CN107630219B - 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 - Google Patents
金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107630219B CN107630219B CN201710585309.5A CN201710585309A CN107630219B CN 107630219 B CN107630219 B CN 107630219B CN 201710585309 A CN201710585309 A CN 201710585309A CN 107630219 B CN107630219 B CN 107630219B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal film
- compound
- acid
- imidazole
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 105
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- -1 alkyl tetrazole compound Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N sarcosine Chemical compound C[NH2+]CC([O-])=O FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017665 NH4HF2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 3
- 108010077895 Sarcosine Proteins 0.000 claims description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 3
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 3
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940043230 sarcosine Drugs 0.000 claims description 3
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004039 HBF4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 2
- 229910017971 NH4BF4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M potassium;fluoride;hydrofluoride Chemical compound F.[F-].[K+] VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 claims description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XOHZHMUQBFJTNH-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2h-tetrazole-5-thione Chemical compound CN1N=NN=C1S XOHZHMUQBFJTNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GTKOKCQMHAGFSM-UHFFFAOYSA-N 1-methyltetrazol-5-amine Chemical compound CN1N=NN=C1N GTKOKCQMHAGFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OMAFFHIGWTVZOH-UHFFFAOYSA-N 1-methyltetrazole Chemical compound CN1C=NN=N1 OMAFFHIGWTVZOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XGIDEUICZZXBFQ-UHFFFAOYSA-N 1h-benzimidazol-2-ylmethanethiol Chemical compound C1=CC=C2NC(CS)=NC2=C1 XGIDEUICZZXBFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YCIRHAGYEUJTFH-UHFFFAOYSA-N 2-imidazol-1-ylethanamine Chemical compound NCCN1C=CN=C1 YCIRHAGYEUJTFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 3-imidazol-1-ylpropan-1-amine Chemical compound NCCCN1C=CN=C1 KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HHDRWGJJZGJSGZ-UHFFFAOYSA-N 5-benzyl-2h-tetrazole Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC=1N=NNN=1 HHDRWGJJZGJSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940124277 aminobutyric acid Drugs 0.000 claims 1
- BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N gamma-aminobutyric acid Chemical compound NCCCC(O)=O BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 claims 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 126
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 4
