CN107643636A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，具备：第1信号线(S1)、第2信号线(S2)、第1扫描线、第2扫描线、第3扫描线、具有第1像素电极(PE1)的第1副像素、以具有第2像素电极(PE2)的第2副像素。在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第1扫描线、以及上述第2扫描线包围并形成有上述第1像素电极的区域为第1区域。在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第2扫描线、以及上述第3扫描线包围并形成有上述第2像素电极的区域为第2区域。上述第1区域在上述第1方向上具有第1间隔(D1a)。上述第2区域在上述第1方向上具有第2间隔(D2a)。上述第1间隔比上述第2间隔大。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并主张2016年7月20日提交的在先日本专利申请No.2016-142515的优先权，这里并入其全部内容作为参考。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来，在面向智能手机及平板的显示装置中，进一步提高了对高分辨率化以及高开口率化的要求。作为一个例子，在任意的行中依次排列有第3色(R)的副像素、第4色(G)的副像素、以及第2色(W)的副像素。在接下来的行中依次排列有第3色的副像素、第4色的副像素、以及第1色(B)的副像素。多个第3色的副像素排列成同一列。多个第4色的副像素排列成同一列。第1色的副像素与第2色的副像素排列成同一列。例如，能够使第1色的副像素以及第2色的副像素各自的宽度大于第3色的副像素以及第4色的副像素各自的宽度。
然而，若增大第1色的副像素的宽度，则第2色的副像素的宽度也随之变大。因此，难以使沿信号线排列的多个副像素的宽度不同。
发明内容
本实施方式提供一种能够调整多个副像素的尺寸的显示装置。
一种显示装置，其特征在于，具备：第1信号线；第2信号线，在第1方向上，与上述第1信号线隔开间隔地排列；第1扫描线；第2扫描线和第3扫描线，在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1扫描线隔开间隔地排列；第1副像素，具有第1像素电极；以及第2副像素，具有第2像素电极，
在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第1扫描线、以及上述第2扫描线包围并形成有上述第1像素电极的区域为第1区域，
在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第2扫描线、以及上述第3扫描线包围并形成有上述第2像素电极的区域是第2区域，
上述第1区域在上述第1方向上具有第1间隔，上述第2区域在上述第1方向上具有第2间隔，
上述第1间隔比上述第2间隔大。
附图说明
图1是表示一实施方式的液晶显示装置的构成的立体图。
图2是表示图1所示的液晶显示面板的剖面图。
图3是表示上述液晶显示面板的显示区域中的多个像素组的排列的一个例子的图。
图4是表示上述多个像素组的一部分的图，并且是表示像素组的多个像素等的排列的一个例子的图。
图5是表示图1以及图2所示的阵列基板的构成的电路图。
图6是表示上述液晶显示面板的一个像素组的构成图，并且是表示信号线、像素电极、以及遮光层的俯视图。
图7是表示图6所示的两个像素的一部分的放大俯视图。
图8是表示沿着图7的线VIII－VIII的液晶显示面板的剖面图。
图9是表示上述实施方式的变形例的液晶显示面板的扫描线以及信号线的俯视图。
具体实施方式
一般来说，根据一实施例，提供一种显示装置，具备：第1信号线；第2信号线，在第1方向上，与上述第1信号线隔开间隔地排列；第1扫描线；第2扫描线和第3扫描线，在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1扫描线隔开间隔地排列；第1副像素，具有第1像素电极；以及第2副像素，具有第2像素电极，在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第1扫描线、以及上述第2扫描线包围并形成有上述第1像素电极的区域为第1区域，在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第2扫描线、以及上述第3扫描线包围并形成有上述第2像素电极的区域是第2区域。上述第1区域在上述第1方向上具有第1间隔，上述第2区域在上述第1方向上具有第2间隔，上述第1间隔比上述第2间隔大。
以下，参照附图说明一实施方式。此外，公开只是一个例子，本领域技术人员能够容易想到的确保发明的主旨的适当变更也当然包含于本发明的范围。另外，对附图而言，为了使说明更加明确，有时与实际的方式相比示意地示出各部分的宽度、厚度、形状等，但始终是一例，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书与各图中，针对与已出现过的图中已叙述过的要素相同的要素标注相同的附图标记，有时适当地省略详细的说明。
本实施方式的液晶显示装置能够用于例如智能手机、平板终端、移动电话终端、个人计算机、电视接收装置、车载装置、游戏设备等各种装置。
图1是表示液晶显示装置DSP的构成的立体图。在本实施方式中，第1方向d1以及第2方向d2相互正交。第5方向d5分别与第1方向d1以及第2方向d2相互正交。这里所说的方向是图中箭头所指的方向，相对于箭头反转了180度的方向设为相反方向。另外，第1方向d1以及第2方向d2也可以以除90°以外的角度交叉。
如图1所示，液晶显示装置DSP具备有源矩阵型的液晶显示面板PNL、对液晶显示面板PNL进行照明的背光灯单元BL、柔性布线基板FPC1、FPC2、驱动IC芯片IC等。柔性布线基板FPC1、FPC2连接于液晶显示装置、或设于液晶显示装置的外部的控制模块CM。
在以下的说明中，将从背光灯单元BL朝向液晶显示面板PNL的方向设为上方(或简称为上)，将从液晶显示面板PNL朝向背光灯单元BL的方向设为下方(或简称为下)。另外，在设为“第1部件的上方的第2部件”以及“第1部件的下方的第2部件”的情况下，第2部件可以与第1部件相接，或者也可以位于离开第1部件的位置。在后者的情况下，也可以在第1部件与第2部件之间夹设有第3部件。
