CN107526220A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示装置及其制造方法。一种显示装置包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；第一基板与第二基板之间的液晶层；第一基板上的第一像素电极；第一像素电极上的第一绝缘层；以及第二像素电极，其在第一绝缘层上，并且在与其中设置第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
示例性实施方式涉及显示装置以及制造显示装置的方法，更具体地，涉及超高分辨率显示装置以及制造超高分辨率显示装置的方法。
背景技术
显示装置基于其发光方案被分类为液晶显示(“LCD”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置、等离子体显示面板(“PDP”)装置、电泳显示(“EPD”)装置等。
在各种各样类型的显示装置中，LCD装置通常包括两个基板以及插置在所述两个基板之间的液晶层，所述两个基板包括分别形成在其上的像素电极和公共电极。在向像素电极和公共电极施加电压时，液晶层的液晶分子被重新排列，从而被透射的光的量可以被控制。
近来，对具有大尺寸和高分辨率的显示装置的需求正在增长。尤其，对具有约2000像素每英寸(ppi)或更高的超高分辨率(超过约300ppi或更高的高分辨率)的显示装置的需求正在增长。
随着显示装置的分辨率增大，单元像素电极的尺寸以及单元像素电极之间的距离应该减小。然而，由于将像素电极图案化的曝光的分辨率极限，像素电极可以不彼此间隔开成小于预定距离，因此在实现超高分辨率显示装置方面存在困难。
将理解，此技术背景部分旨在为理解技术提供有用的背景，并且如在此公开那样，技术背景部分可以包括不属于本文公开的主题的相应有效提交日之前被相关领域的技术人员所知晓或理解的内容的想法、构思或认识。
发明内容
示例性实施方式针对显示装置和制造该显示装置的方法，该显示装置包括以小于或等于曝光的分辨率极限的距离彼此间隔开的像素电极。
根据一示例性实施方式，一种显示装置包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间的液晶层；在第一基板上的第一像素电极；在第一像素电极上的第一绝缘层；以及第二像素电极，其在第一绝缘层上，并且在与其中设置第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。
第一像素电极和第二像素电极可以具有基本上相同的形状。
显示装置还可以包括在第一方向上延伸的栅线以及在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线。在第一方向上，第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以小于数据线的宽度。
第一像素电极的至少一部分和第二像素电极的至少一部分可以重叠数据线。
第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。
显示装置还可以包括在第一基板上的公共电极，公共电极与第一像素电极和第二像素电极绝缘。
显示装置还可以包括在第二基板上的公共电极。
显示装置还可以包括：在第二像素电极上的第二绝缘层；以及在第二绝缘层上的第三像素电极，第三像素电极设置在与其中设置第一像素电极和第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。
显示装置还可以包括沿着栅线延伸的第一黑矩阵。
显示装置还可以包括沿着数据线延伸的第二黑矩阵。
第二黑矩阵可以具有比数据线的宽度更小的宽度。
根据一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在第一基板上形成膜结构，膜结构包括多个薄膜晶体管；在膜结构中限定第一接触孔，第一接触孔暴露薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分；形成通过第一接触孔连接到第一薄膜晶体管的第一像素电极；在其上形成第一像素电极的第一基板上涂覆第一绝缘层；在膜结构和第一绝缘层中限定第二接触孔，第二接触孔暴露薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；以及形成通过第二接触孔连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极。第一像素电极形成在与其中形成第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。
根据一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在第一基板上形成膜结构，膜结构包括多个薄膜晶体管；在膜结构上形成第一像素电极；在其上形成第一像素电极的第一基板上涂覆第一绝缘层；在膜结构和第一绝缘层中限定第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔穿过第一像素电极并且暴露薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分，第二接触孔暴露薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；形成通过第一接触孔将第一薄膜晶体管和第一像素电极连接的桥电极；以及形成通过第二接触孔连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极。第一像素电极形成在与其中形成第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。
桥电极的形成以及第二像素电极的形成基本上被同时执行。
根据一示例性实施方式，一种显示装置包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间的液晶层；以及在第一基板上的第一像素电极和第二像素电极。第一像素电极包括与形成第二像素电极的材料不同的材料。
第一像素电极和第二像素电极可以设置在基本上相同的层上。
第一像素电极可以具有与第二像素电极的蚀刻率不同的蚀刻率。
第一像素电极可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)组成的组中选择的至少一种。
显示装置还可以包括：在第一方向上延伸的栅线以及在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线。在第一方向上，第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以小于数据线的宽度。