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- IOQLGFCIMRCCNA-UHFFFAOYSA-N 2-(carboxymethylamino)acetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O.OC(=O)CNCC(O)=O IOQLGFCIMRCCNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KSMBRKYAGMDASJ-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2H-tetrazole Chemical compound CC1=NN=NN1.CC1=NN=NN1 KSMBRKYAGMDASJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAOSVPLMYOIGOB-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-imidazole Chemical compound CC=1N=CNC1.CC=1N=CNC1 ZAOSVPLMYOIGOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- MNWYQIUDIJSNBF-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound SC=1NC2=C(N1)C=CC=C2.SC=2NC1=C(N2)C=CC=C1 MNWYQIUDIJSNBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRSGMTIYAILZMO-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2h-tetrazole-5-thione Chemical compound CN1NN=NC1=S.CN1NN=NC1=S JRSGMTIYAILZMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQZKOBDNLNBCU-UHFFFAOYSA-N 1-methylimidazole Chemical compound CN1C=CN=C1.CN1C=CN=C1 DTQZKOBDNLNBCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLUIZSNKFNVQLU-UHFFFAOYSA-N 1h-benzimidazol-2-ylmethanethiol;1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(=S)NC2=C1.C1=CC=C2NC(CS)=NC2=C1 KLUIZSNKFNVQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBIBYNIYVUFTIT-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O.OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O GBIBYNIYVUFTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPMKADABKPYRHE-UHFFFAOYSA-N 2-aminobutanoic acid Chemical compound CCC(N)C(O)=O.CCC(N)C(O)=O LPMKADABKPYRHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOHOXHYMCWWJJH-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1.CC1=NC=CN1 WOHOXHYMCWWJJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBUMFXTSUZXHH-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 FLBUMFXTSUZXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVRJKFUFVBIFIB-UHFFFAOYSA-N 3-imidazol-1-ylpropan-1-amine Chemical compound NCCCN1C=CN=C1.NCCCN1C=CN=C1 AVRJKFUFVBIFIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYMWOIHFTWVIRV-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2H-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=NN1.C1=CC=CC=C1C1=NN=NN1 HYMWOIHFTWVIRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJJKZZQNPACYAG-UHFFFAOYSA-N CN1N=NN=C1.CN1N=NN=C1 Chemical compound CN1N=NN=C1.CN1N=NN=C1 ZJJKZZQNPACYAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TTWYBNLBVHMTBZ-UHFFFAOYSA-N CN1N=NN=C1N.CN1N=NN=C1N Chemical compound CN1N=NN=C1N.CN1N=NN=C1N TTWYBNLBVHMTBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/046—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明提供一种金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法，上述金属膜蚀刻液组合物包含A)过氧化氢(H2O2)、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂，从而具有使随处理张数增加而变化的蚀刻结束所需时间(End Point Detection；EPD)、侧蚀(Side etch)、锥角(Taper angle)的变化量最小化的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属膜蚀刻液组合物及使用上述金属膜蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。
