CN107544162A - 智能窗 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种智能窗,该智能窗包括:第一基体层和第二基体层,设置为彼此面对;第一导电层和第二导电层,分别位于第一基体层的内表面和第二基体层的内表面处;电解质层,置于第一导电层与第二导电层之间,其中,第一导电层包括多个第一纳米结构,第二导电层包括平均长度与所述多个第一纳米结构的平均长度不同的多个第二纳米结构。
Description
技术领域
本实施例涉及一种智能窗。
背景技术
智能窗应用到窗、镜子或显示装置,并且用作控制透光率的方法。详细地,智能窗可以替代建筑或车辆的常规的窗使用或者与建筑或车辆的常规的窗一起使用,并且可以在冬天控制为透明状态,从而允许最多的阳光进入房间中,然而在夏天设定为不透明的,从而仅允许穿过期望的光量。通常,智能窗根据呈现功能的材料的种类分为液晶显示器(LCD)、悬浮颗粒显示器(SPD)、电致变色玻璃(EC)、光致变色玻璃(PC)和热致变色玻璃(LTC)。在此背景技术中公开的以上信息仅用于增强对实施例的背景技术的理解,因此其可以包含不形成对于本领域技术人员在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开提供了能够实现各种模式的智能窗。根据本公开的示例性实施例的智能窗包括:第一基体层和第二基体层,设置为彼此面对;第一导电层和第二导电层,分别位于第一基体层的内表面和第二基体层的内表面处;电解质层,置于第一导电层与第二导电层之间,其中,第一导电层包括多个第一纳米结构,第二导电层包括平均长度与所述多个第一纳米结构的平均长度不同的多个第二纳米结构。
所述多个第一纳米结构可以具有在0.5nm至60nm的范围内的平均长度。所述多个第二纳米结构可以具有在60nm至10μm的范围内的平均长度。
电解质层可以包括溶剂和无机颗粒。
无机颗粒可以是AgNO3、CuCl2、WO3、TiO2、MgO、MoO3和NiO之中的至少一种。
溶剂与无机颗粒的体积比可以在40:1至60:1的范围内。在将负(-)电压施加到第一导电层的驱动状态中,智能窗可以具有40%或更多的光反射率。
还可以包括位于第一导电层的表面处的反射层。
在将负(-)电压施加到第二导电层的驱动状态中,智能窗可以具有70%或更多的光吸收率。
还可以包括位于第二导电层的表面处的吸收层。
所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构可以由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZITO(氧化锌铟锡)、GITO(氧化镓铟锡)、In2O3(氧化铟)、ZnO(氧化锌)、GIZO(氧化镓铟锌)、GZO(氧化镓锌)、FTO(氧化氟锡)和AZO(铝掺杂氧化锌)之中的至少一种材料形成。
第一导电层的平均厚度可以在5nm至100nm的范围内。
第二导电层的平均厚度可以在50nm至10μm的范围内。
还可以包括位于第一基体层与第一导电层之间的第一电极层。
第一电极层的厚度可以在1nm至1μm的范围内。
还可以包括位于第二基体层与第二导电层之间的第二电极层。
第二电极层的厚度可以在1nm至1μm的范围内。第一基体层和第二基体层可以由聚合物或玻璃形成。
聚合物可以包括从包括聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)的组中选择的至少一种。
另一方面,发明构思包括一种智能窗,该智能窗具有:第一基体基底,在其上具有第一纳米结构;第二基体基底,在其上具有第二纳米结构;电解质层,位于第一基体基底与第二基体基底之间。电解质包括颗粒,所述颗粒响应于施加到第一纳米结构和第二纳米结构中的至少一个的电压而沉淀到第一纳米结构或第二纳米结构上。第一纳米结构和第二纳米结构具有不同的长度,使得沉淀到第一纳米结构上的颗粒形成光发射表面,以及使得沉淀到第二纳米结构上的颗粒形成光吸收表面。
根据本公开的示例性实施例的智能窗可以实现透明模式、镜子模式和黑模式之中的至少一种模式。
附图说明
图1是根据本公开的示例性实施例的处于非驱动状态的智能窗的示意图。
图2和图3是根据本公开的示例性实施例的处于驱动状态的智能窗的示意图。
图4是根据本公开的另一示例性实施例的处于非驱动状态的智能窗的剖面示意图。
图5至图12是根据示例性实施例2至示例性实施例9制造的智能窗中的导电层中包括的多个纳米结构的平面SEM照片。
具体实施方式