第一像素电极的至少一部分和第二像素电极的至少一部分可以重叠数据线。
第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。
根据一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在第一基板上形成膜结构，膜结构包括多个薄膜晶体管；在膜结构上涂覆第一像素电极形成材料；使用第一掩模来图案化第一像素电极形成材料以形成第一像素电极；在其上形成第一像素电极的第一基板上涂覆第二像素电极形成材料；以及使用第二掩模来图案化第二像素电极形成材料以形成第二像素电极。第一像素电极形成材料包括与形成第二像素电极形成材料的材料不同的材料。
第一像素电极和第二像素电极可以形成在基本上相同的层上。
第一像素电极形成材料可以具有与第二像素电极形成材料的蚀刻率不同的蚀刻率。
第一像素电极可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)组成的组中选择的至少一种。
第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。
前述内容仅是说明性的，并且不旨在以任何方式进行限制。除了上述的说明性的方面、实施方式和特征之外，通过参照附图和以下详细描述，进一步的方面、实施方式和特征将变得明显。
附图说明
由以下结合附图的详细描述，本公开的以上和另外的特征及方面将被更清楚地理解，附图中：
图1是示出显示装置的一示例性实施方式的示意俯视图；
图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图；
图3和4是示出显示装置的替代示例性实施方式的剖视图；
图5、6A、6B、6C、6D、6E和6F是示出制造显示装置的方法的一示例性实施方式的视图；
图7A、7B、7C、7D和7E是示出制造显示装置的方法的一替代示例性实施方式的视图；
图8是示出显示装置的另一替代示例性实施方式的示意俯视图；
图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图；以及
图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G和10H是示出制造显示装置的方法的另一替代示例性实施方式的视图。
具体实施方式
由以下参照附图详细描述的示例性实施方式，本发明构思的特征以及用于实现它们的方法将变得清楚。然而，本发明构思可以以许多不同的形式被具体化，并且不应被解释为限于在此陈述的示例性实施方式。更确切地说，这些示例性实施方式被提供，使得本公开将彻底且完整，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明构思的范围。本发明构思仅由权利要求的范围限定。因此，为了防止发明构思被模糊地说明，在示例性实施方式中不详细描述众所周知的组成元件、操作和技术。整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
在图中，为了对多个层和区域的描述的清楚和容易，所述多个层和区域的厚度以放大的方式被示出。当一层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，它可以直接在所述另一层、区域或板上，或者居间的层、区域或板可以存在于其间。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，居间的层、区域或板可以不存在于其间。此外，当一层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下面”时，它可以直接在所述另一层、区域或板下面，或者居间的层、区域或板可以存在于其间。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下面”时，居间的层、区域或板可以不存在于其间。
为了描述的容易，空间关系术语“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”、“上部”等可以在此被使用以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，除了图中所描绘的取向之外，空间关系术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同的取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，放置为“在”另一装置“下面”或“之下”的装置可以被放置“在”另一装置“之上”。因此，说明性术语“在……下面”可以包括下部位置和上部位置两者。装置还可以取向在另外的方向上，因此空间关系术语可以根据取向被不同地解释。
在整个说明书中，当一元件被称为被“连接”到另一元件时，该元件被“直接连接”到所述另一元件，或者被“电连接”到所述另一元件同时一个或更多个居间元件插置于其间。还将理解，当在本说明书中被使用时，术语“包含”和/或“包括”指出所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个另外的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此用来描述各种各样的元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件区分开。因此，以下讨论的“第一元件”可以被称为“第二元件”或“第三元件”，且“第二元件”和“第三元件”能被同样地称呼而不背离这里的教导。
考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关的误差(即测量***的限制)，当在此使用时，“大约”或“大概”包括所陈述的值，并且意味着在特定值的如本领域普通技术人员确定的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％或5％之内。
除非另外规定，在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本申请所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，诸如通用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与在相关技术的背景下的它们的含义相一致的含义，且将不在理想化或过度形式化的意义上被解释，除非在本说明书中被清楚地限定。
与描述不相关的一些部分可以不被提供以具体地描述实施方式，并且在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