背景技术
半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂覆、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用金属膜蚀刻液组合物的湿式蚀刻。
一般而言，液晶显示装置包含由薄膜晶体管基板、滤色器基板、以及注入在两基板之间的液晶层形成的液晶面板。
液晶层由印刷在两基板的边缘四周且包围液晶层的封止剂结合。由于液晶面板为非发光元件，因此在薄膜晶体管基板的后面设有背光单元。背光所照射的光根据液晶分子的排列状态而调节透光量。
为了向液晶层传递信号，薄膜晶体管基板上形成有配线。薄膜晶体管基板的配线包括栅极配线和数据配线。
这里，栅极配线包含施加栅极信号的栅极线和薄膜晶体管的栅电极，数据配线包含与栅极配线绝缘而施加数据信号的数据线和构成薄膜晶体管的数据电极的漏电极和源电极。
这样的配线可以由金属单层或合金单层构成，但为了弥补各金属或合金的缺点而获得期望的物性，也可以由多层形成。
蒸镀在基板材料上的多层是通过蚀刻而图案化为配线。就蚀刻而言，有干式蚀刻和湿式蚀刻，多使用能够均匀蚀刻且生产率高的湿式蚀刻。
韩国公开专利公报第10-2007-0055259号提出了可以蚀刻铜钼合金膜的蚀刻溶液及其蚀刻方法，但未能够解决随处理张数增加而导致的蚀刻(Etch)性能减低，并且侧蚀(Side etch)、蚀刻结束所需时间(End Point Detection；EPD)、锥角(Taper angle)变化量增加的现象。
为了解决上述问题，本申请人开发了用于在制造显示装置用阵列基板时将金属薄膜及厚膜一并蚀刻且解决随处理张数增加而导致的上述问题的组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国公开专利公报第10-2007-0055259号
发明内容
所要解决的课题
本发明的目的在于，提供以往蚀刻液(Etchant)的处理张数变化量得到提高，且随处理张数增加而变化的蚀刻结束所需时间(END POINT DETECTION；EPD)、侧蚀(Sideetch)、锥角(Taper angle)变化量小的可一并蚀刻金属膜的金属膜蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的在于，提供可一并蚀刻金属膜或铜系金属膜的金属膜蚀刻液组合物，其包含过氧化氢(H2O2)、含氟化合物、5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)、咪唑(Imidazole)、亚氨基二乙酸(Iminodiacetic acid)、硫酸盐和水。
此外，本发明的目的在于，提供使用上相同的金属膜或铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻金属膜或铜系金属膜的蚀刻方法。
此外，本发明的目的在于，提供使用上述相同的金属膜或铜系金属膜的蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。
解决课题的方法
本发明提供一种金属膜蚀刻液组合物，其包含A)过氧化氢(H2O2)、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂。
此外，本发明提供一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：a)在基板上形成栅电极的步骤；b)在包含上述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；c)在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；d)在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，上述a)步骤包括在基板上形成金属膜后利用金属膜蚀刻液组合物蚀刻上述金属膜而形成栅极配线的步骤，上述d)步骤包括形成金属膜后利用本发明的金属膜蚀刻液组合物蚀刻上述金属膜而形成源电极和漏电极的步骤。
发明效果
本发明的金属膜蚀刻液组合物在制造显示装置用阵列基板时能够将金属薄膜和厚膜一并蚀刻，从而工序极简化而能够将工序产率最大化。
进一步，本发明的金属膜蚀刻液组合物能够将随处理张数增加而变化的蚀刻结束所需时间、侧蚀、锥角变化量最小化而有效地制造显示装置用阵列基板。
具体实施方式
以下，详细说明本发明的金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法。
本发明涉及一种金属膜蚀刻液组合物，其包含A)过氧化氢(H2O2)、B)含氟化合物、C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂。特别是，通过包含C)烷基四唑系化合物、D)咪唑系化合物，从而具有将随处理张数增加而变化的EDP、侧蚀和锥角变化量最小化的效果。
本发明中，所谓金属膜的概念包括：铜或铜合金的单层膜；和包含选自铜膜和铜合金膜中的一层以上的膜与选自由钼膜、钼合金膜、钛膜和钛合金膜组成的组中的一层以上的膜的多层膜。
本说明书中记载的铜系金属膜是膜的构成成分中包含铜的概念。
本说明书中记载的合金膜是还包含氮化膜或氧化膜的概念。
作为上述多层膜的例子，可以举出铜/钼膜、铜/钼合金膜、铜合金/钼合金膜、铜/钛膜等双层膜或三层膜。上述铜/钼膜是指包含钼层和形成在上述钼层上的铜层的膜，上述铜/钼合金膜是指包含钼合金层和形成在上述钼合金层上的铜层的膜，铜合金/钼合金膜是指包含钼合金层和形成在上述钼合金层上的铜合金层的膜，上述铜/钛膜是指包含钛层和形成在上述钛层上的铜层的膜。
此外，上述钼合金层是指由选自由比如钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)和铟(In)等组成的组中的一种以上金属与钼的合金形成的层。
特别是，本发明的金属膜蚀刻液组合物优选可以应用于由铜或铜合金膜与钼或钼合金膜形成的多层膜。
本发明中，铜系金属膜的厚度至少为
且包括厚达
以上的金属膜。与厚度为
程度的薄膜不同，在厚度
以上的厚膜的情况下，如果使用以往的蚀刻液，则腐蚀速度慢，因此工序时间(Process Time)增加。因此需要与以往蚀刻液相比更快的腐蚀速度(
/sec以上)，因而不能使用以往蚀刻液。此外，在厚膜的特性中的锥角大的情况下(锥角60°以上)，在进行后续工序时，会发生台阶覆盖(Step Coverage)不良，因此必须减小锥角，但以往蚀刻液的情况下，因锥角大而难以应用。
以下，按构成要素来说明本发明的金属膜蚀刻液组合物。
A)过氧化氢
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的A)过氧化氢(H2O2)是影响铜系金属膜的蚀刻的主氧化剂，该铜系金属膜的特征在于，是包含钼层和形成在上述钼层上的铜层的铜钼膜或包含钼合金层和形成在上述钼合金层上的铜层的铜钼合金膜。