在下文中,将参照其中示出实施例的示例性实施例的附图对本实施例进行更充分地描述。如本领域技术人员将认识到的是,在都未脱离本实施例的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式来修改所描述的实施例。为了清楚地描述本实施例,省略了与描述不相关的部分,并且在整个说明书中,同样的参考标记表示同样的元件。此外,在附图中,为了更好地理解和易于说明,随意地表示了每个元件的尺寸和厚度,本实施例不限于此。在附图中,为了清晰起见,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中,为了便于描述,夸大了层、膜、面、区域等的厚度。将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。另外,除非明确地描述为相反,否则词语“包含”及其变型将被理解为意指包含所述元件而不是包含任何其它元件。此外,在说明书中,词语“在……上”意为着位于目标部分上或下,而不是本质上意味着基于重力方向位于目标部分的上侧上。现在,将参照图1至图3描述根据本公开的示例性实施例的智能窗。
图1是根据本公开的示例性实施例的处于非驱动状态的智能窗的示意图,图2和图3是根据本公开的示例性实施例的处于驱动状态的智能窗的示意图。参照图1,根据本公开的示例性实施例的智能窗包括第一基体层100、第一导电层250、电解质层300、第二导电层260和第二基体层110。第一基体层100和第二基体层110设置为彼此面对。如这里使用的,第一基体层100和第二基体层110的彼此最接近的表面被称作“内表面”。如这里使用的,“光”意在指电磁波谱的可见波长中的辐射线,即,大约400nm到大约700nm。
第一基体层100和第二基体层110可以由透射光的至少大约60%的材料制成。在一些实施例中,第一基体层100和第二基体层110可以透射光的大约65%至大约90%或者大约75%至大约100%。即,第一基体层100和第二基体层110例如可以由聚合物或玻璃制成,但这不是限制。
当第一基体层100和第二基体层110由聚合物制成时,所得的智能窗将具有弯曲性,使得实现了柔性智能窗。聚合物例如可以包括从包括聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚苯乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)的组中选择的至少一种材料,但其不限于此。在本公开中,第一基体层100和第二基体层110的材料可以彼此相同或彼此不同。第一导电层250和第二导电层260分别位于第一基体层100的内表面和第二基体层110的内表面处。
第一导电层250的平均厚度可以是大约5nm至大约100nm、大约10nm至大约80nm或者大约20nm至大约70nm。第一导电层250的位于该取值范围内的平均厚度确保了第一导电层250的期望水平的导电率。对于第二导电层260,其平均厚度可以是大约50nm至大约10μm、大约70nm至大约5μm或者大约100nm至大约2μm,以确保第二导电层260的导电率处于期望水平。其次,第一导电层250和第二导电层260可以分别包括多个第一纳米结构200和多个第二纳米结构210。所述多个第一纳米结构200可以包括彼此部分地交叉和连接的部分。类似地,所述多个第二纳米结构210可以包括彼此部分地交叉和连接的部分。
在本公开中,第一导电层250可以形成为在它们生长时彼此叠置且彼此部分地交叉和连接的多个第一纳米结构200以形成不规则形状的结构。类似地,第二导电层260可以形成为在它们生长时彼此叠置且彼此部分地交叉和连接的多个第二纳米结构210以形成不规则形状的结构。因此,第一导电层250和第二导电层260可以在其中包括预定的间隙。当实现柔性智能窗时,即使在重复地弯曲的情况下也可以防止由于裂纹等导致的缺陷。
所述多个第一纳米结构200和所述多个第二纳米结构210可以由其透光率为至少大约60%的透明导电材料制成。在一些实施例中,透明导电材料可以透射光的大约65%至大约100%或者光的大约75%至大约100%。因为所述多个第一纳米结构200和所述多个第二纳米结构210由其可见射线区域的透光率满足所述取值范围的材料制成,所以在智能窗未被驱动的状态(即,未向第一导电层250和第二导电层260施加电压的状态)下实现透明模式是可能的。在本公开中,“透明模式”表示从外部入射在智能窗上的光的透射率是至少60%。透明导电材料例如可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZITO(氧化锌铟锡)、GITO(氧化镓铟锡)、In2O3(氧化铟)、ZnO(氧化锌)、GIZO(氧化镓铟锌)、GZO(氧化镓锌)、FTO(氧化氟锡)和AZO(铝掺杂氧化锌)中的至少一种,但其不限于此。另外,所述多个第一纳米结构200和所述多个第二纳米结构210的材料可以彼此相同或彼此不同。另一方面,所述多个第一纳米结构200可以具有在大约0.5nm至大约60nm的范围内的平均长度。所述多个第一纳米结构200的平均长度例如可以在大约1nm至大约40nm或者大约1nm至大约25nm的范围内。
