CN107507840B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 194
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置,属于显示技术领域,包括堆叠设置的第一膜层、第二膜层;台阶区;第二膜层部分覆盖第一膜层并暴露出部分第一膜层上表面以形成第一台阶结构;多条信号走线;在台阶区中,多条信号走线设置在第一台阶结构的表面;在台阶区中,相邻的两条信号走线之间包括至少两个第一隔断部,第一隔断部与第二膜层的截面连接;沿第一膜层上表面上的信号走线的延伸方向,至少两个第一隔断部的长度不完全相同。可以防止在制造显示面板的过程中,由于光刻胶残留造成的相邻的两根信号走线短路,提高显示面板的良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
现有技术提供的显示面板中,包括多层堆叠设置的膜层、以及多条信号线。
请结合参考图1和图2,图1是现有技术提供的一种显示面板的局部平面结构示意图,图2是沿图1中XX’线的剖面结构示意图。现有技术提供的显示面板中,包括依次设置的衬底基板01、第一膜层02和第二膜层03。其中,第一膜层02部分覆盖衬底基板01,且第二膜层03部分覆盖第一膜层02,衬底基板01、第一膜层02和第二膜层03形成了类似台阶形状的台阶结构。信号线04从第二膜层03的表面经过台阶结构延伸至衬底基板01,信号线04用于传输显示面板中的电信号。
在制造现有技术提供的显示面板的过程中,在制作完成衬底基板01、第一膜层02和第二膜层03后,需要制作信号线04。制作信号线04的具体过程包括:首先在衬底基板01、第一膜层02和第二膜层03堆叠而成的结构表面形成一层信号线材料层,而后在信号线材料层表面涂覆一层光刻胶,使用掩膜版对光刻胶进行图案化,使光刻胶形成需要的图案;而后采用湿法刻蚀或者干法刻蚀后,被光刻胶覆盖的部分信号线材料层得以保留,没有被光刻胶覆盖的部分信号线材料层被去除。
然而在台阶结构中,区域A和区域B中均为台阶结构的内拐角,区域A和区域B的位置处通常容易残留光刻胶,使用掩膜版对光刻胶进行图案化的过程中无法完全除去这两个位置处的光刻胶。相邻的两根信号线04之间,区域A或者和区域B中,残留的光刻胶通常为直线段形状的长条状。残留的光刻胶会使得区域A和区域B的位置处的部分信号线材料层无法被去除,从而造成相邻的两根信号线04短路,使显示面板的良率降低。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板和显示装置。
本发明提供了一种显示面板,包括:堆叠设置的第一膜层、第二膜层;第一膜层靠近第二膜层的一侧表面为第一膜层上表面,第二膜层背离第一膜层的一侧表面为第二膜层上表面;台阶区;第二膜层部分覆盖第一膜层并暴露出部分第一膜层上表面以形成第一台阶结构;第一台阶结构的表面包括部分第二膜层上表面、部分第二膜层的截面、部分第一膜层上表面;其中,第二膜层的截面连接第二膜层上表面和第一膜层上表面;多条信号走线;在台阶区中,多条信号走线设置在第一台阶结构的表面;在台阶区中,相邻的两条信号走线之间包括至少两个第一隔断部,第一隔断部与第二膜层的截面连接;沿第一膜层上表面上的信号走线的延伸方向,至少两个第一隔断部的长度不完全相同。
在一些可选的实施例中,第一隔断部与第二膜层的材料相同;第一隔断部与第二膜层在同一制作工艺中一体形成。
在一些可选的实施例中,还包括第三膜层;第三膜层设置在第二膜层上表面;第三膜层背离第二膜层的一侧表面为第三膜层上表面;在台阶区中,第三膜层部分覆盖第二膜层并暴露出部分第二膜层上表面以形成第二台阶结构;第二台阶结构的表面包括部分第三膜层上表面、部分第三膜层的截面、部分第一膜层上表面;其中,第三膜层的截面连接第三膜层上表面和第二膜层上表面;在台阶区中,多条信号走线设置在第二台阶结构的表面;相邻的两条信号走线之间包括至少两个第二隔断部,第二隔断部与第三膜层的截面连接;沿第二膜层上表面上的信号走线的延伸方向,至少两个第二隔断部的长度不完全相同。
在一些可选的实施例中,第二隔断部与第三膜层的材料相同;第二隔断部与第三膜层在同一制作工艺中一体形成。
在一些可选的实施例中,至少一个第二隔断部中包括加长第二隔断部,加长第二隔断部从第二膜层上表面延伸至第二膜层的截面和第一膜层上表面。
在一些可选的实施例中,沿第一膜层上表面上的信号走线的延伸方向,第一膜层上表面上的加长第二隔断部的长度为15-20μm。
