CN108963087A - 量子点电致发光器件及显示器 - Google Patents

量子点电致发光器件及显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN108963087A
CN108963087A CN201711229119.6A CN201711229119A CN108963087A CN 108963087 A CN108963087 A CN 108963087A CN 201711229119 A CN201711229119 A CN 201711229119A CN 108963087 A CN108963087 A CN 108963087A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electron transfer
transfer layer
quanta point
electroluminescent device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711229119.6A
Other languages
English (en)
Inventor
魏雄伟
李哲
谢相伟
黄航
宋晶尧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd filed Critical Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority to CN201711229119.6A priority Critical patent/CN108963087A/zh
Priority to PCT/CN2018/118273 priority patent/WO2019105431A1/zh
Publication of CN108963087A publication Critical patent/CN108963087A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种量子点电致发光器件，包括依次层叠第一电极层、发光层、第二电极层；所述发光层与第二电极层之间设置第一电子传输层、第二电子传输层；所述第一电子传输层的材料包括无机金属氧化物传输材料，所述第二电子传输层的材料包括有机电子传输材料。本发明将两种不同材料的电子传输层叠加使用，减弱了空穴迁移率与电子迁移率之间的差异，实现了载流子的平衡，电流效率得到了大幅提升，可应用于固态照明、平板显示等领域。

Description

量子点电致发光器件及显示器
技术领域
本发明涉及量子点领域，特别是涉及量子点电致发光器件及显示器。
背景技术
量子点是具有量子限制效应的纳米尺寸半导体材料，受到光或电的激发，量子点便会发出非常纯净的光，具有发光量子效率高、性能稳定等特点。利用量子点电致发光特性制作的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。
通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED器件的性能得到了大幅度的提高，但是其发光效率与产业化生产的要求还有一定差距。除了电极以外，目前典型的量子点发光二极管的结构是一个空穴传输层，一个量子点发光层，一个电子传输层。采用这种多层结构，电子与空穴传输速率不同，导致正负载流子的不平衡。载流子的不平衡是影响QLED器件性能的重要因素之一，特别是对QLED器件发光效率和寿命的影响。如何获得有效的载流子平衡，进一步提升QLED器件的性能，仍然是当前学术界和产业界研发的重点。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种控制电子传输速率，进而实现载流子平衡的量子点电致发光器件及显示器。
本发明提供一种量子点电致发光器件，包括层叠设置的第一电极层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、第二电极层；
所述第一电子传输层的材料包括无机金属氧化物，所述第二电子传输层的材料包括有机电子传输材料。
在其中一个实施例中，所述无机金属氧化物为一元金属氧化物和多元金属氧化物中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述多元金属氧化物选自氧化锌镁、氧化锌锡、氧化锌铝、氧化锌钙、氧化锌钨、氧化锌钛、氧化锌镍、ZnO-TiO2-SnO2和ZnO-MgO-TiO2的一种或几种；和/或
所述一元金属氧化物选自ZnO、MgO、TiO2、SnO2、ZrO2、HfO2或Ta2O3的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述第一电子传输层还包括高分子材料PEIE。
在其中一个实施例中，所述有机电子传输材料选自NBphen、TPBi、Bpy-FOXD、BP4mPy、BTB、BIPO、3TPYMB、PBD、BAlq、PEIE、Bphen、TmPyPB和BCP的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述第二电子传输层还包括掺杂材料，所述掺杂材料选自金属、金属无机盐或有机金属配合物；和/或
所述掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的1％-60％。
在其中一个实施例中，所述金属选自Li、Na、K、Rb、Cs或Yb；和/或
所述金属无机盐选自Li2CO3、K2SiO3、Rb2CO3或Cs2CO3；和/或
所述有机金属配合物选自LiQ、AlQ3。
在其中一个实施例中，所述掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的40％-60％。
在其中一个实施例中，所述第一电子传输层的厚度为1-150nm；和/或
所述第二电子传输层的厚度为1-150nm。
在其中一个实施例中，还包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层和电子注入层的一层或多层。
本发明的另一个目的是提供一种显示器，包括上述量子点电致发光器件。
与现有方案相比，本发明具有以下有益效果：
上述量子点电致发光器件，在发光层与第二电极层之间设置两层电子传输层，第一电子传输层包括无机金属氧化物材料，第二电子传输层包括有机电子传输材料。两种不同材料的电子传输层叠加使用，可有效的控制电子迁移率。
通过上述对电子传输层的改进，减弱了空穴迁移率与电子迁移率之间的差异，实现了载流子的平衡，使电流效率得到了大幅提升。无机金属氧化物材料或有机电子传输材料单独使用时，均无法有效提升电流效率，若将金属氧化物和有机电子传输材料按比例混合，将混合后的材料作为电子传输层材料，在寻找合适的溶剂与电子传输层成膜制备工艺的选择上存在较大的困难，且器件的效率较低。
本申请优选多元金属氧化物氧化锌镁作为第一电子传输材料，优选掺杂有机金属配合物LiQ的有机电子传输材料作为第二电子传输层，使量子点电致发光器件中电子迁移率与空穴迁移率达到平衡，获得较好的电流效率。同时，减少了器件中的空间电荷积累，保持量子点较好的电中性，提高了量子点电致发光的效率，可应用于固态照明、平板显示等领域。
