CN107557758A - 用于控制外延沉积腔室流量的注入及排放设计 - Google Patents

Abstract

本文所述的实施方式大体上是关于处理腔室中的流量控制。所述处理腔室可包括流量控制排放器与宽注入器的组合。当多种处理气体进入和离开所述腔室时，所述流量控制排放器与所述宽注入器可提供所述多种气体的受控流量，以及控制已经存在于所述腔室中的所述多种气体。因此，整体的沉积分布可维持得更均匀。

Description

用于控制外延沉积腔室流量的注入及排放设计

本申请是申请号为201480024551.X的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本文所公开的实施方式大体上是关于处理腔室中的流量控制。

背景技术

外延层是生长于结晶基板上的结晶膜。下面的基板作用为用于生长膜的模板，使得外延层的晶体学特性由下面的结晶基板所限定。亦即，结晶基板提供晶体学籽晶来用于外延生长。所述基板可为例如单晶硅、硅化锗或SOI晶片。

外延层的生长通常在外延沉积(Epi)腔室中使用化学气相沉积(CVD)来实现。基板载入于CVD反应器中，随后CVD反应器利用非反应气体来清洗，诸如He、Ar、N₂或H₂。反应器的温度渐渐上升，且载体气体与反应气体的混合物利用特定的流动动力学而引入反应器中。掺杂剂气体也可在沉积期间或在沉积之后的注入期间引入。当已经达到外延层的所需厚度时，非反应气体再次被用于清洗反应器，且温度渐渐下降。

流量是外延沉积(Epi)腔室设计与Epi沉积性能的关键因素。Epi腔室通常着重于产生均匀的流量场。随着Epi腔室处理变得更加复杂，预期将使用更大的晶片，且流量场的均匀性将变得更困难。

因此，本领域中需要基板处理期间不同的流量控制，以实现外延生长。

发明内容

本文所述的实施方式大体上是关于处理腔室，所述处理腔室具有结构来提供气体流量控制。在一实施方式中，一种装置可包括：处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理腔室内，用于支撑基板，所述基板支撑件通常限定所述处理腔室的处理区域；以及宽注入器，所述宽注入器流体连接于所述处理区域。所述宽注入器可包括：一个或更多个注入入口；一个或更多个注入路径，所述一个或更多个注入路径流体连接于所述一个或更多个注入入口的至少一个；以及一个或更多个注入端口，所述一个或更多个注入端口流体连接于所述注入路径的至少一个。

在另一实施方式中，一种装置可包括：处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理腔室内，用于支撑基板；下圆顶，所述下圆顶设置于所述基板支撑件之下；上圆顶，所述上圆顶设置成相对于所述下圆顶；基座环，所述基座环设置于所述上圆顶与所述下圆顶之间，所述上圆顶、所述基座环与所述下圆顶大体上限定了所述处理腔室的处理区域；以及流量控制排放器，所述流量控制排放器流体连接于所述处理区域，所述流量控制排放器包括一个或更多个流量控制结构。

附图说明

通过参考实施方式(一些实施方式在附图中说明)，可获得在上文中简要总结的本发明的更具体的说明，而能详细了解上述的本发明的特征。然而应注意，附图仅说明本发明的典型实施方式，因而不应将这些附图视为限制本发明的范围，因为本发明可容许其它等效实施方式。

图1根据一实施方式，图示背侧加热处理腔室100的示意剖面视图；

图2A-2G根据一实施方式，图示流量控制气体出口；

图3A根据一实施方式，图示具有宽注入器的处理腔室的顶部横剖面视图；及

图3B根据一实施方式，图示处理腔室从宽注入器接收的区域流量。

为了助于理解，已尽可能使用相同的元件符号指定各图共有的相同元件。应考虑一个实施方式的元件与特征可有利地并入其它实施方式而无需进一步说明。

具体实施方式

本文所公开的实施方式大体上是关于用于处理腔室的入口与出口，以控制处理腔室中的流量场。本文所述的是流量控制气体出口与宽注入器，用于一个或更多个处理腔室。随着装置尺寸的缩小，流量场的控制预期会变得更重要。通过控制流率，可更好地控制：气体进入与离开处理区域时的方向性与流速、沉积中所用的气体的动力学、以及因此基板上的薄膜的沉积。本文所公开的本发明实施方式将参照下面附图来更清楚地叙述。