液晶显示面板PNL具备阵列基板AR和对置配置于阵列基板AR的对置基板CT。液晶显示面板PNL具备显示图像的显示区域DA和包围显示区域DA的边框状的非显示区域NDA。液晶显示面板PNL在显示区域DA中具备沿第1方向d1以及第2方向d2呈矩阵状排列的多个主像素。以下，将主像素简单表述为像素MP。像素MP相当于后述的4种副像素中的三个副像素的组。
背光灯单元BL配置于阵列基板AR的背面。作为这样的背光灯单元BL，能够应用各种方式，但关于详细的构造省略说明。柔性布线基板FPC1将液晶显示面板PNL与控制模块CM连接。柔性布线基板FPC2将背光灯单元BL与控制模块CM连接。驱动IC芯片IC安装于柔性布线基板FPC1。
这种构成的液晶显示装置DSP相当于通过使从背光灯单元BL向液晶显示面板PNL入射的光在各副像素中选择地透射来显示图像的、所谓的透射式的液晶显示装置。其中，液晶显示装置DSP可以是通过使从外部朝向液晶显示面板PNL入射的外部光在各副像素中选择地反射来显示图像的反射型的液晶显示装置，也可以是具备透射式以及反射式这两方的功能的半透射式的液晶显示装置。
图2是表示液晶显示面板PNL的剖面图。
如图2所示，液晶显示面板PNL具备阵列基板AR、对置基板CT、液晶层LC、密封材料SE、第1光学元件OD1、第2光学元件OD2等。之后详细叙述阵列基板AR以及对置基板CT。
密封材料SE配置于非显示区域NDA，使阵列基板AR与对置基板CT贴合。液晶层LC保持于阵列基板AR与对置基板CT之间。第1光学元件OD1配置于阵列基板AR的与液晶层LC相接的面的相反的一侧。第2光学元件OD2配置于对置基板CT的与液晶层LC相接的面的相反的一侧。第1光学元件OD1以及第2光学元件OD2分别具备偏光板。此外，第1光学元件OD1以及第2光学元件OD2也可以包含相位差板等其他光学元件。
图3是表示液晶显示面板PNL的显示区域DA中的多个主像素组的排列的一个例子的图。以下，将主像素组简单地表述为像素组MPG。
如图3所示，液晶显示面板PNL具备多个像素组MPG。
像素组MPG在显示区域DA中以矩阵状排列在第1方向d1以及第2方向d2上。多个像素组MPG分别具有四个主像素。这里，像素组MPG具有第1主像素以及第2主像素这两种的像素。在本实施方式中，作为第1主像素，能够列举第1主像素A1以及第1主像素A2。作为第2主像素，能够列举第2主像素B1以及第2主像素B2。在任意的像素组MPG中，第1主像素A1、第1主像素A2、第2主像素B1以及第2主像素B2都相同地排列。多个第1主像素A1、A2以及多个第2主像素B1、B2沿第1方向d1以及第2方向d2呈方格状棋盘图案(日语：市松状)排列。此外，之后叙述第1主像素A1、A2以及第2主像素B1、B2的构成。
若着眼于像素的单位，在第1方向d1上，在一方重复排列有第1主像素A1以及第2主像素B2，在另一方重复排列有第2主像素B1以及第1主像素A2。在第2方向d2上，在一方重复排列有第1主像素A1以及第2主像素B1，在另一方重复排列有第2主像素B2以及第1主像素A2。而且，第1主像素A1、A2以及第2主像素B1、B2以不沿第1方向d1以及第2方向d2连续地排列相同种类的像素的方式排列。
图4是表示多个像素组MPG的排列的一个例子的图。在图4中，除了像素组MPG中的四个像素MP之外，也示出了位于上述四个像素MP的周围的像素MP。
如图4所示，像素组MPG具有第1像素MP1、第2像素MP2、第3像素MP3、以及第4像素MP4。第1像素MP1相当于上述第1主像素A1，第2像素MP2相当于上述第2主像素B1，第3像素MP3相当于上述第1主像素A2，第4像素MP4相当于上述第2主像素B2。
第1像素MP1以及第3像素MP3分别具有第1色副像素SP1、第3色副像素SP3、以及第4色副像素SP4这三个副像素SP。第2像素MP2以及第4像素MP4分别具有第2色副像素SP2、第3色副像素SP3、以及第4色副像素SP4这三个副像素SP。此外，第1色、第2色、第3色以及第4色为互不相同的颜色。
第1色副像素SP1具有显示第1色的区域R1，并具备第1色的着色层CF1。第2色副像素SP2具有显示第2色的区域R2，并具备第2色的着色层CF2。第3色副像素SP3具有显示第3色的区域R3，并具备第3色的着色层CF3。第4色副像素SP4具有显示第4色的区域R4，并具备第4色的着色层CF4。此外，区域R1至区域R4在图中由双点划线表示。各区域R1至区域R4能够改称为副像素SP的开口区域。或者，各区域R1至区域R4能够改称为不与后述的信号线S以及遮光层SH对置的区域。另外，有时将区域R1称为第1区域，将区域R2称为第2区域，将区域R3称为第3区域，将区域R4称为第4区域。
在第1方向d1上，区域R3、区域R4、区域R1、区域R3、区域R4、以及区域R2在第1方向d1上重复设置。在沿第2方向d2排列的多个第1像素MP1以及多个第2像素MP2中，多个区域R3沿第2方向d2排列，多个区域R4沿第2方向d2排列，多个区域R1以及多个区域R2沿第2方向d2排列。在沿第2方向d2的多个第3像素MP3以及多个第4像素MP4中，多个区域R3沿第2方向d2排列，多个区域R4沿第2方向d2排列，多个区域R1以及多个区域R2沿第2方向d2排列。
区域R1至R4分别具有大致平行四边形的形状。对于上述着色层CF1至CF4，分别按照上述的副像素SP的布局配置，另外，具有与各个副像素SP的尺寸相应的面积。着色层CF1以及着色层CF2沿第2方向d2交替地排列。着色层CF1与区域R1对置，着色层CF2与区域R2对置。着色层CF3与沿第2方向d2排列的多个区域R3对置，并沿上述多个区域R3延伸。着色层CF4与沿第2方向d2排列的多个区域R4对置，并沿上述多个区域R4延伸。
在本实施方式中，第1色是蓝色(B)，第2色是白色(W)，第3色是红色(R)，第4色是绿色(G)。例如，着色层CF2是透明的、或者被较浅地着色的着色层。着色层CF2实际上是透明的，有时将着色层CF2称为无着色层可能更恰当。其中，第1色、第2色、第3色、以及第4色是例示的，能够进行各种变形。第1色、第2色、第3色、以及第4色中的某一个颜色为蓝色，另一颜色为白色，另一颜色为绿色，剩余的颜色为红色即可。另外，上述第1色至第4色并不限定于蓝色、白色、绿色以及红色的组合。另外，也可以将第2色与着色层CF2取代白色而采用与上述蓝色、绿色、以及红色不同的颜色。
