CN107660114A - 一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法 - Google Patents

一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法 Download PDF

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贾艳
刘毅
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    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding

Abstract

本发明公开了一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:步骤1,配置二硫化钼反应溶液;步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合;步骤3,采用水热反应制备二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体;步骤4,将步骤3制备的二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体洗涤后烘干,即可得到二硫化钼/MXene层状复合吸波材料。本发明生产成本低、工艺简单,制备出的吸波材料性能优异。

Description

一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法
技术领域
本发明属于复合材料制备技术领域,具体涉及一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法。
背景技术
随着微波和通讯技术的飞速发展,日趋严峻的电磁污染问题的出现以及军事设施隐身的迫切需要,微波吸收、屏蔽材料及其技术研究与应用受到了广泛关注。
近年来随着人们生活水平的提高和科技的进步,越来越多的电器进了人们的生活和工作中,给人们带来了极大的便利同时随着电磁波在电器中的应用日益扩大,如微波炉、电磁炉、手机、无线局域网、微波加工设备、医疗设备等,由电磁波辐射产生的危害也越来越无形的接近我们。首先,电磁辐射危害人体健康和生命安全。人体是个导体,电磁辐射作用于人体可产生电磁感应,使体内非极性分子带上极性,导致细胞功能异常甚至诱导变异细胞产生,使人体电生理平衡失调,内分泌紊乱,最终导致神经衰弱、儿童发育不良、癌症、不育、失明等。其次,电磁辐射危害周围环境。电磁辐射可造成空间电波噪声,干扰位于这个区域范围内的各种电子设备正常工作,还危害动植物生长。有研究表明,在长时间的电磁辐射环境下,动植物的正常生长会受到影响。因此研究并利用吸波材料对电磁辐射进行吸收,将电磁波吸收转化成热能,减少电磁辐射的危害具有积极的意义。
目前,吸波材料按照结构可以分为Salisbury屏吸收体、Dallenbach吸收体、多层匹配吸波材料、Jaumman吸收体,若想实现使吸波材料具有轻质、薄层、多频段、宽频带等优异的性能,Salisbury屏吸收体、Dallenbach吸收体和多层匹配吸波材料无法从结构方面实现,而Jaumann吸收体由于其结构特点,有望成为实现综合性能优异的吸波材料。同时,通过挑选合适的吸波材料,并使其纳米化和复合化,与Jaumann吸收体的结构特点相结合,制备获得层状吸波复合材料,使入射到材料表面的电磁波尽可能多的进入到材料的内部,并能够迅速被完全衰减掉,从而达到良好的吸波性能。而二硫化钼/MXene层状复合吸波材料则属于Jaumman吸收体,结合MXene的纳米结构和二硫化钼相复合,有望实现综合性能良好的吸波材料。
发明内容
本发明的目的是提供一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,生产成本低、工艺简单,制备出的吸波材料性能优异。
本发明所采用的技术方案是,一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,具体步骤为:
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;
步骤2,将步骤1配制的二硫化钼反应溶液与MXene材料混合;
步骤3,采用水热反应制备二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体;
步骤4,将步骤3制备的二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体洗涤后烘干,即可得到二硫化钼/MXene层状复合吸波材料。
本发明的特点还在于:
步骤1中配置二硫化钼反应溶液:所用的原料为二水钼酸钠和硫代乙酰胺,两者的摩尔比例为1:2~4,将两者的混合物溶于去离子水中,保证混合后溶液的质量浓度为10%~30%;
步骤2的具体实施方法为:在步骤1配置的反应溶液中加入MXene材料,并用超声波分散1~6小时,加入乙酸来控制混合后溶液的PH值,保证混合后溶液的PH值的范围为3~5;
步骤3的具体实施方法为:将步骤2配置的溶液迅速转入容积为50~200毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在160~200℃下在电热恒温干燥箱中保留16~36小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4的具体实施方法为:将步骤3制备的悬浊液溶液100~150度烘干后,用去离子水洗涤3~5次,再在100~150度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
本发明的有益效果是:
1.本发明二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,以二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者混合后溶于去离子水中;加入Mxene材料,采用超声波分散后,通过乙酸控制其PH值;之后,移入聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中,放置在电热恒温干燥箱中保留一定时间即可得到二硫化钼/MXene复合材料溶液;用去离子水洗涤后干燥,即可得到二硫化钼/MXene层状复合吸波材料。
2.本发明二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,制备流程简单,生产成本低,制备出的二硫化钼/MXene层状复合吸波材料在微波频率范围内具有良好的吸波性能。
附图说明
图1为本发明方法中的实施例3制备的二硫化钼/MXene复合材料的SEM图;
图2为本发明方法中的实施例3制备的二硫化钼/MXene层状吸波复合材料在微波频率范围内的反射率图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,具体按照以下步骤实施:
步骤1,配置二硫化钼反应溶液,具体方法为,二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者的摩尔比例为1:2~4,将两者的混合物溶于去离子水中,浓度为10%~30%;
步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合,具体步骤为,
