CN107490912A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括多条扫描线、与多条扫描线交叉设置的多条数据线、由多条扫描线与多条数据线限定的多个像素单元、多条遮光电极线及多条公共电极线；像素单元包括像素电极；遮光电极线与像素电极同层设置，以遮挡数据线；公共电极线与扫描线同层设置，遮光电极线与公共电极线相互独立设置。这种结构能够提高这列基板信号的稳定性，从而提高显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，特别是涉及阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
为了改善显示面板常见的显示问题，例如色偏、漏光和画面显示不均等，像素单元的结构设计会随着优化面板显示性能而改变。其中，为改善显示面板大视角色偏的问题，提出了一种八畴像素结构。该像素结构的次像素电极会将一部分充电荷释放至一公共电极A，但该信号不稳定，且易受到其他信号耦合，从而易引发信号串扰、图像残留及显示不均等问题；同时为降低因黑色矩阵与数据信号线的对位偏移而引起的漏光问题，提出了一种改善面板数据信号线上漏光的设计，通过在数据线上设置一公共电极B，使该与彩色滤光片侧公共电极之间较小压差，垂直方向上的液晶倾倒幅度较小，以实现遮光效果。
本申请的发明人在长期的研发中发现，在目前现有技术中，为实现网状公共电极，以提高显示面板显示的均匀性，一般采用将上述公共电极A与B在像素单元内部连接在一起，以同时实现两种网状公共电极的架构。但该架构存在一定的缺陷，公共电极B与彩色滤光片侧公共电极之间压差不宜过大，以防止数据线方向漏光，导致公共A也因此与彩色滤光片侧公共电极压差不大，导致无法达到面板最佳信号。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以提高像素单元的信号的稳定性，从而提高阵列基板、显示面板及显示装置的显示效果。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板。所述阵列基板包括多条扫描线、与所述多条扫描线交叉设置的多条数据线、由所述多条扫描线与所述多条数据线限定的多个像素单元、多条遮光电极线及多条公共电极线；其中，所述像素单元包括像素电极；所述遮光电极线与所述像素电极同层设置，所述遮光电极线设置于所述数据线的相对位置，以遮挡所述数据线；所述公共电极线与所述扫描线同层设置，所述遮光电极线与所述公共电极线相互独立设置。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板。所述显示面板包括上述阵列基板。
为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种显示装置。所述显示装置包括上述显示面板。
本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请阵列基板包括多条扫描线、与多条扫描线交叉设置的多条数据线、由多条扫描线与多条数据线限定的多个像素单元、多条遮光电极线及多条公共电极线；其中，像素单元包括像素电极；遮光电极线与像素电极同层设置，遮光电极线设置于数据线的相对位置，以遮挡数据线；公共电极线与扫描线同层设置，遮光电极线与公共电极线相互独立设置。本申请实施例将用于遮挡数据线，以减少漏光的遮光电极线与用于与像素电极连接的公共电极线设置成相互独立的部分，能够改善二者间的信号干扰，从而提高阵列基板、显示面板及显示装置的显示效果。
附图说明
图1是本申请阵列基板第一实施例的结构示意图；
图2是本申请阵列基板第二实施例的结构示意图；
图3是本申请阵列基板第三实施例的结构示意图；
图4是本申请阵列基板第四实施例的结构示意图；
图5是本申请阵列基板第五实施例的结构示意图；
图6A是本申请阵列基板第六实施例的结构示意图；
图6B是图6A实施例的遮光电极线的结构示意图；
图6C是图6A实施例的公共电极线的结构示意图；
图7A是本申请阵列基板第七实施例的结构示意图；
图7B是图7A实施例的遮光电极线的结构示意图；
图7C是图7A实施例的公共电极线的结构示意图；
图8A是本申请阵列基板第八实施例的结构示意图；
图8B是图8A实施例的遮光电极线的结构示意图；
图8C是图8A实施例的公共电极线的结构示意图；
图9是本申请显示面板一实施例的结构示意图；