附图说明
图1为本发明实施例1的结构示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的量子点电致发光器件作进一步详细的说明。
本发明一个实施方式的量子点电致发光器件的结构包括层叠设置的第一电极层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层和第二电极层。
第一电极层为阳极层。可以理解的，阳极材料可以是透明的，也可以是不透明的，可选自ITO、AZO、TZO、纳米银线薄膜或石墨烯等。优选的，阳极材料为ITO，厚度为100-150nm。
发光层为量子点发光层，从阳极方向传输的空穴与阴极方向传输来的电子在量子点层中汇聚后形成光子，通过光子的重组发光。因此，空穴的迁移率与电子的迁移率是否平衡，对量子点电致发光器件的发光效率有较大的影响。可以理解的，量子点材料可选择为CdSe(硒化镉)、CdS(硫化镉)、CdTe(碲化镉)、ZnSe(硒化锌)、ZnTe(碲化锌)、ZnS(硫化锌)等。可以通过改变粒径尺寸和化学成分对量子点的光谱进行调控。进一步的，为了增强量子点的发光效率和化学稳定性，发展了核/壳结构的量子点。优选的，量子点材料为CdSe/CdS核壳结构，即以CdSe为核、CdS为壳的纳米晶体半导体材料。可提高量子点的稳定性和量子产额。
第一电子传输层位于发光层上，材料包括无机金属氧化物，加入金属氧化物，由于其光化学性质稳定，有利于提高量子点电致发光器件的稳定性，且金属氧化物的电子迁移率高，与量子点的能级匹配。无机金属氧化物可以为一元金属氧化物，例如ZnO、MgO、TiO2、SnO2、ZrO2、HfO2或Ta2O3的一种或几种。无机金属氧化物也可以为多元金属氧化物，例如氧化锌镁、氧化锌锡、氧化锌铝、氧化锌钙、氧化锌钨、氧化锌钛、氧化锌镍、ZnO-TiO2-SnO2和ZnO-MgO-TiO2的一种或几种。优选的，第一电子传输层的材料为多元金属氧化物氧化锌镁。
进一步的，第一电子传输层还可为无机金属氧化物与高分子材料PEIE的组合。PEIE为聚乙氧基乙烯亚胺。
第二电子传输层位于第一电子传输层上，材料包括有机电子传输材料。可以理解的，有机电子传输材料选自有机小分子材料NBphen、Bphen、TPBi、Bpy-FOXD、BP4mPy、BTB、BIPO、3TPYMB、PBD、BAlq、TmPyPB和BCP的一种或几种。其中，TmPyPB为1,3,5-三(间-吡啶-3-基苯基)苯；BCP为浴铜灵；进一步的，有机电子传输材料还可以为有机高分子材料PEIE。
优选的，第二电子传输层还包括掺杂材料，所述掺杂材料选自金属、金属无机盐或有机金属配合物。
优选的，金属选自Li、Na、K、Rb、Cs或Yb；金属无机盐选自Li2CO3、K2SiO3、Rb2CO3或Cs2CO3；有机金属配合物选自LiQ、AlQ3。
进一步优选的，掺杂材料为LiQ，LiQ为八羟基喹啉锂。
掺杂掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的1％-60％。
优选的，掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的40％-60％。上述掺杂比例有利于提高第二电子传输层的载流子浓度、迁移率和导电率。
需要注意的是，若量子点发光层若与纯有机电子传输层直接接触，在不施加外部电压的情况下，会自动发生电荷转移，使量子点带上电荷，造成其发光效率的下降。
第二电极层位于第二电子传输层上。可以理解的，第二电极层为阴极层。第二电极层的材料选自但不限于银、铝或银基合金等。
上述实施方式通过设置两层电子传输层，可控制电子的迁移率。进而减弱电子与空穴的迁移率的差异。
本发明的另一实施方式的量子点电致发光器件的结构包括上述第一电极层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层和第二电极层，还包括基板和空穴传输层。
基板用于承载其他结构层。基板可以是刚性基板或柔性基板。刚性基板可以是陶瓷材质或各类玻璃材质等。柔性基板可以是聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等。
空穴传输层位于第一电极层上方，作用是传输空穴，使空穴到达发光层，可以理解的，空穴传输层的材料可以为聚四苯基联苯胺或聚乙烯咔唑等。优选的，空穴传输层的材料为TFB，TFB为聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]；
加入空穴传输层后，电子、空穴的迁移率之间的差异进一步减弱，更好的实现了载流子的平衡，电流效应更好。
本发明的另一个实施方式的量子点电致发光器件的结构包括基板、第一电极层、空穴传输层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层和第二电极层。还包括空穴注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层和电子注入层的一层或多层。
空穴注入层位于基板和第一电极层的上方，空穴注入层可提供空穴。优选的，空穴注入层的材料为PEDOT:PSS，PEDOT:PSS是一种高分子聚合物的水溶液，导电率很高，根据不同的配方，可以得到导电率不同的水溶液。该化合物是由PEDOT和PSS两种物质构成。PEDOT是EDOT(3，4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。
空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层和电子阻挡层为辅助膜层，是为了更进一步提高发光功能层的发光效率。
上述量子点电致发光器件的各功能层均可通过溶液法进行加工成膜，所述溶液法包括但不限于喷墨打印、旋涂、狭缝涂布和丝网印刷等工艺，除量子点之外的其他功能层还能采用真空热镀蒸发工艺形成薄膜。
实施例1
本实施例提供一种量子点电致发光器件，结构如图1所示，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为ZnO；第二电子传输层106的材料为TmPyPB:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是ZnO，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料TmPyPB和掺杂材料LiQ(TmPyPB:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例2
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为MgO；第二电子传输层106的材料为TmPyPB:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是MgO，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料TmPyPB和掺杂材料LiQ(TmPyPB:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例3
