CN107644889A - 显示面板和包括该显示面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示面板和包括该显示面板的显示装置。公开了一种显示装置，所述显示面板包括：基板；显示区，所述显示区位于所述基板上并且显示图像；焊盘部，所述焊盘部位于所述基板的至少一个边缘上并且包括至少一个下沉部；各向异性导电膜，所述各向异性导电膜位于所述焊盘部上并且填充所述至少一个下沉部；以及柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板位于所述各向异性导电膜上并且电连接到焊盘部。所述各向异性导电膜与所述基板的端部间隔开。

Description

显示面板和包括该显示面板的显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，并且更具体地，涉及一种用于防止有缺陷的驱动并且提高产量的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的需求正在以各种方式增加。在显示装置的领域中，大尺寸阴极射线管(CRT)已经迅速地被具有薄外形、轻重量和大尺寸屏幕的优点的平板显示器(FPD)取代。平板显示器的示例包括：液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器(EPD)。
OLED显示器包括能够通过自身发光的自发光元件，并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角的优点。具体地，OLED显示器可以使用柔性塑料基板。另外，与等离子体显示面板或无机电致发光显示器相比，OLED显示器具有以更低的电压驱动、更低的功率消耗和更好的色调的优点。
使用柔性塑料基板的OLED显示器通过如下步骤来制造：在玻璃基板上涂覆聚酰亚胺，形成诸如薄膜晶体管和有机发光二极管的部件，并且将贴装膜(chip-on film，COF)贴附接到焊盘部。此外，进行将玻璃基板与聚酰亚胺基板分离的工序。因此，制造包括柔性聚酰亚胺基板的OLED显示器。
将覆晶膜附接到OLED显示器的焊盘部的工艺通过在覆晶膜上形成各向异性导电膜，然后在焊盘部上进行点焊工艺来进行。执行接头键合工艺以按压焊盘部，各向异性导电膜和芯片上膜，并使用各向异性导电膜的导电球将焊盘部电连接到芯片上膜。然而，各向异性导电膜根据各向异性导电膜的量或压力从基板的端部溢出。存在玻璃基板和聚酰亚胺基板被各向异性导电膜粘附的问题。因此，从玻璃基板与聚酰亚胺基板分离的后续工艺是困难的。
发明内容
本公开提供了一种显示装置，其能够通过在焊盘部分中形成下沉部(sinkportion)来防止各向异性导电膜从基板溢出。
本公开还提供了一种显示装置，其能够通过确保玻璃基板的分离工艺的可靠性来防止有缺陷的驱动并且提高产量。
在一个方面中，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基板；显示区，所述显示区位于所述基板上并且显示图像；位于所述基板的至少一个边缘上的焊盘部，所述焊盘部包括至少一个下沉部；位于所述焊盘部上并且填充所述下沉部的各向异性导电膜，所述各向异性导电膜与所述基板的端部间隔开；以及柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板位于所述各向异性导电膜上并且电连接到所述焊盘部。
所述焊盘部包括从所述基板的所述端部延伸的多条线，并且所述至少一个下沉部与所述多条线交叉。
所述焊盘部包括：位于所述基板上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层；位于所述第二缓冲层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的第一线；位于所述第一线上的层间电介质层；位于所述层间电介质层上的第二线；位于所述第二线上的钝化层；以及位于所述钝化层上的焊盘电极。
所述下沉部由包括在所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层和所述第一线中的孔形成。
所述下沉部由包括在所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间电介质层中的孔形成。
所述下沉部由包括在所述栅极绝缘层和所述第一线中的孔形成。
所述焊盘部包括选通焊盘部和数据焊盘部，并且所述下沉部连续地设置在所述选通焊盘部和所述数据焊盘部中的每一个内。
所述焊盘部包括选通焊盘部和数据焊盘部，并且所述下沉部不连续地设置在所述选通焊盘部和所述数据焊盘部中的每一个内。
所述下沉部包括与所述基板的所述端部平行设置的多个下沉部。
所述下沉部的宽度等于或大于70μm。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；