图1是示出显示装置的一示例性实施方式的示意俯视图，图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。为了说明的容易，图1示出沿第一方向D1布置成行的三个像素PXn、PXn+1和PXn+2。
参照图1和2，显示装置的一示例性实施方式包括多个像素PXn、PXn+1和PXn+2。显示装置的一示例性实施方式包括显示基板100、对立基板200以及显示基板100与对立基板200之间的液晶层300。
此外，显示装置的一示例性实施方式还可以包括朝显示基板100提供光的背光单元(未示出)。然而，实施方式的范围不限于液晶显示(LCD)装置，例如，一示例性实施方式可以被应用于有机发光二极管(OLED)显示装置。
显示基板100可以包括第一基板110、栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2、栅绝缘层120、半导体层SMn、SMn+1和SMn+2、数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2、绝缘夹层130、钝化层140、第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2、第一薄膜晶体管(TFT)Tn、第二薄膜晶体管(TFT)Tn+1和第三薄膜晶体管(TFT)Tn+2等等。栅线路GEn、GEn+1和GEn+2有时被分别称为栅电极GEn、GEn+1和GEn+2。数据线路SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2有时被分别称为源电极SEn、SEn+1和SEn+2与漏电极DEn、DEn+1和DEn+2。
第一薄膜晶体管(TFT)Tn可以包括第一栅电极GEn、第一半导体层SMn、第一源电极SEn和第一漏电极DEn。第二TFT Tn+1可以包括第二栅电极GEn+1、第二半导体层SMn+1、第二源电极SEn+1和第二漏电极DEn+1。第三TFT Tn+2可以包括第三栅电极GEn+2、第三半导体层SMn+2、第三源电极SEn+2和第三漏电极DEn+2。
第一基板110可以是具有光透射特性和柔性的例如塑料基板的绝缘基板。然而，示例性实施方式不限于此，第一基板110可以包括诸如玻璃基板的硬基板。
栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2设置在第一基板110上。
栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2包括在第一方向D1上延伸的栅线GLn以及从栅线GLn分叉的第一栅电极GEn、第二栅电极GEn+1和第三栅电极GEn+2。
栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、钼(Mo)或其合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)和/或类似物，或者可以由铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、钼(Mo)或其合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)和/或类似物形成。
此外，栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性质的两个或更多个导电层(未示出)。例如，多层结构的一导电层可以包括具有低电阻率以减少信号延迟或电压降的例如铝(Al)基金属、银(Ag)基金属和铜(Cu)基金属的金属，或由所述金属形成；多层结构的另一导电层可以包括被发现赋予与铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的优秀接触性能的材料，例如钼基金属、铬、钛和钽。
多层结构的示例可以包括铬下层和铝上层、铝下层和钼上层、钛下层和铜上层。然而，示例性实施方式不限于此，栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2可以包括各种各样的金属和导体。栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
栅绝缘层120设置在其上设置栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2的第一基板110上。栅绝缘层120可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或类似物。此外，栅绝缘层120还可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物或锆氧化物。
半导体层SMn、SMn+1和SMn+2设置在栅绝缘层120上。半导体层SMn、SMn+1和SMn+2可以包括非晶硅或氧化物半导体或者由非晶硅或氧化物半导体形成，所述氧化物半导体包括从由镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)构成的组中选出的至少一种(或任意组合)。虽然未示出，但欧姆接触层可以设置在半导体层SMn、SMn+1和SMn+2上。
在图2中，半导体层SMn、SMn+1和SMn+2中的每个被描绘为基本上重叠第一栅电极GEn、第二栅电极GEn+1和第三栅电极GEn+2。然而，示例性实施方式不限于此，半导体层SMn、SMn+1和SMn+2可以基本上重叠将在下文描述的数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2。
数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2设置在其上设置半导体层SMn、SMn+1和SMn+2的第一基板110上。
数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2包括：在交叉第一方向D1的第二方向D2上延伸的数据线DLn、DLn+1、DLn+2和DLn+3；从数据线DLn、DLn+1和DLn+2分叉出以重叠半导体层SMn、SMn+1和SMn+2的第一源电极SEn、第二源电极SEn+1和第三源电极SEn+2；以及与第一源电极SEn、第二源电极SEn+1和第三源电极SEn+2间隔开以重叠半导体层SMn、SMn+1和SMn+2的第一漏电极DEn、第二漏电极DEn+1和第三漏电极DEn+2。数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2可以包括与栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2中包括的材料基本上相同的材料。数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