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为TiO2；第二电子传输层106的材料为Bphen:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是TiO2，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料Bphen和掺杂材料LiQ(Bphen:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例4
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为ZnO；第二电子传输层106的材料为BCP:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是ZnO，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料BCP和掺杂材料LiQ(BCP:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例5
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为MgO；第二电子传输层106的材料为BCP:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是MgO，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料BCP和掺杂材料LiQ(BCP:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例6
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为ZnMgO；第二电子传输层106的材料为BCP:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是ZnMgO，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料BCP和掺杂材料LiQ(BCP:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例7
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠第一电极层101、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为ZnO-TiO2-SnO2；第二电子传输层106的材料为TmPyPB:LiQ。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(3)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是ZnO-TiO2-SnO2，第一电子传输层的厚度为20nm；
(4)通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料TmPyPB和掺杂材料LiQ(TmPyPB:LiQ＝1:1)，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(5)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例8
本实施例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次层叠基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、第一电子传输层105、第二电子传输层106和第二电极层107；
第一电子传输层105的材料为ZnMgO和PEIE；第二电子传输层106的材料为PEIE。
本实施例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积第一电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得到第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料是ZnMgO和PEIE(ZnMgO:PEIE＝1:9)，第一电子传输层的厚度为20nm；
(6)通过蒸镀的方式蒸镀有机电子传输材料PEIE，在所述第一电子传输层上制作第二电子传输层，第二电子传输层的厚度为40nm；
(7)在第二电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例9
本实施例提供一种量子点电致发光器件，电致发光器件的结构与实施例7基本相同，区别点在于，在第一电极层与发光层之间设置有空穴传输层，空穴传输层的材料为TFB。
对比例1
本对比例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次包括基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105和第二电极层107；
电子传输层105的材料为ZnO。
本对比例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上沉积电子传输层材料，然后在氮气氛围下120℃下烘烤30分钟，得电子传输层，所述电子传输层的材料是ZnO，电子传输层的厚度为20nm；
(6)在所述电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
对比例2
本对比例提供一种量子点电致发光器件，从下而上依次包括基板100、第一电极层101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层106和第二电极层107；
电子传输层106的材料为TmPyPB:LiQ。
本对比例的量子点电致发光器件的制备过程如下：
(1)将含有ITO(120nm)透明电极的玻璃衬底用去离子水和异丙醇清洗且连续超声处理25分钟，然后用氮***吹干液体，在UV-O下处理20分钟，以清洁ITO的表面，并且提升ITO的功函数；
(2)在所述玻璃衬底上沉积空穴注入层材料，然后在空气中145℃烘烤20分钟，得到空穴注入层，所述空穴注入层的材料是PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)在所述空穴注入层上沉积空穴传输层材料，然后在氮气氛围下110℃烘烤30分钟，得到空穴传输层，所述空穴传输层的材料是TFB，空穴传输层的厚度为25nm；
(4)在所述空穴传输层上沉积量子点材料，然后在氮气氛围下150℃烘烤20分，得到量子点发光层，其中量子点为CdSe/CdS核壳结构，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)在所述量子点发光层上，通过蒸镀的方式同时蒸镀有机电子传输材料TmPyPB和掺杂材料LiQ(TmPyPB:LiQ＝1:1)，电子传输层的厚度为40nm；