图2是示出子像素的电路配置的第一示例的图；
图3是示出子像素的电路配置的第二示例的图；
图4是根据第一示例性实施方式的OLED显示器的平面图；
图5是示出根据第一示例性实施方式的OLED显示器的子像素的截面图；
图6是图4所示的选通焊盘部的放大平面图；
图7是沿图6的I-I′线的截面图；
图8是图4所示的数据焊盘部的放大平面图；
图9是沿图8的II-II’线截取的截面图；
图10、图11、图12和图13是示出根据第一示例性实施方式的OLED显示器的平面图；
图14是示出根据第二示例性实施方式的OLED显示器的焊盘部的平面图；
图15是沿图14的III-III’线截取的截面图；
图16示意性地示出根据比较示例的OLED显示器；
图17示出根据比较示例的OLED显示器的侧面图像；
图18示出根据比较示例的OLED显示器的平面图像；
图19示出根据示例性实施方式的OLED显示器的图像；以及
图20是示出根据示例性实施方式的各向异性导电膜的溢出量取决于OLED显示器的下沉部的宽度的图表。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出。只要可能，在所有附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。将注意，如果确定已知技术的具体描述可能误导本发明的实施方式，则将省略对其的详细描述。在以下说明中使用的各个元件的名称仅仅是为了方便书写说明书而选择的，并且因此可以与实际产品中使用的不同。
根据示例性实施方式的显示装置是其中显示元件形成在柔性塑料基板上的塑料显示装置。塑料显示装置的示例包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器。使用OLED显示器作为示例来描述实施方式。OLED显示器包括在用作阳极的第一电极和用作阴极的第二电极之间的由有机材料形成的发光层。OLED显示器是被配置为通过在发光层内将从第一电极接收的空穴和从第二电极接收的电子结合形成空穴-电子对、激子并且利用激子返回地面时产生的能量来发光的自发光显示装置。根据实施方式的OLED显示器可以使用玻璃基板以及塑料基板。
下面参照图1至图20描述示例性实施方式。
图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图。图2是示出子像素的电路配置的第一示例的图。图3是示出子像素的电路配置的第二示例的图。
参照图1，根据示例性实施方式的OLED显示器包括图像处理单元10、定时控制器20、数据驱动器30、选通驱动器40和显示面板50。
图像处理单元10输出从外部提供的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE之外，图像处理单元10可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。为了简洁和易于阅读，这些信号未示出。图像处理单元10以集成电路(IC)形式形成在***电路板上。
定时控制器20从图像处理单元10接收数据信号DATA和包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。
定时控制器20基于驱动信号来输出用于控制选通驱动器40的操作定时的选通定时控制信号GDC和用于控制数据驱动器30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制器20以IC形式形成在控制电路板上。
数据驱动器30响应于从定时控制器20提供的数据定时控制信号DDC，对从定时控制器20接收的数据信号DATA进行采样和锁存，并且使用伽马基准电压来转换所采样和锁存的数据信号DATA。数据驱动器30将转换后的数据信号DATA输出到数据线DL1至DLn。数据驱动器30以IC形式附接到基板。
响应于从定时控制器20提供的选通定时控制信号GDC，选通驱动器40在对选通电压的电平进行移位的同时输出选通信号。选通驱动器40将选通信号输出到选通线GL1至GLm。选通驱动器40以IC形式形成在选通电路板上，或者以板内选通(GIP)方式形成在显示面板50上。
显示面板50响应于分别从数据驱动器30和选通驱动器40接收的数据信号DATA和选通信号来显示图像。显示面板50包括用于显示图像的子像素SP。
参照图2，每个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管(OLED)。OLED基于由驱动晶体管DR产生的驱动电流操作以发光。
开关晶体管SW执行开关操作，使得响应于通过第一选通线GL1提供的选通信号，通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器中。基于存储在电容器中的数据电压，驱动晶体管DR使得驱动电流在高电位电源线VDD与低电位电源线GND之间流动。补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压的电路。连接到开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器可以安装在补偿电路CC内部。