在本说明书中，作为一个例子，将380nm至780nm的波长范围的光定义为“可见光”。第1色是蓝色，被定义为具有380nm以上且小于490nm的波长。第2色是白色。第3色是红色，被定义为具有590nm以上且小于780nm的波长。第4色是绿色，被定义为具有490nm以上且小于590nm的波长。“实际上透明”除了无着色的情况之外，也包含可见光中的某一个颜色被较浅地着色的情况。
在第2方向d2上，各个像素MP的区域R3的长度以及区域R4的长度实际上相同。在第2方向d2上，第1像素MP1的区域R1的长度以及第3像素MP3的区域R1的长度实际上相同。在第2方向d2上，第2像素MP2的区域R1的长度以及第4像素MP4的区域R1的长度实际上相同。
第1像素MP1以及第3像素MP3的区域R1的第1方向d1的宽度具有实际上相同的第1宽度。第2像素MP2以及第4像素MP4的区域R2的第1方向d1的宽度具有实际上相同的第2宽度。各个像素MP的区域R3的第1方向d1的宽度实际上具有相同的第3宽度。各个像素MP的区域R4的第1方向d1的宽度实际上具有相同的第4宽度。
第1宽度比第2宽度大。如上述那样，第1宽度比第2宽度大即可，除了第1宽度与第2宽度的关系之外的第1宽度至第4宽度的关系不被特别限定。在本实施方式中，第3宽度比第4宽度大，第2宽度比第3宽度大。
第1像素MP1以及第3像素MP3的区域R1具有实际上相同的第1面积。第2像素MP2以及第4像素MP4的区域R2具有实际上相同的第2面积。各个像素MP的区域R3具有实际上相同的第3面积。各个像素MP的区域R4具有实际上相同的第4面积。
第1面积至第4面积的关系不被特别限定。在本实施方式中，第3面积比第4面积大，第2面积比第3面积大，第1面积比第2面积大。
通过如上述那样构成各个像素MP，与用红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、以及白色(W)这4色的副像素构成全部的像素MP的情况比较，能够减少构成像素组MPG的副像素SP的个数。由此，能够不降低有效的分辨率地提高副像素SP的开口率。另外，由于各个像素组MPG具有白色(W)的副像素SP，因此能够实现显示图像的亮度等级的提高。
另外，在本实施方式中，能够提高区域R1至区域R4中的、第1色(蓝色)的区域R1的面积的比例，因此能够提高区域R1的透光率，进而能够有助于低功耗化。通过增大区域R1的第1宽度，能够避免第2色(白色)区域R2的第2宽度随之变大的情况。由于也能够避免区域R3的第3宽度或区域R4的第4宽度变小的情况，因此能够抑制区域R3的面积的比例以及区域R4的面积的比例的降低。
各个区域R及各个着色层CF沿第3方向d3以及第4方向d4的至少一个方向延伸。这里，第3方向d3是从第2方向d2向第1旋转方向以锐角倾斜的方向。第4方向d4是从第2方向d2向与第1旋转方向相反的第2旋转方向以锐角倾斜的方向。在本实施方式中，第1旋转方向为右旋转，第2旋转方向为左旋转。其中，也可以与本实施方式不同，第1旋转方向为左旋转，第2旋转方向为右旋转。
根据上述，本实施方式与上述的区域R具有沿第2方向d2延伸的长方形的形状的情况比较，能够对视角特性进行补偿。能够有助于液晶显示面板PNL的广视角化。
在像素组MPG中，能够将第2像素MP2或第4像素MP4中的第1色(蓝色)的不足部分分配到第1像素MP1以及第3像素MP3的至少一方。因此，各个像素MP能够模拟地显示彩色图像。
在俯视时，第1像素MP1的区域R1的电场下的液晶分子的取向方向、与第3像素MP3的区域R1的电场下的液晶分子的取向方向可处于相对于第2方向d2的轴反转的关系。因此，能够减少第1方向d1(水平方向)上的色度的视角依赖性。由此，能够对从左侧观察画面的用户和从右侧观察画面的用户显示相同色调的图像。
图5是表示阵列基板AR的构成的俯视图。
如图5所示，阵列基板AR具备扫描线G、信号线S、像素电极PE、开关元件SW、第1驱动电路DR1、第2驱动电路DR2等。
多个扫描线G在显示区域DA中向第1方向d1延伸，并沿第2方向d2隔开间隔地排列。例如，第2扫描线G2以及第3扫描线G3与第1扫描线G1在第2方向d2上隔开间隔地排列。在该实施方式中，扫描线G沿第1方向d1直线地延伸。多个信号线S在显示区域DA中沿第2方向d2延伸，与多个扫描线G交叉，并沿第1方向d1隔开间隔地排列。此外，信号线S也可以不必直线地延伸，也可以一部分弯曲，或向与第1方向d1以及第2方向d2交叉的方向延伸。在本实施方式中，信号线S一边弯曲，一边沿上述第2方向d2、第3方向d3以及第4方向d4延伸。
第1驱动电路DR1以及第2驱动电路DR2配置于非显示区域NDA。第1驱动电路DR1与向非显示区域NDA引出的扫描线G电连接。第2驱动电路DR2与向非显示区域NDA引出的信号线S电连接。第1驱动电路DR1向各扫描线G输出控制信号。第2驱动电路DR2向各信号线S输出图像信号(例如，影像信号)。
第1色副像素SP1包含连接于扫描线G的第1开关元件SW1、以及经由该第1开关元件SW1连接于信号线S的第1像素电极PE1。第2色副像素SP2包含连接于扫描线G的第2开关元件SW2、以及经由该第2开关元件SW2连接于信号线S的第2像素电极PE2。第3色副像素SP3包含连接于扫描线G的第3开关元件SW3、以及经由该第3开关元件SW3连接于信号线S的第3像素电极PE3。第4色副像素SP4包含连接于扫描线G的第4开关元件SW4、以及经由该第4开关元件SW4连接于信号线S的第4像素电极PE4。
在本实施方式中，沿第1方向d1排列的多个副像素SP的多个开关元件SW连接于相同的扫描线G。
在俯视时，上述区域R1是由第1信号线S1、第2信号线S2、第1扫描线G1以及第2扫描线G2包围，并形成有第1像素电极PE1的区域，上述区域R2是由第1信号线S1、第2信号线S2、第2扫描线G2以及第3扫描线G3包围，并形成有第2像素电极PE2的区域。
图6是表示液晶显示面板PNL的一个像素组MPG等的构成图，并且是表示信号线S、像素电极PE、以及遮光层SH的俯视图。
此外，在图示的例子中，像素MP具有作为显示模式而与FFS(Fringe FieldSwitching，边缘场开关)模式对应的构成，但省略了共用电极的图示。信号线S以及像素电极PE形成于上述的阵列基板，另一方面，遮光层SH形成于上述的对置基板。此外，遮光层SH在图中由双点划线表示。
如图6所示，遮光层SH具有沿着副像素SP的边界的形状。遮光层SH具有至少将从背光灯单元BL照射的光遮蔽的功能。遮光层SH由黑色的树脂等光吸收率较高的材料形成。或者，遮光层SH由金属等光反射率较高的材料形成。被遮光层SH包围的区域是上述区域R1至R4，成为有助于显示的区域。遮光层SH具有多个带状的第1延伸部SH1和多个带状的第2延伸部SH2。在本实施方式中，第1延伸部SH1以及第2延伸部SH2一体地形成。