在一些可选的实施例中,沿第二膜层上表面上的信号走线的延伸方向,至少一个第二隔断部中,除加长第二隔断部外,其余第二隔断部在第二膜层上表面上的长度为5-10μm。
在一些可选的实施例中,相邻两条信号走线之间包括至少一个第二加长隔断部和至少两个第一隔断部;加长第二隔断部设置在相邻的两个第一隔断部之间。
在一些可选的实施例中,沿第一膜层上表面上的信号走线的延伸方向,第一膜层上表面上的加长第二隔断部的长度为a,与加长第二隔断部相邻的第一隔断部的长度为b,其中,b-a≥5μm。
在一些可选的实施例中,相邻的两条信号走线之间,第一隔断部与第二隔断部交替设置。
在一些可选的实施例中,相邻的两条信号走线之间,相邻的第一隔断部和第二隔断部之间的距离为d1,d1≥2.5μm。
在一些可选的实施例中,第一膜层为柔性衬底层;第二膜层包括至少一层无机层;第三膜层包括至少一层无机层。
在一些可选的实施例中,沿第一膜层上表面上的信号走线的延伸方向,第一膜层上表面上的第一隔断部的长度为5-10μm。
在一些可选的实施例中,显示面板包括显示区和周边的非显示区;台阶区设置在非显示区;多条信号走线从显示区延伸至台阶区。
在一些可选的实施例中,显示面板包括多个有机发光二极管。
本发明还提供了一种显示装置,包括本发明提供的显示面板。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板和显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本发明提供的显示面板和显示装置中,显示面板包括堆叠设置的第一膜层、第二膜层。显示面板还包括台阶区,台阶区包括第一台阶结构。第二膜层部分覆盖第一膜层并暴露出部分第一膜层上表面形成了第一台阶结构。多条信号走线设置在第一台阶结构的表面。其中,相邻的两条信号走线之间包括至少两个第一隔断部;第一隔断部与第二膜层的截面连接。通过在第二膜层的截面设置隔断部,可以防止在制造显示面板的过程中,由于光刻胶残留造成的相邻的两根信号走线短路;除此之外,至少两个第二隔断部的长度不完全相同,可以进一步的防止光刻胶残留造成的相邻的两根信号走线短路,提高显示面板的良率。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术提供的一种显示面板的局部平面结构示意图;
图2是沿图1中XX’线的剖面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的局部平面结构示意图;
图4是沿图3中YY’线的剖面结构示意图;
图5是沿图3中ZZ’线的剖面结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的局部平面结构示意图;
图7是沿图6中MM’线的剖面结构示意图;
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部平面结构示意图;
图9是沿图8中NN’线的剖面结构示意图;
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的平面结构示意图;
图11是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请结合参考图3、图4和图5,图3是本发明实施例提供的一种显示面板的局部平面结构示意图,图4是沿图3中YY’线的剖面结构示意图,图5是沿图3中ZZ’线的剖面结构示意图。
本发明实施例提供了一种显示面板,包括:堆叠设置的第一膜层10、第二膜层20;第一膜层10靠近第二膜层20的一侧表面为第一膜层上表面11,第二膜层20背离第一膜层10的一侧表面为第二膜层上表面21;台阶区ST;第二膜层20部分覆盖第一膜层10并暴露出部分第一膜层上表面11以形成第一台阶结构T1;第一台阶结构T1的表面包括部分第二膜层上表面21、部分第二膜层的截面22、部分第一膜层上表面11;其中,第二膜层的截面22连接第二膜层上表面21和第一膜层上表面11;多条信号走线40;在台阶区ST中,多条信号走线40设置在第一台阶结构T1的表面;在台阶区ST中,相邻的两条信号走线40之间包括至少两个第一隔断部51,第一隔断部51与第二膜层的截面22连接,;沿第一膜层上表面11上的信号走线40的延伸方向,至少两个第一隔断部51的长度L51与其他第一隔断部的长度不相同。