绝缘夹层130设置在其上设置数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2的第一基板110上。绝缘夹层130可以具有包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料或诸如a-Si:C:O或a-Si:O:F的低介电常数绝缘材料的单层结构或多层结构。
钝化层140设置在绝缘夹层130上。钝化层140可以具有包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料或硅基低介电常数绝缘材料的单层结构或多层结构。
然而，示例性实施方式不限于此，在滤色器设置在第一基板110上的阵列上滤色器(COA)结构的情况下，代替钝化层140，滤色器可以被提供，或者滤色器可以被设置在绝缘夹层130与钝化层140之间。
第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2分别设置在钝化层140上不同的像素区域中。第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2关于数据线DLn、DLn+1和DLn+2中的相应数据线彼此相邻设置。在一示例性实施方式中，第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以基本上具有相同的形状，但示例性实施方式不限于此。在一替代示例性实施方式中，第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以具有彼此不同的形状。
第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2中的每个可以具有在约3.0μm到约5.0μm的范围内的第一方向D1上的长度，并且可以具有在约10.0μm到约12.0μm的范围内的第二方向D2上的长度。
例如，第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2可以设置在奇数列中，第二像素电极PEn+1可以设置在偶数列中；然而，示例性实施方式不限于此。
第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2中的每个可以穿过绝缘夹层130和钝化层140以连接到第一漏电极DEn和第三漏电极DEn+2。
第一绝缘层150可以设置在其上形成第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2的第一基板110的整个表面之上。第一绝缘层150可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
第二像素电极PEn+1设置在第一绝缘层150上。第二像素电极PEn+1穿过绝缘夹层130、钝化层140和第一绝缘层150以连接到第二漏电极DEn+1。
关于数据线DLn+1相邻设置的第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1由于第一绝缘层150而被分别设置在不同的层中，使得第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1可以具有彼此间极小的距离而与曝光的分辨率极限无关。
例如，俯视图中第一像素电极PEn与第二像素电极PEn+1之间的距离WPE可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。
通常，数据线DLn、DLn+1、DLn+2和DLn+3具有在约0.8μm到约1.2μm的范围内的宽度WDL，因此第一像素电极PEn与第二像素电极PEn+1之间的距离WPE小于数据线DLn、DLn+1、DLn+2和DLn+3的宽度WDL。
因此，第一像素电极PEn的至少一部分和第二像素电极PEn+1的至少一部分重叠数据线DLn+1，第二像素电极PEn+1的至少一部分和第三像素电极PEn+2的至少一部分可以重叠数据线DLn+2。
第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以包括透明导电材料或者由透明导电材料形成。例如，第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)构成的组中选出的至少一种(或任意组合)。
下配向层(未示出)可以设置在第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2上。下配向层可以是垂直配向层或包括可光聚合的材料的光配向层。
对立基板200可以包括第二基板210、黑矩阵220a和220b、滤色器230R、230G和230B、公共电极CE等。
第二基板210可以是具有光透射特性和柔性的例如塑料基板的绝缘基板。然而，示例性实施方式不限于此，第二基板210可以包括诸如玻璃基板的硬基板。
黑矩阵220a和220b可以设置在第二基板210上。
黑矩阵220a和220b可以包括沿着栅线GLn在第一方向D1上延伸的第一黑矩阵220a以及沿着数据线DLn、DLn+1、DLn+2和DLn+3在第二方向D2上延伸的第二黑矩阵220b。第二黑矩阵220b可以具有比数据线DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3的宽度更小的宽度，并且可以被省略。
此外，在其中光阻挡构件被设置在第一基板110上的阵列上黑矩阵(BOA)结构的情况下，黑矩阵220a和220b可以设置在第一基板110上。
黑矩阵220a和220b可以包括光敏组合物或由光敏组合物形成。光敏组合物的示例可以包括：粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂和光引发剂。颜料可以使用黑色颜料、黑色树脂或类似物。
滤色器230R、230G和230B设置在黑矩阵220a和220b上。
滤色器230R、230G和230B可以是从红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器、青色滤色器、品红色滤色器、黄色滤色器和白色滤色器中选出的一种。三原色红色、绿色和蓝色或者青色、品红色和黄色可以定义用于形成颜色的基本的像素组。
公共电极CE设置在其上设置滤色器230R、230G和230B的第二基板210上。然而，示例性实施方式不限于此，公共电极CE可以设置在第一基板110上(参照图3)。
公共电极CE可以是包括诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导体的整个平面电极。在一替代示例性实施方式中，公共电极CE可以具有非平坦部分或至少一个狭缝以限定多个畴。
上配向层(未示出)可以设置在公共电极CE上。上配向层(未示出)可以是垂直配向层或包括可光聚合的材料的光配向层。