第1延伸部SH1与信号线S对置，沿信号线S延伸。关于第1方向d1的位置，第1延伸部SH1的中心与信号线S的中心既可以一致，也可以偏离。
例如，在本实施方式中，第1延伸部SH1中的、位于第1像素电极PE1与第3像素电极PE3之间的部分以靠近第1像素电极PE1的方式偏离。在第1方向d1上，上述部分的中心位于第1像素电极PE1与信号线S(S1、S3)的中心之间。
另外，第1延伸部SH1中的、位于第2像素电极PE2与第3像素电极PE3之间的部分以靠近第2像素电极PE2的方式偏离。在第1方向d1上，上述部分的中心位于第2像素电极PE2与信号线S(S1、S3)的中心之间。
并且，第1延伸部SH1中的、位于第2像素电极PE2与第4像素电极PE4之间的部分以靠近第2像素电极PE2的方式偏离。在第1方向d1上，上述部分的中心位于第2像素电极PE2与信号线S(S2、S4)的中心之间。
关于第1方向d1的位置，像素电极PE的中心可以与相邻的一对信号线S的中心一致。或者，也可以通过错开像素电极PE的位置，使像素电极PE的中心与相邻的一对第1延伸部SH1的中间一致。
例如，在本实施方式中，第1像素电极PE1的中心与相邻的一对第1延伸部SH1的中间一致。第2像素电极PE2的中心与相邻的一对第1延伸部SH1的中间一致。第3像素电极PE3的中心与相邻的一对信号线S的中心一致。第4像素电极PE4的中心与相邻的一对信号线S的中心一致。
第2遮光层SH2与上述扫描线G对置，并沿扫描线G延伸。第2遮光层SH2与扫描线G、像素电极PE的端部、上述开关元件SW等对置。第2遮光层SH2的两侧缘曲折地沿第1方向d1延伸。第2遮光层SH2的宽度可以不是一定的。例如，可以在第2遮光层SH2的宽度中的、第1像素MP1与第2像素MP2之间增大与着色层CF3、CF4对置的区域的宽度，在第3像素MP3与第4像素MP4之间相对地减小与着色层CF3、CF4对置的区域的宽度。
第1色副像素SP1具有1根或者多根第1线状电极LE1，第2色副像素SP2具有1根或者多根第2线状电极LE2，第3色副像素SP3具有1根或者多根第3线状电极LE3，第4色副像素SP4具有1根或者多根第4线状电极LE4。虽然之后叙述，在本实施方式中，共用电极位于像素电极PE的下方。因此，像素电极PE具有线状电极LE。在像素电极PE相对于共用电极位于下方的情况下，共用电极具有上述的线状电极，像素电极PE成为平板状的电极。
在本实施方式中，第1像素电极PE1具有多根第1线状电极LE1，第2像素电极PE2具有多根第2线状电极LE2，第3像素电极PE3具有多根第3线状电极LE3，第4像素电极PE4具有多根第4线状电极LE4。在本实施方式中，第1像素电极PE1、第2像素电极PE2、第3像素电极PE3、以及第4像素电极PE4中的线状电极LE的根数相同。但是，也可以与本实施方式不同，按照每个像素电极PE而使线状电极LE的根数不同。例如，第1像素电极PE1或第2像素电极PE2中的线状电极LE的根数也可以比第3像素电极PE3或第4像素电极PE4中的线状电极LE的根数多。
第1像素MP1与第4像素MP4的线状电极LE沿第3方向d3延伸。第2像素MP2与第3像素MP3的线状电极LE沿第4方向d4延伸。这里，在图中，将多个信号线S中第1像素MP1的第1像素电极PE1与第2像素MP2的第2像素电极PE2的右侧邻近的信号线S设为第1信号线S1，将它们的左侧邻近的信号线S设为第2信号线S2。另外，将第3像素MP3的第1像素电极PE1与第4像素MP4的第2像素电极PE2的右侧邻近的信号线S设为第3信号线S3，将左侧邻近的信号线S设为第4信号线S4。
通过第2方向d2上的第1像素MP1的第1像素电极PE1的中央部的第1信号线S1与第2信号线S2在第1方向d1上的第1间隔D1a，比通过第2方向d2上的第2像素MP2的第2像素电极PE2的中央部的第1信号线S1与第2信号线S2在第1方向d1上的第2间隔D2a大。
此外，第1间隔D1a相当于由上述第1信号线S1、第2信号线S2、第1扫描线G1、以及第2扫描线G2包围的第1区域在第1方向d1上的间隔，详细地说，相当于上述第1区域在第2方向d2上的中央部处的间隔。第2间隔D2a相当于由上述第1信号线S1、第2信号线S2、第2扫描线G2、以及第3扫描线G3包围的第2区域在第1方向d1上的间隔，详细地说，相当于上述第2区域在第2方向d2上的中央部处的间隔。
通过第2方向d2上的第3像素MP3的第1像素电极PE1的中央部的第3信号线S3与第4信号线S4在第1方向d1上的间隔是上述第1间隔D1a。通过第2方向d2上的第4像素MP4的第2像素电极PE2的中央部的第3信号线S3与第4信号线S4在第1方向d1上的间隔是上述第2间隔D2a。
第1信号线S1具有与第1像素MP1的第1线状电极LE1并行地延伸的第1延伸部S1a、与第2像素MP2的第2线状电极LE2并行地延伸的第2延伸部S1b、以及将第1延伸部S1a与第2延伸部S1b连接的第1连接部S1c。在图中，对第1延伸部S1a以及第2延伸部S1b、后述的第3延伸部S2a、第4延伸部S2b、第5延伸部S3a、第6延伸部S3b、第7延伸部S4a、以及第8延伸部S4b赋予了斜线。
第2信号线S2具有与第1像素MP1的第1线状电极LE1并行地延伸的第3延伸部S2a、与第2像素MP2的第2线状电极LE2并行地延伸的第4延伸部S2b、以及将第3延伸部S2a与第4延伸部S2b连接的第2连接部S2c。上述第1间隔D1a是第1延伸部S1a与第3延伸部S2a在第1方向d1上的间隔。上述第2间隔D2a是第2延伸部S1b与第4延伸部S2b在第1方向d1上的间隔。
第3信号线S3具有与第3像素MP3的第1线状电极LE1并行地延伸的第5延伸部S3a、与第4像素MP4的第2线状电极LE2并行地延伸的第6延伸部S3b、以及将第1延伸部S3a与第2延伸部S3b连接的第3连接部S3c。第4信号线S4具有与第3像素MP3的第1线状电极LE1并行地延伸的第7延伸部S4a、与第4像素MP4的第2线状电极LE2并行地延伸的第8延伸部S4b、以及将第7延伸部S4a与第8延伸部S4b连接的第4连接部S4c。第5延伸部S3a与第7延伸部S4a在第1方向d1上的间隔是上述第1间隔D1a。第6延伸部S3b与第8延伸部S4b在第1方向d1上的间隔是上述第2间隔D2a。此外，如上述那样，第1间隔D1a比第2间隔D2a大(D1a＞D2a)。