(6)在电子传输层上蒸镀Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
对比例3
本对比例提供一种量子点电致发光器件，电致发光器件的结构与实施例8基本相同，区别在于，第一电子传输层的材料为ZnMgO和TmPyPB(ZnMgO:TmPyPB＝1:9)。
本对比例的量子点电致发光器件的制备过程与实施例8相同。
对比例4
本对比例提供一种量子点电致发光器件，电致发光器件的结构与对比例3基本相同，区别点在于，第二电子传输层的材料为TmPyPB。
本对比例的量子点电致发光器件的制备过程与对比例3相同。
对比例5
本对比例提供一种量子点电致发光器件，电致发光器件的结构与实施例7基本相同，区别点在于，不含有第一电子传输层，仅含有第二电子传输层，第二电子传输层的材料为TmPyPB:LiQ。
本对比例的量子点电致发光器件的制备过程与实施例7相同，不含第一电子传输层的制备步骤。
将上述实施例及对比例的量子点电致发光器件在电流密度为10mA/cm2的条件下测试器件电流效率，并将对比例3的电流效率归一化为1，得到相应的电流效率值，其结果如下：
由上表可知，单独使用无机金属氧化物材料与有机电子传输材料作为电子传输层材料时，电流效率相对较低，无机金属氧化物材料与有机电子传输材料两层电子传输层叠加使用，电流效率较高，特别的，ZnMgO对电流效率的提高作用明显。
实施例8中，在第一电子传输层中加入有机高分子材料PEIE，可提高电流效应。但是对比例3和对比例4中，在第一电子传输层中添加有机小分子材料TmPyPB时，电流效应较差。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极层、发光层、第一电子传输层、第二电子传输层、第二电极层；
所述第一电子传输层的材料包括无机金属氧化物，所述第二电子传输层的材料包括有机电子传输材料。
2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述无机金属氧化物为一元金属氧化物和多元金属氧化物中的一种或几种。
3.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述多元金属氧化物选自氧化锌镁、氧化锌锡、氧化锌铝、氧化锌钙、氧化锌钨、氧化锌钛、氧化锌镍、ZnO-TiO2-SnO2和ZnO-MgO-TiO2中的一种或几种；和/或
所述一元金属氧化物选自ZnO、MgO、TiO2、SnO2、ZrO2、HfO2和Ta2O3的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层还包括高分子材料PEIE。
5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述有机电子传输材料选自NBphen、TPBi、Bpy-FOXD、BP4mPy、BTB、BIPO、3TPYMB、PBD、BAlq、PEIE、Bphen、TmPyPB和BCP的一种或几种。
6.根据权利要求1-4任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述第二电子传输层还包括掺杂材料，所述掺杂材料选自金属、金属无机盐或有机金属配合物；和/或
所述掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的1％-60％。
7.根据权利要求6所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述金属选自Li、Na、K、Rb、Cs或Yb；和/或
所述金属无机盐选自Li2CO3、K2SiO3、Rb2CO3或Cs2CO3；和/或
所述有机金属配合物选自LiQ、AlQ3。
8.根据权利要求6所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述掺杂材料占所述第二电子传输层总质量的40％-60％。
9.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为1-150nm；和/或
所述第二电子传输层的厚度为1-150nm。
10.根据权利要求7-9任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，还包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层和电子注入层的一层或多层。
11.一种显示器，包括权利要求1-9任一项所述的量子点电致发光器件。
CN201711229119.6A 2017-11-29 2017-11-29 量子点电致发光器件及显示器 Pending CN108963087A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711229119.6A CN108963087A (zh) 2017-11-29 2017-11-29 量子点电致发光器件及显示器
PCT/CN2018/118273 WO2019105431A1 (zh) 2017-11-29 2018-11-29 量子点电致发光器件及显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711229119.6A CN108963087A (zh) 2017-11-29 2017-11-29 量子点电致发光器件及显示器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108963087A true CN108963087A (zh) 2018-12-07

Family

ID=64495557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711229119.6A Pending CN108963087A (zh) 2017-11-29 2017-11-29 量子点电致发光器件及显示器

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108963087A (zh)
WO (1) WO2019105431A1 (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111276584A (zh) * 2020-02-18 2020-06-12 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点发光器件、显示装置及电子传输材料溶液
CN111384254A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
CN111384257A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点电致发光器件及显示器
CN111384279A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
