CN107516698A - GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 - Google Patents
GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107516698A CN107516698A CN201710857620.0A CN201710857620A CN107516698A CN 107516698 A CN107516698 A CN 107516698A CN 201710857620 A CN201710857620 A CN 201710857620A CN 107516698 A CN107516698 A CN 107516698A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gaas
- layer
- layers
- led chips
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000009514 concussion Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 3
- OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M propyromazine bromide Chemical compound [Br-].C12=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1C(=O)C(C)[N+]1(C)CCCC1 OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 206010068150 Acoustic shock Diseases 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。包括:自下而上依次制备的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N‑GaAs层、量子阱层、P‑GaAs层和P‑GaP欧姆接触层;在P‑GaP欧姆接触层上制备金属接触层;在金属接触层上制备尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸的键合图形;根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N‑GaAs层上表面;在基板上依次制备键合层和反射层,将已经制备好反射层和键合层的基板与经上步处理的外延片键合,键合温度为300~400℃,键合时间为200~300ms;采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;将上步处理后的外延片置于丙酮溶液中,在30~60℃下超声震荡,超声波频率为30~60MHZ,震荡时间3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N‑GaAs层震荡掉;本发明可提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制备技术领域,特别涉及一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。
背景技术
GaAs基LED芯片既可作为发光器件,也可作为光电显示器件,并以其低能耗、高亮度的优势被广泛应用。在GaAs基LED芯片的制备工艺中,将整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒是不可或缺的一道工序。
目前,在对GaAs基倒装LED芯片进行切割时,是使用金刚刀实现,并对切割后的芯片进行清洗。
然而,由于GaAs材料比较脆,而且芯片正背面会蒸镀比较厚的金属材料,使得芯片本身的应力较大,再加上切割时金刚刀直接接触芯片,这就使得芯片加工时容易破碎,芯片周围边缘容易产生崩边、崩角、裂纹等,导致产品良率较低。
发明内容
为解决目前通过金刚刀对GaAs基倒装LED芯片进行切割时,导致产品良率比较低的技术问题,本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。
为了解决上述问题,本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其采用的技术方案如下:
S1、制备GaAs基倒装LED芯片的外延片;其中,外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
S2、在P-GaP欧姆接触层上表面制备金属接触层;
S3、在金属接触层上表面制备键合图形,其中,键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
S4、根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面;
S5、在基板上表面依次制备键合层和反射层,并将已经制备好反射层和键合层的基板与经步骤S4处理后的外延片进行键合,其中,键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms;
S6、采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
S7、将经步骤S6处理后的外延片置于丙酮溶液中,并在30~60℃的条件下进行超声震荡,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉。
可选的,所述步骤S4中湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液和步骤S6中化学腐蚀工艺采用的腐蚀液的成份均为H3PO4、H2O2和H2O的混合液;
其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。
可选的,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
可选的,所述金属接触层的厚度为所述反射层的厚度为
可选的,步骤S7中超声震荡的温度为45℃,超声波的频率为45MHZ,超声震荡的时间为5min。
本发明还提供了一种GaAs基倒装LED芯片,所述GaAs基倒装LED芯片包括:多个阵列结构和依次设置于多个阵列结构上的键合层、反射层、基板;其中:
初始结构包括外延片以及位于外延片上表面的金属接触层;
所述外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
切割道通过对所述初始结构依次进行湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后形成;
所述湿法刻蚀,用于根据预设在金属接触层上表面的键合图形,从金属接触层刻蚀至N-GaAs层上表面;所述键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
所述化学湿法腐蚀,用于去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
所述超声震荡,用于在丙酮溶液中进行超声震荡,以去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层;所述超声震荡时的温度条件为30~60℃,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min;