第1像素MP1的第1线状电极LE1、第4像素MP4的第2线状电极LE2、第1延伸部S1a、第3延伸部S2a、第6延伸部S3b、以及第8延伸部S4b沿第3方向d3延伸。第2像素MP2的第2线状电极LE2、第3像素MP3的第1线状电极LE1、第2延伸部S1b、第4延伸部S2b、第5延伸部S3a、以及第7延伸部S4a沿第4方向d4延伸。
第1信号线S1在第1延伸部S1a与第1连接部S1c的边界等弯曲，第2信号线S2在第3延伸部S2a与第2连接部S2c的边界等弯曲，第3信号线S3在第6延伸部S3b与第3连接部S3c的边界等弯曲，第4信号线S4在第8延伸部S4b与第4连接部S4c的边界等弯曲。在第1方向d1上，延伸部与连接部的边界的位置被对齐。
第1连接部S1c中的第1延伸部S1a侧的端部、第2连接部S2c中的第3延伸部S2a侧的端部、以及第3连接部S3c中的第6延伸部S3b侧的端部分别沿从第2方向d2向上述第2旋转方向以锐角倾斜的方向(第4方向d4侧)延伸。此外，第4连接部S4c中的第8延伸部S4b侧的端部沿第2方向d2延伸。能够加长第1延伸部S1a、第3延伸部S2a、以及第6延伸部S3b各自的长度，能够增大区域R1至区域R4各自的面积。
在第1方向d1上相邻的第1像素MP1与第4像素MP4所包含的6个副像素SP的组沿第1方向d1等间隔地配置。在第1方向d1上相邻的第2像素MP2与第3像素MP3所包含的6个副像素SP的组沿第1方向d1等间隔地配置。
夹着沿各个像素组MPG的第1方向d1排列的6个像素电极PE的一对信号线S在第1方向d1上的间距Pa是一定的。这里所说的间距Pa是一定的，并非是间距Pa完全相同的意思，也包含相对于一方、另一方为0.9倍～1.1倍左右的关系那种存在较小的差异的关系。
另外，例如在第1像素MP1以及第2像素MP2中，各副像素SP在俯视时处于一对信号线S之间，各副像素SP中的一对信号线S的间隔是一定的。这里所说的一对信号线S的间隔是一定的，并非是上述间隔完全相同的意思，也包含相对于一方、另一方为0.9倍～1.1倍左右的关系那种存在较小的差异的关系。
图7是表示图6所示的两个像素MP的一部分的放大俯视图。图7中示出了第1像素MP1与第2像素MP2。此外，省略了像素电极的图示。在图中，将多个扫描线G中的上侧的扫描线G设为第1扫描线G1，将下侧的扫描线G设为第2扫描线G2。第1扫描线G1以及第2扫描线G2沿第1方向d1延伸，并位于相互隔开距离的位置。
如图7所示，各副像素SP具备导电层CL。在俯视时，导电层CL的整体被遮光层SH覆盖。第1副像素SP1具备导电层CL1，第2副像素SP2具备导电层CL2，第3副像素SP3具备导电层CL3，第4副像素SP4具备导电层CL4。第1像素MP1的导电层CL中的导电层CL1位于比第1扫描线G1的在第1方向d1上延伸的第1主部靠上侧的位置，导电层CL3、CL4位于比第1扫描线G1的第1主部靠下侧的位置。因此，在第1像素MP1中，第1像素电极PE1与导电层CL1接触的位置比第1扫描线G1的第1主部靠上侧，第3像素电极PE3与导电层CL3接触的位置以及第4像素电极PE4与导电层CL4接触的位置比第1扫描线G1的第1主部靠下侧。
另一方面，第2像素MP2的导电层CL2、CL3、CL4位于比第2扫描线G2的在第1方向d1上延伸的第2主部靠下侧的位置。因此，在第2像素MP2中，第2像素电极PE2与导电层CL2接触的位置、第3像素电极PE3与导电层CL3接触的位置以及第4像素电极PE4与导电层CL4接触的位置比第2扫描线G2的第2主部靠下侧。
各开关元件SW具备半导体层SC。半导体层SC与扫描线G在2处位置交叉。因此，开关元件SW分别由双栅极型的薄膜晶体管形成。但是，也可以与本实施方式不同，半导体层SC可以与扫描线G在一处位置交叉，或者也可以与扫描线G在三处位置交叉。
第1开关元件SW1是第1薄膜晶体管，具有第1半导体层SC1、第1栅电极GE1。第1半导体层SC1具有连接于第1信号线S1的第1电极区域RE1、连接于导电层CL1(第1像素电极PE1)的第2电极区域RE2、以及位于第1电极区域RE1与第2电极区域RE2之间并与第1扫描线G1重叠的第3电极区域RE3。在第1扫描线G1为上侧、第2扫描线G2为下侧的俯视中，第1半导体层SC1(第3电极区域RE3)形成为将L字旋转了180度后的形状。
第1栅电极GE1是第1扫描线G1的一部分，与第3电极区域RE3对置。在本实施方式中，第1栅电极GE1的一方利用第1扫描线G1的第1主部，另一方利用从上述第1主部分支的第1分支部。第1半导体层SC1与第1主部和第1分支部重叠。
第2开关元件SW2是第2薄膜晶体管，具有第2半导体层SC2、第2栅电极GE2。第2半导体层SC2具有连接于第1信号线S1的第4电极区域RE4、连接于导电层CL2(第2像素电极PE2)的第5电极区域RE5、以及位于第4电极区域RE4与第5电极区域RE5之间并与第2扫描线G2重叠的第6电极区域RE6。在第1扫描线G1为上侧、第2扫描线G2为下侧的俯视下，第2半导体层SC2(第6电极区域RE6)形成为将L字左右反转后的形状。
第2栅电极GE2是第2扫描线G2的一部分，与第6电极区域RE6对置。在本实施方式中，第2栅电极GE2的一方利用第2扫描线G2的第2主部，另一方利用从上述第2主部分支的第2分支部。第2分支部向第1分支部的延伸方向的相反方向延伸。第2半导体层SC2与第2主部和第2分支部重叠。
第3开关元件SW3是第3薄膜晶体管，具有第3半导体层SC3、第3栅电极GE3。第3半导体层SC3具有连接于信号线S的第7电极区域RE7、连接于导电层CL3(第3像素电极PE3)的第8电极区域RE8、以及位于第7电极区域RE7与第8电极区域RE8之间并与扫描线G重叠的第9电极区域RE9。例如，第1像素MP1的第3半导体层SC3与第1扫描线G1的第1主部在2点处重叠。
第4开关元件SW4是第4薄膜晶体管，具有第4半导体层SC4、第4栅电极GE4。第4半导体层SC4具有连接于信号线S的第10电极区域RE10、连接于导电层CL4(第4像素电极PE4)的第11电极区域RE11、以及位于第10电极区域RE10与第11电极区域RE11之间并与扫描线G重叠的第12电极区域RE12。例如，第1像素MP1的第4半导体层SC4与第1扫描线G1的第1主部在2点处重叠。
在第1扫描线G1为上侧、第2扫描线G2为下侧的俯视中，第1像素MP1的第3半导体层SC3(第9电极区域RE9)以及第4半导体层SC4(第12电极区域RE12)分别形成为与第1扫描线G1交叉、并将U字上下反转的形状。在上述俯视时，第2像素MP2的第3半导体层SC3(第9电极区域RE9)以及第4半导体层SC4(第12电极区域RE12)分别形成为与第2扫描线G2交叉、并将U字上下反转后的形状。