在本说明书中,纳米结构的“平均长度”指所述多个第一纳米结构200和/或所述多个第二纳米结构210中的每个中的最长节点的平均长度。即,第一纳米结构200和第二纳米结构210具有分支节点结构,平均长度表示每个纳米结构中最长节点的平均值。另外,具有分支节点结构的纳米结构可以通过使用电子束蒸发方法通过生长来获得,并且可以被适当地控制以生长为期望的尺寸,从而分别形成多个第一纳米结构200和多个第二纳米结构210。
参照图2,连接到电源的开关***被导通以驱动智能窗。在描绘将负(-)电压施加到第一导电层250的示例中,电解质层300中包括的无机颗粒302之中的一些正离子可以结合到所述多个第一纳米结构200。因此,在第一导电层250的表面处可以形成具有预定厚度的反射层310。反射层310由在无机颗粒302的正离子从第一导电层250接收负(-)电荷时沉淀的聚集材料制成。另外,因为反射层310形成在包括平均长度比所述多个第二纳米结构210的平均长度相对小的所述多个第一纳米结构200的第一导电层250的表面处,所以反射层310可以形成为具有基本平坦的表面。即,当将负(-)电压施加到第一导电层250时,智能窗的来自外部的入射光的反射率由于具有基本平坦的表面的反射层310而增加。在这种情况下,所述多个第一纳米结构200可以具有如上所述的在大约0.5nm至大约60nm的范围内的平均长度。当所述多个第一纳米结构200的平均长度满足以上取值范围时,在将电压(-)施加到第一导电层250时,根据本公开的智能窗的光反射率在大约40%或更多、大约50%至大约100%或者大约60%至大约100%的范围内。
在本公开中,“镜子模式(mirror mode)”表示从外部入射到智能窗上的光的至少40%被反射。其次,所述多个第二纳米结构210可以具有在大约60nm至大约10μm的范围内的平均长度。所述多个第二纳米结构210的平均长度例如可以在60nm至1μm、70nm至300nm或者100nm至250nm的范围内。
参照图3,开关***通过将负(-)电压施加到第二导电层260来驱动智能窗。响应于该电压,电解质层300中包括的无机颗粒302之中的一些正离子迁移到所述多个第二纳米结构210。因此,在第二导电层260的表面处可以形成具有预定厚度的吸收层320。吸收层320由在无机颗粒302的正离子从第二导电层260接收负(-)电荷时沉淀的聚集材料制成。另外,因为吸收层320形成在包括平均长度比所述多个第一纳米结构200的平均长度相对大的所述多个第二纳米结构210的第二导电层260的表面处,所以吸收层320可以形成为具有粗糙表面结构。
即,当将负(-)电压施加到第二导电层260时,从外部入射到智能窗的光的吸收率由于通过具有粗糙表面的吸收层320的等离子体效应(plasmoneffect)和散射效应而增加。在这种情况下,所述多个第二纳米结构210可以具有如上所述的大约60nm至大约10μm的平均长度。在所述多个第二纳米结构210的平均长度满足以上取值范围的情况下,当将负(-)电压施加到第二导电层260时,入射到智能窗上的射线的至少大约70%被吸收。在一些实施例中,入射的辐射线的大约75%至大约100%被吸收,或者入射的辐射线的大约80%至大约100%被吸收。在本公开中,“黑模式(black mode)”表示从外部入射到智能窗的辐射线的吸收率是至少70%。因此,在示例性实施例中根据本公开的智能窗使得在未施加电压时透明模式是可能的,并且通过调整(例如,通过使用AC电力)施加负(-)电压的方向使得镜子模式和黑模式是可能的。另一方面,电解质层300可以包括溶剂301和无机颗粒302。当智能窗处于非驱动状态下,无机颗粒302可以以离子态分散在溶剂301中而存在。因此,从外部入射到处于非驱动状态的智能窗上的光可以在以离子态的无机颗粒302之间容易地透射。