相对于组合物总重量，上述A)过氧化氢(H2O2)的含量为15～25.0重量％，优选为18.0～24.0重量％。如果含量低于上述范围，则铜系金属膜和钼合金膜的蚀刻力可能不足而无法实现充分的蚀刻，在含量超过25.0重量％的情况下，因过氧化氢(H2O2)浓度过高而蚀刻液的稳定性降低。
B)含氟化合物
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的B)含氟化合物是指能够在水中解离而释放F离子的化合物。上述B)含氟化合物是影响钼合金膜的蚀刻速度的助氧化剂，调节钼合金膜的蚀刻速度。
相对于组合物总重量，上述B)含氟化合物的含量为0.01～3.0重量％，优选为0.05～1.0重量％。如果含量低于上述范围，则钼系金属膜和金属氧化物膜的蚀刻速度变慢。如果含量超过上述范围，则钼合金膜的蚀刻性能虽然提高，但蚀刻速度整体上变快，因此会明显出现底切(under cut)现象或下部层的Si系下部层的蚀刻损伤(Damage)。
上述B)含氟化合物只要是本领域中所使用的物质就没有特别限制。但是，上述B)含氟化合物优选选自由HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4HF2(氟化氢铵(ammonium bifluoride)；ABF)、KF、KHF2、AlF3、和HBF4组成的组，从SiO2损伤(Damage)方面考虑，优选为NH4F、NH4HF2等。
C)烷基四唑系化合物
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的C)烷基四唑系化合物发挥调节铜系金属膜的蚀刻速度且减少图案的CD损失(CD Loss)而提高工序余量的作用。
相对于组合物总重量，上述C)烷基四唑系化合物的含量为0.05～3.0重量％，特别优选含量为0.05～1.0重量％的组合物。在上述C)烷基四唑系化合物的含量低于上述范围的情况下，会明显出现过蚀刻和随处理张数变化的蚀刻性能(蚀刻轮廓(Etch Profile))改变。在上述C)烷基四唑系化合物的含量超过上述范围的情况下，由于铜的蚀刻速度变得过慢，因此会发生工序时间损失。
上述C)烷基四唑系化合物可以包含选自由5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)、5-苯基-1H-四唑(5-Phenyl-1H-tetrazole)、5-氨基-1-甲基四唑(5-Amino-1-methyltetrazole)、5-苄基-1H-四唑(5-Benzyl-1H-tetrazole)、5-巯基-1-甲基四唑(5-Mercapto-1-methyltetrazole)和1-甲基-1H-四唑(1-Methyl-1H-tetrazole)等组成的组中的一种以上，更优选为5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)。
D)咪唑系化合物
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的D)咪唑系化合物发挥调节金属膜或铜系金属膜的蚀刻速度且使随处理张数变化的蚀刻性能(蚀刻轮廓)改变减少而提高工序余量的作用。
相对于组合物总重量，D)咪唑系化合物的含量为0.05～3.0重量％，特别优选为0.05～1.0重量％范围。在上述D)咪唑系化合物的含量低于上述范围的情况下，会明显出现过蚀刻和随处理张数变化的蚀刻性能(蚀刻轮廓)改变。在上述D)咪唑系化合物的含量超过上述范围的情况下，由于铜的蚀刻速度变得过慢，因此会发生工序时间损失。上述D)咪唑系化合物可以包含选自由咪唑(Imidazole)、苯并咪唑(Benzimidazole)、2-苯基咪唑(2-Phenyl-1H-Imidazole)、1-甲基-1H-咪唑(1-Methyl-1H-Imidazole)、2-甲基-1H-咪唑(2-Methyl-1H-imidazole)、4-甲基-1H-咪唑(4-Methyl-1H-Imidazole)、1H-咪唑-1-丙胺(1H-Imidzole-1-propylamine)、1H-咪唑-1-乙胺(1H-Imidazole-1-ethanamine)、2-巯基苯并咪唑(2-Mercaptobenzimidazole)、2-巯基甲基苯并咪唑(2-Mercaptotoluimidazole)和1,2-二甲基咪唑(1,2-Dimethyl imidazole)等组成的组中的一种以上，更优选包含咪唑(Imidazole)。
本发明中，C)烷基四唑系化合物与D)咪唑系化合物的含量的比率可以为1:20～20:1，更优选含量比率为1:5～5:1的情况。如果烷基四唑系化合物与咪唑系化合物的比率满足上述范围，则具有处理张数变化量小，厚膜时具有所需的快速的蚀刻速率(Etch Rate)的效果。
E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物阻止在保管金属膜蚀刻液组合物时可能发生的过氧化氢水的自分解反应且在蚀刻多张基板时防止蚀刻特性改变。一般而言，在使用过氧化氢水的金属膜蚀刻液组合物的情况下，保管时过氧化氢水发生自分解而其保管时间不长，还具有可能使容器***的危险因素。
但是，在包含上述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的情况下，过氧化氢水的分解速度降低近10倍，有利于确保保管时间和稳定性。特别是，在铜层的情况下，当金属膜蚀刻液组合物中残留大量铜离子时，会经常发生形成钝化(passivation)膜而氧化变黑后无法被进一步蚀刻的情况，但在添加上述化合物的情况下，能够阻止此种现象。
上述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量为0.5～5.0重量％，特别优选为1.0～3.0重量％范围。
在上述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量低于上述范围的情况下，在蚀刻大量基板(约500张)后会因形成钝化膜而不易获得充分的工序余量。此外，在上述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量超过上述范围的情况下，由于钼或钼合金的蚀刻速度变慢，因此在铜钼膜或铜钼合金膜的情况下会发生钼或钼合金膜的残渣问题。
上述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物可以举出丙氨酸(alanine)、氨基丁酸(aminobutyric acid)、谷氨酸(glutamic acid)、甘氨酸(glycine)、亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、氨三乙酸(nitrilotriacetic acid)和肌氨酸(sarcosine)等。并且其中最优选为亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)。