本实施例提供的显示面板中,显示面板具有显示图像信息的功能;显示面板可以包括显示区和非显示区,显示区包括多个像素,非显示区包括信号走线、电子元件等结构。显示面板包括堆叠设置的第一膜层10、第二膜层20,第一膜层10、第二膜层20可以设置在显示区中,或者可以设置在非显示区中,或者可以从显示区延伸至非显示区中,本发明实施例对于第一膜层10、第二膜层20的位置不作具体限制。
图3、图4和图5提供的显示面板包括台阶区ST,台阶区ST包括第一台阶结构T1可以理解的是,台阶区ST的具***置由第一膜层10、第二膜层20的位置决定;当第一膜层10、第二膜层20从显示区延伸至非显示区中时,台阶区ST可以设置在显示区中,也可以设置在非显示区中,或者台阶区ST可以从显示区延伸至非显示区中。
本实施例提供的显示面板还包括多条信号走线40,信号走线40用于传输电信号。图3中,仅以信号走线40的数量为3条为例进行说明,可以理解的是,信号走线40的数量根据显示面板的具体情况进行设置。在台阶区ST中,多条信号走线40设置在第一台阶结构T1的表面。换言之,信号线40至少延伸经过第二膜层上表面21、第二膜层的截面22和第一膜层上表面11。
本实施例提供的显示面板中,还在相邻的两条信号走线40之间设置了至少两个第一隔断部51。其中,第一隔断部51与第二膜层的截面22连接。第一隔断部51具有隔离相邻的两条信号走线40的功能。在制造本实施例提供的显示面板的过程中,在制作完成第一膜层10、第二膜层20,并且形成台阶区ST后,制作信号走线40。其中,制作信号走线40的具体过程包括:首先,在第一膜层10、第二膜层20堆叠而成的结构表面形成一层信号走线材料层,信号走线材料层覆盖第一台阶结构T1的表面。而后,在信号走线材料层表面涂覆一层光刻胶,使用掩膜版对光刻胶进行图案化,使光刻胶形成信号走线对应的图案;由于台阶区ST中,相邻的两条信号走线40之间设置有第一隔断部51,第一隔断部51与第二膜层的截面22连接,破坏了第一台阶结构T1的内拐角T11处的结构,使相邻的两条信号走线40之间,残留的光刻胶无法形成直线段形状的长条状;具体的,第一隔断部51上背离第二膜层的截面22的一侧表面为第一隔断部前端面511,残留的光刻胶在第一隔断部51的位置处,无法绕开第一隔断部51,尤其在第一隔断部前端面511处容易形成断裂的、不连续的形状,因此,相邻的两条信号走线40之间,在第一台阶结构T1的内拐角T11处,残留的光刻胶无法形成连续的条状结构。当用湿法刻蚀或者干法刻蚀后,被光刻胶覆盖的部分信号线材料层得以保留,没有被光刻胶覆盖的部分信号线材料层被去除。
进一步的,第一隔断部51的长度不是完全相同的。可以理解的是,第一隔断部51的作用是防止在内拐角T11处残留光刻胶,导致相邻两条信号线短路,虽然设置了第一隔断部51,但是光刻胶具有一定的概率绕过第一隔断部51,从而使相邻信号线依然短接,因而可以通过增加第一隔断部51数量的方式来减小信号线短路概率,但是相邻两条信号线之间的距离往往很小,当设置多个第一隔断部51,相邻第一隔断部51之间的距离很小,如果第一隔断部51的长度相同,在第一隔断部的前端面511容易发生光刻胶连接成线的情况,因此,本发明实施例在相邻两条信号走线40之间将至少两个第一隔断部51的长度设置为不同,即便光刻胶绕过较短的第一隔断部51,也难以继续绕过较长第一隔断部51,大幅度降低信号走线40的短路概率,并且无需设置较多第一隔断部51。
通过设置不同长度的第一隔断部51,在第二膜层的截面22处形成长度不规则的锯齿状的结构,可以进一步的破坏第一台阶结构T1的内拐角T11处的结构,使得相邻的两条信号走线40之间,在第一台阶结构T1的内拐角T11处,残留的光刻胶进一步无法形成连续的条状结构。由于相邻的两条信号走线40之间,在第一台阶结构T1的内拐角T11处,残留的光刻胶无法形成连续的条状结构,因此对应残留的信号线材料层无法电连接相邻的两条信号走线40,从而解决了现有技术中,两条信号走线40容易发生短路的技术问题。
需要说明的是,图3、图4和图5所示的显示面板中,仅以第一隔断部51的数量为两个为例进行说明。在其他可选的实现方式中,第一隔断部51的数量可以为三个以上,本实施例对第一隔断部51的数量不作具体限制。
本发明实施例提供的显示面板中,显示面板包括堆叠设置的第一膜层、第二膜层。显示面板还包括台阶区,台阶区包括第一台阶结构。第二膜层部分覆盖第一膜层并暴露出部分第一膜层上表面形成了第一台阶结构。多条信号走线设置在第一台阶结构的表面。其中,相邻的两条信号走线之间包括至少两个第一隔断部;第一隔断部与第二膜层的截面连接。通过在第二膜层的截面设置隔断部,可以防止在制造显示面板的过程中,由于光刻胶残留造成的相邻的两根信号走线短路;除此之外,至少两个第二隔断部的长度不完全相同,可以进一步的防止光刻胶残留造成的相邻的两根信号走线短路,提高显示面板的良率。
