
Original assignee: Nanchang Hangkong University
Current assignee: Nanchang Hangkong University
Priority date: 2017-08-24
Filing date: 2017-08-24
Publication date: 2018-02-16

Abstract

本发明提供了一种量子点发光二极管及其制备方法，本发明将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底旋涂成膜，得到初级量子点发光二极管；在所述得到的量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积铝电极，得到量子点发光二极管。本发明采用掺杂少量钒的三氧化钼溶液作为空穴注入层实现量子点发光二极管发光效率的提高；并且本发明所使用的掺杂少量钒的三氧化钼溶液作为空穴注入层相比传统的空穴注入层材料（聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶剂），具有价格便宜，透光率更好等特点。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点（quantum dots，QDs），又名半导体纳米晶，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料。它的发射光谱可以通过改变QDs的尺寸大小来控制，通过改变QDs的尺寸和它的化学组成可以使其发射光覆盖整个可见光区。同时，QDs具有很好的稳定性，可以对标记的物体进行长时间观察，能应用于生物学；具有较大的斯托克位移，有利于荧光光谱信号的检测；生物相容性好，能应用于生物活体标记和检测。QDs材料相对于无机半导体材料昂贵的制作工艺，它可以溶液加工，通过滴涂，旋涂或印刷等简单方式来成膜,大大简化了半导体器件的制备工艺，降低生产成本，加之QDs具有发光效率高，稳定性好的性质，在显示领域有巨大潜力。

量子点发光二极管（Quantum dot light emitting diode，QLED）是一种以QDs作为发光层的电致发光器件，因为其具有制作简单，体积小，成色好，节能，光的纯度高等特点，被人们广泛关注。一般QLED结构由阳极，空穴传输层，QDs层，电子传输层，阴极组成，同时，为了提升器件性能，也常常加入一些功能层，如电子注入层，空穴注入层等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法，方法简单并且可实现大面积生产。

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

（1）将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印，得到初级量子点发光二极管；

所述掺杂少量钒的三氧化钼溶液的三氧化钼和钒的质量比为1：（0.01~0.1），溶质与有机溶剂质量比为（1~5）：100；

所述三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为（5~10）mg：（1~2）mL；

所述量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为（5~25）mg：（1~2）mL；

所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为（10~20）mg：（1~3）mL；

（2）在所述步骤（1）得到的初级量子点发光二极管非导电基底的底侧的表层沉积电极，得到量子点发光二极管。

优选的，所述掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。

优选的，所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中有机溶剂包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中一种或多种。

优选的，所述包括量子点的有机溶液中有机溶剂包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。

优选的，所述包括氧化锌的有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。

优选的，所述步骤（1）中包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比为1:1:1:1。

优选的，所述步骤（1）中各溶液独立地还包括调粘聚合物，所述调粘度聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。

优选的，所述步骤（1）中各溶液中调粘聚合物的质量不高于相应溶液中溶质质量的0.05%。

本发明还提供了上述技术方案所述制备方法得到的量子点发光二极管，包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述空穴注入层经混合有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到。

优选的，所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地为0.01~0.03mm。

附图说明

图1为本发明制作的量子点发光二极管结构示意图。

具体实施方式

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

（1）将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底表面打印，得到初级量子点发光二极管；

所述包括掺杂少量钒的三氧化钼混合有机溶液中掺杂少量钒的三氧化钼与有机溶剂的质量比为（8~15）:100；

所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的总质量和有机溶剂的体积比为（5~10）mg：（1~2）mL；

所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为（5~25）mg：（1~2）mL；

（2）在所述步骤（1）得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极，得到量子点发光二极管。

本发明将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底表面打印，得到初级量子点发光二极管。在本发明中，所述包括钒和三氧化钼的有机溶液中钒和三氧化钼的总质量与有机溶剂的质量比为（8~15）:100，优选为（12~14）:100，进一步优选为13:100。在本发明中，所述混合有机溶液中有机溶剂优选包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。在本发明中，所述钒和三氧化钼的摩尔比优选为（1~5）:（20~200），更优选为（2~3）:（50~150），最优选为2.5:100。本发明对所述钒，三氧化钼和有机溶剂的来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。