图1根据一实施方式，图示背侧加热处理腔室100的示意剖面视图。可适于受益于本发明的处理腔室的范例是Epi处理腔室，所述Epi处理腔室可从位于加州的圣克拉拉的应用材料公司取得。可了解到，其他处理腔室(包括那些来自其他制造商的)可适于实行本发明。

处理腔室100可用于处理一个或更多个基板，包括在基板108的上表面上沉积材料。处理腔室100可包括处理腔室加热装置，诸如辐射加热灯102阵列，用于加热基板支撑件106的背侧104或设置于处理腔室100内的基板108的背侧，以及其他元件。基板支撑件106可为盘状的基板支撑件106，如图所示，或者基板支撑件106可为环状的基板支撑件(未图示)，从基板的边缘来支撑基板，或者基板支撑件106可为销型的支撑件，所述销型的支撑件通过最小的接触支柱或销从底部来支撑基板。

在本实施方式中，基板支撑件106图示为位于处理腔室100内、在上圆顶114与下圆顶112之间。上圆顶114与下圆顶112以及设置于上圆顶114与下圆顶112之间的基座环118可限定处理腔室100的内部区域。基板108(未按比例)可通过装载端口(未图示)被带至处理腔室100中并且定位于基板支撑件106上，装载端口被基板支撑件106遮挡了。

基座环118可大体上包括装载端口、处理气体入口136与气体出口142。基座环118可具有大体上长方形的形状，其中长边在装载端口上且短边分别在处理气体入口136与气体出口142上。基座环118可具有任何所需的形状，只要装载端口103、处理气体入口136与气体出口142相对于彼此与装载端口有角度地偏移大约90°。例如，装载端口103可位于处理气体入口136与气体出口142之间的一侧处，其中处理气体入口136与气体出口142设置于基座环118的相反端处。在多个实施方式中，装载端口、处理气体入口136与气体出口142对准于彼此并且设置于实质上相同的高度。

基板支撑件106图示于升高的处理位置中，但是基板支撑件106可由致动器(未图示)垂直地横越至处理位置之下的装载位置，以允许升降杆105接触下圆顶112、通过基板支撑件106与中心轴116中的孔、并且将基板108从基板支撑件106升举。机器人(未图示)可之后进入处理腔室100，以通过装载端口从处理腔室100接合且移除基板108。基板支撑件106随后可被致动升高至处理位置，以将基板108放置在基板支撑件106的前侧110上，其中基板108的器件侧117面朝上。

基板支撑件106位于处理位置中时，将处理腔室100的内部空间分成处理气体区域120(在基板之上)与净化气体区域122(在基板支撑件106之下)。基板支撑件106在处理期间可通过中心轴116而旋转，以最小化处理腔室100内的热与处理气体流量空间异常的影响，且因此有助于均匀的基板108处理。基板支撑件106由中心轴116支撑，在装载与卸载以及某些情况下的基板108处理期间，所述中心轴116将基板108在上下方向移动。基板支撑件106可由碳化硅或涂覆有碳化硅的石墨形成，以吸收来自灯102的辐射能量并且传导所述辐射能量至基板108。

通常，上圆顶114的中心窗部与下圆顶112的底部由光学上透明的材料形成，诸如石英。上圆顶114的弯曲度与厚度可配置来控制处理腔室中的流量场的均匀性。

灯102可设置成相邻于下圆顶112且在下圆顶112之下，以指定的方式围绕中心轴116，以在处理气体通过时，独立地控制在基板108的各种区域处的温度，从而促进材料沉积在基板108的上表面上。灯102可设置来加热基板108至大约摄氏200度至大约摄氏1600度的温度范围内。虽然未在此详细讨论，沉积的材料可包括硅、掺杂的硅、锗、掺杂的锗、硅锗(silicon germanium)、掺杂的硅锗、砷化镓、氮化镓、或氮化镓铝。

供应自处理气体供应源134的处理气体通过处理气体入口136而引入处理气体区域120中，处理气体入口136形成于基座环118的侧壁中。处理气体入口136配置来在大体上径向向内的方向中导引处理气体。在膜形成处理期间，基板支撑件106位于处理位置中，所述处理位置可相邻于处理气体入口136且在大约相同于处理气体入口136的高度处，允许处理气体沿着流动路径138横越基板108的上表面向上和周围流动。处理气体通过气体出口142离开处理气体区域120(沿着流动路径140)，气体出口142位于处理腔室100相对于处理气体入口136的侧部上。通过气体出口142的处理气体的移除可通过耦接于气体出口142的真空泵144来促成。