WO2020232769A1 (zh) * 2019-05-22 2020-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电子传输层墨水及其制备方法、电致发光器件
WO2020245924A1 (ja) * 2019-06-04 2020-12-10 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス
CN112151648A (zh) * 2020-10-27 2020-12-29 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2021002021A1 (ja) * 2019-07-04 2021-01-07 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造方法
CN112786799A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 广东聚华印刷显示技术有限公司 倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置
CN113594381A (zh) * 2020-08-14 2021-11-02 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制备方法和发光装置
CN113611805A (zh) * 2020-08-14 2021-11-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制备方法和发光装置
WO2022143827A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143960A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143821A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143825A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143826A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143830A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143823A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
CN114725294A (zh) * 2022-03-16 2022-07-08 合肥福纳科技有限公司 量子点发光器件及其制备方法、显示装置
CN114883507A (zh) * 2022-05-07 2022-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件、有机发光器件的制作方法以及显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112366278A (zh) * 2020-10-23 2021-02-12 陕西科技大学 复合传输层及其应用和有机太阳能电池模组的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2710312Y (zh) * 2004-07-13 2005-07-13 北京交通大学 新型有机薄膜电致发光器件
CN101937975A (zh) * 2010-08-20 2011-01-05 电子科技大学 一种有机/无机复合发光二极管及其制备方法
CN105322098A (zh) * 2015-11-03 2016-02-10 Tcl集团股份有限公司 一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管及制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100922759B1 (ko) * 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR102084170B1 (ko) * 2013-07-25 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN104681731B (zh) * 2015-02-09 2018-03-06 南京工业大学 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法
KR102470303B1 (ko) * 2015-10-27 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2710312Y (zh) * 2004-07-13 2005-07-13 北京交通大学 新型有机薄膜电致发光器件
CN101937975A (zh) * 2010-08-20 2011-01-05 电子科技大学 一种有机/无机复合发光二极管及其制备方法
CN105322098A (zh) * 2015-11-03 2016-02-10 Tcl集团股份有限公司 一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管及制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YING-LI SHI: "《High performance blue quantum dot light-emitting diodes employing polyethylenimine ethoxylated as the interfacial modifier》", 《NANOSCALE》 *

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111384254A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
CN111384254B (zh) * 2018-12-27 2021-09-14 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
CN111384257A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点电致发光器件及显示器
CN111384279B (zh) * 2018-12-29 2021-06-22 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
CN111384279A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
WO2020232769A1 (zh) * 2019-05-22 2020-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电子传输层墨水及其制备方法、电致发光器件