F)硫酸盐
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的F)硫酸盐是调节Cu表面的氧化电位而使铜膜的蚀刻速度增大的成分。如果本发明的金属膜蚀刻液组合物中不存在上述F)硫酸盐，则蚀刻速度非常慢而蚀刻轮廓可能不良。
相对于组合物总重量，上述F)硫酸盐的含量为0.05～5.0重量％，特别优选含量为0.10～3.0重量％范围的组合物。在上述F)硫酸盐的含量低于上述范围的情况下，蚀刻速度非常慢而可能发生蚀刻性能(蚀刻轮廓)不良和工序时间损失。
在上述F)硫酸盐的含量超过上述范围的情况下，铜或铜合金膜的蚀刻速度变得过快或锥角值变得多大而容易发生台阶覆盖不良，因此难以应用于厚膜。
上述F)硫酸盐可以举出硫酸铵(Ammonium sulfate)、硫酸钠(Sodium sulfate)、硫酸钾(Potassium sulfate)、硫酸镁(Magnesium sulfate)、硫酸锂(Lithium sulfate)等。
G)多元醇型表面活性剂
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的G)多元醇型表面活性剂发挥使表面张力降低而提高蚀刻均匀性的作用。
此外，上述G)多元醇型表面活性剂通过包围蚀刻铜膜后在蚀刻液中溶出的铜离子，从而抑制铜离子的活度，抑制过氧化氢的分解反应。如果这样降低铜离子的活度，则在使用蚀刻液期间能够稳定地进行工序。
相对于组合物总重量，上述G)多元醇型表面活性剂的含量为1.0～5.0重量％，优选为1.5～3.0重量％。在上述G)多元醇型表面活性剂的含量低于上述范围的情况下，可能发生蚀刻均匀性降低，过氧化氢的分解加快的问题。如果上述G)多元醇型表面活性剂的含量超过上述范围，则存在产生大量泡沫的缺点。
上述G)多元醇型表面活性剂可以举出甘油(glycerol)、三乙二醇(triethyleneglycol)和聚乙二醇(polyethylene glycol)等。并且其中优选为三乙二醇(triethyleneglycol)。
H)余量的水
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的水的含量为使金属膜蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量。上述余量的水的意思是，以使包含A)过氧化氢(H2O2)、B)含氟化合物、C)5-甲基-1H-四唑、D)咪唑、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂的金属膜蚀刻液组合物的总重量成为100重量％的方式包含，在进一步包含有机酸和/或添加剂的情况下，也以金属膜蚀刻液组合物的总重量成为100重量％的方式包含。上述水没有特别限定，优选使用去离子水。此外，更优选使用体现水中离子去除程度的水的电阻率值为18MΩ·cm以上的去离子水。
I)有机酸
本发明的金属膜蚀刻液组合物可以进一步包含I)有机酸，发挥良好去除残渣的作用。
相对于组合物总重量，上述I)有机酸的含量为0.01～5.0重量％，特别优选为0.01～3.0重量％。在上述I)有机酸的含量超过上述范围的情况下，具有使处理张数变化量增大的效果，在低于上述范围的情况下，去除残渣时没有明显效果。
上述I)有机酸可以举出乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、丙二酸、戊酸、乳酸和草酸等，更优选为柠檬酸。
本发明的金属膜蚀刻液组合物的pH可以为1.0～3.0，更优选为1.5～2.5。在金属膜蚀刻液组合物的pH范围为上述范围的情况下，去除残渣时具有优异的效果。
此外，本发明中，除了上述成分以外，可以进一步添加通常的添加剂，作为上述添加剂，可以举出多价螯合剂和防腐蚀剂等。上述添加剂可以添加多价螯合剂和防腐蚀剂中的一种以上。
相对于组合物总重量，上述金属添加剂的含量为0.001～10重量％，在上述添加剂的含量为上述范围的情况下，进一步提高蚀刻性能(蚀刻轮廓)。
本发明中所使用的各构成成分可以利用通常已知的方法来制造，本发明的金属膜蚀刻液组合物优选具有用于半导体工序的纯度。
以下，通过实施例来更详细说明本发明。但是，下述实施例用于更具体地说明本发明，本发明的范围并不限定于下述实施例。下述实施例可以在本发明的范围内由本领域的技术人员进行合适的修改、变更。
<实施例和比较例>金属膜蚀刻液组合物的制造
将下述表1中记载的成分和余量的水以相应组成比进行混合，制造实施例和比较例的金属膜蚀刻液组合物180㎏。
[表1]
单位：重量％
(注)ABF：氟化氢铵；5-MTZ：5-甲基-1H-四唑；IMZ：咪唑；IDA：亚氨基二乙酸；AS：硫酸铵；TEG：三乙二醇；5-ATZ：5-氨基四唑；TRZ：1,2,4-***；PTZ：5-苯基-1H-四唑；MIMZ：1-甲基-1H-咪唑
<实验例>蚀刻特性确认实验
分别使用实施例1～12、比较例1～9的金属膜蚀刻液组合物实施蚀刻工序。使用喷射式蚀刻方式的实验设备(型号名：ETCHER(TFT)，SEMES公司)，蚀刻工序时，金属膜蚀刻液组合物的温度设为约32℃左右。蚀刻时间可以根据蚀刻温度而不同，但LCD蚀刻工序中通常以50～80秒程度进行。使用SEM(日立公司产品，型号名S-4700)检测上述蚀刻工序所蚀刻的铜系金属膜的轮廓截面，将结果记载在下述表2中。对于蚀刻工序中所使用的铜系金属膜，使用Cu/Mo-Ti 6500/
薄膜基板。
测定随Cu浓度变化的侧蚀(μm)变化量。锥角是指Cu金属膜斜面的斜率，侧蚀是指蚀刻后所测定的光致抗蚀剂末端与下部金属末端之间的距离。如果侧蚀量发生改变，则TFT驱动时会使信号传递速度发生改变而产生斑纹，因此优选使侧蚀变化量最小化。本评价中，当侧蚀变化量为±0.1μm，锥角满足45～55°范围，且锥角变化量满足最小范围即接近于0的条件时为优选，并且定为将金属膜蚀刻液组合物可以用于蚀刻工序。关于金属膜蚀刻后未被蚀刻而残留在表面的残渣测定部分，通过SEM对配线与配线之间进行测定，并且以残渣个数与测定面积之比进行评价基准定义而实施实验。
[表2]
(注)◎：非常良好，○：良好，△：普通，Х：差，
[蚀刻速度评价基准]
◎：非常良好(
/sec≤蚀刻速度≤/sec)
○：良好(/sec≤蚀刻速度<
/sec,
/sec<蚀刻速度≤
/sec)
△：普通(
/sec≤蚀刻速度<
/sec,
/sec<蚀刻速度≤
/sec)
Х：差(蚀刻速度</sec,
/sec<蚀刻速度)
[残渣去除评价基准]
◎：非常良好(残渣个数＝0)
○：良好(残渣个数≤1)
△：普通(1<残渣个数≤5)
Х：差(5<残渣个数，或者无法蚀刻(Un Etch))
[蚀刻直进性评价基准]