另外,如上所述,因为第一导电层250和第二导电层260由透明材料制成,所以可以实现透明模式。在透明模式中,透光率可以为大约60%或更多、大约65%至大约100%或者大约75%至大约100%。另外,当智能窗处于驱动状态下,分散在溶剂301中并且以离子态存在的无机颗粒302之中的一些正离子移动到施加有负(-)电压的一侧,并且结合到所述多个第一纳米结构200或所述多个第二纳米结构210。因此,从外部入射到处于驱动状态的智能窗上的光可以被结合有正离子的所述多个第一纳米结构200或所述多个第二纳米结构210反射或吸收。即,可以实现镜子模式和黑模式中的每个。无机颗粒302可以是AgNO3、CuCl2、WO3、TiO2、MgO、MoO3和NiO之中的至少一种,但其不限于此。另外,包括在电解质层300中的溶剂301和无机颗粒302的体积比可以是大约40:1至60:1或者大约45:1至55:1。当溶剂301和无机颗粒302的体积比满足以上取值范围时,均可以实现镜子模式和黑模式。
图4是根据本公开的另一示例性实施例的智能窗的非驱动状态的剖面示意图。参照图4,根据本公开的另一示例性实施例的智能窗还可以包括位于第一基体层100与第一导电层250之间的第一电极层400。另外,还可以包括位于第二基体层110与第二导电层260之间的第二电极层410。除了第一电极层400和第二电极层410之外的其它构造与以上所述相同,从而省略对其的详细描述。
第一电极层400可以具有大约1nm至大约1μm或者大约10nm至大约1μm的厚度。另外,第二电极层410可以具有大约1nm至大约1μm或者大约10nm至大约1μm的厚度。第一电极层400和第二电极层410的厚度可以彼此相同或者彼此不同。另外,形成第一电极层400和第二电极层410的材料可以是透射光的至少60%的透明导电材料。在一些实施例中,可以透射可见射线的大约65%至大约100%,在其它实施例中可以透射大约75%至大约100%。如上所述,当根据本公开的智能窗还包括第一电极层400和/或第二电极层410时,因为可以获得优异的导电率,所以从镜子模式到黑模式的转换以及处于非驱动状态的透明模式的转换可以根据电流方向快速地实现。
接下来,将通过示例性实施例详细地描述本公开。
示例性实施例1
通过使用ITO在第一玻璃基底(基体层)上形成具有150nm厚度的电极层。接下来,通过电子束蒸发通过在电极层上生长ITO来形成包括其纳米结构的平均长度是1nm的多个纳米结构的导电层。此外,在第三玻璃基底处形成150nm厚度的ITO电极层。接下来,将第三玻璃基底和第一玻璃基底结合,使得对第三玻璃基底的ITO电极层和第一玻璃基底的导电层除了注入孔之外的边缘密封。随后,将按每10ml DMSO分散0.5mmol的AgNO3的电解质注入到注入孔中,并且将注入孔密封,从而制造智能窗。
示例性实施例2
如在图5的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度是23.55nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例1的方法相同的方法制造智能窗。
示例性实施例3
通过使用ITO在第二玻璃基底(基体层)处形成具有150nm厚度的电极层。接下来,通过使用电子束蒸发在电极层上生长ITO,如图6的平面SEM照片中确认的,形成了包括其纳米结构的平均长度为65.13nm的多个纳米结构的导电层。此外,在第三玻璃基底处形成150nm厚度的ITO电极层。接下来,将第三玻璃基底和第二玻璃基底设置为面对第三玻璃基底的ITO电极层和第二玻璃基底的导电层以密封其除注入孔之外的边缘。接下来,将按每10mlDMSO分散0.5mmol的AgNO3的电解质注入到注入孔中,并且将注入孔密封,从而制造智能窗。
示例性实施例4
如在图7的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度为77.57nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例3的方法相同的方法制造智能窗。
示例性实施例5
如在图8的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度为103.95nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例3的方法相同的方法制造智能窗。
示例性实施例6
如在图9的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度为144.82nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例3的方法相同的方法制造智能窗。
示例性实施例7
如在图10的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度为164.3nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例3的方法相同的方法制造智能窗。
示例性实施例8