图3是示出显示装置的一替代示例性实施方式的剖视图。对于显示装置的一示例性实施方式的构造的描述将不被重复，从而在对于显示装置的一替代示例性实施方式的构造的描述中被省略。
参照图1和3，栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2、栅绝缘层120、半导体层SMn、SMn+1和SMn+2、数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2、以及绝缘夹层130被顺序地设置在第一基板110上。第一钝化层140a、公共电极CE和第二钝化层140b被顺序地设置在绝缘夹层130上。
第一钝化层140a和第二钝化层140b可以具有包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料、硅基低介电常数绝缘材料或类似物的单层结构或多层结构。
公共电极CE与第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2在其间具有第二钝化层140b的情况下形成边缘场，从而调节液晶层300的排列方向。公共电极CE可以设置在除其中形成TFT Tn、Tn+1和Tn+2的区域外的第一基板110的整个表面之上。
第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2、第一绝缘层150和第二像素电极PEn+1被顺序地设置在第二钝化层140b上。下配向层(未示出)可以设置在第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2上。下配向层可以是垂直配向层。
例如，对立基板200可以包括第二基板210、黑矩阵220a和220b、以及滤色器230R、230G和230B。黑矩阵220a和220b以及滤色器230R、230G和230B被顺序地设置在第二基板210上，上配向层(未示出)可以设置在滤色器230R、230G和230B上。上配向层可以是垂直配向层。
图4是示出显示装置的另一替代示例性实施方式的剖视图。对于显示装置的一示例性实施方式的构造的描述将不被重复，从而在对于显示装置的另一替代示例性实施方式的构造的描述中被省略。
参照图1和4，栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2、栅绝缘层120、半导体层SMn、SMn+1和SMn+2、数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2、绝缘夹层130和钝化层140被顺序地设置在第一基板110上。
第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2分别设置在钝化层140上不同的像素区域中。第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以关于数据线DLn+1和DLn+2中的相应数据线彼此相邻设置。
例如，第一像素电极PEn可以设置在第一列中，第二像素电极PEn+1可以设置在第二列中，第三像素电极PEn+2可以设置在第三列中；然而，示例性实施方式不限于此。
第一像素电极PEn可以穿过绝缘夹层130和钝化层140以连接到第一漏电极DEn，第一绝缘层150可以设置在其上形成第一像素电极PEn的第一基板110的整个表面上。
此外，第二像素电极PEn+1可以穿过绝缘夹层130、钝化层140和第一绝缘层150以连接到第二漏电极DEn+1，第二绝缘层160可以设置在其上形成第二像素电极PEn+1的第一基板110的整个表面上。
此外，第三像素电极PEn+2可以穿过绝缘夹层130、钝化层140、第一绝缘层150和第二绝缘层160以连接到第三漏电极DEn+2。
第一绝缘层150和第二绝缘层160可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
例如，对立基板200可以包括第二基板210、黑矩阵220a和220b、滤色器230R、230G和230B、以及公共电极CE。
图5、6A、6B、6C、6D、6E和6F是示出制造显示装置的方法的一示例性实施方式的视图。图6A、6B、6C、6D、6E和6F是沿图5的线II-II'截取的剖视图。
参照图5和6A，包括多个TFT Tn和Tn+1的膜结构FS被形成在包括透明玻璃或塑料的第一基板110上。
例如，包括第一栅电极GEn和第二栅电极GEn+1的栅线路被形成在第一基板110上。栅绝缘层120被设置在其上形成栅线路的第一基板110的整个表面之上。
重叠第一栅电极GEn和第二栅电极GEn+1的至少一部分的半导体层SMn和SMn+1形成在栅绝缘层120上。随后，包括数据线DLn+1、第一源电极SEn和第二源电极SEn+1、以及第一漏电极DEn和第二漏电极DEn+1的数据线路形成在其上形成半导体层SMn和SMn+1的第一基板110上。
绝缘夹层130形成在其上形成数据线路SEn、SEn+1、DEn和DEn+1的第一基板110的整个表面之上，随后，钝化层140形成在绝缘夹层130上。
参照图5和6B，穿过绝缘夹层130和钝化层140以延伸到并且暴露第一漏电极DEn的一部分的第一接触孔H1被限定。第一接触孔H1可以被限定在将形成有第一像素电极PEn的像素区域中，第一像素电极PEn将在下文描述。
参照5和6C，通过第一接触孔H1连接到第一漏电极DEn的第一像素电极PEn被形成。第一像素电极PEn的至少一部分可以形成为重叠数据线DLn+1。
参照图5和6D，第一绝缘层150形成在其上形成第一像素电极PEn的第一基板110的整个表面之上。
参照图5和6E，穿过绝缘夹层130、钝化层140和第一绝缘层150从而延伸到并暴露第二漏电极DEn+1的一部分的第二接触孔H2被限定。第二接触孔H2可以被限定在将形成有将在下文描述的第二像素电极PEn+1的像素区域中。
参照图5和6F，通过第二接触孔H2连接到第二漏电极DEn+1的第二像素电极PEn+1被形成。第二像素电极PEn+1的至少一部分可以形成为重叠数据线DLn+1。第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1可以分别形成在彼此相邻的不同像素区域中。
图7A、7B、7C、7D和7E是示出制造显示装置的方法的一替代示例性实施方式的视图。对于显示装置的一示例性实施方式的构造的描述将不被重复，从而在对于显示装置的一替代示例性实施方式的构造的描述中被省略。
参照图7A，包括多个TFT Tn和Tn+1的膜结构FS形成在第一基板110上。
参照图7B，第一像素电极PEn形成在钝化层140上。第一像素电极PEn的至少一部分可以形成为重叠数据线DLn+1。
参见图7C，第一绝缘层150形成在其上形成第一像素电极PEn的第一基板110的整个表面之上。