所述阵列结构为所述初始结构经过湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后的结构,其中,相邻阵列结构之间为切割道;
所述键合层、反射层和基板与多个阵列结构键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
可选的,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
可选的,所述金属接触层的厚度为所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
可选的,所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
本发明进一步提供了一种LED显示装置,所述LED显示装置包括如上所述的GaAs基倒装LED芯片。
本发明的有益效果是:
通过采用湿法刻蚀工艺制备切割道,并在后期与化学湿法腐蚀和超声震荡的方法相结合,有效减少因切割崩边、崩角、裂纹及未清洗干净的残渣造成LED芯片良率低的问题,因而提高了产品良率。另外,由于在键合之前已经形成切割道,所以键合时的气泡可以通过切割道排出,因而能够减少键合时的气泡,并形成有效化学键,使键合更加稳定。
附图说明
图1为本发明实施例1的流程图。
图2为外延片和金属接触层的示意图。
图3为制备得到的切割道的示意图。
图4为本发明实施例2的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
实施例1
如图1所示,本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片的制备方法,制备方法包括如下步骤S1至步骤S7:
S1、制备GaAs基倒装LED芯片的外延片;其中,外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层。
其中,N-GaAs层提供电子,量子阱层是发光层,P-GaAs层提供空穴层。
S2、在P-GaP欧姆接触层上表面制备金属接触层。
其中,金属接触层用于与P-GaP欧姆接触层。如图2所示,其为经过步骤S1和步骤S2制备得到的外延片和金属接触层的示意图。金属接触层为p电极层,在制备p电极时,通过对p电极层剥离即可得到。
可选地,金属接触层的材料为Au和/或AuBe。也就是说,P-GaP欧姆接触层的材料可以为Au,也可以为AuBe,还可以为Au和AuBe。其中,金属接触层的厚度为优选为其中,与“nm”之间的关系为
优选地,金属接触层的材料为Au/AuBe/Au。也就是说,在制备金属接触层时,先制备一层Au层,然后在Au层上制备一层AuBe层,最后再在AuBe层再制备一层Au层。在该种方式下,金属接触层的厚度优选为
S3、在金属接触层上表面制备键合图形,其中,键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸。
其中,切割道尺寸根据LED芯片的尺寸而定。LED芯片预设的切割道尺寸为预先根据LED芯片的尺寸设计的切割道的尺寸。
具体地,在金属接触层上表面制备键合图形时,键合图形的制作方法步骤包括涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶等工艺,具体可参见领域内的相关图形制备方法,本实施例对此不作详细阐述。
S4、根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面。
如图3所示,其为制备得到的切割道的示意图。通过该步骤即得到了切割道。
可选地,该步骤S4中湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液的成份为H3PO4、H2O2和H2O的混合液。其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。优选地,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶1∶20。
S5、在基板上表面依次制备键合层和反射层,并将已经制备好反射层和键合层的基板与经步骤S4处理后的外延片进行键合,其中,键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
其中,键合工艺在相应的键合设备中完成。
可选地,键合层的材料可以为Ti/Pt,即在制备键合层时,先制备一层Ti层,再制备一层Pt层。另外,当键合层的材料可以为Ti/Pt时,键合层的厚度可以为也就是说,键合层中Ti层的厚度为Pt层的厚度也为优选地,当键合层的材料为Ti/Pt时,键合层的厚度为
可选地,反射层的材料包括但不限于Au。反射层的厚度可以为优选为
S6、采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层。
其中,该步骤S6中化学湿法腐蚀工艺采用的腐蚀液的成份均为H3PO4、H2O2和H2O的混合液,其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。优选地,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶1∶20。
S7、将经步骤S6处理后的外延片置于丙酮溶液中,并在30~60℃的条件下进行超声震荡,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉。
可选地,步骤S7中超声震荡的温度为45℃,超声波的频率为45MHZ,超声震荡的时间为5min。试验表明,当满足这些超声条件时,不仅可以快速地去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层,而且去除地比较彻底。
完成该步骤后,通过领域中的相关划片、裂片等工艺即完成GaAs基倒装LED芯片的制备。
本发明实施例提供的制备方法,通过采用湿法刻蚀工艺制备切割道,并在后期与化学湿法腐蚀和超声震荡的方法相结合,有效减少因切割崩边、崩角、裂纹及未清洗干净的残渣造成LED芯片良率低的问题,因而提高了产品良率。另外,由于在键合之前已经形成切割道,所以键合时的气泡可以通过切割道排出,因而能够减少键合时的气泡,并形成有效化学键,使键合更加稳定。
实施例2
如图4所示,本实施例提供了一种GaAs基倒装LED芯片,该GaAs基倒装LED芯片采用实施例1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法制备得到,该GaAs基倒装LED芯片包括:
多个阵列结构和依次设置于多个阵列结构上的键合层、反射层、基板;其中:
初始结构包括外延片以及位于外延片上表面的金属接触层;
所述外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
切割道通过对所述初始结构依次进行湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后形成;
所述湿法刻蚀,用于根据预设在金属接触层上表面的键合图形,从金属接触层刻蚀至N-GaAs层上表面;所述键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
所述化学湿法腐蚀,用于去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
所述超声震荡,用于在丙酮溶液中进行超声震荡,以去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层;所述超声震荡时的温度条件为30~60℃,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min;