如在图11的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度为191.77nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例3的方法相同的方法制造智能窗。
示例性实施例9
如在图12的平面SEM照片中确认的,除了形成包括其纳米结构的平均长度为213.72nm的多个纳米结构的导电层之外,通过与示例性实施例3的方法相同的方法制造智能窗。
实验示例1-纳米结构的生长证明
确认在根据示例性实施例2至示例性实施例9制造的智能窗中生长了包括在导电层中的多个纳米结构的平面SEM照片分别在图5至图12中示出。在图5至图12中,可以确认分别生长了根据示例性实施例2至示例性实施例9的多个纳米结构的形状。
实验示例-智能窗的测试
通过施加2.5V的电压从而将负(-)电压施加到根据示例性实施例1至示例性实施例9制造的智能窗中包括多个纳米结构的一侧,在400nm至700nm的区域内测量平均光反射率和平均光吸收率。此外,在非驱动状态(即,在-0.5V或0.5V的电压处)下,在400nm至700nm的区域内测量平均透光率值。其结果示出在以下表1中。
表1
分类 | 平均光反射率(%) | 平均光吸收率(%) | 平均透光率(%) |
示例性实施例1 | 78 | 21.07 | 80.75 |
示例性实施例2 | 59.9 | 39.98 | 78.05 |
示例性实施例3 | 20.08 | 79.67 | 74.41 |
示例性实施例4 | 11.83 | 88.29 | 74.16 |
示例性实施例5 | 8.16 | 92.28 | 73.85 |
示例性实施例6 | 8.78 | 88.58 | 73.76 |
示例性实施例7 | 8.6 | 90.84 | 70.72 |
示例性实施例8 | 8.62 | 91.11 | 68.44 |
示例性实施例9 | 8.92 | 90.93 | 65.54 |
参照表1,在根据示例性实施例1和示例性实施例2的其多个第一纳米结构的平均长度满足0.5nm至60nm的范围的智能窗的情况中,平均反射率是至少40%或更多,从而可以确认的是,实现镜子模式是可能的。另外,在根据示例性实施例3至示例性实施例9的其多个第二纳米结构的平均长度满足60nm至10μm的范围的智能窗的情况中,平均吸收率是至少70%或更多,从而可以确认的是,实现黑模式是可能的。另一方面,当根据示例性实施例1至示例性实施例9的智能窗处于非驱动状态时,因为智能窗具有至少60%或更多的平均透光率,所以可以确认的是,实现透明模式是可能的。具体地,提供了根据本公开的示例性实施例的包括具有第一纳米结构的第一导电层和具有第二纳米结构的第二导电层的智能窗,其中,第一纳米结构具有0.5nm至60nm的范围的平均长度,第二纳米结构具有60nm至10μm的范围的平均长度。在这种情况下,可以均实现透明模式、镜子模式和黑模式。例如,当类似于示例性实施例1通过将其平均长度为1nm的多个纳米结构生长成第一导电层以及类似于示例性实施例2通过将其平均长度为23.55nm的多个纳米结构生长成第二导电层来实现智能窗时,如在表1中确认的,因为平均光吸收率低,所以可以确认的是,即使改变负(-)电压的施加方向,黑模式的实现仍是困难的。例如,当类似于示例性实施例3通过将其平均长度为65.13nm的多个纳米结构生长成第一导电层以及类似于示例性实施例4通过将其平均长度为77.57nm的多个纳米结构生长成第二导电层来实现智能窗时,如在表1中确认的,因为平均光反射率低,所以可以确认的是,即使改变负(-)电压的施加方向,镜子模式的实现仍是困难的。
虽然已经结合目前被认为是可行的示例性实施例来描述这些实施例,但将理解的是,实施例不限于已公开的实施例,而是相反,实施例意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
<符号描述>
100:第一基体层
110:第二基体层
200:第一纳米结构
210:第二纳米结构
250:第一导电层
260:第二导电层
301:溶剂
302:无机颗粒
300:电解质层
310:反射层
320:吸收层
400:第一电极层
410:第二电极层
Claims (24)
1.一种智能窗,所述智能窗包括:
第一基体层和第二基体层,设置为彼此面对;
第一导电层和第二导电层,分别位于所述第一基体层的内表面和所述第二基体层的内表面处;以及
电解质层,置于所述第一导电层和所述第二导电层之间,
其中,所述第一导电层包括多个第一纳米结构,
所述第二导电层包括平均长度与所述多个第一纳米结构的平均长度不同的多个第二纳米结构。