在一些可选的实施例中,在本发明任一实施例提供的显示面板的基础上,第一隔断部与第二膜层的材料相同;第一隔断部与第二膜层在同一制作工艺中一体形成。具体的,请参考图6和图7,图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的局部平面结构示意图,图7是沿图6中MM’线的剖面结构示意图。图6沿用了图3的附图标记。图6和图7所示的显示面板中,第一隔断部51与第二膜层20使用相同的材料、在同一制作工艺中一体形成。例如,在制造显示面板的过程中,在形成第一膜层10后,在第一膜层10表面依次形成第二膜层材料层、光刻胶,通过设置掩膜版的图案,使用掩膜版对光刻胶图案化,而后用湿法刻蚀或者干法刻蚀后,得到第一隔断部51和第二膜层20。图7中,以虚线示意了第二膜层的截面22的相对位置。本实施例提供的显示面板中,第一隔断部51和第二膜层20使用相同的材料、在同一制作工艺中一体形成,可以简化显示面板的制造工艺,提高显示面板的制造效率。
可选的,请继续参考图6和图7,第一隔断部51的高度H51和第二膜层20的高度H20相同。可选的,第一隔断部51的数量为多个,图6示意了第一隔断部51的数量为三个实施方式。通过设置多个第一隔断部51,在第二膜层的截面22处形成锯齿状的结构,可以进一步的破坏第一台阶结构T1的内拐角T11处的结构,使得相邻的两条信号走线40之间,在第一台阶结构T1的内拐角T11处,残留的光刻胶进一步无法形成连续的条状结构,从而解决了现有技术中,两条信号走线40容易发生短路的技术问题,提高显示面板的良率。
在一些可选的实施例中,请继续参考图6和图7,本实施例提供的显示面板还包括第三膜层30;第三膜层30设置在第二膜层上表面21;第三膜层30背离第二膜层20的一侧表面为第三膜层上表面31;在台阶区ST中,第三膜层30部分覆盖第二膜层20并暴露出部分第二膜层上表面21以形成第二台阶结构T2;第二台阶结构T2的表面包括部分部分第三膜层上表面31、部分第三膜层的截面32、部分第一膜层上表面11;其中,所述第三膜层的截面连接所述第三膜层上表面和所述第二膜层上表面;其中,第三膜层的截面32连接第三膜层上表面31和第二膜层上表面21;在台阶区ST中,多条信号走线40设置在第二台阶结构T2的表面;相邻的两条信号走线40之间包括至少两个第二隔断部52,第二隔断部52与第三膜层的截面32连接;沿第二膜层上表面21上的信号走线40的延伸方向,至少两个第二隔断部52的长度L52不完全相同。可以理解的是,第二隔断部52的功能和工作原理与第一隔断部51类似,第二隔断部52破坏了第二台阶结构T2的内拐角T21处的结构,使得相邻的两条信号走线40之间,在第二台阶结构T2的内拐角T21处,残留的光刻胶无法形成连续的条状结构,从而解决了现有技术中,两条信号走线40容易发生短路的技术问题,提高显示面板的良率。本实施例提供的显示面板中,通过设置至少两个第二隔断部52,在第三膜层的截面32处形成锯齿状的结构,可以进一步的破坏第二台阶结构T2的内拐角T21处的结构,使得相邻的两条信号走线40之间,在第二台阶结构T2的内拐角T21处,残留的光刻胶进一步无法形成连续的条状结构,从而解决了现有技术中,两条信号走线40容易发生短路的技术问题,提高显示面板的良率。可选的,第二隔断部52的数量为多个,图6示意了第二隔断部52的数量为三个实施方式。
在一些可选的实施例中,在本发明任一实施例提供的显示面板的基础上,第二隔断部与第三膜层的材料相同;第二隔断部与第三膜层在同一制作工艺中一体形成。请继续参考图6和图7,第二隔断部52与第三膜层30用相同的材料、在同一制作工艺中一体形成。例如,在制造显示面板的过程中,在形成第一膜层10和第二膜层20后,在第二膜层20表面依次形成第三膜层材料层、光刻胶,通过设置掩膜版的图案,使用掩膜版对光刻胶图案化,而后用湿法刻蚀或者干法刻蚀后,得到第二隔断部52与第三膜层30。图7中,以虚线示意了第三膜层的截面32的相对位置。本实施例提供的显示面板中,第二隔断部52和第三膜层30使用相同的材料、在同一制作工艺中一体形成,可以简化显示面板的制造工艺,提高显示面板的制造效率。可选的,请继续参考图6和图7,第二隔断部52的高度H52和第三膜层30的高度H30相同。
在一些可选的实施例中,请参考图8和图9,图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的局部平面结构示意图,图9是沿图8中NN’线的剖面结构示意图。图8和图9所示的显示面板中,至少一个第二隔断部52中包括加长第二隔断部521,加长第二隔断部521从第二膜层上表面21延伸至第二膜层的截面22和第一膜层上表面11。图9中,以虚线示意了第三膜层的截面32的相对位置。本实施例提供的显示面板中,设置了加长第二隔断部521,加长第二隔断部521依次延伸经过第二膜层上表面21、第二膜层的截面22、第一膜层上表面11,因此同时破坏了第一台阶结构T1的内拐角T11处的结构和第二台阶结构T2的内拐角T21处的结构;并且,由于加长第二隔断部521延伸至了第一膜层上表面11,因此,在第一台阶结构T1的内拐角T11处,当第一隔断部51没有有效的隔断相邻的两根信号线走40时,加长第二隔断部521可以进一步的破坏残留的光刻胶在第二膜层的截面22处的连续结构,使得残留的光刻胶进一步无法形成连续的条状结构,从而解决了现有技术中,两条信号走线40容易发生短路的技术问题,提高显示面板的良率。可选的,请继续参考图8和图9,相邻两条信号走线40之间包括至少一个第二加长隔断部521和至少两个第一隔断部51;加长第二隔断部521设置在相邻的两个第一隔断部51之间。可选的,请继续参考图8和图9,沿第一膜层上表面11上的信号走线40的延伸方向,第一膜层上表面11上的加长第二隔断部521的长度L521为15-20μm。可选的,沿第一膜层上表面11上的信号走线40的延伸方向,第一膜层上表面11上的加长第二隔断部521的长度L521为a,与加长第二隔断部521相邻的第一隔断部51的长度L52为b,其中,b-a≥5μm。下面,以相邻的第一隔断部51和加长第二隔断部521为例进行说明。其中,第一隔断部51上背离第二膜层的截面22的一侧表面为第一隔断部前端面511,加长第二隔断部521上背离第二膜层的截面22的一侧表面为加长第二隔断部前端面5211。如果加长第二隔断部521和相邻的第一隔断部51的长度的差值过小,光刻胶容易在第一隔断部前端面511和加长第二隔断部前端面5211处连接在一起,围绕第一隔断部51和加长第二隔断部521形成连续的图案,无法有效的断开。通过设置加长第二隔断部521与相邻的第一隔断部51的长度差值,可以有效的破坏残留的光刻胶在第二膜层的截面22处的连续结构,提高显示面板的可靠性。可选的,第三膜层30的厚度小于第二膜层20,此时,相对于第二台阶结构T2的内拐角T21处,在第一台阶结构T1的内拐角T11处更容易残留光刻胶,因此,通过设置加长第二隔断部521,可以有效的防止相邻两条信号走线40短路。
可选的,请继续参考图8和图9,相邻的两条信号走线40之间,第一隔断部51与第二隔断部52交替设置。具体的,由于第一隔断部51与第二隔断部52分别设置在不同的膜层,第一隔断部51与第二隔断部52交替设置是指,沿着信号走线40在第三膜层上表面31的延伸方向y,第一隔断部51所在的直线与第二隔断部52所在的直线交替设置。可选的,相邻的两条信号走线40之间,相邻的第一隔断部51和第二隔断部52之间的距离为d1,d1≥2.5μm。本实施例提供的显示面板中,相邻的第一隔断部51和第二隔断部52之间的最小距离为2.5μm。下面,以相邻的第一隔断部51和加长第二隔断部521为例进行说明。其中,第一隔断部51上背离第二膜层的截面22的一侧表面为第一隔断部前端面511,加长第二隔断部521上背离第二膜层的截面22的一侧表面为加长第二隔断部前端面5211。若相邻的第一隔断部51和加长第二隔断部521之间的距离过小,光刻胶容易在第一隔断部前端面511和加长第二隔断部前端面5211处连接在一起,围绕第一隔断部51和加长第二隔断部521形成连续的图案,无法有效的断开。通过设置相邻的第一隔断部51和第二隔断部52之间的最小距离为2.5μm,可以有效的在相邻的第一隔断部51和第二隔断部52的位置处破坏光刻胶的连续的结构。
可选的,在本发明任一实施例提供的显示面板的基础上,沿第一膜层上表面11上的信号走线40的延伸方向,第一膜层上表面11的第一隔断部51的长度L51为5-10μm。可选的,沿第二膜层上表面21上的信号走线40的延伸方向,至少一个第二隔断部52中,除加长第二隔断部521外,其余第二隔断部52在第二膜层上表面21上的长度L52为5-10μm。当第一隔断部51或者第二隔断部52的长度小于5μm时,光刻胶无法有效的断裂,仍可以绕开第一隔断部51或者第二隔断部52形成连续的图案。第一隔断部51的长度L51和第二隔断部52的长度L52不宜超过10μm,以免占用显示面板过多的面积。通过设置第一隔断部51的长度L51和第二隔断部52的长度L52在5-10μm的范围内,可以有效的破坏第一台阶结构T1的内拐角T11处的结构,以及第二台阶结构T2的内拐角T21处的结构,使得残留的光刻胶无法形成连续的条状结构,从而解决了现有技术中,两条信号走线40容易发生短路的技术问题,提高显示面板的良率。
可以理解的是,本发明在此仅示例性的说明了第一隔断部51和第二隔断部52的长度、相对位置关系。第一隔断部51和第二隔断部52的长度、相对位置关系可以根据面板的尺寸、台阶结构的大小等具体的实施情况进行设置。
在一些可选的实施例中,请参考图10,图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的平面结构示意图。在本发明任一实施例提供的显示面板的基础上,显示面板包括显示区AA和周边的非显示区BB;台阶区ST设置在非显示区BB;多条信号走线40从显示区AA延伸至台阶区ST。本实施例提供的显示面板中,为了使非显示区BB更加轻薄,因而将非显示区BB中的部分膜层结构去除,从而在非显示区BB形成了台阶区ST。
在一些可选的实施例中,在本发明任一实施例提供的显示面板的基础上,第一膜层为柔性衬底层,例如,第一膜层的材料可以选用树脂材料,如聚酰亚胺,显示面板的其他膜层结构均在柔性衬底层上依次形成,从而使显示面板为柔性、可弯曲的。第二膜层包括至少一层无机层,例如,第二膜层可以包括多层堆叠设置的无机层,无机层的材料可以包括氮化硅或者氧化硅,多层无机层在显示面板中的可以起到绝缘、或者平坦化的作用。第三膜层包括至少一层无机层,例如,第三膜层可以包括多层堆叠设置的无机层,无机层的材料可以包括氮化硅或者氧化硅。可选的,当台阶区ST设置在非显示区BB时,为了使显示面板的非显示区BB更加容易弯曲,通常将台阶区ST中的部分无机层去除,从而形成了台阶区ST。
在一些可选的实施例中,在本发明任一实施例提供的显示面板的基础上,显示面板包括多个有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)。可选的,多个有机发光二极管均设置在显示面板的显示区中。本实施例提供的显示面板为有机发光二极管显示面板,具有自发光、广视角、高对比度、耗电较低、反应速度快等优点。
本发明还提供了一种显示装置,包括本发明上述任一实施例提供的显示面板。请参考图11,图11是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。图11提供的显示装置100包括本发明上述任一实施例提供的显示面板200。图11实施例仅以手机为例,对显示装置100进行说明,可以理解的是,本发明实施例提供的显示装置,可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置,本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置,具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果,具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明,本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知,本发明上述各实施例提供的显示面板和显示装置,至少达到了如下的有益效果:
本发明提供的显示面板和显示装置中,显示面板包括堆叠设置的第一膜层、第二膜层和第三膜层。显示面板还包括台阶区,台阶区包括台阶结构,台阶结构包括第一台阶结构和第二台阶结构。第二膜层部分覆盖第一膜层并暴露出部分第一膜层上表面形成了第一台阶结构,第三膜层部分覆盖第二膜层并暴露出部分第二膜层上表面形成了第二台阶结构。多条信号走线设置在台阶结构的表面。其中,相邻的两条信号走线之间包括至少一个第一隔断部和至少一个第二隔断部;第一隔断部与第二膜层的截面连接,第二隔断部与第三膜层的截面连接。通过在第二膜层的截面和第三膜层的截面分别设置隔断部,可以防止在制造显示面板的过程中,由于光刻胶残留造成的相邻的两根信号走线短路,提高显示面板的良率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (14)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
堆叠设置的第一膜层、第二膜层和第三膜层;所述第一膜层靠近所述第二膜层的一侧表面为第一膜层上表面,所述第二膜层背离所述第一膜层的一侧表面为第二膜层上表面;所述第三膜层设置在所述第二膜层上表面;所述第三膜层背离所述第二膜层的一侧表面为第三膜层上表面;
台阶区;所述第二膜层部分覆盖所述第一膜层并暴露出部分所述第一膜层上表面以形成第一台阶结构;所述第一台阶结构的表面包括部分所述第二膜层上表面、部分所述第二膜层的截面、部分所述第一膜层上表面;其中,所述第二膜层的截面连接所述第二膜层上表面和所述第一膜层上表面;
所述第二膜层包括至少一层无机层;多条信号走线;在所述台阶区中,所述多条信号走线设置在所述第一台阶结构的表面;在所述台阶区中,相邻的两条信号走线之间包括至少两个第一隔断部,所述第一隔断部与所述第二膜层的截面连接;沿所述第一膜层上表面上的所述信号走线的延伸方向,所述至少两个第一隔断部的长度不完全相同;相邻的两条信号走线之间包括至少两个第二隔断部,所述第二隔断部与所述第三膜层的截面连接;沿所述第二膜层上表面上的所述信号走线的延伸方向,所述至少两个第二隔断部的长度不完全相同;
其中,至少一个所述第二隔断部中包括加长第二隔断部,所述加长第二隔断部从所述第二膜层上表面延伸至所述第二膜层的截面和所述第一膜层上表面;且,相邻所述两条信号走线之间包括至少一个所述加长第二隔断部和至少两个所述第一隔断部;所述加长第二隔断部设置在相邻的两个所述第一隔断部之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一隔断部与所述第二膜层的材料相同;所述第一隔断部与所述第二膜层在同一制作工艺中一体形成。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
在所述台阶区中,所述第三膜层部分覆盖所述第二膜层并暴露出部分所述第二膜层上表面以形成第二台阶结构;所述第二台阶结构的表面包括部分所述第三膜层上表面、部分所述第三膜层的截面、部分所述第二膜层上表面;其中,所述第三膜层的截面连接所述第三膜层上表面和所述第二膜层上表面;
在所述台阶区中,所述多条信号走线设置在所述第二台阶结构的表面。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第二隔断部与所述第三膜层的材料相同;所述第二隔断部与所述第三膜层在同一制作工艺中一体形成。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
沿所述第一膜层上表面上的所述信号走线的延伸方向,所述第一膜层上表面上的所述加长第二隔断部的长度为15-20μm。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
沿所述第二膜层上表面上的所述信号走线的延伸方向,所述至少一个第二隔断部中,除所述加长第二隔断部外,其余所述第二隔断部在所述第二膜层上表面上的长度为5-10μm。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
沿所述第一膜层上表面上的所述信号走线的延伸方向,所述第一膜层上表面上的所述加长第二隔断部的长度为a,与所述加长第二隔断部相邻的所述第一隔断部的长度为b,其中,b-a≥5μm。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
相邻的两条信号走线之间,所述第一隔断部与所述第二隔断部交替设置。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
相邻的两条信号走线之间,相邻的所述第一隔断部和所述第二隔断部之间的距离为d1,d1≥2.5μm。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第一膜层为柔性衬底层;
所述第三膜层包括至少一层无机层。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
沿所述第一膜层上表面上的所述信号走线的延伸方向,所述第一膜层上表面上的所述第一隔断部的长度为5-10μm。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板包括显示区和周边的非显示区;所述台阶区设置在所述非显示区;
所述多条信号走线从所述显示区延伸至所述台阶区。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板包括多个有机发光二极管。
14.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-13任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710758807.5A CN107507840B (zh) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 一种显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710758807.5A CN107507840B (zh) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 一种显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107507840A CN107507840A (zh) | 2017-12-22 |
CN107507840B true CN107507840B (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=60694273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710758807.5A Active CN107507840B (zh) | 2017-08-29 | 2017-08-29 | 一种显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107507840B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108878676A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法 |
CN111180468A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
CN111445788A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN112599701B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-05-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示基板 |
WO2023184374A1 (zh) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、阵列基板及其制备方法 |
CN115528046A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63181449A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
CN104332485A (zh) * | 2014-09-24 | 2015-02-04 | 苹果公司 | 硅和半导体氧化物薄膜晶体管显示器 |
CN104952882A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-09-30 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003172946A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
WO2015178059A1 (ja) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | シャープ株式会社 | 接続配線 |
-
2017
- 2017-08-29 CN CN201710758807.5A patent/CN107507840B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104952882A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-09-30 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107507840A (zh) | 2017-12-22 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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