◎：非常良好，○：良好，△：普通，Х：差、或者无法蚀刻
[侧蚀变化量评价基准]
◎：非常良好(侧蚀变化量<0.05μm)
○：良好(0.05μm≤侧蚀变化量<0.1μm)
△：普通(0.1μm≤侧蚀变化量<0.2μm)
Х：差(0.2μm≤侧蚀变化量)
[锥角评价基准]
◎：非常良好(锥角变化量<5°，形成的锥角为45～55°)
○：良好(5°≤锥角变化量<10°，形成的锥角为45～55°)
△：普通(10°≤锥角变化量<15°，形成的锥角为40～60°)
Х：差(15°≤锥角变化量，形成的锥角<40°，60°<形成的锥角)
从表2可知，实施例1～8的金属膜蚀刻液组合物均显示优异的蚀刻特性。详细而言，利用实施例3的金属膜蚀刻液组合物将铜系薄膜金属膜蚀刻而获得的蚀刻轮廓和直进性优异。此外，可知侧蚀变化量满足±0.1μm，锥角为49.3°而满足45～55°，且锥角变化量为2.4°也满足最小的条件。在实施例7的情况下，与实施例3相同，侧蚀变化量、锥角、锥角变化量均为同等水平而优异，就其他特性而言，残渣评价中，与实施例3相比，残渣去除非常优异。在实施例9～12的情况下，即使包含其他种类的烷基四唑系化合物和咪唑系化合物，侧蚀变化量和锥角变化量也满足优异的范围。特别是，确认到包含5-甲基-1H-四唑和咪唑时的组合物最优异。
另一方面，可知在未包含唑化合物的比较例1的情况下，蚀刻速度非常快，蚀刻轮廓非常差。显示出处理张数变化量也非常大，锥角也显示出65°以上的水平。在仅包含5-MTZ的比较例2的情况下，显示出处理张数变化量和蚀刻轮廓虽然正常，但锥角为55°以上。在仅包含IMZ的比较例3的情况下，显示出虽然蚀刻轮廓优异，但处理张数变化量非常大，锥角也为60度以上。在将唑化合物5-MTZ变更为5-ATZ的比较例4的情况下，显示出虽然蚀刻轮廓优异，但处理张数变化量大。在比较例5的情况下，处理张数变化量和锥角变化量方面优异，但锥角不满足45～55°。在比较例6的情况下，处理张数变化量为0.1以上，所测定锥角变化量高达12.6°。在比较例7的情况下，无法使锥角满足45～55°，在比较例8的情况下，显示出处理张数变化量、锥角、锥角变化量均较大。在比较例9的情况下，蚀刻速度慢，所形成的锥角也非常小，此外处理张数变化量也不优异。
Claims (15)
1.一种金属膜蚀刻液组合物，其包含A)过氧化氢、B)含氟化合物、C)四唑系化合物、D)咪唑系化合物、E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、F)硫酸盐、和G)多元醇型表面活性剂，
所述C)四唑系化合物与D)咪唑系化合物的含量比率为1:20～20:1，
所述C)四唑系化合物为选自由5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-氨基-1-甲基四唑、5-苄基-1H-四唑、5-巯基-1-甲基四唑和1-甲基-1H-四唑组成的组中的一种以上。
2.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述B)含氟化合物为选自由HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4HF2、KF、KHF2、AlF3和HBF4组成的组中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述D)咪唑系化合物为选自由咪唑、苯并咪唑、2-苯基咪唑、1-甲基-1H-咪唑、2-甲基-1H-咪唑、4-甲基-1H-咪唑、1H-咪唑-1-丙胺、1H-咪唑-1-乙胺、2-巯基苯并咪唑、2-巯基甲基苯并咪唑和1,2-二甲基咪唑组成的组中的一种以上。
4.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物为选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种或两种以上。
5.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述G)多元醇型表面活性剂为选自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种以上。
6.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述F)硫酸盐为选自由硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸镁和硫酸锂组成的组中的一种以上。
7.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，进一步包含有机酸。
8.根据权利要求7所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸为选自由乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、丙二酸、戊酸、乳酸和草酸组成的组中的一种以上。
9.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，进一步包含添加剂。
10.根据权利要求9所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述添加剂为多价螯合剂和防腐蚀剂中的一种以上。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属膜由铜或铜合金的单层膜、或者多层膜构成，所述多层膜包含选自铜膜或铜合金膜中的一层以上的膜和选自由钼膜、钼合金膜、钛膜和钛合金膜组成的组中的一层以上的膜。
12.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，所述金属膜蚀刻液组合物包含：
A)过氧化氢(H2O2)15～25重量％；
B)含氟化合物0.01～3.0重量％；
C)四唑系化合物0.05～3.0重量％；
D)咪唑系化合物0.05～3.0重量％；
E)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5.0重量％；
F)硫酸盐0.05～5.0重量％；
G)多元醇型表面活性剂1.0～5.0重量％；和
H)余量的水。
13.根据权利要求12所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，进一步包含有机酸0.01～5.0重量％。
14.根据权利要求12所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，进一步包含添加剂0.001～10重量％。
15.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其包括：
a)在基板上形成栅电极的步骤；