在本发明中，所述包括钒和三氧化钼的混合有机溶液优选还包括调粘聚合物，所述调粘聚合物的质量优选不高于所述钒和三氧化钼总质量的0.5%，进一步优选为0.2~0.3%。在本发明中，所述调粘聚合物优选包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。本发明对所述聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯的来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。

在本发明中，所述包括三苯基二胺聚合物（poly-TPD）的有机溶液中poly-TPD的质量和有机溶剂的体积比为（5~10）mg：（1~2）mL，优选为（6~8）mg：（1~2）mL。在本发明中，所述包括poly-TPD的有机溶液中有机溶剂优选包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中的一种或多种。本发明对所述poly-TPD、氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯的来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。

在本发明中，所述包括poly-TPD的有机溶液优选还包括调粘聚合物，所述调粘聚合物的质量优选不高于所述poly-TPD质量的0.5%，进一步优选为0.2~0.3%。在本发明中，所述调粘聚合物与上述技术方案中的调粘聚合物一致，在此不再赘述。

在本发明中，所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为（5~25）mg：（1~2）mL，优选为（10~20）mg：1mL，进一步优选为（15~20）mg：1mL。在本发明中，所述量子点优选为II-IV族化合物半导体，III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体或I-III-VI族半导体，进一步优选为ZnS、CdSe、HgTe、ZnSe、HgSe、CdS、ScNb和YNb的一种或多种；所述量子点的形态优选为纳米晶结构。本发明对所述量子点的具体来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的即可。

在本发明中，所述包括量子点的有机溶液中有机溶剂优选包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。在本发明中，所述包括量子点的有机溶液优选还包括调粘聚合物，所述调粘聚合物的质量优选不高于所述poly-TPD质量的0.05%，进一步优选为0.02~0.03%。在本发明中，所述调粘聚合物与上述技术方案中的调粘聚合物一致，在此不再赘述。

在本发明中，所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和溶剂的体积比为（10~20）mg：（1~3）mL，优选为（12~18）mg：（1.5~2.5）mL，更优选为15mg：2mL。在本发明中，所述氧化锌优选为纳米氧化锌；所述氧化锌的粒径优选为

5~95nm，进一步优选为10~60nm，更优选为20nm。本发明对所述氧化锌的来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的氧化锌即可。

在本发明中，所述包括氧化锌的有机溶液中有机溶剂优选包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。本发明对所述乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇的来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的即可。在本发明中，所述包括氧化锌的有机溶液优选还包括调粘聚合物，所述调粘聚合物的质量优选不高于所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌质量的0.5%，进一步优选为0.2~0.3%。在本发明中，所述调粘聚合物与上述技术方案中的调粘聚合物一致，在此不再赘述。

本发明将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括poly-TPD的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底表面打印，得到初级量子点发光二极管。

在本发明中，所述导电基底优选包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种。在本发明中，所述金属氧化物优选包括氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的一种或多种；所述金属单质优选包括金属纳米线或金属网(metal mesh)，更优选包括银纳米线、金纳米线、铜纳米线，铜镍金属网、金纳米金属网、铜纳米金属网中的一种或者多种；所述含碳材料优选包括石墨烯、碳纳米管和碳纳米线中的一种或多种。

当本发明制备柔性量子点发光二极管时，所述导电基底优选采用ITO导电玻璃。本发明对所述ITO导电玻璃的具体来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。

在本发明中，所述打印前优选还包括对所述导电基底的清洗处理，去除导电基底上灰尘，助于墨水的粘结。本发明对所述清洗处理没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的基底材料表面的清洗方式即可。

在本发明中，在本发明中，所述包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液经匀胶机旋涂方法得到空穴注入层；所述包括poly-TPD的有机溶液经匀胶机旋涂方法得到空穴传输层；所述包括量子点有机溶液经匀胶机旋涂方法得到量子点发光层；所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂方法得到电子传输层。

在本发明中，包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比优选为1:1:1:1。

在本发明中，所述匀胶机旋涂方法。本发明对所述匀胶机旋涂的具体实施方式没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的旋涂操作方式即可。

在本发明中，所述旋涂优选为：采用匀胶机旋涂方法将所述包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液在所述导电基底表面旋涂得到空穴注入层；采用匀胶机旋涂方法将所述包括poly-TPD的有机溶液在所述空穴注入层表面旋涂得到空穴传输层；采用匀胶机旋涂方法将所述包括量子点的有机溶液在所述空穴传输层表面旋涂得到量子点发光层；采用匀胶机旋涂方法将所述包括氧化锌的有机溶液在所述量子点发光层表面旋涂得到电子传输层。