所述阵列结构为所述初始结构经过湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后的结构,其中,相邻阵列结构之间为切割道;
所述键合层、反射层和基板与多个阵列结构键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
可选的,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
可选的,所述金属接触层的厚度为所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
可选的,所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
关于GaAs基倒装LED芯片中各组成部分的材料、厚度及该GaAs基倒装LED芯片具体制备方法等内容,可以参见实施例1中的内容,此处不再赘述。
本实施例中的GaAs基倒装LED芯片,由于采用了实施例1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,因而可以提高产品良率。
实施例3
本实施例提供了一种LED显示装置,该LED显示装置包括实施例2所述的GaAs基倒装LED芯片。
本实施例中的LED显示装置,由于采用了实施例2所述的GaAs基倒装LED芯片,因而可以提高产品良率。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
S1、制备GaAs基倒装LED芯片的外延片;其中,外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
S2、在P-GaP欧姆接触层上表面制备金属接触层;
S3、在金属接触层上表面制备键合图形,其中,键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
S4、根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N-GaAs层上表面;
S5、在基板上表面依次制备键合层和反射层,并将已经制备好反射层和键合层的基板与经步骤S4处理后的外延片进行键合,其中,键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms;
S6、采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
S7、将经步骤S6处理后的外延片置于丙酮溶液中,并在30~60℃的条件下进行超声震荡,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min,以将GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层震荡掉。
2.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液和步骤S6中化学腐蚀工艺采用的腐蚀液的成份均为H3PO4、H2O2和H2O的混合液;
其中,H3PO4∶H2O2∶H2O的比例为2∶0.3~1.5∶10~20。
3.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,
所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
4.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,所述金属接触层的厚度为所述反射层的厚度为
5.根据权利要求1所述的GaAs基倒装LED芯片的制备方法,其特征在于,步骤S7中超声震荡的温度为45℃,超声波的频率为45MHZ,超声震荡的时间为5min。
6.一种GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述GaAs基倒装LED芯片包括:多个阵列结构和依次设置于多个阵列结构上的键合层、反射层、基板;其中:
初始结构包括外延片以及位于外延片上表面的金属接触层;
所述外延片自下而上依次包括GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N-GaAs层、量子阱层、P-GaAs层和P-GaP欧姆接触层;
切割道通过对所述初始结构依次进行湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后形成;
所述湿法刻蚀,用于根据预设在金属接触层上表面的键合图形,从金属接触层刻蚀至N-GaAs层上表面;所述键合图形的尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸;
所述化学湿法腐蚀,用于去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层;
所述超声震荡,用于在丙酮溶液中进行超声震荡,以去除GaInP腐蚀停止层和N-GaAs层;所述超声震荡时的温度条件为30~60℃,超声波的频率为30~60MHZ,超声震荡的时间为3~8min;
所述阵列结构为所述初始结构经过湿法刻蚀、化学湿法腐蚀以及超声震荡后的结构,其中,相邻阵列结构之间为切割道;
所述键合层、反射层和基板与多个阵列结构键合时的温度为300~400℃,键合时间为200~300ms。
7.如权利要求6所述的一种GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述金属接触层的材料为Au和/或AuBe,所述键合层的材料为Ti/Pt,所述反射层的材料为Au。
8.根据权利要求7所述的GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述金属接触层的厚度为所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为
9.根据权利要求8所述的GaAs基倒装LED芯片,其特征在于,所述键合层的厚度为所述反射层的厚度为。
10.一种LED显示装置,其特征在于,所述LED显示装置包括权利要求6-9任一项所述的GaAs基倒装LED芯片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710857620.0A CN107516698A (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710857620.0A CN107516698A (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107516698A true CN107516698A (zh) | 2017-12-26 |
Family
ID=60726218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710857620.0A Withdrawn CN107516698A (zh) | 2017-09-21 | 2017-09-21 | GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107516698A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108364950A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-03 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法 |