从净化气体源124供应的净化气体通过净化气体入口126而引入净化气体区域122中，净化气体入口126形成于基座环118的侧壁中。净化气体入口126设置于处理气体入口136之下的高度处。若使用圆形屏蔽部167，圆形屏蔽部167可设置于处理气体入口136与净化气体入口126之间。在任一实例中，净化气体入口126可配置来在大体上径向向内的方向中导引净化气体。若需要的话，净化气体入口126可配置来在向上的方向中导引净化气体。在膜形成处理期间，基板支撑件106位于一位置中，使得净化气体沿着流动路径128横越基板支撑件106的背侧104向下和周围流动。不受任何特定理论限制，相信净化气体的流动可以防止或实质上避免处理气体流动进入净化气体区域122，或者减少处理气体扩散进入净化气体区域122(亦即，在基板支撑件106之下的区域)。净化气体离开净化气体区域122(沿着流动路径130)并且通过气体出口142而排出处理腔室，气体出口142位于处理腔室100相对于净化气体入口126的侧部上。

流量控制排放器

虽然一般相信均匀流量是较佳的，更先进的沉积处理可能需要较高阶的流量场控制。因此，流量控制排放器可提供一个或更多个流量场区域的较高阶控制。流量控制排放器可具有偏移的传导性，偏移的传导性可导致横越排放器的流量区域性。流量区域性可往上游蔓延某段距离，其中晶片上的沉积会受到影响。流量控制排放器可并入于其他流量控制机构，诸如区域注入器，以达成横越处理区域的偏移流量场，诸如参照图1所述的处理气体区域120。流量控制排放器可通过诸如流量控制气体出口的装置来实现。

图2A至图2G根据一实施方式，图示流量控制气体出口200。在一实施方式中，参照图1所述的气体出口142可为流量控制气体出口200。流量控制气体出口可具有孔202，所述孔202形成于气体出口主体245中。在某些实施方式中，流量控制气体出口200可具有孔202，所述孔202具有多种构造，使得进入气体出口242的气体可具有不同的速度，所述速度由相对于所述开口的位置来决定。

图2A根据一实施方式，为流量控制气体出口200。虽然孔202在此图示为完全由气体出口主体245围绕，孔202可形成为多个元件组合中的开口。例如，孔202可为形成于腔室壁部(未图示)与气体出口主体245之间的开口。可设想出另外的配置，本文不再直接叙述。

在此实施方式中，孔202具有多个流量控制结构形成于其中，本文图示为第一结构220、第二结构222与第三结构224。在一个或更多个实施方式中，流量控制结构可多于或少于三个。第一结构220、第二结构222与第三结构224可各自具有多种形状，使得当存在的气体255离开腔室时，进入的角度与进入的空间可用于控制存在的气体255的方向性与速度。存在的气体可包括处理气体、净化气体或者其他在处理期间可能存在的气体。用于第一结构220、第二结构222与第三结构224(或者当使用多于或少于三个结构时的另外结构)的每一者的形状可不同于彼此，使得每一结构在存在的气体255中产生可限定的区域。

在此实施方式中，第一结构220与第三结构224小于第二结构222。因此，可预期，当真空泵144操作时，相较于靠近第一结构220或第三结构224的气体，靠近第二结构222的气体会以较大的体积与较低的速度流动。

图2B为存在的气体255的俯视图，如同相关于图2A所述的流量控制气体出口200所预期的。存在的气体255可从气体入口136传送，如同参照图1所述的。存在的气体255以特定的流率与特定的流速位于基板208之上，基板208位于基板支撑件206上。存在的气体255之后被流量控制气体出口200接收。根据第一结构220、第二结构222与第三结构224的形状，存在的气体255的流率与流速在靠近这些结构时改变。因此，第一结构220、第二结构222与第三结构224产生第一区域260、第二区域262与第三区域264。假设在其他结构上已经改变在特定区域处的存在的气体255的流动，预期第二区域262的流动会慢于第一区域260与第三区域264。

图2C根据另一实施方式，图示流量控制气体出口210。在此实施方式中，孔202具有三个流量控制结构形成于气体出口主体245中，本文图示为第一结构226、第二结构228与第三结构230。第一结构226与第三结构230大于第二结构228。因此，可预期，当真空泵144操作时，相较于靠近第一结构226或第三结构230的气体，靠近第二结构228的气体会以较小的体积与较高的速度流动。因此，在此实施方式中，存在的气体255在中心中会流动得比在边缘处更快，因为处理气体接近流量控制气体出口。