补偿电路CC包括一个或更多个薄膜晶体管(TFT)和电容器。补偿电路CC的配置可以根据补偿方法而进行各种改变。可以简要地进行或者可以完全省略其详细描述。
如图3所示，包括补偿电路CC的子像素还可以包括用于驱动补偿TFT并提供预定信号或电功率的信号线和电源线。添加的信号线可以被定义为用于驱动包括在子像素中的补偿TFT的1-2选通线GL1b。在图3中，“GL1a”是用于驱动开关晶体管SW的1-1选通线。添加的电源线可以被定义为用于以预定电压初始化子像素的预定节点的初始化电源线INIT。然而，这仅仅是示例，并且实施方式不限于此。
图2和图3通过示例示出了一个子像素包括补偿电路CC。然而，当要补偿的对象(例如，数据驱动器30)位于子像素外部时，可以省略补偿电路CC。子像素具有其中设置有开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和OLED的2T(晶体管)1C(电容器)的配置。然而，当将补偿电路CC添加到子像素时，子像素可以具有诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等的各种配置。
此外，图2和图3通过示例示出了补偿电路CC位于开关晶体管SW与驱动晶体管DR之间。然而，补偿电路CC可以进一步位于驱动晶体管DR与OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3所示的位置和结构。
图4是根据第一示例性实施方式的OLED显示器的平面图。图5是示出根据第一示例性实施方式的OLED显示器的子像素的截面图。图6是图4所示的选通焊盘部的放大平面图。图7是沿图6的I-I′线的截面图。图8是图4所示的数据焊盘部的放大平面图。图9是沿图8的II-II’线截取的截面图。图10至图13是示出根据第一示例性实施方式的OLED显示器的平面图。
参照图4，OLED显示器包括基板P1、显示区A/A以及围绕显示区A/A的选通焊盘部GP和数据焊盘部DP。在显示区A/A中设置多个子像素SP。子像素SP在显示区A/A中可以以R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)子像素布置或以R、G、B、W(白色)子像素布置以表示全部颜色。选通焊盘部GP设置在显示区A/A的一侧(例如，左侧或右侧)，并且从显示区A/A延伸的选通信号线GSL设置在选通焊盘部GP中。数据焊盘部DP设置在显示区A/A的一侧(例如，下侧)，并且从显示区A/A延伸的数据信号线DSL设置在数据焊盘部DP中。通过附接到选通焊盘部GP的柔性印刷电路板COF向选通信号线GSL提供选通信号。通过附接到数据焊盘部DP的柔性印刷电路板COF向数据信号线DSL提供数据信号。
下面参照图5描述根据示例性实施方式的OLED显示器的子像素SP的截面结构。参照图5，在根据示例性实施方式的OLED显示器中，第一缓冲层BUF1位于基板P1上。基板P1可以由塑料制成，并且例如可以是聚酰亚胺基板。因此，根据实施方式的基板P1可以具有柔性特性。第一缓冲层BUF1保护在后续工艺中形成的薄膜晶体管免受杂质(例如从基板P1释放的碱离子)的影响。第一缓冲层BUF1可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。
屏蔽层LS位于第一缓冲层BUF1上。屏蔽层LS防止可能通过使用聚酰亚胺基板产生的面板驱动电流的减小。第二缓冲器BUF2位于屏蔽层LS上。第二缓冲器BUF2保护在后续工艺中形成的薄膜晶体管免受杂质(例如从屏蔽层LS释放的碱离子)的影响。第二缓冲层BUF2可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。
半导体层ACT位于第二缓冲层BUF2上并且可以由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可以包括非晶硅或结晶多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低能量功耗和优异的可靠性，因此可以应用于用于驱动元件的选通驱动器和/或多路复用器(MUX)或应用于OLED显示器的每个像素的驱动TFT。因为氧化物半导体具有低的截止电流，所以氧化物半导体适合于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，因为氧化物半导体由于低的截止电流而增加了像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适合于需要低速驱动和/或低功耗的显示装置。另外，半导体层ACT包括各自包括p型或n型杂质的漏极区和源极区，并且还包括在漏极区和源极区之间的沟道区。