如图7以及图6所示，这里，第2电极区域RE2以及第5电极区域RE5位于由第1信号线S1、第2信号线S2、第1扫描线G1、以及第2扫描线G2包围的区域(第1区域)的外侧。此外，导电层CL1以及导电层CL2也位于上述区域的外侧。由此，能够提高第1色(蓝色)的区域R1的面积的比例。
此外，在本实施方式中，半导体层SC利用多晶硅而形成。但是，也可以与本实施方式不同，半导体层SC利用氧化物半导体等多晶硅以外的半导体而形成。
图8是表示沿着图7的线VIII－VIII的液晶显示面板的剖面图。
如图8所示，阵列基板AR使用玻璃基板或树脂基板等具有透光性的第1绝缘基板10而形成。阵列基板AR具备绝缘膜11、绝缘膜12、绝缘膜13、绝缘膜14、绝缘膜15、第1开关元件SW1、第1扫描线G1、第1信号线S1、第1像素电极PE1、共用电极CE、第1取向膜AL1等。在图示的例子中，第1开关元件SW1具有顶栅构造。但是，也可以与本实施方式不同，使各开关元件SW具有底栅构造。
绝缘膜11形成在第1绝缘基板10之上。第1开关元件SW1的第1半导体层SC1形成在绝缘膜11之上。绝缘膜12形成在绝缘膜11以及第1半导体层SC1之上。第1扫描线G1形成在绝缘膜12上。第1栅电极GE1与第3电极区域RE3对置。
绝缘膜13形成在第1扫描线G1以及绝缘膜12之上。第1信号线S1以及导电层CL1形成在绝缘膜13之上。第1信号线S1通过贯通绝缘膜12以及绝缘膜13的接触孔而与第1半导体层SC1的第1电极区域RE1接触。导电层CL1通过贯通绝缘膜12以及绝缘膜13的其他接触孔而与第1半导体层SC1的第2电极区域RE2接触。
绝缘膜14形成在绝缘膜13、第1信号线S1、以及导电层CL1之上。共用电极CE形成在绝缘膜14之上。绝缘膜15形成在绝缘膜14以及共用电极CE之上。绝缘膜11至15所利用的绝缘材料不被特别限定。例如，绝缘膜11、绝缘膜12、绝缘膜13以及绝缘膜1 5由硅氮化物(SiN)或硅氧化物(SiO)等无机材料形成。绝缘膜14由丙烯酸树脂等有机材料形成。
第1像素电极PE1形成在绝缘膜15之上。第1像素电极PE1通过贯通绝缘膜14以及绝缘膜15的接触孔CH1而与导电层CL1接触。共用电极CE以及像素电极PE(线状电极LE)由导电材料形成。例如，共用电极CE以及像素电极PE由铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等透明导电材料形成。第1取向膜AL1形成在绝缘膜15以及像素电极PE之上。
对置基板CT使用玻璃基板或树脂基板等具有透光性的第2绝缘基板20而形成。对置基板CT具备遮光层SH、滤色器CF、包覆层OC、第2取向膜AL2等。滤色器CF具有颜色、形状、尺寸等不同的多个着色层。
遮光层SH具有位于与第1信号线S1对置的位置的第1延伸部SH1和位于与第1扫描线G1对置的位置的第2延伸部SH2。
着色层CF1、CF2各自的端部与遮光层SH重叠。包覆层OC由透明的树脂材料形成，着色层CF1、CF2等覆盖滤色器CF。第2取向膜AL2形成于包覆层OC的与阵列基板AR对置的一侧。
此外，在图示的例子中，滤色器CF形成于对置基板CT，但也可以形成于阵列基板AR。另外，滤色器CF也能够无着色层CF2地形成。
本实施方式的液晶显示装置DSP如上述那样形成。
根据如上述那样构成的一实施方式的液晶显示装置DSP，液晶显示装置DSP具备第1信号线S1、沿第1方向d1与第1信号线S1隔开间隔地排列的第2信号线S2、位于第1信号线S1与第2信号线S2之间的第1像素电极PE1、以及位于第1信号线S1与第2信号线S2之间并与第1像素电极PE1相邻的第2像素电极PE2。通过第2方向d2上的第1像素电极PE1的中央部的第1信号线S1与第2信号线S2的第1间隔D1a，比通过第2方向d2上的第2像素电极PE2的中央部的第1信号线S1与第2信号线S2的第2间隔D2a大。
由于能够提高第1色(蓝色)的区域R1的面积的比例，因此能够提高区域R1的透光率，能够有助于低功耗化。通过增大区域R1的第1宽度，能够避免第2色(白色)的区域R2的第2宽度随之变大的情况。也能够避免第3色(红色)的区域R3的第3宽度及第4色(绿色)的区域R4的第4宽度变小的情况。因此，可获得能够调整沿信号线S排列的多个副像素SP的宽度的液晶显示装置DSP。
并且，如上述那样，通过调整第1半导体层SC1、导电层CL1、接触孔CH1、第2半导体层SC2、以及导电层CL2的布局，使为了第2像素电极PE2与导电层CL2接触而通过的其他接触孔位于导电层CL2的上方，从而能够在第2方向d2上使区域R1的长度比区域R2的长度长。由此，能够增大区域R1的面积，并相对地减小区域R2的面积。
根据上述，可获得能够调整多个副像素SP的尺寸的液晶显示装置DSP。
虽然说明了本发明的实施方式，但上述实施方式是作为例子而提出的，并非意图限定发明的范围。上述的新的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。上述实施方式及其变形包含在发明的范围、主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等效的范围内。
例如，如图9所示，也可以与上述实施方式(图6)不同，延伸部与连接部的边界的位置不在第1方向d1上对齐。各连接部在第2方向d2上呈直线状延伸。第1间隔D1a比第2间隔D2a大(D1a＞D2a)。这里，将通过第2方向d2上的第3像素电极PE3的中央部的信号线S在第1方向d1上的间隔设为第3间隔D3a，将通过第2方向d2上的第4像素电极PE4的中央部的信号线S在第1方向d1上的间隔设为第4间隔D4a。第1间隔D1a比第2间隔D2a大即可，除了第1间隔D1a与第2间隔D2a的关系之外，第1间隔D1a至第4间隔D4a的关系不被特别限定。此外，在图9所示的变形例中为D3a＜D4a＜D2a＜D1a。
另外，通过第2方向d2上的像素电极PE的中央部的信号线S在第1方向d1上的间距、和与扫描线G重叠的区域中的信号线S在第1方向d1上的间距不同。这里，将与扫描线G重叠的区域中的信号线S的第1方向d1的间隔设为第5间隔D1b、第6间隔D2b、第7间隔D3b、第8间隔D3c、第9间隔D4b、第10间隔D4c。例如，第5间隔D1b是位于第1像素电极PE1的下侧的扫描线G所重叠的区域中的信号线S的间隔。另外，第6间隔D2b是位于第2像素电极PE2的下侧的扫描线G所重叠的区域中的信号线S的间隔。