参照图7D，穿过绝缘夹层130、钝化层140、第一像素电极PEn和第一绝缘层150从而延伸到并暴露第一漏电极DEn的一部分的第一接触孔H1以及穿过绝缘夹层130、钝化层140和第一绝缘层150从而延伸到并暴露第二漏电极DEn+1的一部分的第二接触孔H2被限定。
第一接触孔H1可以被限定在将形成有第一像素电极PEn的像素区域中，第二接触孔H2可以被限定在将形成有第二像素电极PEn+1的像素区域中。
参照图7E，通过第一接触孔H1将第一漏电极DEn和第一像素电极PEn连接的桥电极BE被形成。通过第二接触孔H2连接到第二漏电极DEn+1的第二像素电极PEn+1被形成。第二像素电极PEn+1的至少一部分可以形成为重叠数据线DLn+1。第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1可以分别形成在彼此相邻的不同像素区域中。
桥电极BE和第二像素电极PEn+1可以基本上包括相同的材料并且可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
图8是示出显示装置的另一替代示例性实施方式的示意俯视图，图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图。对于显示装置的一示例性实施方式的构造的描述将不被重复，从而在对于显示装置的另一替代示例性实施方式的构造的描述中被省略。为了描述的容易，图8示出沿第一方向D1排列成行的三个像素PXn、PXn+1和PXn+2。
参照图8和9，显示装置的另一替代示例性实施方式包括多个像素PXn、PXn+1和PXn+2。显示装置的另一替代示例性实施方式包括显示基板100、对立基板200以及显示基板100与对立基板200之间的液晶层300。
显示基板100可以包括第一基板110、栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2、栅绝缘层120、半导体层SMn、SMn+1和SMn+2、数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2、绝缘夹层130、钝化层140、第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2等。
第一TFT Tn可以包括第一栅电极GEn、第一半导体层SMn、第一源电极SEn和第一漏电极DEn。第二TFT Tn+1可以包括第二栅电极GEn+1、第二半导体层SMn+1、第二源电极SEn+1和第二漏电极DEn+1。第三TFT Tn+2可以包括第三栅电极GEn+2、第三半导体层SMn+2、第三源电极SEn+2和第三漏电极DEn+2。
栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2、栅绝缘层120、半导体层SMn、SMn+1和SMn+2、数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2、绝缘夹层130和钝化层140被顺序地设置在第一基板110上。
第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2分别设置在钝化层140上不同的像素区域中。第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2设置在基本相同的层上。第一像素电极PEn、第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以关于数据线DLn+1和DLn+2中的相应数据线彼此相邻设置。
例如，第一像素电极PEn可以设置在第一列中，第二像素电极PEn+1可以设置在第二列中，第三像素电极PEn+2可以设置在第三列中；然而，示例性实施方式不限于此。
彼此相邻的第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1中的每个可以分别包括不同的材料。例如，第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1可以分别包括每个具有不同的蚀刻率的材料。
类似地，彼此相邻的第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以包括不同的材料。例如，第二像素电极PEn+1和第三像素电极PEn+2可以分别包括每个具有不同的蚀刻率的材料。
假设在显示装置的一示例性实施方式中，第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2包括基本上相同的材料，第二像素电极PEn+1包括与第一像素电极PEn或第三像素电极PEn+2中包括的材料不同的材料；然而，示例性实施方式不限于此。
第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1中的每个可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)构成的组中选出的至少一种(或任意组合)。例如，在第一像素电极PEn是晶态铟锡氧化物(ITO)的情况下，第二像素电极PEn+1可以是非晶铟锡氧化物(a-ITO)。
关于数据线DLn+1彼此相邻的第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1可以分别包括每个具有不同的蚀刻率的材料，从而可以具有彼此间极小的距离而与曝光的分辨率极限无关。
例如，在俯视图中第一像素电极PEn与第二像素电极PEn+1之间的距离WPE可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。
通常，数据线DLn+1具有在约0.8μm到约1.2μm的范围内的宽度WDL，从而第一像素电极PEn与第二像素电极PEn+1之间的距离WPE小于数据线DLn+1的宽度WDL。因此，第一像素电极PEn的至少一部分和第二像素电极PEn+1的至少一部分可以重叠数据线DLn+1。
图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G和10H是示出制造显示装置的方法的另一替代示例性实施方式的视图。对于制造显示装置的方法的一示例性实施方式的配置的描述将不被重复，从而在对于制造显示装置的方法的另一替代示例性实施方式的配置的描述中被省略。
参照图8和10A，包括多个TFT Tn、Tn+1和Tn+2的膜结构FS形成在第一基板110上。
例如，栅线路GLn、GEn、GEn+1和GEn+2、栅绝缘层120、半导体层SMn、SMn+1和SMn+2、数据线路DLn、DLn+1、DLn+2、DLn+3、SEn、SEn+1、SEn+2、DEn、DEn+1和DEn+2、绝缘夹层130和钝化层140可以被顺序地形成在第一基板110上。