2.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述多个第一纳米结构具有在0.5nm至60nm的范围内的平均长度。
3.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述多个第二纳米结构具有在60nm至10μm的范围内的平均长度。
4.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述电解质层包括溶剂和无机颗粒。
5.根据权利要求4所述的智能窗,其中,
所述无机颗粒是AgNO3、CuCl2、WO3、TiO2、MgO、MoO3和NiO之中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的智能窗,其中,
所述溶剂与所述无机颗粒的体积比在40:1至60:1的范围内。
7.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
在将负电压施加到所述第一导电层的驱动状态中,所述智能窗具有40%或更多的光反射率。
8.根据权利要求7所述的智能窗,所述智能窗还包括:
反射层,位于所述第一导电层的表面处。
9.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
在将负电压施加到所述第二导电层的驱动状态中,所述智能窗具有70%或更多的光吸收率。
10.根据权利要求9所述的智能窗,所述智能窗还包括:
吸收层,位于所述第二导电层的表面处。
11.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述多个第一纳米结构和所述多个第二纳米结构由ITO、IZO、ZITO、GITO、In2O3、ZnO、GIZO、GZO、FTO和AZO之中的至少一种材料形成。
12.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述第一导电层的平均厚度在5nm至100nm的范围内。
13.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述第二导电层的平均厚度在50nm至10μm的范围内。
14.根据权利要求1所述的智能窗,所述智能窗还包括:
第一电极层,位于所述第一基体层与所述第一导电层之间。
15.根据权利要求14所述的智能窗,其中,
所述第一电极层的厚度在1nm至1μm的范围内。
16.根据权利要求1所述的智能窗,所述智能窗还包括:
第二电极层,位于所述第二基体层与所述第二导电层之间。
17.根据权利要求16所述的智能窗,其中,
所述第二电极层的厚度在1nm至1μm的范围内。
18.根据权利要求1所述的智能窗,其中,
所述第一基体层和所述第二基体层由聚合物或玻璃形成。
19.根据权利要求18所述的智能窗,其中,
所述聚合物包括从包括聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚萘二甲酸乙二醇酯的组中选择的至少一种。
20.一种智能窗,所述智能窗包括:
第一基体基底,在所述第一基体基底上具有第一纳米结构;
第二基体基底,在所述第二基体基底上具有第二纳米结构;以及
电解质层,位于所述第一基体基底与所述第二基体基底之间,并且包括颗粒,所述颗粒响应于施加到所述第一纳米结构和所述第二纳米结构中的至少一个的电压而沉淀到所述第一纳米结构或所述第二纳米结构上,
其中,所述第一纳米结构和所述第二纳米结构具有不同的长度,使得沉淀到所述第一纳米结构上的颗粒形成光发射表面,以及使得沉淀到所述第二纳米结构上的颗粒形成光吸收表面。
21.根据权利要求20所述的智能窗,其中,所述第一纳米结构和所述第二纳米结构是导电的,所述智能窗还包括用于改变施加到所述第一纳米结构和所述第二纳米结构的电压的开关***。
22.根据权利要求20所述的智能窗,其中,当未向所述第一纳米结构和所述第二纳米结构施加电压时,所述颗粒分散在所述电解质层中,使得所述智能窗处于透明模式。
23.根据权利要求20所述的智能窗,其中,所述第一基体基底和所述第二基体基底包括可弯曲的聚合物,所述第一纳米结构和所述第二纳米结构是具有间隙的不规则形状层的一部分。
24.根据权利要求20所述的智能窗,其中,所述第一纳米结构是不规则形状层的一部分,所述不规则形状层包括彼此叠置、相互连接且交叉的部分。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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