在本发明中，所述每层旋涂后优选还包括对相应旋涂层的干燥处理。在本发明中，所述每层打印后的干燥的时间独立地优选为30min，所述每次旋涂后的干燥的温度独立地优选为80~150℃。在本发明中，所述干燥有助于有机溶剂的挥发，避免有机溶剂对量子点发光过程中对发光效率的影响。本发明对所述干燥的具体实施方式没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的干燥实施方式即可。

得到所述初级量子点发光二极管后，本发明在所述得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极，得到量子点发光二极管。本发明优选在所述电子传输层表面蒸镀阴极，得到量子点发光二极管。在本发明中，所述蒸镀的真空度优选为1×10^-6~9×10^-6Pa，进一步优选为6×10^-6~8×10^-6Pa；在本发明中，所述蒸镀的温度优选为200~1200℃，进一步优选为300~1000℃，更优选为400~500℃。

在本发明中，所述阴极优选包括铝、银、铜和钙中的一种或多种；在本发明中，所述阴极进一步优选为银铜合金或银铝合金；当阴极采用合金的形式时，本发明对所述合金中不同组分的含量没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的相应合金即可。

本发明还提供了上述技术方案所述的制备方法得到的量子点发光二极管。在本发明中，所述量子点发光二极管，包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述空穴注入层经混合有机溶液匀胶机旋涂得到；所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液匀胶机旋涂得到；所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到。量子点发光二极管结构示意图如图1所示

在本发明中，所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地优选为0.01~0.03mm，进一步优选为0.02~0.025mm；在本发明中，所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度比优选为1:1:1:1。

为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的量子点发光二极管及其制备方法进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。

实施例1

将Poly-TPD与氯代苯按6mg/ml比例配好，得到Poly-TPD有机溶液；将量子点正辛烷溶液按15mg/ml比例配好，得到量子点溶液；将ZnO与乙醇按10 mg/ml比例配好，得到氧化锌溶液；将掺杂少量钒的三氧化钼与乙醇按11：100比例配好，得到掺杂少量钒的三氧化钼溶液，其中钒和三氧化钼的质量比为3：100；

将获得的掺杂少量钒的三氧化钼溶液、Poly-TPD溶液、量子点溶液和氧化锌溶液顺次旋涂现在玻璃基底上，然后依次烘烤，在烘烤过程中实现有机溶剂的挥发，得到0.01mm空穴注入层、0.01mm空穴传输层、0.01mm量子点发光层和0.01mm电子传输层初级量子点发光二极管；其中，掺杂少量钒的三氧化钼溶液、Poly-TPD溶液、量子点溶液和氧化锌溶液的旋涂量体积比为1:1:1:1。

在真空度为9×10^-6Pa，温度为1000℃下，在电子传输层表面蒸镀银阴极，阴极极厚度为0.01mm，得到量子点发光二极管。

实施例2

将Poly-TPD与氯代苯按6mg/ml比例配好，得到Poly-TPD油墨；将量子点正己烷溶液按15mg/ml比例配好，得到量子点油墨；将ZnO乙醇溶液按10 mg/ml比例配好，得到氧化锌油墨；将掺杂少量钒的三氧化钼与乙醇按15：100比例配好，得到掺杂少量钒的三氧化钼溶液，其中钒和三氧化钼的质量比为5：100；

将获得的掺杂少量钒的三氧化钼溶液、Poly-TPD溶液、量子点溶液和氧化锌溶液顺次旋涂现在玻璃基底上，然后依次烘烤，在烘烤过程中实现有机溶剂的挥发，得到0.02mm空穴注入层、0.02mm空穴传输层、0.02mm量子点发光层和0.02mm电子传输层初级量子点发光二极管；其中，掺杂少量钒的三氧化钼溶液、Poly-TPD溶液、量子点溶液和氧化锌溶液的旋涂量体积比为1:1:1:1。