图2D根据另一实施方式，图示流量控制气体出口212。在此实施方式中，孔202具有两个流量控制结构形成于气体出口主体245中，本文图示为第一结构232与第二结构234。已经省略前述实施方式所示的第三结构，这增加存在的气体255中产生的区域的大小，同时减少总共可限定的区域的数量。第一结构232小于第二结构234。因此，可预期，当真空泵144操作时，相较于靠近第一结构232的气体，靠近第二结构234的气体会以较大的体积与较低的速度流动。因此，在此实施方式中，存在的气体255在第一边缘处会流动得比在第二边缘处更快。

图2E根据另一实施方式，图示流量控制气体出口214。在此实施方式中，孔202具有两个流量控制结构形成于气体出口主体245中，本文图示为第一结构236与第二结构238。已经省略前述实施方式所示的第三结构，这增加存在的气体255中产生的区域的大小，同时减少总共可限定的区域的数量。第一结构236大于第二结构238。因此，可预期，当真空泵144操作时，相较于靠近第一结构236的气体，靠近第二结构238的气体会以较小的体积与较高的速度流动。因此，在此实施方式中，存在的气体255在第二边缘处会流动得比在第一边缘处更快。

图2F根据另一实施方式，图示流量控制气体出口216。在此实施方式中，孔202具有三个流量控制结构形成于气体出口主体245中，本文图示为第一结构240、第二结构242与第三结构244。在此所示，第一结构240小于第二结构242，第二结构242小于第三结构244。因此，可预期，存在的气体255靠近第一结构240时会以最小的体积与最高的速度流动。另外，流动的体积将增加，而流动的速度从第一区域260至第三区域264将逐渐减小，参考图2B叙述的。

图2G根据另一实施方式，图示流量控制气体出口218。在此实施方式中，孔202具有三个流量控制结构形成于气体出口主体245中，本文图示为第一结构246、第二结构252与第三结构248。在此所示，第一结构246小于第二结构252，第二结构252小于第三结构248。另外所示的是气体出口主体245的底部边缘与孔202的底部边缘之间的第一结构246上的间隔的改变。因此，可预期，存在的气体255靠近第一结构246时会以最小的体积与最高的速度流动。另外，流动的体积将增加，而流动的速度从第一区域260至第三区域264将逐渐减小，参考图2B叙述的。

在一个或更多个上述实施方式中，流量控制气体出口218可为流量控制插件。流量控制插件可具有一个或更多个流量控制结构，如同参照图2A-2G所示的。流量控制插件可包括的材料抗处理腔室的化学品与温度。在一实施方式中，流量控制插件由石英制成。在操作中，流量控制排放器可包括选自多个流量控制插件的一定位的流量控制插件。定位的流量控制插件可与多个流量控制插件的一个交换，以改变流量控制排放器的一个或更多个流量参数。所述交换可人工操作，诸如在操作循环之间，或者所述交换可为自动***的部分。

不打算受限于理论，相信，仅作用来控制气体入口处的流量的设计在气体接近气体出口时会缺少流量控制。在标准的腔室中，处理气体可从腔室的一侧进入并且流动于基板之上。各种结构与设计都可并入，以确保流量维持均匀。但是，随着存在的气体接触于各种障碍物，此流量均匀性会随时间减小。通过并入流量控制气体出口，诸如参照上面附图所述的，可控制在腔室的所有点处的气体流量。

宽注入器

流量场的区域控制可使用宽注入器设计而另外在上游控制。目前的Epi注入气体从下衬里中的开口进入腔室。这些设计的开口可具有稍大于晶片直径的总宽度，且这些开孔可从中心线横跨从+45度至-45度。使用宽注入器的实施方式通过上衬里从较大的跨度来传送气体。用于宽注入器的孔的定位可离开中心线从+90度至-90度(圆周的180度)。注入入口可为狭缝或孔的形式。注入端口也可相对于晶片有角度，使得气体以一角度传送至基板。因此，宽注入器设计可产生更受控的区域流量。另外，每一注入端口将具有至晶片的较短路径，使得局部均匀性控制更有效。注入角度的较大跨度也将产生较大的反应区域，较大的反应区域可以减少因为旋转与处理循环所导致的沉积不均匀性。