CN113921670A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-01-11 | 天津三安光电有限公司 | 发光元件及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176230A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10116809A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Tadahiro Omi | 洗浄方法及び洗浄システム |
CN101359707A (zh) * | 2008-09-11 | 2009-02-04 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
CN101409319A (zh) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | 陈祖辉 | 一种使用键合技术的发光二极管制造方法 |
CN103390688A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 华中科技大学 | 一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法 |
CN106711291A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led垂直芯片结构及其制作方法 |
-
2017
- 2017-09-21 CN CN201710857620.0A patent/CN107516698A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176230A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10116809A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Tadahiro Omi | 洗浄方法及び洗浄システム |
CN101409319A (zh) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | 陈祖辉 | 一种使用键合技术的发光二极管制造方法 |
CN101359707A (zh) * | 2008-09-11 | 2009-02-04 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
CN103390688A (zh) * | 2012-05-11 | 2013-11-13 | 华中科技大学 | 一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法 |
CN106711291A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led垂直芯片结构及其制作方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108364950A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-08-03 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法 |
CN108364950B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-11-10 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法 |
CN113921670A (zh) * | 2021-09-26 | 2022-01-11 | 天津三安光电有限公司 | 发光元件及其制备方法 |
CN113921670B (zh) * | 2021-09-26 | 2024-04-12 | 天津三安光电有限公司 | 发光元件及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4324182B2 (ja) | 薄膜バルク音響共振器および表面音響波共振器が集積された集積フィルタおよびその製造方法 | |
JP7130841B2 (ja) | 薄膜バルク音響波共振器及びその製造方法 | |
US6377137B1 (en) | Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness | |
JP5270412B2 (ja) | バルク弾性波装置の製造方法 | |
TWI602327B (zh) | A quartz crystal resonator with a circular wafer structure and a manufacturing method thereof | |
JP2003017964A (ja) | 弾性波素子の製造方法 | |
CN105978520B (zh) | 一种多层结构的saw器件及其制备方法 | |
CN106100601A (zh) | 一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器 | |
CN112039469B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器的制造方法 | |
CN107516698A (zh) | GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置 | |
CN112039463A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器的制造方法 | |
JP7081041B2 (ja) | 薄膜バルク音響波共振器とその製造方法、フィルタ、および無線周波数通信システム | |
CN112039461A (zh) | 体声波谐振器的制造方法 | |
CN111446944A (zh) | 一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
JP5299676B2 (ja) | 圧電薄膜音響共振器およびその製造方法 | |
TW202135463A (zh) | 聲波元件及其製造方法 | |
CN112039477A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
CN104300048B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 | |
US8551251B2 (en) | Ultrasonic treatment method and apparatus | |
WO2023173900A1 (zh) | 一种体声波谐振器、滤波器及其制造方法 | |
CN112311353A (zh) | 一种牢固安置型体声波谐振器及其制造方法 | |
CN207572393U (zh) | GaAs基倒装LED芯片以及LED显示装置 | |
JPH07273069A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 | |
US10937927B2 (en) | Group III nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element | |
JP4259019B2 (ja) | 電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20171226 |