栅极绝缘层GI位于半导体层ACT上，并且可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。栅极GA位于栅极绝缘层GI上与半导体层ACT的预定区域(即，当注入杂质时的沟道区)相对应的位置处。栅极GA可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其组合形成。此外，栅极GA可以是由钼(Mo)，铝(Al)，铬(Cr)，金(Au)，钛(Ti)，镍(Ni)，钕(Nd)铜(Cu)中的一种或其组合形成的多层。例如，栅极GA可以形成为Mo/Al-Nd或Mo/Al的双层。
层间电介质层ILD位于栅极GA上并使栅极GA绝缘。层间电介质层ILD可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。在层间电介质层ILD和栅极绝缘层GI中的每一个层的一部分中形成暴露半导体层ACT的一部分的接触孔CH。
漏极DE和源极SE设置在层间电介质层ILD上。漏极DE通过暴露半导体层ACT的漏极区的接触孔CH连接到半导体层ACT，源极SE通过暴露半导体层ACT的漏极区的接触孔CH连接到半导体层ACT层。源极SE和漏极DE中的每一个可以形成为单层或多层。当源极SE和漏极DE中的每一个形成为单层时，源极SE和漏极DE中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其组合形成。当源极SE和漏极DE中的每一个形成为多层时，源极SE和漏极DE中的每一个可以形成为Mo/Al-Nd的双层或者Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三层。
因此，形成包括半导体层ACT、栅极GA、源极SE和漏极DE的薄膜晶体管TFT。
此外，钝化层PAS位于包括薄膜晶体管TFT的基板P1上。钝化层PAS是保护钝化层PAS下面的部件的绝缘层，并且可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或其多层。外涂层OC位于钝化层PAS上。外涂层OC可以是用于减小下层结构的高度差的平坦化层，并且可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯的有机材料形成。例如，外涂层OC可以通过旋涂玻璃(SOG)方法形成，用于以液态涂覆有机材料，然后固化有机材料。
暴露薄膜晶体管TFT的漏极DE的通孔VIA位于外涂层OC的一部分中。有机发光二极管OLED位于外涂层OC上。更具体地，第一电极ANO位于外涂层OC上。第一电极ANO用作像素电极，并且通过通孔VIA连接到薄膜晶体管TFT的漏极DE。第一电极ANO是阳极，并且可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)的透明导电材料形成。当第一电极ANO是反射电极时，第一电极ANO可以进一步包括反射层。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)或其组合形成。优选地，反射层可以由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
此外，限定像素的堤层BNK位于包括第一电极ANO的基板P1上。堤层BNK可以由例如聚酰亚胺，苯并环丁烯类树脂和丙烯酸酯的有机材料形成。堤层BNK包括暴露第一电极ANO的像素限定部分。与第一电极ANO接触的发光层EML位于堤层BNK的像素限定部分中。发光层EML是其中电子和空穴结合并发光的层。空穴注入层和/或空穴传输层可以位于发光层EML与第一电极ANO之间，并且电子注入层和/或电子传输层可以位于发光层EML上。
第二电极CAT位于发光层EML上，并且可以位于基板P1的显示区A/A(参见图4)的整个表面上。此外，第二电极CAT是阴极电极，并且可以由各自具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其组合形成。当第二电极CAT是透射电极时，第二电极CAT可以足够薄以透射光。此外，当第二电极CAT是反射电极时，第二电极CAT可以足够厚以反射光。
在根据本实施方式的OLED显示器中，柔性印刷电路板通过各向异性导电膜附接到选通焊盘部和数据焊盘部。
参照图6和图7描述选通焊盘部的详细配置。第一缓冲层BUF1位于基板P1上，第二缓冲层BUF2位于第一缓冲层BUF1上。第二缓冲层BUF2在其部分中具有第一孔FCH。栅极绝缘层GI位于第二缓冲层BUF2上，并且在其部分中具有第二孔SCH。栅极绝缘层GI的第二孔SCH对应于第二缓冲层BUF2的第一孔FCH地设置。
