CN107493653A - 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC - Google Patents

采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC Download PDF

Info

Publication number
CN107493653A
CN107493653A CN201710515234.3A CN201710515234A CN107493653A CN 107493653 A CN107493653 A CN 107493653A CN 201710515234 A CN201710515234 A CN 201710515234A CN 107493653 A CN107493653 A CN 107493653A
Authority
CN
China
Prior art keywords
high frequency
copper
plating mode
film
ion implanting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710515234.3A
Other languages
English (en)
Inventor
高绍兵
刘国强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ANHUI SHENGHONG ELECTRONIC Co Ltd
Original Assignee
ANHUI SHENGHONG ELECTRONIC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ANHUI SHENGHONG ELECTRONIC Co Ltd filed Critical ANHUI SHENGHONG ELECTRONIC Co Ltd
Priority to CN201710515234.3A priority Critical patent/CN107493653A/zh
Publication of CN107493653A publication Critical patent/CN107493653A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0047—Drilling of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/092—Particle beam, e.g. using an electron beam or an ion beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明涉及电子电路技术领域，具体涉及一种采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，步骤为(1)将钛酸锶钡陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，经成型烧结后车削成各种厚度的薄膜；(2)按照电路设计图在此膜上钻孔，然后在薄膜的双表面层注入铜离子，同时在孔内表面层注入铜离子，然后在有铜离子的地方电镀方式沉积铜制作线路图，同时孔内表面沉积铜即孔金属化，制得Dk＞10高频FPC。本发明技术直接在聚四氟乙烯薄膜上制作所需的线路图及孔金属化。提高了产品高频、耐热性能、缩短了流程，提高了效率，降低了成本。这种方法没有铜箔表面处理、化学蚀铜等高污染工序。

Description

采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC
技术领域
本发明涉及FPC技术领域，具体涉及一种采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC。
背景技术
现有技术是将聚酰亚胺膜、聚酯膜制作的挠性覆铜板，FPC制作线工艺要经过曝光显影化学蚀铜等工艺，会造成环境污染及成本高，现有产品没有Dk＞10高频FPC。本发明技术将钛酸锶钡陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，经成型烧结后车削成各种厚度的膜，聚四氟乙烯膜厚从0.01-0.075mm均可实现，此膜先钻孔再经离子注入、电镀法直接在膜上形成线路图，同时孔金属化，制得Dk＞10高频FPC，此工艺在聚四氟乙烯膜上直接制作所需要的线路图及孔金属化。
本发明在聚四氟乙烯绝缘基材上，采用离子注入法、电镀法直接制作线路，同时孔金属化。优化整合了电解铜箔、FCCL、FPC三个产品制程。提高了产品性能、缩短了流程，提高了效率，降低了成本。这种方法没有化学蚀铜等高污染工序，节能环保。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，采用离子注入法电镀法直接制作线路，同时孔金属化。优化整合了电子铜箔、FCCL、FPC三个产品制程。提高了产品性能、缩短了流程，提高了效率，降低了成本。这种方法没有化学沉铜等高污染工序，节能环保。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将钛酸锶钡陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，经成型烧结后车削成各种厚度的薄膜；
(2)按照电路设计图在此膜上钻孔，然后在薄膜的双表面层注入铜离子，同时在孔内表面层注入铜离子，然后在有铜离子的地方电镀方式沉积铜制作线路图，同时孔内表面沉积铜即孔金属化，制得Dk＞10 高频FPC。
优选的，所述步骤(1)中聚四氟乙烯薄膜厚从0.01-0.075mm均可实现，车削所用设备为旋切机。
优选的，所述步骤(1)中钛酸锶钡经过1150℃到1350℃变温煅烧后，钛酸锶钡的介电常数大于150，Q值大于20000。
优选的，所述步骤(1)成型压力从60kg/cm2均匀变化到100kg/cm2，烧结温度380℃，烧结时间50h。
优选的，所述步骤(1)中钛酸锶钡质量和聚四氟乙烯粉料的质量比为5.5:4.5到7:3。
(三)有益效果
本发明技术直接在聚四氟乙烯薄膜上制作所需的线路图及孔金属化。提高了产品高频、耐热性能、缩短了流程，提高了效率，降低了成本。这种方法没有铜箔表面处理、化学蚀铜等高污染工序。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
具体实施方案：(1)将钛酸锶钡陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，经成型烧结后车削成各种厚度的薄膜；(2)按照电路设计图在此膜上钻孔，然后在薄膜的双表面层注入铜离子，同时在孔内表面层注入铜离子，然后在有铜离子的地方电镀方式沉积铜制作线路图，同时孔内表面沉积铜即孔金属化，制得Dk＞10高频FPC。
现有制作线路图的工艺会造成环境污染及成本高。现有FPC产品高频特性差，耐高温性差。使用曝光显影化学蚀铜的技术，针对这些缺点，使用本发明技术直接在聚四氟乙烯薄膜上制作所需的线路图及孔金属化。提高了产品高频、耐热性能、缩短了流程，提高了效率，降低了成本。这种方法没有铜箔表面处理、化学蚀铜等高污染工序。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将钛酸锶钡陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，经成型烧结后车削成各种厚度的薄膜；
(2)按照电路设计图在此膜上钻孔，然后在薄膜的双表面层注入铜离子，同时在孔内表面层注入铜离子，然后在有铜离子的地方电镀方式沉积铜制作线路图，同时钻孔内表面沉积铜即孔金属化，制得Dk＞10高频FPC。
2.根据权利要求1所述的采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：所述步骤(1)中聚四氟乙烯薄膜厚从0.01-0.075mm均可实现，车削所用设备为旋切机。
3.根据权利要求1所述的采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：所述步骤(1)中钛酸锶钡经过1150℃到1350℃变温煅烧后，钛酸锶钡的介电常数大于150，Q值大于20000。
4.根据权利要求1所述的采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：所述步骤(1)成型压力从60kg/cm2均匀变化到100kg/cm2，烧结温度380℃，烧结时间50h。
5.根据权利要求1所述的采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：所述步骤(1)中钛酸锶钡质量和聚四氟乙烯粉料的质量比为5.5:4.5到7:3。
6.根据权利要求1所述的采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC，其特征在于：采用车削离子注入电镀方法制作Dk＞10高频FPC。
CN201710515234.3A 2017-06-29 2017-06-29 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC Pending CN107493653A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710515234.3A CN107493653A (zh) 2017-06-29 2017-06-29 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710515234.3A CN107493653A (zh) 2017-06-29 2017-06-29 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107493653A true CN107493653A (zh) 2017-12-19