图3A根据一实施方式，图示具有宽注入器的处理腔室300的顶部横剖面视图。处理腔室300图示为具有流体连接于宽注入器350的基板支撑件308。宽注入器350可具有一个或更多个注入路径，在此图示为宽注入器350具有第一路径310、第二路径312、第三路径314、第四路径316与第五路径318。每一注入路径可具有至少一注入入口302，诸如七个注入入口302。可使用较多或较少的注入入口，而未偏离本文所述的实施方式，只要所有注入路径都流体连接于至少一注入入口302。

注入路径可定位成从中心线352在-90度与+90度之间。第一路径312图示为从中心线352在-90度与-25度之间的直线路径。第二路径314图示为从中心线352在-50度与-10度之间的直线路径。第三路径314图示为被中心线352二等分，其中第三路径的区域在-10度与+10度之间。第四路径316图示为从中心线352在+10度与+50度之间的直线路径。第五路径318图示为从中心线352在+25度与+90度之间的直线路径。每一注入路径可为不同于图示的尺寸与形状。另外，注入路径的定向与定位的图示可改变，使得在此叙述的设计可并入于其他注入器设计。在一实施方式中，宽注入器设计并入于垂直于中心线352的注入器。

每一注入路径可连接于一个或更多个注入端口320。注入端口320可将气体以区别于其他注入端口320的方向性与速度注入处理区域中。注入端口320虽然在此图示为大约相同的尺寸与形状，但是这不打算用来限制可能的实施方式。相较于其他注入端口320，每一注入端口320可以以独立的速度、流率与方向性将气体注入处理区域中。可使用更多或更少的注入路径或注入端口320，而未偏离本文所述的实施方式。

在操作上，处理气体可以以第一速度、流率与方向性流动通过注入入口302。处理气体可之后移动进入注入路径，诸如第一路径310、第二路径312、第三路径314、第四路径316与第五路径318，这些路径将重新导引处理气体朝向注入端口320。注入端口320可之后根据注入端口320的尺寸、形状与角度，以第二速度、流率与方向性传送所述气体至处理区域。

处理气体可由注入端口320导引朝向处理腔室中的一个或更多个区域。在此所示的实施方式中，注入端口320导引处理气体朝向腔室中的聚集点。聚集点可为处理腔室中的特定区域、处理腔室的特定部分，或者朝向处理腔室外部的点。另外，注入端口320可导引处理气体朝向多个聚集点。使用具有十二(12)个注入端口320的在此所示的范例，第一至第三注入端口320可向第一聚集点导引处理气体，第四至第六注入端口320可向第二聚集点导引处理气体，第七至第九注入端口320可向第三聚集点导引处理气体，且第十至第十二注入端口320可向第四聚集点导引处理气体。在一实施方式中，聚集点是处理腔室的排放端口，诸如流量控制气体出口200。

图3B根据一实施方式，图示处理腔室从宽注入器接收的区域流量。在此图示的基板支撑件308具有基板306设置于其上。可了解到，为了清楚起见，某些元件(包括必需的元件)在此并未图示。这些注入端口320各自传送处理气体至处理区域，产生流量场355。流量场355是下述的组合：所传送的气体、在处理腔室中所传送气体被接收时的速度与流率、以及腔室中可能影响所传送气体的一个或更多个特性的元件。

从注入端口接收所传送气体的角度可在流量场355中产生一个或更多个区域，在此图示为第一区域360、第二区域362、第三区域364、第四区域366与第五区域368。这些区域的每一个可具有与其他区域不同的速度、流率或方向性。

不打算受限于理论，相信，根据基板308上的位置来独立控制气体传送可以协助产生更均匀的沉积分布。先前技术的注入器设计仅允许受限的微调，部分是因为基板相距于所述注入端口或所述多个注入端口的距离以及注入端口本身的特性。宽注入器设计可在流量场中产生不均匀的受控区域。沿着流动路径的注入端口的定位、流率与速度可用于激化与导引所述流量。因此，宽注入器设计可沿着基板从注入至排放都维持较高的均匀性。

在一实施方式中，一种处理腔室可包括：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述腔室主体内，用于支撑基板，所述基板支撑件大体上限定所述处理腔室的处理区域；以及宽注入器，所述宽注入器流体连接于所述处理区域，所述宽注入器为环状。另外，所述宽注入器可具有：中心线；多个注入入口；多个注入路径，所述多个注入路径流体连接于所述多个注入入口的至少一个；以及多个注入端口，所述多个注入端口流体连接于所述注入路径的至少一个。