选通信号线GSL位于栅极绝缘层GI上。选通信号线GSL是从显示区的选通线延伸的线，并且在其部分中具有第三孔GCH。选通信号线GSL的第三孔GCH对应于第二缓冲层BUF2的第一孔FCH和栅极绝缘层GI的第二孔SCH设置。层间电介质层ILD位于选通信号线GSL上，并且使选通信号线GSL绝缘。层间电介质层ILD在其部分中具有第一接触孔PCNT1，并且通过第一接触孔PCNT1暴露选通信号线GSL。层间电介质层ILD覆盖第二缓冲层BUF2的第一孔FCH、栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH。
源极金属层SML位于层间电介质层ILD上，并且通过层间电介质层ILD的第一接触孔PCNT1连接到选通信号线GSL。源极金属层SML沿着层间电介质层ILD形成，并且覆盖第二缓冲层BUF2的第一孔FCH、栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH。钝化层PAS位于源极金属层SML上，并且具有在其部分暴露源极金属层SML的第二接触孔PCNT2。钝化层PAS沿着源极金属层SML形成，并且覆盖第二缓冲层BUF2的第一孔FCH、栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH。焊盘电极PEL位于钝化层PAS上。焊盘电极PEL可以使用与显示区的第一电极相同的材料形成，并且通过钝化层PAS的第二接触孔PCNT2连接到源极金属层SML。因此，形成了包括第一缓冲层BUF1、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、选通信号线GSL、层间电介质层ILD、源极金属层SML、钝化层PAS和焊盘电极PEL的选通焊盘部。
柔性印刷电路板COF通过各向异性导电膜ACF附接到选通焊盘部的基板P1。柔性印刷电路板COF可以是其中驱动器IC包括在柔性膜SF中的贴装膜。柔性印刷电路板COF包括包含在柔性膜SF中的柔性印刷电路线CSL。各向异性导电膜ACF被配置成使得多个导电球CB分布在粘合树脂AR中。各向异性导电膜ACF将基板PI电连接到柔性印刷电路板COF，同时将基板PI附接到柔性印刷电路板COF。也就是说，各向异性导电膜ACF的导电球CB接触焊盘电极PEL和柔性印刷电路线CSL，并将焊盘电极PEL电连接到柔性印刷电路线CSL。
在本实施方式中，下沉部SINK被配置为使得第二缓冲层BUF2的第一孔FCH，栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH被设置为彼此重叠。下沉部SINK可以是一种凹槽并且可以保持各向异性导电膜ACF的一部分。下沉部SINK与选通信号线GSL交叉，并且在按压各向异性导电膜ACF时防止各向异性导电膜ACF被推出。此外，由于下沉部SINK与基板P1的端部间隔开，所以下沉部SINK可以防止各向异性导电膜ACF从基板PI的端部溢出。在下沉部SINK与基板P1的端部分开的条件下，下沉部SINK的宽度W可以等于或大于70μm。因此，下沉部SINK保持各向异性导电膜ACF，并且可以防止各向异性导电膜ACF从基板P1的端部溢出。然而，实施方式不限于此。在下沉部SINK包括在选通焊盘部中的条件下，下沉部SINK的宽度W可以尽可能大，因此下沉部SINK可以防止各向异性导电膜ACF从基板P1的端部溢出。
参照图8和图9描述数据焊盘部的详细配置。第一缓冲层BUF1位于基板P1上，并且第二缓冲层BUF2位于第一缓冲层BUF1上。第二缓冲层BUF2在其部分中具有第一孔FCH。栅极绝缘层GI位于第二缓冲层BUF2上，并且在其部分中具有第二孔SCH。栅极绝缘层GI的第二孔SCH对应于第二缓冲层BUF2的第一孔FCH设置。层间电介质层ILD位于栅极绝缘层GI上并且在其部分中具有第四孔ICH。层间电介质层ILD的第四孔ICH与第二缓冲层BUF2的第一孔FCH和栅极绝缘层GI的第二孔SCH对应地设置。
数据信号线DSL位于层间电介质层ILD上。数据信号线DSL是从显示区的数据线延伸的线，并且延伸到基板P1的端部。数据信号线DSL沿着层间电介质层ILD形成，并且覆盖第二缓冲层BUF2的第一孔FCH、栅极绝缘层GI的第二孔SCH和层间电介质层ILD的第四孔ICH。钝化层PAS位于数据信号线DSL上，并且具有在其部分中暴露数据信号线DSL的第三接触孔PCNT3。钝化层PAS沿着数据信号线DSL形成，并且覆盖第二缓冲层BUF2的第一孔FCH，栅极绝缘层GI的第二孔SCH和层间电介质层ILD的第四孔ICH。焊盘电极PEL位于钝化层PAS上。焊盘电极PEL可以使用与显示区的第一电极相同的材料形成，并且通过钝化层PAS的第三接触孔PCNT3连接到数据信号线DSL。因此，形成了包括第一缓冲层BUF1，第二缓冲层BUF2、栅绝缘层GI、层间电介质层ILD、数据信号线DSL、钝化层PAS和焊盘电极PEL的数据焊盘部。