WO2020245924A1 (ja) * 2019-06-04 2020-12-10 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス
WO2021002021A1 (ja) * 2019-07-04 2021-01-07 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造方法
CN111276584A (zh) * 2020-02-18 2020-06-12 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点发光器件、显示装置及电子传输材料溶液
CN113594381A (zh) * 2020-08-14 2021-11-02 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制备方法和发光装置
CN113611805A (zh) * 2020-08-14 2021-11-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制备方法和发光装置
CN112151648B (zh) * 2020-10-27 2022-08-12 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112151648A (zh) * 2020-10-27 2020-12-29 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2022143821A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143960A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143827A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143825A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143826A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143830A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
WO2022143823A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 光电器件
CN112786799A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 广东聚华印刷显示技术有限公司 倒置发光器件及其制备方法、显示装置以及固态照明装置
CN114725294A (zh) * 2022-03-16 2022-07-08 合肥福纳科技有限公司 量子点发光器件及其制备方法、显示装置
CN114883507A (zh) * 2022-05-07 2022-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件、有机发光器件的制作方法以及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019105431A1 (zh) 2019-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108963087A (zh) 量子点电致发光器件及显示器
US10673009B2 (en) Planar electroluminescent devices and uses thereof
US20210013438A1 (en) Quantum dot light-emitting diode and preparation method therefor, and light-emitting module and display apparatus
CN107852793B (zh) 有机薄膜层叠体及有机电致发光元件
CN104681731A (zh) 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法
CN107565033A (zh) 氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件
CN107359256B (zh) 抗蓝光衰减的显示器件及显示装置
US10566565B2 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same, and display device
CN102315390A (zh) 电致发光器件及其制备方法
CN101919082B (zh) 有机电致发光元件
CN105261706A (zh) 一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法
CN107331783A (zh) 一种自由基双重态敏化荧光有机电致发光器件
CN112467058B (zh) 一种三元激基复合物复合材料主体及其oled器件制备
CN105762294A (zh) 利用铱配合物的白光有机电致发光器件及其制备方法
CN114883506A (zh) 钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置
US8791487B2 (en) Zinc oxide-containing transparent conductive electrode
CN107968153A (zh) 一种oled器件及制备方法
WO2023193427A1 (zh) 一种发光器件及其制备方法、显示装置
Rao et al. Cesium carbonate as an effective interfacial layer on the high performance of polymer light-emitting devices
CN103824954A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104733637A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN115893495A (zh) 氧化钨纳米材料及其制备方法、空穴功能薄膜及光电器件
CN116997237A (zh) 一种光电器件及其制备方法、显示装置
CN115968214A (zh) 一种空穴传输薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置
CN105789470A (zh) 一种白光有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181207

RJ01 Rejection of invention patent application after publication