在步骤1配置的溶液中加入MXene材料,并用超声波分散1~6小时,用乙酸控制其PH值,PH值的范围为3~5;
步骤3,采用水热反应制备二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体,具体步骤为,
将步骤2配置的溶液迅速转入容积为50~200毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在160~200度下在电热恒温干燥箱中保留16~36小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4,将步骤3制备的二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体洗涤后烘干,即可得到二硫化钼/MXene层状复合吸波材料;
具体步骤为,将步骤3制备的悬浊液溶液烘干后,用去离子水洗涤3~5次,在100~150度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
本发明二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,以二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者混合后溶于去离子水中;加入Mxene材料,采用超声波分散后,通过乙酸控制其PH值;之后,移入聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中,放置在电热恒温干燥箱中保留一定时间即可得到二硫化钼/MXene复合材料溶液;用去离子水洗涤后干燥,即可得到二硫化钼/MXene层状复合吸波材料。
本发明二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,制备流程简单,生产成本低,制备出的二硫化钼/MXene层状复合吸波材料在微波频率范围内具有良好的吸波性能。
实施例1
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者的摩尔比例为1:2,将两者的混合物溶于去离子水中,浓度为30%;
步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合;在步骤1配置的溶液中加入MXene材料,并用超声波分散6小时,用乙酸控制其PH值,PH值的为5;
步骤3,将步骤2配置的溶液迅速转入容积为50毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在160度下在电热恒温干燥箱中保留36小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4,将步骤3制备的悬浊液溶液150度烘干后,用去离子水洗涤5次,在150度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
实施例2
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者的摩尔比例为1:3,将两者的混合物溶于去离子水中,浓度为30%;
步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合;在步骤1配置的溶液中加入MXene材料,并用超声波分散1小时,用乙酸控制其PH值,PH值的为3;
步骤3,将步骤2配置的溶液迅速转入容积为200毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在200度下在电热恒温干燥箱中保留16小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4,将步骤3制备的悬浊液溶液100℃烘干后,用去离子水洗涤3次,在100℃烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
实施例3
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者的摩尔比例为1:4,将两者的混合物溶于去离子水中,浓度为20%;
步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合;在步骤1配置的溶液中加入MXene材料,并用超声波分散4小时,用乙酸控制其PH值,PH值的为4;
步骤3,将步骤2配置的溶液迅速转入容积为100毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在180℃下在电热恒温干燥箱中保留26小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4,将步骤3制备的悬浊液溶液在120℃烘干后,用去离子水洗涤4次,在140℃度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
实施例4
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者的摩尔比例为1:4,将两者的混合物溶于去离子水中,浓度为20%;
步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合;在步骤1配置的溶液中加入MXene材料,并用超声波分散2小时,用乙酸控制其PH值,PH值的为4;
步骤3,将步骤2配置的溶液迅速转入容积为200毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在180℃下在电热恒温干燥箱中保留30小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4,将步骤3制备的悬浊液溶液在120℃烘干后,用去离子水洗涤4次,在150℃度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
实施例5
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;二水钼酸钠和硫代乙酰胺为原料,两者的摩尔比例为1:4,将两者的混合物溶于去离子水中,浓度为10%;
步骤2,将步骤1配制的溶液与MXene材料混合;在步骤1配置的溶液中加入MXene材料,并用超声波分散4小时,用乙酸控制其PH值,PH值的为5;
步骤3,将步骤2配置的溶液迅速转入容积为200毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在180℃下在电热恒温干燥箱中保留20小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液;
步骤4,将步骤3制备的悬浊液溶液在150℃烘干后,用去离子水洗涤4次,在120℃度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
将实施例3制备的二硫化钼/MXene复合材料与石蜡复合后,两者的质量比例为3:7,对其进行电磁性能进行测试和计算后,即可得到其在微波频率范围内的发射率。图1为实施例3制备的二硫化钼/MXene复合材料的SEM图。图2为实施例3制备的二硫化钼/MXene层状吸波复合材料在微波频率范围内的反射率图。

Claims (5)