第5间隔D1b至第10间隔D4c的关系也不被特别限定。此外，在本变形例中为D3c＜D4b＜D3b＜D4c＜D1b＝D2b。另外，D3a＝D3b，D4a＝D4c。
如上述那样，在上述变形例中，也由于第1间隔D1a比第2间隔D2a大，所以能够获得与上述实施方式相同的效果。
上述第1方向d1以及第2方向d2的朝向并不限定于上述各实施方式，而是能够进行各种变形。例如，在图3所示的俯视时，也可以是第1方向d1朝左，或第2方向d2朝上。
上述实施方式的液晶显示面板PNL具有与作为显示模式的、利用横电场进行显示的IPS(In-Plane Switching)模式之一即FFS模式对应的构成，但也可以具有与其他显示模式对应的构成。例如能够应用阵列基板AR中具备线状的像素电极PE以及线状的共用电极CE这两方的通常的IPS模式、或阵列基板AR中具备线状或平面状的像素电极PE并在对置基板CT具备共用电极CE的构成。
上述的实施方式并不局限于液晶显示装置，也能够应用于有机电致发光显示装置等其他显示装置。上述实施方式能够从中小型的显示装置至大型的显示装置都无特别限定地应用。

Claims (13)

1.一种显示装置，其特征在于，具备：
第1信号线；
第2信号线，在第1方向上，与上述第1信号线隔开间隔地排列；
第1扫描线；
第2扫描线和第3扫描线，在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1扫描线隔开间隔地排列；
第1副像素，具有第1像素电极；以及
第2副像素，具有第2像素电极，
在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第1扫描线、以及上述第2扫描线包围并形成有上述第1像素电极的区域为第1区域，
在俯视时，由上述第1信号线、上述第2信号线、上述第2扫描线、以及上述第3扫描线包围并形成有上述第2像素电极的区域是第2区域，
上述第1区域在上述第1方向上具有第1间隔，上述第2区域在上述第1方向上具有第2间隔，
上述第1间隔比上述第2间隔大。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1间隔是上述第1区域的上述第2方向的中央部处的间隔，
上述第2间隔是上述第2区域的上述第2方向的中央部处的间隔。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1副像素是第1色的副像素，
上述第2副像素是第2色的副像素，
上述第1色是蓝色，并且具有大于等于380nm且小于490nm的波长，
上述第2色是白色。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具备在上述第1方向以及上述第2方向上排列的多个第1主像素以及多个第2主像素，
各个上述第1主像素具有上述第1副像素、第3副像素、以及第4副像素，
上述第1副像素、上述第3副像素、以及上述第4副像素在上述第1方向上排列，
各个上述第2主像素具有上述第2副像素、上述第3副像素、以及上述第4副像素，
上述第2副像素、上述第3副像素、以及上述第4副像素在上述第1方向上排列，
在上述第1方向上相邻的上述第1主像素和上述第2主像素所包含的6个副像素的组在上述第1方向上等间隔地配置。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
还具备包含上述第1信号线以及上述第2信号线的多个信号线，
在上述第1主像素以及上述第2主像素中，各副像素在俯视时处于一对上述信号线之间，各副像素中的上述一对信号线的间隔是一定的。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
上述第1副像素是第1色的副像素，
上述第2副像素是第2色的副像素，
上述第3副像素是第3色的副像素，
上述第4副像素是第4色的副像素，
上述第1色是蓝色，并且为大于等于380nm且小于490nm的波长，
上述第2色是白色，
上述第3色是红色，并且为大于等于590nm且小于780nm的波长，
上述第4色是绿色，并且为大于等于490nm且小于590nm的波长。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1信号线具有与上述第1像素电极的第1线状电极并行地延伸的第1延伸部、与上述第2像素电极的第2线状电极并行地延伸的第2延伸部、以及将上述第1延伸部与上述第2延伸部连接的第1连接部，
上述第2信号线具有与上述第1线状电极并行地延伸的第3延伸部、与上述第2线状电极并行地延伸的第4延伸部、以及将上述第3延伸部与上述第4延伸部连接的第2连接部。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
上述第1信号线在上述第1延伸部与上述第1连接部的边界处弯曲，
上述第2信号线在上述第3延伸部与上述第2连接部的边界处弯曲。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
在将相对于上述第2方向向第1旋转方向以锐角进行了倾斜而得到的方向设为第3方向，将相对于上述第2方向向与上述第1旋转方向相反的第2旋转方向以锐角进行了倾斜而得到的方向设为第4方向的情况下，
上述第1线状电极、上述第1延伸部、以及上述第3延伸部在上述第3方向上延伸，
上述第2线状电极、上述第2延伸部、以及上述第4延伸部在上述第4方向上延伸，
上述第1连接部和上述第2连接部在上述第2方向上延伸。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
上述第1连接部中的上述第1延伸部侧的端部，在从上述第2方向向上述第2旋转方向以锐角进行了倾斜而得到的方向上延伸，
上述第2连接部中的上述第3延伸部侧的端部，在从上述第2方向向上述第2旋转方向以锐角进行了倾斜而得到的方向上延伸。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还具备：
第1半导体层，具有连接于上述第1信号线的第1电极区域、连接于上述第1像素电极的第2电极区域、以及位于上述第1电极区域与上述第2电极区域之间并与上述第1扫描线重叠的第3电极区域；以及
第2半导体层，具有连接于上述第1信号线的第4电极区域、连接于上述第2像素电极的第5电极区域、以及位于上述第4电极区域与上述第5电极区域之间并与上述第2扫描线重叠的第6电极区域，