在真空度为9×10^-6Pa，温度为1000℃下，在电子传输层表面蒸镀锌阴极，阴极极厚度为0.01mm，得到量子点发光二极管。

实施例3

将Poly-TPD与氯代苯按6mg/ml比例配好，按照Poly-TPD质量的0.02%，添加聚乙醇，得到Poly-TPD油墨；将量子点正己烷溶液按5mg/ml比例配好，按照量子点质量的0.02%添加聚乙醇，得到量子点油墨；将ZnO乙醇溶液按20 mg/ml比例配好，按照氧化锌质量的0.02%添加聚乙醇，得到氧化锌油墨；将掺杂少量钒的三氧化钼与乙醇按13：100比例配好，得到掺杂少量钒的三氧化钼溶液，其中钒和三氧化钼的质量比为2.5：100；

将获得的掺杂少量钒的三氧化钼溶液、Poly-TPD溶液、量子点溶液和氧化锌溶液顺次旋涂现在玻璃基底上，然后依次烘烤，在烘烤过程中实现有机溶剂的挥发，得到0.02mm厚空穴注入层、0.02mm空穴传输层、0.02mm量子点发光层和0.02mm电子传输层初级量子点发光二极管；其中，掺杂少量钒的三氧化钼溶液、Poly-TPD溶液、量子点溶液和氧化锌溶液的旋涂量体积比为1:1:1:1。

对比例1：

按照实施例1的原料比例配制溶液，将配好的溶液逐层旋涂在导电玻璃导电层上。

旋涂过程均在手套箱的氩气惰性气氛(O₂<1ppm，H₂O<1ppm)下进行：

将三氧化钼溶液，以2000r/s的速度旋涂40s在导电玻璃上，然后在150℃条件下干燥30min，得到厚度为0.01mm的空穴注入层；

在空穴注入层表面旋涂Poly-TPD氯代苯溶液，按照2000r/s的速率旋涂40s，放入真空干燥箱120℃下干燥20min，得到厚度为0.01mm的空穴传输层；

在空穴传输层表面旋涂的CdSe量子点的正辛烷溶液，以2500r/s的速率旋涂50s，在80℃烘干10min，得到厚度为0.01mm的量子点发光层；

在量子点发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，以2000r/s的速率旋涂40秒，随后在60℃烘干30min，得到厚度为0.01mm的电子传输层；

对比例2：

按照实施例2的原料配制旋涂液，依据对比例1的方法进行旋涂制备量子点发光二极管。

对比例3

按照实施例3的原料配制旋涂液，依据对比例1的方法进行旋涂制备量子点发光二极管。

将实施例1~3制备得到的发光二极管和对比例1~3制备得到的发光二极管进行发光强度、光照度以及色域的试验测试，测试结果如表1所示。

制备的电致发光二极管进行发光强度，光照度和色域试验，将测试结果与采用传统方法制备的硬质电致发光二极管测试结果进行对比如下：

表1实施例1~3和对比例1~3制备得到的发光二极管的测试结果对照表

	发光强度（cd）	光照度（lux）	色域
				实施例1	165	52	110%NTSC CIE
实施例2	167	50	110%NTSC CIE
				实施例3	169	49	110%NTSC CIE
对比例1	165	47	110%NTSC CIE
				对比例2	157	46	110%NTSC CIE
对比例3	155	47	110%NTSC CIE

由表1中实施例1和实施例2的结果对照可知，量子点正辛烷溶液的浓度越高，二极管的发光效果越好；实施例1和实施例3的结果对照可知，ZnO乙醇溶液浓度越高，二极管发光效果越好。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，并非对本发明作任何形式上的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

（1）将包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过匀胶机旋涂方法顺次在导电基底旋涂成膜，得到初级量子点发光二极管；

所述包括掺杂少量钒的三氧化钼溶液的三氧化钼和钒的质量比为1：（0.01~0.1），溶质与有机溶剂质量比为（1~5）：100；

所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为（5~10）mg：（1~2）mL；

2.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述三苯基二胺聚合物的有机溶液中有机溶剂包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点的有机溶液中有机溶剂包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述氧化锌的有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中包括掺杂少量钒的三氧化钼有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比为1:1:1:1。

7.根据权利要求1~6任一项所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中各溶液独立地还包括调粘聚合物，所述调粘度聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中各溶液中调粘聚合物的质量不高于相应溶液中溶质质量的0.05%。

9.权利要求8任一项所述制备方法得到的量子点发光二极管，包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述空穴注入层经混合有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到。

10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地为0.01~0.03mm。