随后，穿过绝缘夹层130和钝化层140从而延伸到并暴露第一漏电极DEn的一部分的第一接触孔H1被限定。第一接触孔H1可以被限定在将形成有第一像素电极PEn的像素区域中。
随后，第一像素电极形成材料PE1形成在钝化层140上。第一像素电极形成材料PE1穿过第一接触孔H1从而被连接到第一漏电极DEn。第一像素电极形成材料PE1可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)构成的组中选出的至少一种(或任意组合)。
参照图8和10B，第一光敏组合物PR1被涂覆在第一像素电极形成材料PE1之上。第一光敏组合物PR1可以是正型或负型的光敏树脂组合物。在下文中，假设第一光敏组合物PR1是正型光敏组合物，其中被曝光的部分被显影并且未曝光的部分剩下。
例如，第一光敏组合物PR1可以包括粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂和光引发剂。颜料可以使用黑色颜料或黑色树脂。
第一曝光掩模501被设置在第一光敏组合物PR1上方以与第一光敏组合物PR1间隔开，光L通过第一曝光掩模501被照射到第一光敏组合物PR1以执行曝光。
第一曝光掩模501包括透射部分510和光阻挡部分520。透射部分510设置在除了将形成有第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2的区域之外的区域上方，光阻挡部分520设置在将形成有第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2的区域上方。
参照图8和10C，第一光敏组合物PR1的未曝光的部分在使用显影溶液显影被曝光的部分之后被剩下，并被固化，使得第一蚀刻防止层PR1'被形成。就是说，第一光敏组合物PR1的在第一曝光掩模501的透射部分510之下的部分被去除。
参照图8和10D，第一像素电极形成材料PE1利用第一蚀刻剂被图案化。第一像素电极形成材料PE1的在没有第一蚀刻防止层PR1'的区域上的部分被去除，使得第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2被形成。
参照图8和10E，第二像素电极形成材料PE2形成在其上形成第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2的钝化层140上。
第二像素电极形成材料PE2包括与第一像素电极形成材料PE1中包括的材料不同的材料。例如，第二像素电极形成材料PE2可以包括具有与第一像素电极形成材料PE1中包括的材料的蚀刻率不同的蚀刻率的材料。
参照图8和10F，第二光敏组合物PR2被涂覆在第二像素电极形成材料PE2上。第二光敏组合物PR2可以是正型或负型的光敏树脂组合物。在下文中，假设第二光敏组合物PR2是正型光敏组合物，其中被曝光的部分被显影并且未曝光的部分剩下。
第二曝光掩模502设置在第二光敏组合物PR2上方以与第二光敏组合物PR2间隔开，光L通过第二曝光掩模502照射到第二光敏组合物PR2以执行曝光。
第二曝光掩模502包括透射部分510和光阻挡部分520。透射部分510被设置在除了将形成有第二像素电极PEn+1的区域之外的区域上方，光阻挡部分520设置在将形成有第二像素电极PEn+1的区域上方。
参照图8和10G，第二光敏组合物PR2的未曝光的部分在使用显影溶液显影被曝光的部分之后被剩下，并被固化，使得第二蚀刻防止层PR2'被形成。就是说，第二光敏组合物PR2的在第二曝光掩模502的透射部分510之下的部分被去除。
在这样的示例性实施方式中，第二蚀刻防止层PR2'被形成为以俯视图中在约0.3μm到约1.0μm的范围内的距离与第一像素电极PEn和第三像素电极PEn+2间隔开。
参照图8和10H，第二像素电极形成材料PE2利用第二蚀刻剂被图案化。第二像素电极形成材料PE2的在没有第二蚀刻防止层PR2'的区域上的部分被去除，使得第二像素电极PEn+1被形成。第二蚀刻剂可以具有与第一蚀刻剂的蚀刻率不同的蚀刻率。第一蚀刻剂和第二蚀刻剂可以是盐酸、乙酸、去离子水和表面活性剂的组合材料。
照此，在显示装置的另一替代示例性实施方式中，彼此相邻的第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1分别包括每个具有不同蚀刻率的材料，使得第一像素电极PEn和第二像素电极PEn+1可以具有彼此间极小的距离而与曝光的分辨率极限无关。
如以上所述，在显示装置的一种或更多种示例性实施方式中，像素电极之间的距离可以小于或等于曝光的分辨率极限，从而可以实现具有约2000像素每英寸(ppi)或更高的超高分辨率的显示装置。
由前述内容，将理解，为了说明的目的，已经在此描述了根据本公开的各种各样的实施方式，并且可以进行各种各样的修改而不背离本教导的范围和精神。因此，在此公开的各种各样的实施方式不旨在限制本教导的真实范围和精神。上述以及另外的实施方式的各种各样的特征能以任何方式被混合和匹配，以产生与本发明构思相符的进一步的实施方式。
本申请要求2016年6月16日提交的韩国专利申请第10-2016-0075023号的优先权以及由其产生的所有权益，通过引用其内容全文合并于此。

Claims (26)

1.一种显示装置，包括：
包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；
在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；
在所述第一基板上的第一像素电极；
在所述第一像素电极上的第一绝缘层；以及
第二像素电极，其在所述第一绝缘层上，并且在与其中设置所述第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极具有相同的形状。
3.如权利要求1所述的显示装置，还包括在第一方向上延伸的栅线以及在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，其中在所述第一方向上，所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的距离小于所述数据线的宽度。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中所述第一像素电极的至少一部分和所述第二像素电极的至少一部分重叠所述数据线。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的所述距离在0.3μm到1.0μm的范围内。
6.如权利要求1所述的显示装置，还包括在所述第一基板上的公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极和所述第二像素电极绝缘。
7.如权利要求1所述的显示装置，还包括在所述第二基板上的公共电极。
