CN107614740A - 处理装置和准直器 - Google Patents

Abstract

根据实施例的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。物体配置部被构造成在其上设置物体。发生源配置部设置在远离物体配置部分开的位置，并且被构造成能够向着物体发射粒子的粒子发生源设置在发生源配置部上。准直器被构造成设置在物体配置部和发生源配置部之间，其包括框架和第一整流部，第一整流包括多个第一壁，包括多个由第一壁形成并沿第一方向从发生源配置部向物体配置部延伸的第一通孔，并且被构造成可移除地附接到框架。

Description

处理装置和准直器

技术领域

本发明涉及一种处理装置和准直器。

背景技术

例如，将金属沉积在半导体晶片上的溅射装置包括准直器，用于校准待沉积金属粒子的方向。该准直器包括壁，其形成了大量通孔，使得沿基本垂直于将被处理的物体例如半导体晶片的方向飞行的粒子能够通过，并阻挡沿着倾斜方向飞行的粒子。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本公开专利文献，公开号：JP6-295903。

发明内容

本发明要解决的技术问题

沉积粒子的方向范围是由准直器的形状决定的。因此，当沉积粒子的方向范围改变时，准直器需要被替换。

解决问题的方法

根据一实施例的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。物体配置部被构造成使得物体设置在物体配置部上。该发生源配置部设置在远离物体配置部的位置，并且被构造成使得能够向物体发射粒子的粒子发生源设置在发生源配置部上。该准直器被构造成设置在物体配置部和发生源配置部之间，包括框架和第一整流部，该第一整流部包括多个第一壁并包括多个由第一壁形成的第一通孔，其沿着第一方向从发生源配置部向物体配置部延伸，并且被构造为可拆卸地连接至该框架。

附图说明

图1是第一实施例的溅射装置的横截面示意图。

图2是第一实施例的准直器的平面示意图。

图3是第一实施例的准直器的横截面示意图。

图4是第一实施例的基座部件沿着图3中的线F4-F4的横截面示意图。

图5是第一实施例的包括两个准直部件的准直器的横截面示意图。

图6是第一实施例的包括另一准直部件的准直器的横截面示意图。

图7是第一实施例的准直部件被移走的准直器的横截面示意图。

图8是第一实施例的准直部件在其中旋转的准直器的平面示意图。

图9是第二实施例的准直器的平面示意图。

图10是第二实施例的准直部件被移动的准直器的平面示意图。

图11是第三实施例的溅射装置的横截面示意图。

图12是第三实施例的准直器的横截面示意图。

图13是第三实施例的第一变形的准直器的平面示意图。

图14是第三实施例的第二变形的准直器的横截面示意图。

具体实施方式

以下参考图1到8对第一实施例进行说明。在该说明中，基本上来说，竖直向上的方向被定义为向上方向，竖直向下的方向被定义为向下方向。在该说明中，对实施例的部件和部件的说明可以使用多种表述。其它没有在此介绍的表述也可以用于这些以多种方式介绍的部件和说明。其它没有在此介绍的表述可以用于那些没有以多种方式介绍的部件和说明。

图1是第一实施例的溅射装置的横截面示意图。溅射装置1是处理装置的例子，例如，可以被称作是半导体制造装置，制造装置，加工装置或者装置。

该溅射装置1是用于进行例如磁控管溅射的装置。例如该溅射装置1将金属粒子沉积在半导体晶片2的表面上。该半导体晶片2是物体的例子，例如其可以被称作是物体。例如该溅射装置1可以在另一物体上进行沉积。

溅射装置1包括腔体11、目标物12、平台13、磁体14、遮蔽元件15、准直器16、泵17和罐体18。目标物12是粒子发生源的例子。该准直器16可以被称作是例如遮蔽部件、整流部件或者是方向调整部件。

如附图所示，定义了X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴彼此正交。X轴沿着腔体11的宽度。Y轴沿着腔体11的深度(长度)。Z轴沿着腔体11的高度。以下的介绍都是假设Z轴是沿着竖直方向的。溅射装置1的Z轴可以与竖直方向倾斜相交。

腔体11形成为可以被密封的箱状。该腔体11包括上壁21、底壁22、侧壁23、排出口24和导入口25。上壁21可以被称作是例如支撑板、附接部或者保持部。

上壁21和底壁22在沿着Z轴(竖直方向)的方向上彼此相对设置。上壁21以预定的间隙设置在底壁22的上方。侧壁23形成为筒状，沿着Z轴方向延伸从而连接上壁21和底壁22。

在腔体11中设置有处理腔体11a。处理腔体11a还可以被称作是容器的内部。上壁21、底壁22和侧壁23的内表面形成了处理腔体11a。处理腔体11a可以被气密性地封闭。也就是说，处理腔体11a可被密封。气密性的封闭状态意味着气体不能在处理腔体11a的内部和外部之间流动，并且排出口24和导入口25可以在处理腔体11a中打开。

目标物12、平台13、遮蔽元件15和准直器16被设置在处理腔体11a中。也就是说，目标物12、平台13、遮蔽元件15和准直器16被容纳在腔体11a中。目标物12、平台13、遮蔽元件15和准直器16可以部分地设置在处理腔体11a的外部。

排出口24在处理腔体11a中打开，并且与泵17连接。泵17的例子包括干泵、低温泵或者涡轮分子泵。当泵17通过排出口24抽吸在处理腔体11a中的气体时，处理腔体11a中的空气压力能够下降。泵17能够抽空处理腔体11a。

导入口25在处理腔体11a中打开，并与罐体18连接。罐体18中装有惰性气体例如氩气。氩气可以从罐体18通过导入口25被导入到处理腔体11a中。罐体18包括阀，能够停止该惰性气体的导入。

目标物12例如是盘状金属板作为粒子发生源。目标物12也可以形成为另一形状。在该实施例中，目标物12例如是由铜制造的。目标物12可以由另一材料制造。

目标物12被附接到腔体11的上壁21的附接面21a。作为支撑板的上壁21用作目标物12和电极的冷却体。腔体11可以包括作为与上壁21不同的部件的支撑板。

上壁21的附接面21a是上壁21的内表面，其面向Z轴的负方向(向下方向)，并且形成为实质上平坦的。目标物12设置在附接面21a上。上壁21是发生源配置部的例子。发生源配置部不限于独立元件或部件，而可以是某个元件或部件上的具***置。