图10是本申请显示装置一实施例的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1，图1是本申请阵列基板第一实施例的结构示意图。本实施例阵列基板101包括多条扫描线Scan、与多条扫描线Scan交叉设置的多条数据线Data、由多条扫描线Scan与多条数据线Data限定的多个像素单元102、多条遮光电极线103及多条公共电极线104；其中，像素单元102包括像素电极105；遮光电极线103与像素电极105同层设置，部分遮光电极线103设置于数据线Data的相对位置，以遮挡数据线Data；公共电极线104与扫描线同层设置Scan，遮光电极线103与公共电极线104相互独立设置。且本实施例的公共电极线104设置于扫描线Scan的相对位置，至少部分与像素电极105连接。
在一个实施方式中，将遮光电极线103与彩色滤光基板侧公共电极间设置一个较小的电压差，当显示面板正常工作时，该电压差形成的电场可以使液晶分子保持较小偏转或不偏转的状态，从而起到遮光的目的，以改善数据线Data处的漏光问题。
在本实施例中，公共电极线104与扫描线Scan同层设置，遮光电极线103与像素电极105同层设置，以降低整个阵列基板101的尺寸。
区别于现有技术，本实施例阵列基板101将用于遮挡数据线Data，以减少漏光的遮光电极线103与像素电极105连接的公共电极线104设置成相互独立的部分，能够改善二者间的信号干扰，从而提高阵列基板101的显示效果。
可选地，本实施例的像素电极105包括主像素电极106及次像素电极107，公共电极线104至少部分与次像素电极107连接，对次像素电极107分压，以使次像素电极107的像素电压小于主像素电极106的像素电压,，从而能改善显示面板大视角下的色偏问题。
可选地，本实施例的像素单元102进一步包括第一开关T1、第二开关T2及第三开关T3；其中，第一开关T1的输入端108与数据线Data连接，输出端109与主像素电极106连接；第二开关T2的输入端110与数据线Data连接，输出端111与次像素电极107连接；第三开关T3的输入端112与第二开关T2的输出端111连接，第三开关T3的输出端113与公共电极线104的平行于扫描线Scan的部分连接，以将次像素电极107的像素电压分压到公共电极线104。第一开关T1、第二开关T2及第三开关T3的控制端均与扫描线Scan连接。
在一个实施方式中，本实施的第一开关T1、第一开关T2、第一开关T3至少一个为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。其中，第一开关T1、第一开关T2、第一开关T3的控制端为TFT的栅极，输入端为TFT的源极，输出端为TFT的漏极，当然，在另一实施方式中，第一开关T1、第一开关T2、第一开关T3的输入端为TFT的漏极，输出端为TFT的源极。在又一实施例中，也可以是其它具有开关功能的电子元器件，如互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)等替代TFT，在此不做限定。
请参阅图2，图2是本申请阵列基板第二实施例的结构示意图。本实施例在图1实施例的基础上做了修改，以实现阵列基板201的遮光电极线202的网状结构。具体地，本实施例与上述实施例的区别在于遮光电极线202设置于数据线Data上，且遮光电极线202包括平行于数据线Data的第一部分203及非平行于数据线Data的第二部分204；其中，第一部分203用于遮挡数据线Data；第二部分204用于连接其它遮光电极线202的第一部分203，以将遮光电极线202设置成网状结构。可以根据阵列基板201设计结构的具体要求来选择设定遮光电极线202的第二部分204连接相邻或不相邻的第一部分203。
区别于现有技术，本实施方式的遮光电极线202设置成网状结构，可以实现平行于数据线Data方向和非平行于数据线Data方向的网状电流传导，能够提高像素单元信号的稳定性，从而能够提高显示效果。
在其他实施方式中，遮光电极线202的第一部分203的宽度略大于数据线Data的宽度，以更好的提高遮光效果。
可选地，本实施例的遮光电极线202的第二部分204为纳米铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)电极。当然，在其它实施例中，也可以采用其它具有可轻松弯曲、有助于降低成本以及光线透过率高等特点的新材料代替ITO材料，例如纳米氧化锌等。当然，也可以将整个遮光电极线202设置成同一种材料。
请参阅图3，图3是本申请阵列基板第三实施例的结构示意图。本实施例是在图1实施例的基础上做了修改，以实现阵列基板301的公共电极线302的网状结构。具体地，本实施例阵列基板301进一步包括第一连接线305，第一连接线305从扫描线Scan层贯穿至像素电极层；公共电极线302包括平行于扫描线Scan的第一部分303及平行于扫描线Scan的第二部分304；相邻公共电极线302的第一部分303或第二部分304连接；且部分或全部公共电极线302的第一部分303与第二部分304通过第一连接线305及像素电极层连接，以将公共电极线302设置成网状结构，且公共电极线302的第一部分303与次像素电极306连接。当然在其它实施例中，可将第二部分304与次像素电极306连接。
区别于现有技术，本实施例的公共电极线302设置成网状结构，可以实现平行于扫描线Scan方向和非平行于扫描线Scan方向的网状电流传导，能够提高像素单元信号的稳定性，从而能够提高显示效果。
可选地，为了降低整个像素单元的尺寸，公共电极线302与扫描线Scan同层设置，为便于相邻两像素单元的相邻的公共电极线302间的连接，将公共电极线302的第一部分303及第二部分304分别设置与扫描线Scan两侧，因为一个像素单元307往往跟至少两个其它像素单元307相邻。
可选地，本实施例的第一连接线305为纳米铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)电极。当然，在其它实施例中，也可以采用其它具有可轻松弯曲、有助于降低成本以及光线透过率高等特点的新材料代替ITO材料，例如纳米氧化锌等。
请参阅图4，图4是本申请阵列基板第四实施例的结构示意图。本实施例与图3实施例的区别在于，本实施例阵列基板401包括第二连接线402，第二连接线402第二连接线从扫描线层贯穿至数据线Data层，第一部分403与第二部分404通过第二连接线402及数据线Data层连接，以将公共电极线405设置成网状。其中，本实施例的数据线Data层与上TFT的第二金属层同层。
本申请实施例的遮光电极线及公共电极线均与公共电压线连接，本申请实施例不限定遮光电极线、公共电极线与公共电压线具体连接方式。
请参阅图5，图5是本申请阵列基板第五实施例的结构示意图。本实施例结合了图2实施例及图3实施例，在阵列基板501的同一像素单元502处内同时实现了遮光电极线503及公共电极线504的网状结构，具体请参阅图2、图3以及相关文字描述，在此不再赘述。当然，在其它实施例中，可以结合了图2实施例及图4实施例，在同一像素单元处同时实现遮光电极线及公共电极线的网状结构。只要是通过上述任意两种方案或其组合得到的技术方案，均属于本申请保护范围，在此不再限定。且本申请阵列基板的所有或部分像素单元处的遮光电极或公共电极可以进行上述设置。
例如，请一并参阅图6A至图6C，图6A是本申请阵列基板第六实施例的结构示意图；图6B是图6A实施例的遮光电极线的结构示意图；图6C是图6A实施例的公共电极线的结构示意图。本实施例的部分像素单元a处对应的阵列基板为图2实施例阵列基板结构，部分像素单元b处对应的阵列基板为上述图3或图4实施例阵列基板结构，且两种结构不位于同一列，本实施例剩下的像素单元c处对应的阵列基板为上述图1实施例阵列基板结构，关于阵列基板的结构及工作原理在上述实施例中已经进行了详细的叙述，这里不重复。从图7B及图7C实施例中可以看出，遮光电极线601及公共电极线602均为网状结构。
又例如，请一并参阅图7A至图7C，图7A是本申请阵列基板第七实施例的结构示意图；图7B是图7A实施例的遮光电极线的结构示意图；图7C是图7A实施例的公共电极线的结构示意图。本实施例的部分像素单元d处对应的阵列基板为图2实施例阵列基板结构，部分像素单元e处对应的阵列基板为上述图5实施例阵列基板结构，且两种阵列基板结构不位于同一列，本实施例剩下的像素单元f处对应的阵列基板为上述图1实施例阵列基板结构，关于阵列基板的结构及工作原理在上述实施例中已经进行了详细的叙述，这里不重复。从图7B及图7C实施例中可以看出，遮光电极线701及公共电极线702均为网状结构。
可选地，请一并参阅图8A至图8C，图8A是本申请阵列基板第八实施例的结构示意图；图8B是图8A实施例的遮光电极线的结构示意图；图8C是图8A实施例的公共电极线的结构示意图。本实施例的部分像素单元g对应的阵列基板为图3或图4实施例阵列基板结构，部分像素单元h对应的阵列基板为上述图5实施例阵列基板结构，且两种阵列基板结构不位于同一列，本实施例剩下的阵列基板结构i对应的阵列基板为上述图1实施例像素单元，关于阵列基板的结构及工作原理在上述实施例中已经进行了详细的叙述，这里不重复。从图8B及图8C实施例中可以看出，遮光电极线801及公共电极线802均为网状结构。
区别于现有技术，上述实施例的遮光电极线设置成网状结构，可以实现平行于数据线Data方向和非平行于数据线Data方向的网状电流传导；公共电极线设置成网状结构，可以实现平行于扫描线Scan方向和非平行于扫描线Scan方向的网状电流传导，能够提高像素单元信号的稳定性，从而能够提高阵列基板及显示面板的显示效果。
在一个实施方式中，上述实施例的多个遮光电极线或多个公共电极线可在阵列基板周边区与相互连接。
上述实施例的阴影部分表示本申请对相邻两行像素间公共电极线的连接方式不做具体限定。
当然，在其它实施例中，可规定具有图2、图3或图4不同结构阵列不位于同一行。
从上述实施例可以看出图2实施例像素单元分布越密集，遮光电极线网状结构的网状就越密集；图3或图4实施例像素单元分布越密集，公共电极线的网状结构的网状就越密集，因此可以根据阵列基板及显示面板的显示效果的具体要求及工艺等要求来适当设置，本申请所要保护的阵列基板结构也不仅限于上述实施例所示结构。
请参阅图9，图9是本申请显示面板一实施例的结构示意图。本实施例显示面板901包括阵列基板902、彩色滤光片903及设置于阵列基板902与彩色滤光片903件的液晶层904。阵列基板902与彩色滤光片903调节液晶层904液晶的偏转，控制光透过率。阵列基板902的结构及工作原理已经在上述实施例中进行了详细的叙述，这里不赘述。
区别于现有技术，本实施例显示面板901能够提高显示效果。
请参阅图10，图10是本申请显示装置一实施例的结构示意图。本实施例显示装置1001包括显示面板1002及背光模组1003，背光模组1003给显示面板1002提供背光源，以使显示面板1002进行显示。显示面板1002的结构及工作原理已经在上述实施例中进行了详细的叙述，这里不赘述。
区别于现有技术，本实施例显示装置1001能够提高显示效果。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
多条扫描线、与所述多条扫描线交叉设置的多条数据线、由所述多条扫描线与所述多条数据线限定的多个像素单元、多条遮光电极线及多条公共电极线；其中，所述像素单元包括像素电极；
所述遮光电极线与所述像素电极同层设置，所述遮光电极线设置于所述数据线的相对位置，以遮挡所述数据线；所述公共电极线与所述扫描线同层设置，所述遮光电极线与所述公共电极线相互独立设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括主像素电极及次像素电极，所述公共电极线至少部分与所述次像素电极连接，对所述次像素电极分压，以使所述次像素电极的像素电压小于所述主像素电极的像素电压。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元进一步包括第一开关、第二开关及第三开关；
其中，第一开关的输入端与所述数据线连接，输出端与所述主像素电极连接；所述第二开关的输入端与所述数据线连接，输出端与所述次像素电极连接；所述第三开关的输入端与所述第二开关的输出端连接，所述第三开关的输出端与所述公共电极线的平行于所述扫描线的部分连接，以将所述次像素电极的像素电压分压到所述公共电极线。
4.根据权利要求1的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极线设置于所述数据线上，所述遮光电极线包括平行于所述数据线的第一部分及非平行于所述数据线的第二部分；
其中，所述第一部分用于遮挡所述数据线；所述第二部分用于连接其它所述遮光电极线的所述第一部分，以将所述遮光电极线设置成网状结构。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括第一连接线，所述第一连接线从扫描线层贯穿至像素电极层；所述公共电极线包括平行于所述扫描线的第一部分、平行于所述扫描线的第二部分；其中，所述第一部分与所述第二部分分别设置于所述扫描线的两侧；
相邻所述公共电极线的所述第一部分或所述第二部分连接；且部分或全部所述公共电极线的所述第一部分与所述第二部分通过所述第一连接线及所述像素电极层连接，以将所述公共电极线设置成网状结构。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括第二连接线，所述第二连接线从所述扫描线层贯穿至数据线层；所述公共电极线包括平行于所述扫描线的第一部分、平行于所述扫描线的第二部分；其中，所述第一部分与所述第二部分分别设置于扫描线的两侧；相邻的所述公共电极线的所述第一部分或所述第二部分连接；且部分或全部的所述公共电极线的所述第一部分与所述第二部分通过所述第二连接线及所述数据线层连接，以将所述公共电极线设置成网状。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极线设置于所述数据线上，所述遮光电极线包括平行于所述数据线的第一部分，且部分或全部所述遮光电极线包括非平行于所述数据线的第二部分；
其中，所述第一部分用于遮挡所述数据线；所述第二部分用于连接其它所述遮光电极线的所述第一部分，以将所述遮光电极线设置成网状结构。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极线的所述第二部分为纳米铟锡金属氧化物电极。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
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