8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
在所述第二像素电极上的第二绝缘层；以及
在所述第二绝缘层上的第三像素电极，所述第三像素电极设置在与其中设置所述第一像素电极和所述第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。
9.如权利要求3所述的显示装置，还包括沿着所述栅线延伸的第一黑矩阵。
10.如权利要求9所述的显示装置，还包括沿着所述数据线延伸的第二黑矩阵。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中所述第二黑矩阵具有比所述数据线的所述宽度更小的宽度。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备包括多个像素区域的第一基板；
在所述第一基板上形成膜结构，所述膜结构包括多个薄膜晶体管；
在所述膜结构中限定第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述多个薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分；
形成通过所述第一接触孔连接到所述第一薄膜晶体管的第一像素电极；
在其上形成所述第一像素电极的所述第一基板上涂覆第一绝缘层；
在所述膜结构和所述第一绝缘层中限定第二接触孔，所述第二接触孔暴露所述多个薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；以及
形成通过所述第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管的第二像素电极，
其中所述第一像素电极形成在与其中形成所述第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。
13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备包括多个像素区域的第一基板；
在所述第一基板上形成膜结构，所述膜结构包括多个薄膜晶体管；
在所述膜结构上形成第一像素电极；
在其上形成所述第一像素电极的所述第一基板上涂覆第一绝缘层；
在所述膜结构和所述第一绝缘层中限定第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔穿过所述第一像素电极并且暴露所述多个薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分，所述第二接触孔暴露所述多个薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；
形成通过所述第一接触孔将所述第一薄膜晶体管和所述第一像素电极连接的桥电极；以及
形成通过所述第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管的第二像素电极，
其中所述第一像素电极形成在与其中形成所述第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。
14.如权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中所述桥电极的所述形成以及所述第二像素电极的所述形成被同时执行。
15.一种显示装置，包括：
包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；
在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；以及
在所述第一基板上的第一像素电极和第二像素电极，
其中所述第一像素电极包括与形成所述第二像素电极的材料不同的材料。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极设置在相同的层上。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中所述第一像素电极具有与所述第二像素电极的蚀刻率不同的蚀刻率。
18.如权利要求15所述的显示装置，其中所述第一像素电极包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)构成的组中选出的至少一种。
19.如权利要求15所述的显示装置，还包括在第一方向上延伸的栅线以及在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，其中在所述第一方向上，所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的距离小于所述数据线的宽度。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中所述第一像素电极的至少一部分和所述第二像素电极的至少一部分重叠所述数据线。
21.如权利要求19所述的显示装置，其中所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的所述距离在0.3μm到1.0μm的范围内。
22.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备包括多个像素区域的第一基板；
在所述第一基板上形成膜结构，所述膜结构包括多个薄膜晶体管；
在所述膜结构上涂覆第一像素电极形成材料；
使用第一掩模来图案化所述第一像素电极形成材料以形成第一像素电极；
在其上形成所述第一像素电极的所述第一基板上涂覆第二像素电极形成材料；以及
使用第二掩模来图案化所述第二像素电极形成材料以形成第二像素电极，
其中所述第一像素电极形成材料包括与形成所述第二像素电极形成材料的材料不同的材料。
23.如权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极形成在相同的层上。
24.如权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述第一像素电极形成材料具有与所述第二像素电极形成材料的蚀刻率不同的蚀刻率。
25.如权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述第一像素电极包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)构成的组中选出的至少一种。
26.如权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的距离在0.3μm到1.0μm的范围内。
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