1.一种二硫化钼/MXene层状复合吸波材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:
步骤1,配置二硫化钼反应溶液;
步骤2,将步骤1配制的二硫化钼反应溶液与MXene材料混合;
步骤3,采用水热反应制备二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体;
步骤4,将步骤3制备的二硫化钼/MXene层状复合材料初始粉体洗涤后烘干,即可得到二硫化钼/MXene层状复合吸波材料。
2.根据权利要求1所述的二硫化钼/MXene层状吸波复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1中配置二硫化钼反应溶液:所用的原料为二水钼酸钠和硫代乙酰胺,两者的摩尔比例为1:2~4,将两者的混合物溶于去离子水中,保证混合后溶液的质量浓度为10%~30%。
3.根据权利要求1所述的二硫化钼/MXene层状吸波复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2的具体实施方法为:在步骤1配置的反应溶液中加入MXene材料,并用超声波分散1~6小时,加入乙酸来控制混合后溶液的PH值,保证混合后溶液的PH值的范围为3~5。
4.根据权利要求1所述的二硫化钼/MXene层状吸波复合材料的制备方法,其特征在于,步骤3的具体实施方法为:将步骤2配置的溶液迅速转入容积为50~200毫升的聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中密封,并在160~200℃下在电热恒温干燥箱中保留16~36小时,即可得到二硫化钼/MXene复合材料的悬浊液。
5.根据权利要求1所述的二硫化钼/MXene层状吸波复合材料的制备方法,其特征在于,步骤4的具体实施方法为:将步骤3制备的悬浊液溶液100~150度烘干后,用去离子水洗涤3~5次,再在100~150度烘干,即可得到二硫化钼/MXene复合材料。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108811478A (zh) * 2018-06-12 2018-11-13 西北工业大学 一种三维层状MXene电磁屏蔽泡沫及制备方法
CN109817918A (zh) * 2019-01-22 2019-05-28 五邑大学 硫掺杂MXene复合材料及其制备方法和应用
CN111153388A (zh) * 2019-12-31 2020-05-15 浙江大学 一种本征缺陷调控磁电一体化吸波材料及其制备方法
CN111172672A (zh) * 2020-01-16 2020-05-19 太原师范学院 一种MXenes/聚氨酯保温材料及其制备方法
CN112234170A (zh) * 2020-08-13 2021-01-15 五邑大学 一种MoTe2/Mxene复合材料及其制备方法
CN113149078A (zh) * 2021-04-07 2021-07-23 安徽文达信息工程学院 一种基于凹凸棒的二硫化钼复合微波吸收剂的制备方法
CN114613606A (zh) * 2022-01-27 2022-06-10 淮北师范大学 一种M-MoS2@Ti3C2Tx异质结构材料及其构建方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106532015A (zh) * 2016-12-27 2017-03-22 天津大学 二硫化钼插层碳化钛锂离子电池负极材料及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106532015A (zh) * 2016-12-27 2017-03-22 天津大学 二硫化钼插层碳化钛锂离子电池负极材料及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHANGJIE SHEN: "MoS2-Decorated Ti3C2 MXene Nanosheet as Anode Material in", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108811478A (zh) * 2018-06-12 2018-11-13 西北工业大学 一种三维层状MXene电磁屏蔽泡沫及制备方法
CN108811478B (zh) * 2018-06-12 2019-08-09 西北工业大学 一种三维层状MXene电磁屏蔽泡沫及制备方法
CN109817918A (zh) * 2019-01-22 2019-05-28 五邑大学 硫掺杂MXene复合材料及其制备方法和应用
CN109817918B (zh) * 2019-01-22 2022-04-08 五邑大学 硫掺杂MXene复合材料及其制备方法和应用
CN111153388A (zh) * 2019-12-31 2020-05-15 浙江大学 一种本征缺陷调控磁电一体化吸波材料及其制备方法
CN111172672A (zh) * 2020-01-16 2020-05-19 太原师范学院 一种MXenes/聚氨酯保温材料及其制备方法
CN112234170A (zh) * 2020-08-13 2021-01-15 五邑大学 一种MoTe2/Mxene复合材料及其制备方法
CN112234170B (zh) * 2020-08-13 2021-09-28 五邑大学 一种MoTe2/Mxene复合材料及其制备方法
CN113149078A (zh) * 2021-04-07 2021-07-23 安徽文达信息工程学院 一种基于凹凸棒的二硫化钼复合微波吸收剂的制备方法
CN114613606A (zh) * 2022-01-27 2022-06-10 淮北师范大学 一种M-MoS2@Ti3C2Tx异质结构材料及其构建方法和应用

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