b)在包含所述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；
d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及
e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，
所述a)步骤包括在基板上形成金属膜后利用金属膜蚀刻液组合物蚀刻所述金属膜而形成栅极配线的步骤，
所述d)步骤包括形成金属膜后利用金属膜蚀刻液组合物蚀刻所述金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，
所述金属膜蚀刻液组合物为权利要求1～10中任一项所述的金属膜蚀刻液组合物。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2016-0091531 | 2016-07-19 | ||
| KR20160091531 | 2016-07-19 | ||
| KR1020170035892A KR102400343B1 (ko) | 2016-07-19 | 2017-03-22 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 사용한 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR10-2017-0035892 | 2017-03-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107630219A CN107630219A (zh) | 2018-01-26 |
| CN107630219B true CN107630219B (zh) | 2020-01-24 |
Family
ID=61028405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710585309.5A Active CN107630219B (zh) | 2016-07-19 | 2017-07-18 | 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102400343B1 (zh) |
| CN (1) | CN107630219B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102459688B1 (ko) * | 2018-02-13 | 2022-10-27 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
| KR102494016B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2023-02-01 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 금속막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
| CN111748818B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-04-26 | 中国航发动力股份有限公司 | 一种快速去除结构钢表面镍镉扩散层的溶液及方法 |
| CN112080747B (zh) * | 2020-09-02 | 2021-10-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | 蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的蚀刻液组合物及其应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101265579A (zh) * | 2007-03-15 | 2008-09-17 | 东进世美肯株式会社 | 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物 |
| CN102102206A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 鑫林科技股份有限公司 | 金属蚀刻液组合物及其蚀刻方法 |
| CN102271827A (zh) * | 2009-01-08 | 2011-12-07 | 麦克德米德尖端有限公司 | 用于改良聚合材料对金属表面的黏着性的方法 |
| CN102472938A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 液晶显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN103903976A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-02 | 东友精细化工有限公司 | 用于制备薄膜晶体管沟道的蚀刻剂组合物和沟道制造方法 |
| CN104562009A (zh) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 东进世美肯株式会社 | 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法 |
| CN104614907A (zh) * | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 东友精细化工有限公司 | 液晶显示器用阵列基板的制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070055259A (ko) | 2005-11-25 | 2007-05-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리 몰리브덴합금막의 식각용액 및 그 식각방법 |
| KR101346976B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2014-01-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는식각액 조성물 |
| KR101960342B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2019-03-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 배선 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법 |