柔性印刷电路板COF通过各向异性导电膜ACF附接到数据焊盘部的基板P1。柔性印刷电路板COF包括包含在柔性膜SF中的柔性印刷电路线CSL。各向异性导电膜ACF被配置成使得多个导电球CB分布在粘合树脂AR中。各向异性导电膜ACF将基板PI电连接到柔性印刷电路板COF，同时将基板PI附接到柔性印刷电路板COF。也就是说，各向异性导电膜ACF的导电球CB接触焊盘电极PEL和柔性印刷电路线CSL，并将焊盘电极PEL电连接到柔性印刷电路线CSL。
在本实施方式中，下沉部SINK被配置为使得第二缓冲层BUF2的第一孔FCH，栅极绝缘层GI的第二孔SCH和层间电介质层ILD的第四孔ICH被设置为彼此重叠。下沉部SINK与数据信号线DSL交叉，并且在按压各向异性导电膜ACF时防止各向异性导电膜ACF被推出。此外，由于下沉部SINK与基板P1的端部间隔开，所以下沉部SINK可以防止各向异性导电膜ACF从基板PI的端部溢出。在下沉部SINK与基板P1的端部分开的条件下，下沉部SINK的宽度W可以等于或大于70μm。因此，下沉部SINK保持各向异性导电膜ACF，并且可以防止各向异性导电膜ACF从基板P1的端部溢出。然而，实施方式不限于此。在数据焊盘部中包括下沉部SINK的条件下，下沉部SINK的宽度W可以尽可能大，因此下沉部SINK可以防止各向异性导电膜ACF从基板P1的端部溢出。
参照图10，根据实施方式的下沉部SINK可以包括在选通焊盘部GP和数据焊盘部DP中的每一个中。在这种情况下，选通焊盘部GP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地连续设置。例如，选通焊盘部GP的一个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且可以与三个柔性印刷电路板COF的全部重叠。此外，数据焊盘部DP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地连续设置。例如，数据焊盘部DP的一个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且可以与全部四个柔性印刷电路板COF重叠。
参照图11，根据实施方式的下沉部SINK可以包括在选通焊盘部GP和数据焊盘部DP中的每一个中。在这种情况下，选通焊盘部GP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地不连续设置。例如，选通焊盘部GP的三个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且可以与三个柔性印刷电路板COF分别重叠。此外，数据焊盘部DP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地不连续设置。例如，数据焊盘部DP的四个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且可以与四个柔性印刷电路板COF分别重叠。
参照图12，根据实施方式的下沉部SINK可以包括在选通焊盘部GP和数据焊盘部DP中的每一个中。在这种情况下，选通焊盘部GP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地连续设置并且可以是多个。例如，选通焊盘部GP的两个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且可以与全部三个柔性印刷电路板COF重叠。此外，数据焊盘部DP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地连续设置并且可以是多个。例如，数据焊盘部DP的两个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且可以与全部四个柔性印刷电路板COF重叠。
参照图13，根据实施方式的下沉部SINK可以包括在选通焊盘部GP和数据焊盘部DP中的每一个中。在这种情况下，选通焊盘部GP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地不连续设置并且可以是多个。例如，选通焊盘部GP的六个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且各自包括两个下沉部SINK的三组可以与三个柔性印刷电路板COF分别重叠。此外，数据焊盘部DP的下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地不连续设置并且可以是多个。例如，数据焊盘部DP的八个下沉部SINK可以与基板P1的端部平行地设置，并且各自包括两个下沉部SINK的四组可以与四个柔性印刷电路板COF分别重叠。
然而，实施方式不限于这些示例。例如，下沉部的数量、形状、位置等可以进行各种改变，只要能够防止包括在焊盘部中的各向异性导电膜从基板溢出即可。
图14是示出根据第二示例性实施方式的OLED显示器的焊盘部的平面图。图15是沿图14的III-III’线截取的截面图。在下面的描述中，通过示例来描述选通焊盘部。