上述第2电极区域、上述第5电极区域位于上述第1区域的外侧。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
上述第1扫描线具有在上述第1方向上延伸的第1主部和从上述第1主部分支的第1分支部，
上述第2扫描线具有在上述第1方向上延伸的第2主部和从上述第2主部分支的第2分支部，
上述第2分支部在上述第1分支部的延伸方向的相反方向上延伸，
上述第1半导体层重叠于上述第1主部和上述第1分支部，
上述第2半导体层重叠于上述第2主部和上述第2分支部。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
还具备第3半导体层，
上述第3半导体层与上述第1扫描线的上述第1主部在2点处重叠。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957874A (zh) * 2018-07-10 2018-12-07 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置及其驱动方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7109968B2 (ja) * 2018-04-04 2022-08-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019184816A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10847552B2 (en) * 2018-10-16 2020-11-24 Innolux Corporation Electronic modulating device
KR20210000383A (ko) 2019-06-25 2021-01-05 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN113900305B (zh) * 2021-10-11 2023-10-20 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080284929A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN102736292A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 Nlt科技股份有限公司 液晶显示装置
US20120327352A1 (en) * 2011-06-27 2012-12-27 Nami Uyama Liquid crystal display apparatus
CN102959462A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 夏普株式会社 显示面板和显示装置
CN105652357A (zh) * 2014-12-01 2016-06-08 株式会社日本显示器 滤色器基板以及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003066482A (ja) * 2001-08-29 2003-03-05 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR101225440B1 (ko) * 2005-06-30 2013-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US8125603B2 (en) * 2007-05-17 2012-02-28 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
US20120127148A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Seong-Jun Lee Display substrate, display panel and display device
JP5798064B2 (ja) 2012-03-06 2015-10-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、電子機器
JP6336762B2 (ja) * 2014-01-24 2018-06-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP6291282B2 (ja) 2014-02-20 2018-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080284929A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN102959462A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 夏普株式会社 显示面板和显示装置
CN102736292A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 Nlt科技股份有限公司 液晶显示装置
US20120327352A1 (en) * 2011-06-27 2012-12-27 Nami Uyama Liquid crystal display apparatus
CN105652357A (zh) * 2014-12-01 2016-06-08 株式会社日本显示器 滤色器基板以及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957874A (zh) * 2018-07-10 2018-12-07 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置及其驱动方法
CN108957874B (zh) * 2018-07-10 2022-04-22 昆山龙腾光电股份有限公司 液晶显示装置及其驱动方法

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JP2018013584A (ja) 2018-01-25

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