所述处理腔室可另外包括至少一个注入端口，所述注入端口与所述中心线形成角度。

所述处理腔室可另外包括多个注入端口，所述多个注入端口相对于所述中心线定向于一角度处，其中每一注入端口向所述处理腔室中的聚集点导引气流。

所述处理腔室可另外包括至少一注入端口，所述注入端口导引气流朝向所述处理腔室的排放端口。

所述处理腔室可另外包括每个注入路径独立地连接于所述一个或更多个注入入口的至少一个。

所述处理腔室可另外包括流量控制排放器，所述流量控制排放器流体连接于所述处理区域，所述流量控制排放器包括一个或更多个流量控制结构。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器包括可置换的流量控制插件，所述流量控制插件具有变化的横剖面，限定了所述流量控制排放器的一个或更多个流量参数。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有变化的横剖面，所述变化的横剖面限定了至少两个流量区域，以在一处理腔室中产生流量均匀性。

所述处理腔室可另外包括所述流量区域，所述流量区域减少在所述处理腔室中的气流不均匀性。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有三个流量控制结构。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由所述处理气体的速度差异所限定。

所述处理腔室可另外包括所述多个流量控制结构：所述多个流量控制结构是围绕所述处理腔室的一中心线为对称的。

在另一实施方式中，一种处理腔室可包括：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述腔室主体内，用于支撑基板；下圆顶，所述下圆顶设置于所述基板支撑件之下；上圆顶，所述上圆顶设置成相对于所述下圆顶；基座环，所述基座环设置于所述上圆顶与所述下圆顶之间，所述上圆顶、所述基座环与所述下圆顶大体上限定了所述处理腔室的处理区域；以及流量控制排放器，所述流量控制排放器流体连接于所述处理区域，所述流量控制排放器包括一个或更多个流量控制结构。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有三个流量控制结构。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器具有至少两个区域，所述至少两个区域由所述处理气体的速度差异所限定。

所述处理腔室可另外包括所述流量控制排放器，所述流量控制排放器包括可移除的流量控制插件，所述流量控制插件具有所述流量控制结构，其中所述流量控制插件具有至少两个流量区域，所述流量区域具有不同的气流参数。

尽管以上针对本发明的实施方式，但可在并未背离本发明的基本范畴的情况下设计本发明的其它及进一步的实施方式。

Claims (15)

1.一种装置，包括：

处理腔室，所述处理腔室限定所述处理腔室中的处理区域；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理腔室内，所述基板支撑件具有基板支撑表面；及

注入器，所述注入器流体连接于所述处理区域，所述注入器包括：

一个或多个注入入口；

一个或多个注入路径，所述一个或多个注入路径流体连接于所述一个或多个注入入口的至少一个；及

一个或多个注入端口，所述一个或多个注入端口流体连接于所述注入路径的至少一个；

中心线，所述中心线将所述一个或多个注入路径中的一个注入路径二等分；及

流量控制排放器，所述流量控制排放器流体连接于所述处理区域，所述流量控制排放器具有偏移的传导性。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述注入端口的至少一个于一角度偏离所述中心线。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述注入端口的至少一个于实质垂直所述中心线的位置处进入所述腔室。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述一个或多个注入路径相对于所述中心线定位于-90度至+90度之间。

5.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述注入路径的每一个独立地连接于所述一个或多个注入入口的至少一个。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器具有三个流量控制结构。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由处理气体的速度差异限定。

8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由处理气体的流率差异限定。

9.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由处理气体的方向性差异限定。

10.一种处理腔室，包括：

处理腔室；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理腔室内以支撑基板；

下圆顶，所述下圆顶设置于所述基板支撑件之下；

上圆顶，所述上圆顶设置成相对于所述下圆顶；

基座环，所述基座环设置于所述上圆顶与所述下圆顶之间，所述上圆顶、所述基座环与所述下圆顶大体上限定了所述处理腔室的处理区域；及

流量控制排放器，所述流量控制排放器流体连接于所述处理区域，所述流量控制具有偏移的传导性排放。

11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器包括一个或多个流量控制结构。

12.如权利要求11所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器具有三个流量控制结构。

13.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由处理气体的速度差异限定。

14.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由处理气体的流率差异限定。

15.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述流量控制排放器产生至少两个区域，所述至少两个区域由处理气体的方向性差异限定。