沿着Z轴的负方向是与Z轴箭头指向相反的方向。沿着Z轴的负方向是从上壁21的附接面21a向着平台13的放置面13a的方向，其是第一方向的例子。沿着Z轴的方向和竖直方向包括沿着Z轴的负方向和沿着Z轴的正方向(Z轴的箭头指向的方向)。

目标物12包括下表面12a。下表面12a是面向下的实质上平坦的表面。当电压施加到目标物12上时，引入到腔体11中的氩气被电离，产生了等离子体P。图1通过双点划线显示了等离子体P。

磁体14设置在处理腔体11a的外部。磁体14是例如电磁体或永磁体。磁体14可以沿着上壁21和目标物12移动。上壁21定位在目标物12和磁体14之间。等离子体P在磁体14附近产生。这样，目标物12定位在磁体14和等离子体P之间。

当等离子体P中的氩离子与目标物12碰撞时，例如，包含在目标物12中的沉积材料的粒子C从目标物12的下表面12a飞出。也就是说，目标物12可以发射粒子C。在本实施例中，粒子C包括铜离子、铜原子和铜分子。

从目标物12的下表面12a飞出的粒子C的飞行方向根据余弦定律(兰伯特余弦定律)分布。即，从下表面12a上的某个点飞出的粒子C的数量在下表面12a的法线方向(竖直方向)上是最大的。沿着与法线方向倾斜θ角(倾斜相交)的方向飞出的粒子C的数量与沿法线方向飞出的粒子C的数量的余弦(cosθ)基本成正比。

粒子C是本实施例的粒子的例子，其是包含在目标物12中的沉积材料的微小粒子。该粒子可以是构成物体或者能量射线的多种粒子，例如分子、原子、离子、原子核、电子、基本粒子、蒸汽(气相物体)和电磁波(光子)。

平台13设置在腔体11的底壁22上。平台13沿着Z轴方向远离上壁21和目标物12分开。平台13包括放置面13a。平台13的放置面13a支撑半导体晶片2。半导体晶片2例如形成为圆盘形。该半导体晶片2可以形成为另一形状。

该平台13的放置面13a是面向上方的实质上平坦的表面。该放置面13a布置为在Z轴方向上远离上壁21的附接面21a分开，并且面向附接面21a。半导体晶片2设置在放置面13a上。平台13是物体配置部的例子。物体配置部不限于独立元件或部件，而可以是某个元件或部件上的具***置。

平台13可以沿着Z轴方向，即竖直方向移动。平台13包括加热器，可以加热设置在放置面13a上的半导体晶片2。平台13还用作电极。

遮蔽元件15形成为实质上筒状形状。该遮蔽元件15覆盖侧壁23的一部分以及侧壁23与半导体晶片2之间的间隙。遮蔽元件15可以保持该半导体晶片2。该遮蔽元件15防止从目标物12发射的粒子C粘附到底壁22和侧壁23上。

准直器16沿着Z轴方向设置在上壁21的附接面21a和平台13的放置面13a之间。也就是说，准直器16沿着Z轴方向(竖直方向)设置在目标物12和半导体晶片2之间。准直器16例如附接到腔体11的侧壁23。准直器16可以由遮蔽元件15支撑。

准直器16与腔体11绝缘。例如，绝缘元件插设在准直器16和腔体11之间。此外，准直器16与遮蔽元件15绝缘。

在Z轴方向上，准直器16和上壁21的附接面21a之间的距离小于准直器16和平台13的放置面13a之间的距离。也就是说，与接***台13的放置面13a相比，准直器16更加接近于上壁21的附接面21a。准直器16的设置不限于此。

图2是第一实施例的准直器16的平面示意图。图3是第一实施例的准直器16的横截面示意图。如图3所示，准直器16包括基座部件31和准直部件32。准直部件32是第一整流部的例子。

基座部件31例如是由铝制造的。基座部件31可以由其它材料制造。基座部件31包括框架41和整流部42。例如，框架41还可以称作是外边缘部、保持部、支撑部或壁。整流部42是第二整流部的例子。

框架41是沿着Z轴方向延伸的基本为圆筒形的壁。框架41的形状不限于此，框架41也可以形成为其它形状例如矩形。框架41包括内周面41a和外周面41b。

框架41的内周面41a是面向圆筒形框架41的径向的曲面，并且面向筒状框架41的中心轴线。外周面41b定位在内周面41a的相反侧。在X-Y平面上被框架41的外周面41b围绕的部分的面积大于半导体晶片2的横截面面积。

如图1所示，框架41覆盖侧壁23的一部分。沿着Z轴方向在上壁21和平台13之间，侧壁23被遮蔽元件15和准直器16的框架41所覆盖。框架41防止从目标物12发射出的粒子C粘附在侧壁23上。

图4是沿着图3中的F4-F4线截取的第一实施例的基座部件31的横截面示意图。如图4所示，整流部42在X-Y平面上设置在筒状框架41的内部。整流部42与框架41的内周面41a连接。框架41和整流部42一体成型。也就是说，整流部42固定在框架41的内部。整流部42可以是独立于框架41的部件。

如图1所示，整流部42设置在上壁21的附接面21a和平台13的放置面13a之间。整流部42沿着Z轴方向与上壁21和平台13分离设置。如图4所示，整流部42包括多个第一壁部45。第一壁部45是多个第二壁的例子，并且例如还可以被称作是板或者遮蔽部件。

在整流部42中，第一壁部45形成多个彼此基本平行设置的第一开口47。第一开口47是多个第二通孔的例子。每个第一开口47都是沿Z轴方向(竖直方向)延伸的六边形孔。也就是说，第一壁部45形成多个六边形筒的集合体(蜂窝结构)，其中形成有第一开口47。沿着Z轴方向延伸的第一开口47可允许沿着Z轴方向移动的物体例如粒子C通过。第一开口47可以形成为其它形状。

如图3所述，整流部42包括上端部42a和下端部42b。上端部42a是整流部42沿着Z轴方向的一端，其面向目标物12和上壁21的附接面21a。下端部42b是整流部42沿着Z轴方向的另一端，其面向平台13支撑的半导体晶片2以及平台13的放置面13a。

第一开口47从整流部42的上端部42a到下端部42b设置。即，第一开口47是向着目标物12开口并且向着平台13支撑的半导体晶片2开口的孔。

每个第一壁部45都是沿着Z轴方向延伸的基本上为矩形(四边形)的板。第一壁部45可以例如沿着与Z轴方向倾斜相交的方向延伸。第一壁部45包括上端面45a和下端面45b。

第一壁部45的上端面45a是第一壁部45在Z轴方向上的一端，其面向目标物12和上壁21的附接面21a。每个第一壁部45的上端面45a形成整流部42的上端部42a。

整流部42的上端部42a形成为实质上平坦的。例如，上端部42a可以相对于目标物12和上壁21的附接面21a凹陷成曲面状。也就是说，上端部42a可以弯曲以远离目标物12和上壁21的附接面21a分开。

第一壁部45的下端面45b是第一壁部45在Z轴方向上的另一端，并面向平台13支撑的半导体晶片2和平台13的放置面13a。每个第一壁部45的下端面45b形成整流部42的下端部42b。

整流部42的下端部42b向着平台13支撑的半导体晶片2和平台13的放置面13a伸出。也就是说，当整流部42的下端部42b远离框架41分开时，其可以更加接***台13。整流部42的下端部42b可以形成为其它形状。

整流部42的上端部42a和下端部42b具有不同的形状。这样，整流部42包括多个第一壁部45，其在竖直方向上的长度彼此不同。第一壁部45在Z轴方向上可以具有相同的长度。

如图2所示，在框架41的内周面41a上设置有多个槽49。槽49是第一保持部的例子。每个槽49沿着Z轴方向延伸。槽49从整流部42的上端部42a延伸到框架41的上端41c。槽49在框架41的上端41c处沿着Z轴正方向开口。上端41c是框架41在Z轴方向上的一端，其面向上壁21。

槽49沿着筒状框架41的周向布置。框架41的周向是绕着框架41的中心轴线旋转的方向。槽49沿着框架41的周向在框架41的整个内周面41a上布置。例如，槽49可以在框架41的周向上间隔布置。

例如，准直部件32是由铝制造的，与基座部件31相似。准直部件32也可以由其它材料制造，或者由不同于基座部件31的材料制造。

如图1所示，准直部件32设置在上壁21的附接面21a和平台13的放置面13a之间。准直部件32在Z轴方向上远离上壁21和平台13分开。

如图2所示，准直部件32包括框架部51和多个第二壁部55。例如，框架部51还可以被称作是外边缘部、保持部、支撑部或壁。第二壁部55是多个第一壁的例子，其例如还可以被称作是板或者遮蔽部件。

框架部51是形成为沿着Z轴方向延伸的基本上圆筒形的壁。框架部51的形状不限于此，框架部51可以形成为其它形状，例如矩形。框架部51包括内周面51a和外周面51b。

框架部51的内周面51a是面向圆筒形框架部51的径向的曲面，并且面向筒状框架部51的中心轴线。外周面51b被定位在内周面51a的相反侧。在X-Y平面上被框架部51的外周面51b包围的部分的面积大于半导体晶片2的横截面面积。

框架部51设置在基座部件31的框架41的内部。框架部51的外径小于框架41的内径。框架部51覆盖框架41的内周面41a的一部分。框架部51防止从目标物12发射的粒子C粘附在框架41的一部分内周面41a上。

如图3所示，多个第二壁部55在X-Y平面上设置在筒状框架部51的内部。第二壁部55与框架部51的内周面51a连接。框架部51与第二壁部55一体形成。也就是说，第二壁部55固定在框架部51的内部。每个第二壁部55也可以是独立于框架部51的部件。

第二壁部55形成多个基本彼此平行布置的第二开口57。第二开口57是多个第一通孔的例子。每个第二开口57都是沿着Z轴方向(竖直方向)延伸的六边形孔。也就是说，第二壁部55形成了多个六边形筒的集合体(蜂窝结构)，其中形成有第二开口57。沿着Z轴方向延伸的第二开口57能够允许沿着Z轴方向移动的物体例如粒子C通过。第二开口57可以形成为其它形状。

在沿着Z轴方向的平面视图中，第二开口57的形状与第一开口47的形状基本相同。此外，在沿着Z轴方向的平面视图中，第二开口57布置在能够与第一开口47相重叠的位置。第二开口57的形状和位置可与第一开口47的形状和位置不同。

准直部件32包括上端部32a和下端部32b。上端部32a是准直部件32在Z轴方向上的一端，其面向目标物12和上壁21的附接面21a。下端部32b是准直部件32在Z轴方向上的另一端，其面向平台13支撑的半导体晶片2和平台13的放置面13a。

第二开口57从准直部件32的上端部32a到下端部32b设置。即，第二开口57是向着目标物12开口的孔，并且向着平台13支撑的半导体晶片2开口。

每个第二壁部55都为沿着Z轴方向延伸的基本上矩形(四边形)板。例如，第二壁部55可以沿着与Z轴方向倾斜相交的方向延伸。第二壁部55包括上端面55a和下端面55b。

第二壁部55的上端面55a是第二壁部55在Z轴方向上的一端，其面向目标物12和上壁21的附接面21a。每个第二壁部55的上端面55a形成准直部件32的上端部32a。

准直部件32的上端部32a形成为实质上平坦的。例如，上端部32a可以相对于目标物12和上壁21的附接面21a凹陷为曲面状。也就是说，上端部32a可以被弯曲以远离目标物12和上壁21的附接面21a分开。

第二壁部55的下端面55b是第二壁部55在Z轴方向上的另一端，其面向平台13支撑的半导体晶片2和平台13的放置面13a。每个第二壁部55的下端面55b形成准直部件32的下端部32b。

准直部件32的下端部32b形成为实质上平坦的。例如，下端部32b可以朝向平台13支撑的半导体晶片2和平台13的放置面13a伸出。也就是说，当准直部件32的下端部32b远离框架部51分开时，其可以更加接***台13。准直部件32的下端部32b可以形成为其它形状。

准直部件32的上端部32a和下端部32b具有基本相同的形状。这样，准直部件32包括多个第二壁部55，其在竖直方向上的长度基本相同。第二壁部55的长度可以在Z轴方向上彼此不同。

整流部42在Z轴方向上的长度大于准直部件32的长度。整流部42的长度是上端部42a和下端部42b之间沿Z轴方向的最大长度。准直部件32的长度是上端部32a和下端部32b之间沿Z轴方向的长度。准直部件32的尺寸不限于此。

多个突出部59设置在框架部51的外周面51b上。突出部59是第二保持部的例子。每个突出部59沿着Z轴方向延伸。突出部59从准直部件32的上端部32a延伸到其下端部32b。突出部59可以具有其它形状。

如图2所示，突出部59沿着筒状框架部51的周向布置。框架部51的周向是绕着框架部51的中心轴线旋转的方向。突出部59沿着框架部51的周向布置在框架部51的整个外周面51b上。例如，突出部59可以沿框架部51的周向间隔布置。一个突出部59可以布置在框架部51的外周面51b上。

准直部件32可移除地附接到基座部件31的框架41的内部。准直部件32被附接到框架41的内部从而框架部51与框架41同心设置。也就是说，框架41的中心轴线和附接到框架41的准直部件32的框架部51的中心轴线设置在基本相同的位置。

例如，准直部件32***设在框架41的内部从而准直部件32的突出部59***设在框架41的槽49中。突出部59通过槽49在框架41的上端41c处开口的部分***槽49中。

准直部件32的突出部59与框架41的槽49相嵌合。这样，当准直部件32开始沿框架41的周向相对于框架41旋转(相对移动)时，突出部59与形成槽49的框架41进入接触。以这种方式，槽49和突出部59限制了准直部件32相对于框架41沿着框架41的周向的旋转。

如图3所示，附接到框架41内部的准直部件32在Z轴方向上与整流部42并排设置。准直部件32定位在整流部42和上壁21之间。例如，准直部件32被整流部42的上端部42a支撑。基座部件31可以在不同于整流部42的上端部42a的位置支撑准直部件32。

整流部42的上端部42a支撑准直部件32，并且限制准直部件32沿着Z轴负方向向平台13移动(下降)。另一方面，准直部件32可以在Z轴正方向上沿着槽49移动。框架41可以限制准直部件32沿Z轴正方向的移动。

在图2中，准直部件32在相对于框架41的第一位置P1附接到框架41的内部。第一位置P1是第一位置、第三位置和第五位置的例子。

在沿着Z轴方向的平面视图中，位于第一位置P1处的准直部件32的第二开口57的设置位置与整流部42的第一开口47的位置基本相同。这样，第一开口47和第二开口57相连接从而沿Z轴方向连续。

在沿着Z轴方向的平面视图中，位于第一位置P1处的准直部件32的第二壁部55的设置位置与整流部42的第一壁部45的位置基本相同。这样，第一壁部45和第二壁部55相连接从而沿Z轴方向连续。

如图3所示，相连接的第一和第二开口47和57的长宽比由相连接的第一和第二开口47和57的宽度W1和高度H1决定。在本实施例中，第一和第二开口47和57的宽度W1是第一和第二开口47和57在X轴方向上的长度。在本实施例中，第一和第二开口47和57的高度H1是整流部42的下端部42b和准直部件32的上端部32a之间在Z轴方向上的长度。在图3的例子中的长宽比R1是H1/W1。

图5是包括两个第一实施例的准直部件32的准直器16的横截面示意图。如图5所示，准直器16可以包括两个准直部件32。准直器16可以包括三个或更多准直部件32。

在图5的例子中，两个准直部件32可移除地附接到框架41的内部。下文中，其中一个准直部件32被称为准直部件32A，另一个被称为准直部件32B。准直部件32A和32B的共同说明被描述为准直部件32的说明。准直部件32A和准直部件32B具有相同的形状。

准直部件32A被整流部42的上端面42a支撑。准直部件32B被堆叠在准直部件32A上。准直部件32B被准直部件32A的上端部32a支撑。准直部件32A定位在整流部42和准直部件32B之间。

在图5所示的例子中，准直部件32A在相对于框架41的第一位置P1附接到框架41的内部。另一方面，准直部件32B比位于第一位置P1处的准直部件32A更加接近上壁21。以这种方式，准直部件32B在不同于第一位置P1的第二位置P2处附接到框架41的内部。第二位置P2是第六位置的例子。

在第二位置P2处的准直部件32(32B)与框架41在Z轴方向上的相对位置不同于在第一位置P1处的准直部件32(32A)和框架41在Z轴方向上的相对位置。除了在Z轴方向上的位置以外，第一位置P1和第二位置P2是相同的。

在图5的例子中，整流部42的第一开口47，准直部件32A的第二开口57，和准直部件32B的第二开口57相互连接从而在Z轴方向上连续。整流部42的第一壁部45，准直部件32A的第二壁部55，和准直部件32B的第二壁部55相互连接从而在Z轴方向上连续。

相连接的第一和第二开口47和57的长宽比由相连接的第一和第二开口47和57的宽度W2和高度H2决定。在本实施例中，第一和第二开口47和57的宽度W2是第一和第二开口47和57在X轴方向上的长度。在本实施例中，第一和第二开口47和57的高度H2是整流部42的下端部42b和准直部件32的上端部32a之间在Z轴方向上的长度。

在图5的例子中的长宽比R2是H2/W2。高度H2大于高度H1。宽度W2等于宽度W1。这样，图5中的长宽比R2大于图3中的长宽比R1。

图6是第一实施例的包括准直部件32C的准直器16的横截面示意图。如图6所示，准直器16可以包括不同于准直部件32A和32B的准直部件32C。图6通过双点划线显示了准直部件32A。

在沿着Z轴的方向上，准直部件32C的长度大于准直部件32A的长度。准直部件32C的长度是准直部件32C的上端部32a和下端部32b之间沿着Z轴方向的长度。在Z轴方向上，准直部件32C的长度可以小于准直部件32A的长度。除了在Z轴方向上的长度以外，准直部件32C具有和准直部件32A相同的形状。

在图6的例子中，准直部件32C在相对于框架41的第一位置P1附接到框架41的内部。这样，整流部42的第一开口47和准直部件32C的第二开口57相互连接从而在Z轴方向上连续。整流部42的第一壁部45和准直部件32C的第二壁部55相互连接从而在Z轴方向上连续。

相连接的第一和第二开口47和57的长宽比由相连接的第一和第二开口47和57的宽度W3和高度H3决定。在本实施例中，第一和第二开口47和57的宽度W3是第一和第二开口47和57在X轴方向上的长度。在本实施例中，第一和第二开口47和57的高度H3是整流部42的下端部42b和准直部件32的上端部32a之间在Z轴方向上的长度。

在图6的例子中的长宽比R3是H3/W3。高度H3大于高度H1。宽度W3等于宽度W1。这样，图6中的长宽比R3大于图3中的长宽比R1。

图7是从准直器16上移走准直部件32后的第一实施例的横截面示意图。准直部件32能够从框架41上被移走。在这种情况下，第一开口47的长宽比由第一开口47的宽度W4和高度H4决定。在本实施例中，第一开口47的宽度W4是第一开口47在X轴方向上的长度。在本实施例中，第一开口47的高度H4是整流部42的下端部42b和上端部42a之间在Z轴方向上的长度。

在图7的例子中的长宽比R4是H4/W4。高度H4小于高度H1。宽度W4等于宽度W1。这样，图7中的长宽比R4小于图3中的长宽比R1。

图8是准直器16中的准直部件32在其中旋转的第一实施例的平面示意图。如图8所示，准直部件32可以在相对于框架41的第三位置P3附接到框架41的内部。第三位置P3是第四位置的例子。

在第三位置P3处的准直部件32与框架41在框架41的周向上的相对位置不同于在第一位置的准直部件32和框架41在框架41的周向上的相对位置。也就是说，相对于准直部件32和框架41在第一位置P1处的相对位置，在第三位置P3处的准直部件32相对于框架41旋转了预定角度。

第三位置P3处的准直部件32被整流部42的上端部42a支撑。即，在Z轴方向上，准直部件32在第三位置P3处的位置与准直部件32在第一位置P1处的位置基本相同。

在第三位置P3处的第二开口57位置不同于第一开口47的位置。在沿着Z轴方向的平面视图中，在第三位置P3处的第二开口57与第一开口47部分重叠。一个第二开口57可以与多个第一开口47部分重叠。在第三位置P3的第二开口57沿着Z轴方向与第一开口47连接。

相连接的第一和第二开口47和57的长宽比由相连接的第一和第二开口47和57的宽度和高度决定。在本实施例中，第一和第二开口47和57的宽度是第一和第二开口47和57在X轴方向上的长度。在本实施例中，第一和第二开口47和57的高度是整流部42的下端部42b和准直部件32的上端部32a之间在Z轴方向上的长度。

图8的例子中的高度等于高度H1。在一些情况下，图8的例子中的宽度可以小于宽度W1。这样，在一些情况下，图8中的长宽比R5可以大于图3中的长宽比R1。

例如，位于准直器16的中心部分的第一和第二开口47和57在第一位置P1处的长宽比基本上等于其在第三位置P3处的长宽比。另一方面，位于远离准直器16中心的部分处的第一和第二开口47和57在第三位置P3处的长宽比大于其在第一位置P1处的长宽比。

上述的溅射装置1进行如下所述的磁控管溅射。通过溅射装置1进行磁控管溅射的方法不限于下述的方法。

首先，图1所示的泵17通过排出口24抽吸处理腔体11a中的气体。因此，处理腔体11a中的空气被移走，并且处理腔体11a中的气压降低。泵17抽空处理腔体11a。

接着，罐体18从导入口25将氩气引入处理腔体11a中。当电压施加在目标物12上时，在磁体14的磁场附近产生等离子体P。另外，电压可以施加到平台13。

当目标物12的下表面12a被离子溅射时，粒子C从目标物12的下表面12a向着半导体晶片2发射。如上所述，粒子C的飞行方向以余弦定律分布。

在图3的例子中，竖直方向发射的粒子C穿过第一和第二开口47和57，飞向平台13支撑的半导体晶片2。另一方面，一些粒子C沿着与竖直方向倾斜相交的方向(倾斜方向)发射。

在倾斜方向和竖直方向之间的角度处于预定范围之外的粒子C粘附在准直器16上。例如，粒子C粘附在第一壁部45上或者第二壁部55上。即，准直器16阻挡在倾斜方向和竖直方向之间的角度处于预定范围之外的粒子C。以倾斜方向飞行的粒子C可能会粘附在遮蔽元件15上。

在倾斜方向和竖直方向之间的角度处于预定范围之内的粒子C穿过准直器16的第一和第二开口47和57，并且飞向平台13支撑的半导体晶片2。在倾斜方向和竖直方向之间的角度处于预定范围之内的粒子C可能会粘附在遮蔽元件15或准直器16上。

穿过准直器16的第一和第二开口47和57的粒子C粘附或堆积在半导体晶片2上从而被沉积在半导体晶片2上。也就是说，半导体晶片2接收从目标物12发射出的粒子C。已经穿过第一和第二开口47和57的粒子C的走向(方向)相对于竖直方向在预定范围内被校准。以这种方式，沉积在半导体晶片2上的粒子C的方向根据准直器16的形状来控制。

磁体14移动直到沉积在半导体晶片2上的粒子C的膜厚达到预定厚度。等离子体P随着磁体14的移动而移动，目标物12可被均匀地刮削。

能够穿过准直器16的粒子C的在倾斜方向和竖直方向之间的角度(准直角)根据第一和第二开口47和57的长宽比而变化。当第一和第二开口47和57的长宽比被设定为较大时，准直角减小，并且沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向(方向)被更加精确地校准。

例如，图5的例子中长宽比为R2的准直器16的准直角小于图3的例子中长宽比为R1的准直器16的准直角。这样，图5的例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向比图3的例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向能更加精确的校准。

图6的例子中长宽比为R3的准直器16的准直角小于图3的例子中长宽比为R1的准直器16的准直角。这样，图6的例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向比图3的例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向更加精确的校准。

在图8例子的准直器16中，第一和第二开口47和57的准直角彼此不同。在准直器16的中心部分的第一和第二开口47和57的准直角基本等于图3的例子中长宽比为R1的准直器16的准直角。定位在远离准直器16中心的部分处的第一和第二开口47和57中每个的准直角都小于图3的例子中的准直器16的准直角。

在某个例子中，在准直器16的中心部分，许多粒子C竖直飞向半导体晶片2。这样，粒子C的走向能够被充分校准，穿过第一和第二开口47和57的粒子C与图3的例子具有基本相同的长宽比。

在另一方面，在远离准直器16中心的部分，少量粒子C竖直飞向半导体晶片2，许多粒子C倾斜飞行。这些粒子C穿过的第一和第二开口47和57的长宽比大于图3例子中的长宽比，因此粒子C的走向比图3的例子被更加精确的校准。

如上所述，图8例子中，在有许多粒子倾斜飞行的部分中，准直器16的长宽比被设定得较大。这样，沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向比图3例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向被更加精确地校准。

如上所述，当准直器16像图5、图6或图8那样被设定时，沉积在半导体晶片2上的粒子的走向被更加精确地校准。例如，为了更加精确地校准沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向，如图5所示，在准直器16上增加了准直部件32B。

图5、图6和图8中的例子可以彼此结合在一起。例如，准直部件32C可堆叠在准直部件32A上。堆叠的准直部件32A和32B可相对于框架41旋转。

另一方面，图7的例子中长宽比为R4的准直器16的准直角大于图3的例子中长宽比为R1的准直器16的准直角。这样，在图7的例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向会比图3的例子中沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向更加波动。

例如，当沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向允许预定波动时，准直部件32可以从准直器16上移走，如附图7所示。同样在图7的例子中，沉积在半导体晶片2上的粒子C的方向通过准直器16的整流部42来控制。

如上所述，当准直部件32如图5到8的例子那样改变时，沉积在半导体晶片2上的粒子C的走向范围发生改变。在进行磁控管溅射之前，准直部件32被附接到基座部件31的框架41的预定位置上，或者从框架41上移走。

例如，本实施例的准直器16的基座部件31和准直部件32是用3D打印机进行增量制造的。基座部件31和准直部件32可以用其它方法制造，例如铸造或者锻造。

在根据第一实施例的溅射装置1中，准直器16包括框架41和准直部件32，准直部件32被构造成可移除地附接到框架41内部。准直部件32包括多个第二壁部55，并且包括多个与第二壁部55一起设置的沿Z轴方向延伸的第二开口57。在准直器16中，具有各种形状的准直部件32(32A，32B，32C)可以根据情况附接到框架41上。例如，沉积在半导体晶片2上的粒子C的角度被严格限制，第二开口57的长宽比高的准直部件32C被附接到框架41上。因此，穿过准直器16的粒子C的方向(角度)的范围可以被调整，无需制造另一准直器16。准直器16的长宽比在溅射之前被调整，从而在溅射中避免产生粉尘。

包括多个第一壁部45的整流部42被固定到框架41的内部，与准直部件32沿着Z轴方向并排设置。因此，准直部件32的多个第二开口57和整流部42的多个第一开口47可沿Z轴方向连接。当第二开口57连接到第一开口47上时，连接在一起的第一和第二开口47和57是粒子C从中穿过的通孔，其长宽比可以根据情况设定。即，穿过准直器16的粒子C的方向(角度)范围可以被调整。整流部42被固定到框架41上，从而在准直部件32未附接到框架41的情况下，准直器16可以限制沉积在半导体晶片2上粒子C的角度。

准直部件32可以在相对于框架41的多个位置附接到框架41的内部。例如，准直部件32可以在第一位置P1和第二位置P2处附接到框架41的内部，上壁21和准直部件32的第二壁部55的上端面55a之间的距离在第一位置P1和第二位置P2之间是不同的。因此，粒子C能够穿过第二开口57的角度发生改变。即，粒子C穿过准直器16的方向(角度)的范围可以被调整。例如，准直部件32可以在第一位置P1和第二位置P2处附接到框架41的内部，在准直部件32(32B)的第二壁部55的上端面55a与整流部42的第一壁部45之间的距离在第一位置P1和第二位置P2之间是不同的。通过改变准直部件32附接到框架41的这种位置，可以改变第一和第二开口47和57的长宽比。以这种方式，通过改变准直部件32相对于框架41的位置，粒子C穿过准直器16的方向(角度)范围可以被调整。

在第一位置P1处准直部件32与框架41沿框架41周向的相对位置不同于在第三位置P3处准直部件32与框架41沿框架41周向的相对位置。即，在第一位置P1处第二开口57和第一开口47的相对位置不同于在第三位置P3处第二开口57和第一开口47的相对位置。因此，相连接的第一和第二开口47和57的长宽比可以根据情况来设定。即，粒子C穿过准直器16的方向(角度)范围可以被调整。

在第一位置P1处准直部件32和框架41沿Z轴方向的相对位置不同于在第二位置P2处准直部件32(32B)与框架41沿Z轴方向的相对位置。即，在Z轴方向上，第一和第二开口47和57在第一位置P1处的高度H1不同于第一和第二开口47和57在第二位置P2处的高度H2。因此，相连接的第一和第二开口47和57的长宽比可以根据情况设定。即，粒子C穿过准直器16的方向(角度)范围可以被调整。

槽49和突出部59相互嵌合，并且，当准直部件32沿框架41的周向相对于框架41移动时，槽49与突出部59进入接触。因此，可以防止准直部件32相对于框架41发生不希望的旋转。因此，例如，在比如溅射的处理过程中，防止了粒子C穿过的第一和第二开口47和57的长宽比发生改变。

多个准直部件32A和32B被构造为可移除地附接到框架41的内部。在准直器16中，准直部件16的数量可以根据情况设定。例如，沉积在半导体晶片2上的粒子C的角度被严格限制，大量的准直部件32被连接到框架41上。因此，被连接的第二开口57的长宽比增加。因此，粒子C穿过准直器16的方向(角度)范围可以被调整，无需制造另一准直器16。

以下参照图9和图10描述第二实施例。在以下多个实施例的描述中，与那些已经描述过的部件具有相同功能的部件会和那些已经描述过的部件使用相同的标记，在一些情况下多余的描述不会被重复。用相同的附图标记指示的多个部件不必具有相同的功能和性质，其根据实施例可以具有不同的功能和性质。

图9是第二实施例的准直器16的平面示意图。如图9所示，在第二实施例中，准直部件32的突出部59设置在框架部51沿Y轴方向的两端。第二实施例的突出部59沿着X轴方向设置，并且沿Y轴方向从外周面51a伸出。

在第二实施例中，在框架41上设置有保持槽61替代槽49。两个保持槽61设置在框架41沿Y轴方向的两端。保持槽61设置在框架41的内周面41a上，并且沿着Z轴方向延伸。保持槽61从整流部42的上端部42a延伸到框架41的上端41c。

在保持槽61的面向X轴方向的内表面上形有多个沿着Y轴布置的突起。该突起设置在保持槽61面向X轴方向的两个内表面上。或者，该突起可以设置在两个内表面其中的一个上。该突起还沿着Z轴方向延伸。

第二实施例的基座部件31包括两个保持元件65。该保持元件65包括第一嵌合部66和第二嵌合部67。第一嵌合部66是第一保持部的例子。

第一嵌合部66沿着X轴方向延伸。在第一嵌合部66上形成有多个突起，该突起向着准直部件32的框架41伸出，并且沿着X轴方向布置。该突起沿着Z轴方向延伸。

上面形成有突起的第一嵌合部66与准直部件32的突出部59相嵌合。这样，当准直部件32开始沿着X轴方向相对于框架41移动时，突出部59与第一嵌合部66的突起开始进入接触。以这种方式，突出部59和第一嵌合部66限制了准直部件32在X轴方向上相对于框架41的移动。

当准直部件32开始沿框架41的周向相对于框架41移动时，突出部59与第一嵌合部66的突起开始进入接触。以这种方式，突出部59和第一嵌合部66限制了准直部件32相对于框架41沿框架41周向的移动。

第二嵌合部67从第一嵌合部66沿Y轴方向延伸。第二嵌合部67***保持槽61中。在第二嵌合部67上形成了多个突起，该突起沿X轴方向伸出，并且沿Y轴方向布置。该突起沿Z轴方向延伸。

上面形成有突起的第二嵌合部67与上面形成有突起的保持槽62嵌合。因此，当保持元件65开始沿Y轴方向相对于框架41移动时，保持槽61的突起与第二嵌合部67的突起进入接触。以这种方式，保持槽61和第二嵌合部67限制了保持元件65相对于框架41沿Y轴方向的移动。

保持元件65沿X轴方向将准直部件32保持在框架41上。保持准直部件32的保持元件65被框架41沿Y轴方向保持。因此，准直部件32被框架41沿X轴方向和Y轴方向保持。如上所述，准直部件32可以在与框架41的内周面41a分离的位置附接到框架41的内部。

在图9的例子中，准直部件32在相对于框架41的第一位置P1处附接到框架41的内部。这样，第一开口47和第二开口57在Z轴方向连接为连续的。

图10是第二实施例中准直部件32在其中移动的准直器16的平面示意图。如图10所示，准直部件32可以在相对于框架41的第四位置P4处附接到框架41的内部。第四位置P4是第二位置的例子。

在第四位置P4处的准直部件32和框架41在X轴方向和Y轴方向上的相对位置不同于在第一位置P1处的准直部件32和框架41在X轴方向和Y轴方向上的相对位置。沿X轴方向和沿Y轴方向中的每一个都是第二方向的例子。

例如，在第四位置P4处的准直部件32被保持元件65保持在从第一位置P1沿X轴负方向(图10中的向左方向)相对于框架41移动的位置。在第四位置P4处保持准直部件32的保持元件65被保持槽61保持在从第一位置P1沿Y轴正方向(图10中的向上方向)相对于框架41移动的位置。

准直部件32在第四位置P4处被整流部42的上端部42a支撑。即，在Z轴方向上，准直部件32在第四位置P4处的位置与准直部件32在第一位置P1处的位置基本相同。

第二开口57在第四位置P4处的位置与第一开口47的位置不同。在沿着Z轴的平面视图中，在第四位置P4处的第二开口57与第一开口47部分重叠。一个第二开口57可以与多个第一开口47部分重叠。在第四位置的第二开口57沿着Z轴方向与第一开口47连接。

相连接的第一和第二开口47和57的长宽比由相连接的第一和第二开口47和57的宽度和高度决定。在本实施例中，第一和第二开口47和57的宽度是第一和第二开口47和57沿X轴方向的长度。在本实施例中，第一和第二开口47和57的高度是整流部42的下端部42b和准直部件32的上端部32a之间沿Z轴方向的长度。

图10的例子中高度等于高度H1。图10的例子中的宽度小于宽度W1。这样，图10中的长宽比R6大于图9中的长宽比R1。

当准直部件32沿着X轴方向和Y轴方向移动时，会形成多个具有不同长宽比的第一和第二开口47和57。准直部件32可以根据情况设置在形成这种多个第一和第二开口47和57的位置。

在第二实施例的溅射装置1中，在第一位置P1处准直部件32和框架41沿X轴方向和Y轴方向的相对位置不同于在第四位置P4处准直部件32和框架41沿X轴方向和Y轴方向的相对位置。即，第一和第二开口47和57在第一位置P1处的相对位置不同于第一和第二开口47和57在第四位置P4处的相对位置。因此，相连接的第一和第二开口47和57的长宽比可以根据情况设定。即，粒子C穿过准直器16的方向(角度)范围可以被调整。

以下参照图11和12对第三实施例进行描述。图11是第三实施例的溅射装置1的横截面示意图。如图11所示，在第三实施例中，准直部件32与基座部件31可分离地连接。

图12是第三实施例的准直器16的横截面示意图。如图12所示，基座部件31的框架41与准直部件32的框架部51沿着Z轴方向并排设置。

框架41的内周面41a与框架部51的内周面51a可在Z轴方向上连接为连续的。框架41的外周面41b和框架部51的外周面51b可在Z轴方向上连接为连续的。与第一实施例类似，框架部51可以设置在框架41的内部。

根据第三实施例的溅射装置1包括驱动单元71。该驱动单元71例如包括致动器72和驱动机构73。致动器72例如是伺服电机。致动器72也可以是其它致动器，例如螺线管。驱动机构73将致动器72连接到基座部件31上。驱动机构73可以将致动器72连接到准直部件32上。驱动机构73包括各种用于传递动力的部件，例如齿轮、齿条和连杆机构。

如图12中的双点划线所示，致动器72可以通过驱动机构73移动基座部件31。在本实施例中，致动器72通过驱动机构73沿着Z轴方向移动基座部件31。致动器72可以沿着Z轴方向移动准直部件32。

当致动器72移动基座部件31时，基座部件31和准直部件32的相对位置被调整。即，准直部件32可以相对于基座部件31被设置在多个位置。因此，第一和第二开口47和57的长宽比被调整，粒子C穿过准直器16的方向(角度)范围可以被调整。

在第三实施例的溅射装置1中，驱动单元71改变基座部件31和准直部件32之间的相对位置。因此，基座部件31和准直部件32之间的相对位置可以很容易改变。

图13是第三实施例的第一种变形的准直器16的平面示意图。如图13所示，致动器72通过驱动机构73沿框架41的周向移动基座部件31。致动器72可以沿框架41的周向移动准直部件32。

图14是第三实施例的第二种变形的准直器16的横截面示意图。如图14中的双点划线所示，致动器72通过驱动机构73沿着X轴方向和Y轴方向移动基座部件31。致动器72可以沿着X轴方向和Y轴方向移动准直部件32。

当准直部件32沿着X轴方向和Y轴方向移动时，可以形成多个具有不同长宽比的第一和第二开口47和57。在这种情况下，致动器72可以在溅射过程中整体旋转基座部件31和准直部件32。这种结构减少了粒子C沉积在半导体晶片2上的取向波动。

在上述的至少一个实施例中，溅射装置1是处理装置的例子。然而，处理装置也可是其它装置，例如气相沉积装置或X射线CT装置。

当处理装置是气相沉积装置时，例如，将被气化的材料是粒子发生源的例子，从该材料生成的蒸气是粒子的例子，将被气相沉积的处理对象是物体的例子。作为气化物体的蒸气包括一种或多种分子。该分子是粒子。在气相沉积装置中，例如，准直器16被设置在将被气化的材料所布置的位置和处理物体所布置的位置之间。

当处理装置是X射线CT装置时，例如，发射X射线的X射线管是粒子发生源的例子，X射线是粒子的例子，用X射线照射的主体是物体的例子。X射线是一种电磁波，并且该电磁波微观上被称作是作为一种基本粒子的光子。该基本粒子就是所述粒子。在X射线CT装置中，例如，准直器16被设置在X射线管所布置的位置和该主体所布置的位置之间。

在X射线CT装置中，从X射线管发射的X射线的量在照射范围内是不均匀的。通过在这种X射线CT装置中设置准直器16，在照射范围内的X射线的量能够得到均匀化，并且照射范围可以被调整。此外，可以防止不必要的曝光。

在上述的实施例中，准直部件32包括框架部51。然而，准直部件32不是必须包括框架部51。第二壁部55可以彼此分离。每个第二壁部55可以独立地可移除地附接到框架41的内部。

根据上述至少一个实施例，准直器的第一整流部被构造为可移除地附接到框架。这种结构可以调整粒子穿过准直器16的方向范围。第一整流部附接的元件不必具有框架形状，其可以具有其它形状。例如，第一整流部可以可移除地附接到多个元件，在上述多个元件之间可以保持该第一整流部。

本发明的实施例已经在上文进行了介绍。然而，这些实施例仅仅是示例，不是用于限制本发明的范围。这些新的实施例可以用不同的其它形式来实行，并且可以在不脱离本发明本质的前提下进行各种省略、替换和修改。这些实施例及其变形形式都被包括在本发明的范围和本质之内，并且被包括在本发明的权利要求及其等同范围中。

Claims (16)

1.一种处理装置，包括：

上面设置有物体的物体配置部；

设置在远离物体配置部分开的位置的发生源配置部，该发生源配置部上设置有能够对物体发射粒子的粒子发生源；

被构造成设置在物体配置部和发生源配置部之间的准直器，该准直器包括：框架；以及第一整流部，其包括多个第一壁和由第一壁形成并沿第一方向从发生源配置部向物体配置部延伸的多个第一通孔，该准直器被构造成可移除地附接到框架。

2.如权利要求1所述的处理装置，其中该准直器包括第二整流部，其包括多个第二壁以及由第二壁形成并沿所述第一方向延伸的多个第二通孔，该第二整流部被固定到框架并且被构造成与第一整流部在第一方向上并排设置。

3.如权利要求2所述的处理装置，其中第一整流部能够在相对于框架的多个位置附接到框架。

4.如权利要求3所述的处理装置，其中，

第一整流部能够在第一位置和第二位置附接到框架，并且

在第一位置第一整流部和框架在与第一方向正交的第二方向上的相对位置不同于在第二位置第一整流部和框架在第二方向上的相对位置。

5.如权利要求3所述的处理装置，其中

第一整流部能够在第三位置和第四位置附接到框架，并且

在第三位置第一整流部和框架在框架周向上的相对位置不同于在第四位置第一整流部和框架在框架周向上的相对位置。

6.如权利要求3所述的处理装置，其中

第一整流部能够在第五位置和第六位置附接到框架，并且

在第五位置第一整流部和框架在第一方向上的相对位置不同于在第六位置第一整流部和框架在第一方向上的相对位置。

7.如权利要求1所述的处理装置，其中

框架包括第一保持部，

第一整流部包括第二保持部；

第一保持部被构造成与沿框架周向相对于框架移动的第一整流部的第二保持部进入接触。

8.如权利要求1所述的处理装置，其中

准直器包括多个第一整流部，和

第一整流部被构造成可移除地附接到框架。

9.一种准直器，包括：

框架；和

被构造成可移除地附接到框架的第一整流部，第一整流部包括多个第一壁和由第一壁形成并沿第一方向延伸的多个第一通孔。

10.如权利要求9所述的准直器，其还包括：

第二整流部，其包括多个第二壁和由第二壁形成并沿第一方向延伸的多个第二通孔，第二整流部被固定到框架并且被构造成在第一方向上与第一整流部并排设置。

11.如权利要求10所述的准直器，其中第一整流部能够在相对于框架的多个位置附接到框架。

12.如权利要求11所述的准直器，其中

第一整流部能够在第一位置和第二位置附接到框架，以及

在第一位置第一整流部和框架在与第一方向正交的第二方向上的相对位置不同于在第二位置第一整流部和框架在第二方向上的相对位置。

13.如权利要求11所述的准直器，其中

第一整流部能够在第三位置和第四位置附接到框架，并且

在第三位置第一整流部和框架在框架周向上的相对位置不同于在第四位置第一整流部和框架在框架周向上的相对位置。

14.如权利要求11所述的准直器，其中

第一整流部能够在第五位置和第六位置附接到框架，并且

在第五位置第一整流部和框架在第一方向上的相对位置不同于在第六位置第一整流部和框架在第一方向上的相对位置。

15.如权利要求9所述的准直器，其中

框架包括第一保持部，

第一整流部包括第二保持部，并且

第一保持部被构造成与沿框架周向相对于框架移动的第一整流部的第二保持部进入接触。

16.如权利要求9所述的准直器，其还包括：

多个第一整流部，其中

第一整流部被构造成能够可移除地附接到框架。