Family

ID=60643456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710515234.3A Pending CN107493653A (zh) 2017-06-29 2017-06-29 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107493653A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110564085A (zh) * 2019-09-20 2019-12-13 天津市天塑滨海氟塑料制品有限公司 一种用于高性能电路板的ptfe陶瓷改性基材膜的制造方法
CN111263529A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 安捷利（番禺）电子实业有限公司 高频柔性电路板的制备方法、高频柔性电路板及电子设备
US11549035B2 (en) 2020-12-16 2023-01-10 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Dielectric substrate and method of forming the same
US11596064B2 (en) 2020-07-28 2023-02-28 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Dielectric substrate and method of forming the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102260378A (zh) * 2011-05-06 2011-11-30 广东生益科技股份有限公司 复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法
CN105873381A (zh) * 2015-11-06 2016-08-17 珠海市创元开耀电子材料有限公司 Hdi电路板及其制造方法
CN105873371A (zh) * 2015-11-06 2016-08-17 武汉光谷创元电子有限公司 基板及其制造方法
CN106604536A (zh) * 2017-01-26 2017-04-26 上海逻骅投资管理合伙企业（有限合伙） 聚四氟乙烯复合微波介质材料及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102260378A (zh) * 2011-05-06 2011-11-30 广东生益科技股份有限公司 复合材料、用其制作的高频电路基板及其制作方法
CN105873381A (zh) * 2015-11-06 2016-08-17 珠海市创元开耀电子材料有限公司 Hdi电路板及其制造方法
CN105873371A (zh) * 2015-11-06 2016-08-17 武汉光谷创元电子有限公司 基板及其制造方法
CN106604536A (zh) * 2017-01-26 2017-04-26 上海逻骅投资管理合伙企业（有限合伙） 聚四氟乙烯复合微波介质材料及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110564085A (zh) * 2019-09-20 2019-12-13 天津市天塑滨海氟塑料制品有限公司 一种用于高性能电路板的ptfe陶瓷改性基材膜的制造方法
CN111263529A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 安捷利（番禺）电子实业有限公司 高频柔性电路板的制备方法、高频柔性电路板及电子设备
US11596064B2 (en) 2020-07-28 2023-02-28 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Dielectric substrate and method of forming the same
US11805600B2 (en) 2020-07-28 2023-10-31 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Dielectric substrate and method of forming the same
US11549035B2 (en) 2020-12-16 2023-01-10 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Dielectric substrate and method of forming the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107493653A (zh) 采用车削离子注入电镀方式制作Dk＞10高频FPC
JP3221021U (ja) 非焼結ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体基板及びそれを製造する方法
CN104175686B (zh) 一种ptfe复合介质基板的制备方法
US11107610B2 (en) Thick film resistors having customizable resistances and methods of manufacture
KR100764300B1 (ko) 연성금속 적층판 및 그 제조방법
CN107172819A (zh) 采用离子注入和电镀方式制作高频柔性印刷线路板的方法
CN107509308A (zh) 采用车削离子注入电镀方式制作6.5≤Dk≤10高频FPC
Schaubroeck et al. Surface modification of a photo-definable epoxy resin with polydopamine to improve adhesion with electroless deposited copper
TW200848254A (en) Metal-clad laminate, and method for production of metal-clad laminate
Sundaram et al. Next-generation microvia and global wiring technologies for SOP
CN107278031A (zh) 采用车削离子注入电镀方式制作6.5≤Dk≤10高频FPC
Woo et al. Changes in electrical properties of copper-plated layer by organic additives on high current density
CN105873352A (zh) 高频通信用基板及其制造方法
CN106132118B (zh) 一种多层介质电路的复合介质电路板制造方法
CN104582320A (zh) 一种柔性线路板的前段制作工艺
CN207382679U (zh) 电容和埋电容电路板
Singh et al. Plasma-generated etchback to improve the via-reliability in high-Tg substrates used in multilayer PWBs for space electronic packaging
TW201902858A (zh) 具有包含TaC 的塗層的碳材料及其製造方法
Ghosh et al. Hybrid dielectric thin films on flexible substrates for embedded capacitor applications
Feng Copper clad laminate for high frequency printed-circuit board in 5G era
Wang et al. Plasma surface pretreatment to improve interfacial adhesion strengths of sputtered Cu on polyimide film
CN107278032A (zh) 制作Dk在6.5~10之间的HDI的工艺
CN1860566A (zh) 电容器的制备方法
CN107278061A (zh) 一种2.2≤Dk＜6.5的HDI板制作方法
CN212046249U (zh) 聚四氟乙烯覆铜板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171219