| KR20150035624A (ko) * | 2013-09-27 | 2015-04-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
-
2017
- 2017-03-22 KR KR1020170035892A patent/KR102400343B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-18 CN CN201710585309.5A patent/CN107630219B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101265579A (zh) * | 2007-03-15 | 2008-09-17 | 东进世美肯株式会社 | 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物 |
| CN102271827A (zh) * | 2009-01-08 | 2011-12-07 | 麦克德米德尖端有限公司 | 用于改良聚合材料对金属表面的黏着性的方法 |
| CN102472938A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 液晶显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN102102206A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 鑫林科技股份有限公司 | 金属蚀刻液组合物及其蚀刻方法 |
| CN103903976A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-02 | 东友精细化工有限公司 | 用于制备薄膜晶体管沟道的蚀刻剂组合物和沟道制造方法 |
| CN104562009A (zh) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 东进世美肯株式会社 | 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法 |
| CN104614907A (zh) * | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 东友精细化工有限公司 | 液晶显示器用阵列基板的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180009687A (ko) | 2018-01-29 |
| CN107630219A (zh) | 2018-01-26 |
| KR102400343B1 (ko) | 2022-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102160286B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| CN107630219B (zh) | 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 | |
| KR102137013B1 (ko) | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102269327B1 (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| TWI614550B (zh) | 液晶顯示裝置用陣列基板的製備方法及其多層膜用蝕刻液組合物 | |
| KR20180077610A (ko) | 금속막 식각액 조성물 및 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| TW202035794A (zh) | 蝕刻組合物及利用其的蝕刻方法 | |
| KR101560000B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20150035624A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102092350B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102282958B1 (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20170089315A (ko) | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| CN106611746A (zh) | 铜系金属膜用蚀刻液组合物、利用其的显示装置用阵列基板及其制造方法 | |
| CN111755461A (zh) | 液晶显示装置用阵列基板的制造方法及用于其的铜系金属膜蚀刻液组合物 | |
| KR20150035213A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102058168B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| TWI840532B (zh) | 蝕刻組合物及利用其的蝕刻方法 | |
| KR102459681B1 (ko) | 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법, 및 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR20130018531A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| CN107475716B (zh) | 铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用 | |
| KR101608088B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102368356B1 (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20160112472A (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102423633B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20160112473A (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |