CN107614641A - 半导体加工用带 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，其具有：含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15)，上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。

Description

半导体加工用带
技术领域
本发明涉及半导体加工用带，特别是涉及具有金属层的半导体加工用带，所述金属层用于保护以倒装(face down)方式安装的半导体芯片的背面。
背景技术
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装的薄型化、小型化。进行使用了被称为所谓的倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上形成用于确保导通的被称为***的凸状的电极而成的半导体芯片，使电路面翻转(倒装)，成为将电极连接于基板上的结构(所谓的倒装片连接)。
在这样的半导体装置中，有时通过半导体加工用带来保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等(参照专利文献1)。进而，还已知有在半导体元件上介由粘接层而贴附包含金属层和粘接层的单面粘接膜(参照专利文献2)。
作为倒装片连接的代表性步骤，将形成于粘接了半导体加工用带的半导体芯片表面上的焊料***等浸渍在焊剂中，之后使***与形成于基板上的电极(根据需要在该电极上也形成有焊料***)接触，最后使焊料***熔融而使焊料***与电极进行回流焊。焊剂是为了洗涤软钎焊时的焊料***或防止氧化、改善焊料的润湿性等而使用的。通过以上的步骤，能够构筑半导体芯片与基板之间的良好的电连接。
因此，作为即使焊剂附着也能够防止污垢的产生、能够制造外观性优异的半导体装置的半导体加工用带，提出了具备粘接剂层和层叠于该粘接剂层上的保护层、且由玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂或金属构成保护层的倒装片型半导体背面用膜(参照专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-158026号公报
专利文献2：日本特开2007-235022号公报
专利文献3：日本特开2012-033626号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上述专利文献1那样，在通过放射线或热使包含放射线固化性成分或热固化性成分的树脂固化而形成保护膜时，由于固化后的保护膜与半导体晶圆的热膨胀系数差大，所以存在在加工途中的半导体晶圆或半导体芯片中产生翘曲的问题。
然而，在上述专利文献2或专利文献3中，金属的保护层与粘接剂层的粘接力不充分，在封装时，产生在保护层与粘接剂层之间产生封装裂纹、可靠性下降的问题。此外，在专利文献3中，也公开了在基材上层叠有粘合剂层的切割带的粘合剂层上设置有保护层及粘接剂层的倒装片型半导体背面用膜。使用这样的切割带一体型的倒装片型半导体背面用膜时，保护层与粘合剂层的粘接力不充分，在将半导体晶圆单片化成芯片状的切割时，存在在保护层与粘合剂层之间产生剥离，无法将半导体晶圆良好地单片化的问题。
因此，本发明的课题是提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。
用于解决课题的方案
为了解决以上的课题，本发明所述的半导体加工用带的特征在于，其具有含有基材膜和粘合剂层的切割带、设置在上述粘合剂层上的金属层、和设置在上述金属层上且用于将上述金属层粘接到半导体芯片的背面的粘接剂层，上述金属层的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。
上述半导体加工用带优选上述金属层为铜箔。
此外，上述半导体加工用带优选上述粘接剂层含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)苯氧基树脂、及(D)经表面处理的无机填充材料，上述(D)的含量相对于上述(A)～(D)的总计为40重量％以上且65重量％以下。
此外，半导体加工用带优选上述粘合剂层含有由CH2＝CHCOOR(式中，R为碳原子数为4～8的烷基。)所表示的丙烯酸酯、含羟基的单体和分子内具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物构成的丙烯酸系聚合物。
发明效果
根据本发明，在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化，在封装时能够防止封装裂纹的产生。
附图说明
图1是示意性表示本发明的实施方式所述的半导体加工用带的结构的剖面图。
图2是用于说明本发明的实施方式所述的半导体加工用带的使用方法的剖面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是表示本发明的实施方式所述的半导体加工用带10的剖面图。该半导体加工用带10具有包含基材膜11和设置在基材膜11上的粘合剂层12的切割带13，在粘合剂层12上，设置有用于保护半导体芯片C(参照图2)的金属层14和设置在金属层14上的粘接剂层15。
粘接剂层15优选与和金属层14相接的面相反侧的面通过隔膜(剥离衬里)被保护(未图示)。隔膜具有作为保护粘接剂层15直到供于实用的保护材的功能。此外，隔膜在半导体加工用带10的制造过程中，可以作为在切割带13的粘合剂层12上贴合金属层14时的支撑基材使用。
切割带13、金属层14及粘接剂层15也可以对照使用工序或装置而预先切断(预切断)成规定形状。进而，本发明的半导体加工用带10可以是每1片量半导体晶圆W被切断的形态，也可以是将每1片量半导体晶圆W被切断而得到的物质多个所形成的长条的片材卷取成辊状的形态。以下，对各构成要素进行说明。
<基材膜11>
作为基材膜11，只要是以往公知的基材膜则可以没有特别限制地使用，但在使用放射线固化性的材料作为后述的粘合剂层12的情况下，优选使用具有放射线透过性的基材膜。
例如，作为其材料，可列举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、及它们的混合物。此外，基材膜11可以是选自它们的组中的2种以上的材料混合而得到的基材膜，也可以是它们单层或多层化而得到的基材膜。
基材膜11的厚度没有特别限定，可以适当设定，但优选为50～200μm。
为了使基材膜11与粘合剂层12的密合性提高，也可以对基材膜11的表面实施铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学表面处理或物理表面处理。
此外，在本实施方式中，在基材膜11上直接设置有粘合剂层12，但也可以介由用于提高密合性的底漆层、用于提高切割时的切削性的锚固层、应力缓和层、防静电层等而间接地设置。
<粘合剂层12>
作为粘合剂层12中使用的树脂，没有特别限定，可以使用粘合剂中使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等，但优选以丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为丙烯酸系聚合物，可列举出例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等烷基的碳原子数为1～30、特别是碳原子数为4～18的直链状或支链状的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如，环戊基酯、环己基酯等)中的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸系聚合物等。另外，所谓(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的所谓(甲基)全部为同样的意思。
为了凝聚力、耐热性等的改质，丙烯酸系聚合物也可以根据需要包含与能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可列举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(4-羟基甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基的单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能够共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些能够共聚的单体的使用量优选为总单体成分的40重量％以下。
进而，由于丙烯酸系聚合物被交联，所以多官能性单体等也可以根据需要作为共聚用单体成分而包含。作为这样的多官能性单体，可列举出例如己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等方面出发，多官能性单体的使用量优选为总单体成分的30重量％以下。
丙烯酸系聚合物的制备例如可以对1种或2种以上的成分单体的混合物适用溶液聚合方式或乳液聚合方式、本体聚合方式或悬浮聚合方式等适当的方式而进行。从防止晶圆的污染等方面出发，粘合剂层12优选抑制了低分子量物质的含有的组成，从所述方面出发，优选以重均分子量为30万以上、特别是40万～300万的丙烯酸系聚合物作为主要成分的组成，因此，粘合剂也可以制成利用内部交联方式或外部交联方式等的适当的交联型。
此外，为了控制粘合剂层12的交联密度而使拾取性提高，可以采用例如使用多官能异氰酸酯系化合物、多官能环氧系化合物、三聚氰胺系化合物、金属盐系化合物、金属螯合物系化合物、氨基树脂系化合物、或过氧化物等适当的外部交联剂进行交联处理的方式、或将具有2个以上碳-碳双键的低分子化合物混合而通过能量射线的照射等进行交联处理的方式等适当的方式。使用外部交联剂时，其使用量根据与应该交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途而适当决定。一般，相对于上述基础聚合物100重量份，优选配合5重量份左右以下、进而0.1重量份～5重量份。另外，粘合剂中，从防止劣化等观点出发，根据需要，除了上述成分以外，也可以使用各种粘合赋予剂、防老化剂等添加剂。
作为构成粘合剂层12的粘合剂，优选放射线固化型粘合剂。作为放射线固化型粘合剂，可例示出在上述的粘合剂中配合了放射线固化性的单体成分或放射线固化性的低聚物成分的添加型的放射线固化型粘合剂。
作为配合的放射线固化性的单体成分，可列举出例如氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。这些单体成分可以1种或2种以上并用。
此外，放射线固化性的低聚物成分可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，其分子量为100～30000左右的范围的低聚物是适当的。放射线固化性的单体成分或低聚物成分的配合量可以根据上述粘合剂层的种类来适当决定能够降低粘合剂层的粘合力的量。一般，相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份，例如为5重量份～500重量份，优选为70重量份～150重量份左右。
此外，作为放射线固化型粘合剂，除了上述添加型的放射线固化型粘合剂以外，还可列举出使用了在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的放射线固化型粘合剂。内在型的放射线固化型粘合剂由于不需要含有低分子成分即低聚物成分等、或不包含许多，所以没有低聚物成分等经时地在粘合剂中移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。
具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键、且具有粘合性的基础聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基本骨架的基础聚合物。作为丙烯酸系聚合物的基本骨架，可列举出上述例示的丙烯酸系聚合物。
丙烯酸系聚合物中的碳-碳双键的导入法没有特别限制，可以采用各种方法，但碳-碳双键导入聚合物侧链中在分子设计上容易。可列举出例如预先在丙烯酸系聚合物上共聚具有官能团的单体后，使具有可与该官能团反应的官能团及碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的放射线固化性的状态下缩合或加成反应的方法。
作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧酸基与环氧基、羧酸基与氮杂环丙烷基、羟基与异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从反应追踪的容易性出发，羟基与异氰酸酯基的组合是适宜的。此外，通过这些官能团的组合，只要是生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物那样的组合，则官能团也可以位于丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任一侧，但在上述优选的组合中，丙烯酸系聚合物具有羟基、且上述化合物具有异氰酸酯基的情况是适宜的。该情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，可列举出例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。此外，作为丙烯酸系聚合物，使用将上述例示的含羟基的单体或2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的聚合物。
内在型的放射线固化型粘合剂可以单独使用上述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸系聚合物)，但也可以以不使特性恶化的程度配合上述放射线固化性的单体成分或低聚物成分等光聚合性化合物。该光聚合性化合物的配合量通常相对于基础聚合物100重量份为30重量份以下的范围内，优选为0～10重量份的范围内。
放射线固化型粘合剂中，在通过紫外线等使其固化的情况下，优选含有光聚合引发剂。
在上述的丙烯酸系聚合物中，特别优选由CH2＝CHCOOR(式中，R为碳原子数为4～8的烷基。)所表示的丙烯酸酯、含羟基的单体、分子内具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物构成的丙烯酸系聚合物A。
若丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数低于4，则有时极性高且剥离力变得过大而拾取性下降。另一方面，若丙烯酸烷基酯的烷基的碳原子数超过8，则由于粘合剂层12的粘性变小，所以与金属层15的粘接性或密合性下降，其结果是，有时在切割时产生金属层15的剥离。
上述丙烯酸系聚合物A也可以根据需要包含与其他单体成分对应的单元。
在丙烯酸系聚合物A中，使用具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物。即，丙烯酸聚合物优选具有含双键的异氰酸酯化合物与利用上述丙烯酸酯或含羟基的单体等单体组合物的聚合物加成反应而得到的构成。因此，丙烯酸系聚合物优选在其分子结构内具有自由基反应性碳-碳双键。由此，可以制成通过活性能量射线(紫外线等)的照射而固化的活性能量射线固化型粘合剂层(紫外线固化型粘合剂层等)，能够使金属层15与粘合剂层12的剥离力下降。
作为含双键的异氰酸酯化合物，可列举出例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。含双键的异氰酸酯化合物可以单独使用或将2种以上组合使用。
此外，活性能量射线固化型粘合剂中，为了调整活性能量射线照射前的粘合力、或活性能量射线照射后的粘合力，也可以适当使用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可列举出添加聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮杂环丙烷化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂并使其反应的方法。当使用外部交联剂时，其使用量根据与应该交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途而适当决定。外部交联剂的使用量一般相对于上述基础聚合物100重量份为20重量份以下(优选0.1重量份～10重量份)。进而，在活性能量射线固化型粘合剂中，根据需要，除了上述成分以外，也可以配合以往公知的各种粘合赋予剂、防老化剂、发泡剂等添加剂。
粘合剂层12的厚度可以没有特别限制地适当决定，但一般为5～200μm左右。此外，粘合剂层12可以由单层构成，也可以由多层构成。
<金属层14>
作为构成金属层14的金属，没有特别限定，例如选自由铝、铁、钛、锡、镍及铜组成的组中的至少1种金属和/或它们的合金从激光打标性的方面出发优选。它们中，铜、铝或它们的合金热传导性高，还可得到介由金属层的放热的效果。此外，铜、铝、铁、镍或它们的合金还可得到电子设备封装的翘曲抑制效果。
金属层14的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。通过将表面粗糙度RzJIS设定为0.5μm以上，由于金属层14与粘接剂层15的接触面积变大，通过由金属层14的表面的凹凸产生的锚固效应，金属层14与粘接剂层15在物理上强硬地密合，所以能够防止因由切割刀片产生的载荷或切削水的水流而导致金属层14剥离，此外由于在粘接剂层的固化后牢固地接合，所以能够防止在封装或可靠性的试验时产生封装裂纹。进而表面粗糙度RzJIS优选为1.0μm以上，若为2.0μm以上，则在更大地发挥锚固效应的方面优选。此外，若表面粗糙度RzJIS低于10.0μm，则粘接剂或粘合剂能够进入金属层14的表面的凹凸中。若粘接剂没有进入金属层14的表面的凹凸中，则该部分变成空隙(void)，该空隙在回流时或可靠性的试验时成为爆米花现象(水蒸汽***)的起点，产生封装裂纹。另外，本说明书中的表面粗糙度RzJIS为JIS B 0601：2013的附属书JA中规定的十点平均粗糙度。
金属层14的厚度可以考虑半导体晶圆W或半导体芯片C的处理性及加工性等而适当决定，通常为2～200μm的范围。若金属层为200μm以下，则卷取加工容易，50μm以下的情况在能够有助于半导体封装的薄型化的方面优选。另一方面，从处理性的观点出发，最低也需要2μm以上。
<粘接剂层15>
粘接剂层15是将粘接剂预先膜化而得到的层。
粘接剂层15至少通过热固化性树脂而形成，优选至少通过热固化性树脂和热塑性树脂而形成。
作为热塑性树脂，可列举出例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或将2种以上并用使用。这些热塑性树脂中，在离子性杂质少且应力缓和性优异的方面优选的丙烯酸树脂、在兼顾挠性和强度且高韧性的方面优选的苯氧基树脂，从各个观点考虑由于能够容易确保半导体元件的可靠性，所以特别优选。
作为丙烯酸树脂，没有特别限定，可列举出以具有碳原子数为30以下(优选碳原子数为4～18、进一步优选碳原子数为6～10、特别优选碳原子数为8或9)的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1种或2种以上作为成分的聚合物等。即，在本发明中，所谓丙烯酸树脂是也包含甲基丙烯酸树脂的广义的意思。作为上述烷基，可列举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
此外，作为用于形成丙烯酸树脂的其他单体(除烷基的碳原子数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，没有特别限定，可列举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基的单体、马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或(4-羟基甲基环己基)-甲基丙烯酸酯等各种含羟基的单体、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基的单体、或2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基的单体等。另外，所谓(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的所谓(甲基)全部为同样的意思。
此外，作为热固化性树脂，除了环氧树脂、酚醛树脂以外，可列举出氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。热固化性树脂可以单独使用或2种以上并用使用。作为热固化性树脂，特别优选使半导体元件腐蚀的离子性杂质等含有少的环氧树脂。此外，作为环氧树脂的固化剂，可以适宜使用酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，可以使用例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、线型酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚线型酚醛型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯酚基乙烷型环氧树脂等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。
作为环氧树脂，特别优选例示中的酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯酚基乙烷型环氧树脂。这是由于这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性充足，耐热性等优异。
进而，酚醛树脂是作为环氧树脂的固化剂起作用的物质，可列举出例如线型酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚线型酚醛树脂、叔丁基线型酚醛清漆树脂、壬基线型酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。酚醛树脂可以单独使用或将2种以上并用使用。特别优选这些酚醛树脂中的线型酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是由于能够提高半导体装置的连接可靠性。
环氧树脂与酚醛树脂的配合比例例如优选按照环氧树脂成分中的环氧基每1当量而酚醛树脂中的羟基成为0.5当量～2.0当量的方式配合。更优选0.8当量～1.2当量。即，若两者的配合比例脱离上述范围，则没有进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性变得容易劣化。
此外，也可以使用环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适当选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或将2种以上组合使用。作为热固化促进催化剂，可以使用例如胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷-硼系固化促进剂等。
作为环氧树脂的固化剂，如上述那样优选使用酚醛树脂，但也可以使用咪唑类、胺类、酸酐类等公知的固化剂。
粘接剂层15相对于半导体晶圆的背面(电路非形成面)具有粘接性(密合性)是重要的。因此，为了使粘接剂层15预先以一定程度交联，也可以添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，能够提高高温下的粘接特性，谋求耐热性的改善。
作为交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，例如除了异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂以外，可列举出尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳化二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，优选异氰酸酯系交联剂或环氧系交联剂。此外，上述交联剂可以单独使用或2种以上组合使用。
另外，在本发明中，也可以代替使用交联剂、或在使用交联剂的同时通过电子线或紫外线等的照射而实施交联处理。
在粘接剂层15中，可以根据需要适当配合其他添加剂。作为其他添加剂，例如除了填充剂(填料)、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂以外，可列举出增量剂、防老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
作为填充剂，可以是无机填充剂、有机填充剂中的任一者，但优选无机填充剂。通过配合无机填充剂等填充剂，能够对粘接剂层15谋求热传导性的提高、弹性模量的调节等。作为无机填充剂，可列举出例如二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属、或合金类、此外包含碳等的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或将2种以上并用使用。作为填充剂，其中，优选二氧化硅或氧化铝，作为二氧化硅，特别优选熔融二氧化硅。另外，无机填充剂的平均粒径优选为0.1μm～80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径可以通过例如激光衍射型粒度分布测定装置进行测定。
填充剂(特别是无机填充剂)的配合量相对于有机树脂成分优选为80重量％以下(0重量％～80重量％)，特别优选为0重量％～70重量％。
此外，作为阻燃剂，可列举出例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或将2种以上并用使用。作为硅烷偶联剂，可列举出例如β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或将2种以上并用使用。作为离子捕捉剂，可列举出例如水滑石类、氢氧化铋等。离子捕捉剂可以单独使用或将2种以上并用使用。
从粘接性和可靠性的观点出发，粘接剂层15特别优选含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)苯氧基树脂、及(D)经表面处理的无机填充材料、且(D)的含量相对于(A)～(D)的总计为40重量％以上且65重量％以下。
通过使用(A)环氧树脂，可得到高的粘接性、耐水性、耐热性。作为环氧树脂，可以使用上述的公知的环氧树脂。(B)固化剂可以使用上述的公知的固化剂。
关于(C)苯氧基树脂，由于苯氧基树脂的分子链长且与环氧树脂结构相似，在高交联密度的组合物中作为挠性材料起作用，赋予高韧性，所以可得到高强度且韧性的组合物。优选的苯氧基树脂为主骨架为双酚A型的苯氧基树脂，但除此以外还可列举出双酚F型苯氧基树脂、双酚A/F混合型苯氧基树脂或溴化苯氧基树脂等市售的苯氧基树脂作为优选的苯氧基树脂。
作为(D)经表面处理的无机填充材料，可列举出以硅烷偶联剂进行了表面处理的无机填充剂。作为无机填充材料，可以使用上述的公知的无机填充剂，但优选为二氧化硅、氧化铝。通过以硅烷偶联剂进行表面处理，无机填充剂的分散性变得良好。因此，由于流动性优异，所以能够提高与金属层的粘接力。此外，由于能够使无机填充剂高填充，所以能够降低吸水率而使耐湿性提高。
利用硅烷偶联剂的无机填充材料的表面处理通过利用公知的方法，通过使无机填充材料分散到硅烷偶联剂溶液中，从而使存在于无机填充剂的表面上的羟基与硅烷偶联剂的烷氧基等水解基团被水解而得到的硅烷醇基反应而在无机填充剂的表面生成Si-O-Si键，由此来进行。
通过将(D)经表面处理的无机填充材料的含量相对于(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)苯氧基树脂、及(D)经表面处理的无机填充材料的总计设定为40重量％以上，能够使吸水率、饱和吸湿率下降，此外粘接剂层的热传导性提高且在介由金属层还可得到发热的效果的方面优选。通过将(D)经表面处理的无机填充材料的含量相对于(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)苯氧基树脂、及(D)经表面处理的无机填充材料的总计设定为65重量％以下，由于还能够确保由树脂成分带来的流动性，所以在与金属层或晶圆的粘接力优异的方面优选。
粘接剂层15的厚度没有特别限制，但通常从处理性的观点出发优选为3μm以上，更优选为5μm以上，为了有助于半导体封装的薄型化，优选为100μm以下，更优选为50μm以下。此外，优选具有与金属层14的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS同等以上的厚度。通过粘接剂层15的厚度与表面粗糙度RzJIS同等以上，容易进入金属层14的表面的凹凸中，容易得到锚固效应。此外，粘接剂层15可以由单层构成，也可以由多层构成。
此外，粘接剂层15优选在B阶(未固化状态或半固化状态)下与金属层14的剥离力(23℃、剥离角度为180度、线速为300mm/分钟)为0.3N以上。若剥离力低于0.3N，则在半导体晶圆W的切割时，有可能在半导体晶圆W或半导体芯片C与粘接剂层15之间或粘接剂层15与金属层14之间产生剥离而在半导体芯片C中产生碎屑(缺损)。
粘接剂层15的吸水率优选为1.5vol％以下。吸水率的测定方法如下所述。即，以50×50mm的大小的粘接剂层15(膜状粘接剂)作为样品，使样品在真空干燥机中、120℃、干燥3小时，在保干器中放冷后，测定干燥质量设为M1。将样品在蒸馏水中室温下浸泡24小时后取出，将样品表面用滤纸擦拭，快速秤量设为M2。吸水率通过下式(1)算出。
吸水率(vol％)＝[(M2‐M1)/(M1/d)]×100 (1)
其中，d为膜的密度。
若吸水率超过1.5vol％，则有可能因所吸收的水分而在回流焊时产生封装裂纹。
粘接剂层15的饱和吸湿率优选为1.0vol％以下。饱和吸湿率的测定方法如下所述。即，以直径为100mm的圆形的粘接剂层15(膜状粘接剂)作为样品，使样品在真空干燥机中120℃、干燥3小时，在保干器中放冷后，测定干燥质量设为M1。将样品在85℃、85％RH的恒温恒湿槽中吸湿168小时后取出，快速秤量设为M2。饱和吸湿率通过下式(2)算出。
饱和吸湿率(vol％)＝[(M2‐M1)/(M1/d)]×100 (2)
其中，d为膜的密度。
若饱和吸湿率超过1.0vol％，则有可能因回流时的吸湿而蒸汽压的值变高，得不到良好的回流特性。
粘接剂层15的残留挥发成分优选为3.0wt％以下。残留挥发成分的测定方法如下所述。即，以50×50mm的大小的粘接剂层15(膜状粘接剂)作为样品，测定样品的初期的质量设为M1，将样品在热风循环恒温槽中200℃、加热2小时后，秤量设为M2。残留挥发成分通过下式(3)算出。
残留挥发成分(wt％)＝[(M2-M1)/M1]×100 (3)
若残留挥发成分超过3.0wt％，则有可能因封装时的加热而溶剂挥发，在粘接剂层15的内部产生空隙，产生封装裂纹。
金属层14的线膨胀系数相对于粘接剂层15的线膨胀系数的比(金属层14的线膨胀系数/粘接剂层15的线膨胀系数)优选为0.2以上。若该比低于0.2，则有可能变得容易在金属层14与粘接剂层15之间产生剥离，在封装时产生封装裂纹，可靠性下降。
(隔膜)
隔膜是用于使粘接剂层15的处理性变得良好、并且保护粘接剂层15的膜。作为隔膜，可以使用聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烃(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、此外将这些材料进行部分置换而进一步提高了粘接性或机械强度的膜。此外，也可以是这些膜的层叠体。
隔膜的厚度没有特别限定，可以适当设定，但优选为25～50μm。
(半导体加工用带10)
对本实施方式所述的半导体加工用带10的制造方法进行说明。首先，粘接剂层15可以利用制备树脂组合物并形成为膜状的层的惯用的方法来形成。具体而言，可列举出例如在适当的隔膜(剥离纸等)上涂布上述树脂组合物并干燥(在需要热固化的情况等中，根据需要实施加热处理并干燥)，形成粘接剂层15的方法等。上述树脂组合物可以是溶液，也可以是分散液。接着，将所得到的粘接剂层15与另外准备的金属层14贴合。作为金属层14，使用市售的金属箔即可。之后，使用铡刀将粘接剂层15及金属层14预切断成规定的大小的圆形标签形状，将周边的无用部分除去。
接着，制作切割带13。基材膜11可以通过以往公知的制膜方法来制膜。作为该制膜方法，可例示出例如压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭***中的膨胀挤出法、T型模挤出法、共挤出法、干式层压法等。接着，在基材膜11上涂布粘合剂组合物，干燥而(根据需要加热交联)形成粘合剂层12。作为涂布方式，可列举出辊涂装、丝网涂装、凹版涂装等。另外，可以将粘合剂组合物直接涂布在基材膜11上，在基材膜11上形成粘合剂层12，此外，也可以在将粘合剂组合物涂布于对表面进行了剥离处理的剥离纸等上而形成粘合剂层12后，将该粘合剂层12转印到基材膜11上。由此，制作在基材膜11上形成有粘合剂层12的切割带13。
之后，通过按照金属层14与粘合剂层12相接的方式，将切割带13层压于设置有圆形的金属层14及粘接剂层15的隔膜上，根据情况，切割带13也预切断成规定的大小的圆形标签形状等，制作半导体加工用带10。
<使用方法>
接着，对使用本实施方式的半导体加工用带10来制造半导体装置的方法，参照图2进行说明。
半导体装置的制造方法至少具备以下工序：在切割带一体型的半导体加工用带10上粘贴半导体晶圆W的工序(安装工序)；将半导体晶圆W切割而形成半导体芯片C的工序(切割工序)；将半导体芯片C与半导体加工用带10一起从切割带13的粘合剂层12上剥离的工序(拾取工序)和将半导体芯片C倒装片连接于被粘物16上的工序(倒装片连接工序)。
[安装工序]
首先，将任意地设置在切割带一体型的半导体加工用带10上的隔膜适当剥离，如图2的(A)中所示的那样，将半导体晶圆W粘贴于粘接剂层15上，使其粘接保持而固定(安装工序)。此时粘接剂层15处于未固化状态(包含半固化状态)。此外，切割带一体型的半导体加工用带10被粘贴于半导体晶圆W的背面。所谓半导体晶圆W的背面是指与电路面相反侧的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。粘贴方法没有特别限定，但优选利用压接的方法。压接通常边通过压接辊等按压单元进行按压边进行。
[切割工序」
接着，如图2的(B)中所示的那样，进行半导体晶圆W的切割。由此，将半导体晶圆W切断成规定的尺寸而单片化(小片化)，制造半导体芯片C。切割例如从半导体晶圆W的电路面侧按照常规方法进行。此外，在本工序中，可以采用例如进行切入至半导体加工用带10的被称为全切的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限定，可以使用以往公知的切割装置。此外，由于半导体晶圆W通过半导体加工用带10以优异的密合性被粘接固定，所以能够抑制芯片缺损或芯片飞散，并且还能够抑制半导体晶圆W的破损。另外，在进行切割带一体型的半导体加工用带10的扩展的情况下，该扩展可以使用以往公知的扩展装置来进行。
[拾取工序]
如图2的(C)中所示的那样，进行半导体芯片C的拾取，使半导体芯片C与粘接剂层15及金属层14一起从切割带13剥离。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。可列举出例如将各个半导体芯片C从半导体加工用带10的基材膜11侧通过针顶出，将所顶出的半导体芯片C通过拾取装置进行拾取的方法等。另外，所拾取的半导体芯片C其背面通过金属层14而被保护。
[倒装片连接工序]
所拾取的半导体芯片C如图2的(D)中所示的那样，通过倒装片接合方式(倒装片安装方式)被固定于基板等被粘物16上。具体而言，使半导体芯片C以半导体芯片C的电路面(也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物16相对的形态，按照常规方法被固定于被粘物16上。例如，首先使焊剂附着在形成于半导体芯片C的电路面侧的作为连接部的***17上。接着，通过使半导体芯片C的***17与被粘于被粘物16的焊接衬垫上的接合用的导电材料18(焊料等)接触，边进行按压边使***17及导电材料18熔融，确保半导体芯片C与被粘物16的电导通，可以使半导体芯片C被固定于被粘物16上(倒装片接合工序)。此时，在半导体芯片C与被粘物16之间形成空隙，该空隙间距离一般为30μm～300μm左右。另外，将半导体芯片C倒装片接合(倒装片连接)于被粘物16上后，将残留在半导体芯片C与被粘物16的相对面或间隙中的焊剂洗涤除去，使该间隙中填充密封材料(密封树脂等)而进行密封。
作为被粘物16，可以使用引线框或电路基板(配线电路基板等)等各种基板。作为这样的基板的材质，没有特别限定，可列举出陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，可列举出例如环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。此外，通过以其他半导体芯片作为被粘物16，将上述半导体芯片C进行倒装片连接，也可以制成芯片上芯片(chip on chip)结构。
<实施例>
接着，为了进一步明确本发明的效果，对实施例及比较例进行详细说明，但本发明并不限定于这些实施例。
(1)切割带的制作
<切割带(1)>
作为具有官能团的丙烯酸系共聚物，制备包含丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羟基乙酯及甲基丙烯酸、且丙烯酸2-乙基己酯的比率为60摩尔％、质均分子量为70万的共聚物。接着，按照碘值成为20的方式，添加甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯，制备玻璃化转变温度为-50℃、羟值为10mgKOH/g、酸值为5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a-1)。
将通过自由基聚合法合成的乙烯-甲基丙烯酸共聚物的锌离聚物(甲基丙烯酸含量为13％、软化点为72℃、熔点为90℃)的树脂珠在140℃下熔融，使用挤出机成形为厚度为100μm的长条膜状而制作基材膜。
使相对于丙烯酸系共聚物(a-1)100质量份添加了5质量份作为聚异氰酸酯的CORONATE L(商品名、TOSOH CORPORATION制)、添加了3质量份作为光聚合引发剂的EsacureKIP 150(商品名、Lamberti社制)的混合物溶解于醋酸乙酯中，搅拌而制备粘合剂组合物。
将所制备的粘合剂层组合物按照干燥后的厚度成为10μm的方式涂装于包含经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬里上，在110℃下干燥3分钟后，与上述基材膜贴合，制作在基材膜上形成有粘合剂层的切割带(1)。
(2)粘接剂层的制作
(粘接剂组合物b-1)
在包含作为环氧树脂的“1002”(商品名、三菱化学株式会社制、固体双酚A型环氧树脂、环氧当量为600)20质量份、作为环氧树脂的“806”(商品名、三菱化学株式会社制、双酚F型环氧树脂、环氧当量为160、比重为1.20)55质量份、作为固化剂的“MEH7851-4H”(商品名、明和化成株式会社制、联苯芳烷基型酚醛树脂)70质量份、作为二氧化硅填料的“SO-C2”(商品名、ADMAFINE株式会社制、平均粒径为0.5μm)200质量份、及作为二氧化硅填料的“AEROSILR972”(商品名、Nippon Aerosil Co.,Ltd.制、一次粒径的平均粒径为0.016μm)3质量份的组合物中添加甲乙酮，搅拌混合而制成均匀的组合物。
向其中添加作为苯氧基树脂的“YX6954”(商品名、三菱化学株式会社制、质均分子量为38,000)100质量份、作为偶联剂的“KBM-802”(商品名、Shin-Etsu silicone Co.,Ltd.制、巯基丙基三甲氧基硅烷)0.6质量份、以及作为固化促进剂的“CUREZOL 2PHZ-PW”(商品名、四国化成株式会社制、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、分解温度为230℃)0.5质量份，搅拌混合至变得均匀。通过进一步将其以100目的过滤器过滤，进行真空脱泡，得到粘接剂组合物b-1的清漆。
(粘接剂组合物b-2)
在包含作为环氧树脂的“1002”(商品名、三菱化学株式会社制、固体双酚A型环氧树脂、环氧当量为600)40质量份、作为环氧树脂的“806”(商品名、三菱化学株式会社制、双酚F型环氧树脂、环氧当量为160、比重为1.20)100质量份、作为固化剂的“Dyhard100SF”(商品名、Degussa社、双氰胺)5质量份、作为二氧化硅填料的“SO-C2”(商品名、ADMAFINE株式会社制、平均粒径为0.5μm)350质量份、及作为二氧化硅填料的“AEROSIL R972”(商品名、NipponAerosil Co.,Ltd.制商品名、一次粒径的平均粒径为0.016μm)3质量份的组合物中添加甲乙酮，搅拌混合而制成均匀的组合物。
向其中添加作为苯氧基树脂的“PKHH”(商品名、INCHEM社制、质均分子量为52,000、玻璃化转变温度为92℃)100质量份、作为偶联剂的“KBM-802”(商品名、Shin-Etsu siliconeCo.,Ltd.制、巯基丙基三甲氧基硅烷)0.6质量份、以及作为固化促进剂的“CUREZOL 2PHZ-PW”(商品名、四国化成株式会社制、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、分解温度为230℃)0.5质量份，搅拌混合至变得均匀。通过进一步将其以100目的过滤器过滤，进行真空脱泡，得到粘接剂组合物b-2的清漆。
<粘接剂层(1)>
将粘接剂组合物b-1按照干燥后的厚度成为5μm的方式涂装于包含经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的隔膜上，在110℃下干燥5分钟，制作在隔膜上形成有粘接剂层的粘接膜。
<粘接剂层(2)>
除了使用粘接剂组合物b-2来代替粘接剂组合物b-1以外，通过与粘接剂层(1)同样的方法得到粘接剂层(2)。
<粘接剂层(3)>
除了按照干燥后的厚度成为20μm的方式涂装以外，通过与粘接剂层(1)同样的方法得到粘接剂层(3)。
(3)金属层
作为金属层，准备以下的层。
<金属层(1)>
TQ-M4-VSP(商品名、三井金属矿业株式会社制、厚度为12μm、表面粗糙度RzJIS为0.6um)
<金属层(2)>
F0-WS(商品名、古河电气工业株式会社制、铜箔、厚度为12μm、表面粗糙度RzJIS为1.3um)
<金属层(3)>
F3-WS(商品名、古河电气工业株式会社制、铜箔、厚度为12μm、表面粗糙度RzJIS为2.8um)
<金属层(4)>
DT-GLD-STD(商品名、古河电气工业株式会社制、铜箔、厚度为18μm、表面粗糙度RzJIS为9.0um)
<金属层(5)>
GHY5-HA(商品名、JX日矿日石金属株式会社制、厚度为18μm、表面粗糙度RzJIS为0.3μm)
<金属层(6)>
GTS-MP(商品名、古河电气工业株式会社制、铜箔、厚度为35μm、表面粗糙度RzJIS为11.0μm)
(4)半导体加工用带的制作
<实施例1>
将如以上那样操作而得到的粘接剂层(1)与金属层(1)在贴合角度为120°、压力为0.2MPa、速度为10mm/s的条件下贴合而制作单面粘接膜。将切割带(1)预切断成能够贴合于环框上的形状，将单面粘接膜预切断成能够将晶圆覆盖那样的形状，将上述切割带(1)的粘合剂层与上述单面粘接膜的金属层侧按照粘合剂层露出到单面粘接膜的周围的方式贴合，制作实施例1的半导体加工用带。
<实施例2～5、比较例1～2>
除了将切割带、粘接剂组合物、金属层的组合设定为表1中记载的组合以外，通过与实施例1同样的方法，制作实施例2～5、比较例1～2的半导体加工用带。
对实施例1～5及比较例1～2所述的半导体加工用带进行以下的评价。将其结果示于表1中。
(切割性)
在厚度为200μm的硅晶圆的背面贴附各实施例及各比较例所述的半导体加工用带的粘接剂层，进行切割，分割成7.5mm×7.5mm的评价用芯片。对于切割后的带芯片的半导体加工用带，观察带粘接剂层的评价用芯片从金属层的脱离、或带粘接剂层及金属层的评价用芯片从粘合剂层的脱离的有无。将没有产生任一脱离的半导体加工用带作为佳品而评价为○，将哪怕一处产生了脱离的半导体加工用带作为次品而评价为×。
将厚度为650μm的硅晶圆使用一般的以往的切割·小片接合膜(日立化成工业株式会社制的FH-900-20)切割成7.5mm×7.5mm而作为评价用元件。将该评价用元件小片接合于经镀银处理的引线框上而作为评价用基板。将通过上述切割性评价中记载的方法得到的各实施例及各比较例所述的评价用芯片在温度为160℃、压力为0.1MPa、时间为1秒的条件下安装于评价用基板的评价用元件上，制作20个各实施例及各比较例所述的芯片上芯片结构的可靠性样品。
将各可靠性样品在85℃/85％RH的恒温恒湿层中处理168小时后，在按照样品表面的最高温度为260℃且成为20秒的方式设定的IR(红外线)回流炉中通过样品，将通过室温放置而进行冷却的处理重复3次。在各实施例及各比较例中，对于进行了上述那样的处理的20个样品，观察粘接剂层和金属层的剥离，将没有产生剥离的样品作为佳品而设定为○，将哪怕是1个样品产生了剥离的样品作为次品而设定为×。另外，在对各样品观察剥离的有无时，使用超声波探查装置(Scanning Acoustic Tomograph：SAT)并通过反射法来观察。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 比较例1 比较例2
切割带 (1) (1) (1) (1) (1) (1) (1)
粘接剂层 (1) (1) (1) (3) (2) (1) (3)
金属层 (1) (2) (3) (4) (3) (5) (6)
切割性 ○ ○ ○ ○ ○ × ○
可靠性 ○ ○ ○ ○ ○ × ×
如表1中所示的那样，实施例1～5所述的半导体加工用带由于金属层的表面粗糙度RzJIS为0.6μm以上且9.0μm以下，为权利要求中规定的0.5μm以上且低于10.0μm，所以成为切割性、可靠性均良好的结果。
与此相对，比较例1所述的半导体加工用带由于金属层的表面粗糙度RzJIS低于0.5μm，所以成为切割性、可靠性均差的结果。此外，比较例2所述的半导体加工用带由于金属层的表面粗糙度RzJIS为10.0μm以上，所以成为可靠性差的结果。
符号说明
10：半导体加工用带
11：基材膜
12：粘合剂层
13：切割带
14：金属层
15：粘接剂层

Claims (4)

1.一种半导体加工用带，其特征在于，其具有：
含有基材膜和粘合剂层的切割带、
设置在所述粘合剂层上的金属层、和
设置在所述金属层上且用于将所述金属层粘接到半导体芯片的背面的粘接剂层，
所述金属层的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，
所述金属层为铜箔。
3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用带，其特征在于，
所述粘接剂层含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)苯氧基树脂、及(D)经表面处理的无机填充材料，所述(D)的含量相对于所述(A)～(D)的总计为40重量％以上且65重量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用带，其特征在于，
所述粘合剂层含有由CH2＝CHCOOR所表示的丙烯酸酯、含羟基的单体和分子内具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物构成的丙烯酸系聚合物，式中，R为碳原子数为4～8的烷基。
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