参照图14和图15描述根据第二示例性实施方式的选通焊盘部的详细配置。第一缓冲层BUF1位于基板P1上，并且第二缓冲层BUF2位于第一缓冲层BUF1上。栅极绝缘层GI位于第二缓冲层BUF2上，并且在其部分中具有第二孔SCH。选通信号线GSL位于栅极绝缘层GI上。选通信号线GSL是从显示区的选通线延伸的线，并且在其部分中具有第三孔GCH。选通信号线GSL的第三孔GCH对应于栅极绝缘层GI的第二孔SCH设置。层间电介质层ILD位于选通信号线GSL上并且使选通信号线GSL绝缘。层间电介质层ILD在其部分中具有第一接触孔PCNT1，并且通过第一接触孔PCNT1暴露选通信号线GSL。层间电介质层ILD覆盖栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH。
源极金属层SML位于层间电介质层ILD上，并且通过层间电介质层ILD的第一接触孔PCNT1连接到选通信号线GSL。源极金属层SML沿着层间电介质层ILD形成，并且覆盖栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH。钝化层PAS位于源极金属层SML上，并且具有在其部分中暴露源极金属层SML的第二接触孔PCNT2。钝化层PAS沿着源极金属层SML形成，并且覆盖栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH。焊盘电极PEL位于钝化层PAS上。焊盘电极PEL通过钝化层PAS的第二接触孔PCNT2连接到源极金属层SML。焊盘电极PEL延伸到基板P1的端部。因此，形成了包括第一缓冲层BUF1、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、选通信号线GSL、层间电介质层ILD、源极金属层SML、钝化层PAS和焊盘电极PEL的选通焊盘部。
柔性印刷电路板COF通过各向异性导电膜ACF附接到选通焊盘部的基板P1。柔性印刷电路板COF包括包含在柔性膜SF中的柔性印刷电路线CSL。各向异性导电膜ACF被配置成使得多个导电球CB分布在粘合树脂AR中。各向异性导电膜ACF将基板PI电连接到柔性印刷电路板COF，同时将基板PI附接到柔性印刷电路板COF。也就是说，各向异性导电膜ACF的导电球CB接触焊盘电极PEL和柔性印刷电路线CSL，并且将焊盘电极PEL电连接到柔性印刷电路线CSL。
在第二实施方式中，下沉部SINK被配置为使得栅极绝缘层GI的第二孔SCH和选通信号线GSL的第三孔GCH设置为彼此重叠。下沉部SINK与焊盘电极PEL交叉，并且在按压各向异性导电膜ACF时防止各向异性导电膜ACF被推出。此外，由于下沉部SINK与基板P1的端部间隔开，所以下沉部SINK可以防止各向异性导电膜ACF从基板PI的端部溢出。在下沉部SINK与基板P1的端部分开的条件下，下沉部SINK的宽度W可以等于或大于70μm。因此，下沉部SINK保持各向异性导电膜ACF，并且可以防止各向异性导电膜ACF从基板P1的端部溢出。然而，实施方式不限于此。在下沉部SINK包括在选通焊盘部中的条件下，下沉部SINK的宽度W可以尽可能大，因此下沉部SINK可以防止各向异性导电膜ACF从基板P1的端部溢出。
与第一实施方式不同，在第二实施方式中，第一缓冲层BUF1不具有第一孔，并且焊盘电极PEL延伸到基板P1的端部。即，实施方式可以在设置在与下沉部对应的位置处的任何层中形成孔，并且使用该孔作为下沉部。在这种情况下，选通信号线GSL、源极金属层SML和焊盘电极PEL中的至少一个延伸到基板P1的端部，并且可以在选通信号线GSL、源极金属层SML和焊盘电极PEL中的至少一个上执行测试等。
如上所述，根据实施方式的显示装置可以通过在焊盘部中形成下沉部来防止各向异性导电膜从基板溢出。因此，实施方式可以通过确保玻璃基板的分离工艺的可靠性来防止有缺陷的驱动并且提高产量。
在下文中，描述根据实施方式的显示装置的示例。然而，实施方式不限于该示例。
<示例性实施方式>
如图4所示地制造根据示例性实施方式的OLED显示器。在这种情况下，根据示例性实施方式的选通焊盘部和数据焊盘部中的每一个包括具有大约70μm的宽度的下沉部，如图10所示。
<比较示例>
与示例性实施方式相同地制造根据比较示例的OLED显示器。然而，根据比较示例的选通焊盘部和数据焊盘部中的每一个都不包括下沉部。
图16示意性地示出根据比较示例的OLED显示器。图17示出根据比较示例的OLED显示器的侧面图像。图18示出根据比较示例的OLED显示器的平面图像。图19示出根据示例性实施方式的OLED显示器的图像。图20是示出根据示例性实施方式的各向异性导电膜的溢出量取决于OLED显示器的下沉部的宽度的图表。
参照图16，根据比较示例的OLED显示器的焊盘部被配置为使得基板P1位于玻璃GLS上，并且包括在TFT中的缓冲层，栅极绝缘层，层间电介质层等位于基底P1上。柔性印刷电路板COF通过各向异性导电膜ACF附接到焊盘部。当按压各向异性导电膜ACF时，各向异性导电膜ACF在被挤压的同时扩散。在这种情况下，各向异性导电膜ACF的一部分从基板P1溢出，并且因此将基板P1附接到玻璃GLS的侧面。从图17和图18中可以看出，各向异性导电膜ACF从基板P1和玻璃GLS溢出。当基板PI通过如上所述的各向异性导电膜ACF附着到玻璃GLS的侧面时，在基板P1和玻璃GLS之间的分离中产生问题(例如，不分离)从玻璃GLS分离基板P1。
从图19中可以清楚地看出，在根据示例性实施方式的OLED显示器中，在焊盘部中形成下沉部。如图20所示，当下沉部的宽度为10μm、20μm、30μm、40μm、50μm和60μm时，各向异性导电膜溢出。然而，当下沉部的宽度等于或大于70μm时，不会产生各向异性导电膜的溢出。
如上所述，根据实施方式的显示装置可以通过在焊盘部中形成下沉部来防止各向异性导电膜从基板溢出。因此，实施方式可以通过确保玻璃基板的分离工艺的可靠性来防止有缺陷的驱动并且提高产量。
尽管已经参照其多个说明性实施方式描述了实施方式，但应当理解，本领域技术人员可以设计出落入本公开的原理的范围内的许多其它变型和实施方式。更具体地说，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，可以对主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员也将是显而易见的。

Claims (11)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基板；
显示区，所述显示区位于所述基板上并且显示图像；
位于所述基板的至少一个边缘上的焊盘部，所述焊盘部包括至少一个下沉部；
位于所述焊盘部上并且填充所述至少一个下沉部的各向异性导电膜，所述各向异性导电膜与所述基板的端部间隔开；以及
柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板位于所述各向异性导电膜上并且电连接到所述焊盘部。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述焊盘部包括从所述基板的所述端部延伸的多条线，并且所述至少一个下沉部与所述多条线交叉。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述焊盘部包括：
位于所述基板上的第一缓冲层；
位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层；
位于所述第二缓冲层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的第一线；
位于所述第一线上的层间电介质层；
位于所述层间电介质层上的第二线；
位于所述第二线上的钝化层；以及
位于所述钝化层上的焊盘电极。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述至少一个下沉部由包括在所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层和所述第一线中的孔形成。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述至少一个下沉部由包括在所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间电介质层中的孔形成。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述至少一个下沉部由包括在所述栅极绝缘层和所述第一线中的孔形成。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述焊盘部包括选通焊盘部和数据焊盘部，并且所述至少一个下沉部包括连续地设置在所述选通焊盘部和所述数据焊盘部中的每一个内的多个下沉部。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述焊盘部包括选通焊盘部和数据焊盘部，并且所述至少一个下沉部包括不连续地设置在所述选通焊盘部和所述数据焊盘部中的每一个内的多个下沉部。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述至少一个下沉部包括与所述基板的所述端部平行设置的多个下沉部。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述至少一个下沉部的宽度等于或大于70μm。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
根据权利要求1至10中的任一权利要求所述的显示面板。
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