CN107483016B - 温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体 - Google Patents

温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体 Download PDF

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Abstract

本发明提供温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体，温度补偿型振荡电路能够用于在降低制造成本的同时实现温度引起的频率偏差小的振荡器。该温度补偿型振荡电路包含：振荡电路，其使振子进行振荡；分数N‑PLL电路，其根据输入的分频比，对所述振荡电路输出的振荡信号的频率进行倍频；温度计测部，其计测温度；以及存储部，其存储有用于校正所述振荡信号的频率温度特性的温度校正表，所述分数N‑PLL电路的所述分频比是根据所述温度计测部的计测值和所述温度校正表来设定的。

Description

温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移 动体
技术领域
本发明涉及温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体。
背景技术
温度补偿型石英振荡器(TCXO：Temperature Compensated Crystal Oscillator)具有石英振子和用于使该石英振子振荡的温度补偿型振荡电路，该温度补偿型振荡电路在规定的温度范围内对石英振子的振荡频率与期望频率(标称频率)的偏差(频率偏差)进行补偿(温度补偿)，由此获得较高的频率精度。例如，在专利文献1中公开了这样的温度补偿型石英振荡器(TCXO)。
专利文献1：国际公开第2004/025824号
但是，在如专利文献1所记载的以往的温度补偿型石英振荡器(TCXO)中，为了实现较高的频率精度(较小的频率偏差)，对温度传感器要求较高的计测精度，在其制造工序中，需要将温度传感器调整为在规定的温度输出规定的值，在使振荡器的温度准确地稳定在多个期望的温度的状态下计算温度补偿系数，所以难以降低制造成本。
发明内容
本发明正是鉴于以上问题而完成的，根据本发明的几个方式，可提供一种能够用于在降低制造成本的同时实现温度引起的频率偏差小的振荡器的温度补偿型振荡电路。此外，根据本发明的几个方式，能够提供一种制造成本降低且温度引起的频率偏差小的振荡器。此外，根据本发明的几个方式，能够提供一种使用了该振荡器的电子设备以及移动体。此外，根据本发明的几个方式，能够提供一种能够以较低成本实现频率偏差小的振荡器的振荡器的制造方法。
本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的温度补偿型振荡电路包含：振荡电路，其使振子进行振荡；分数N-PLL电路，其根据输入的分频比，对所述振荡电路输出的振荡信号的频率进行倍频；温度计测部，其计测温度；以及存储部，其存储有用于校正所述振荡信号的频率温度特性的温度校正表，所述分数N-PLL电路的所述分频比是根据所述温度计测部的计测值和所述温度校正表来设定的。
在本应用例的温度补偿型振荡电路中，与温度计测部的计测值相对应地设定用于校正振荡信号的频率温度特性的分数N-PLL电路的分频比，所以如果即使温度计测部的计测绝对精度较低，实际的温度和温度计测值的对应关系也不发生变动，则能够输出频率温度特性得以校正的频率偏差小的振荡信号。因此，通过使用本应用例的温度补偿型振荡电路，能够实现温度引起的频率偏差小的振荡器。此外，通过使用本应用例的温度补偿型振荡电路，也无需使振荡器的温度准确地稳定在多个期望的温度来生成温度校正表，所以制造工时减少，能够降低振荡器的制造成本。
[应用例2]
也可以是，上述应用例的温度补偿型振荡电路包含：端子；控制部，其能够设定为用于更新所述温度校正表的更新模式；以及温度校正表更新部，其在所述更新模式下，根据所述分数N-PLL电路的输出信号和从所述端子输入的基准时钟信号，更新所述温度校正表。
[应用例3]
在上述应用例的温度补偿型振荡电路中，也可以是，在所述更新模式下，所述温度校正表更新部计算用于使所述分数N-PLL电路的输出信号的频率接近所述基准时钟信号的频率的所述分频比，利用该分频比来更新所述温度校正表。
通过将这些应用例的温度补偿型振荡电路设定为更新模式，根据从端子输入的基准时钟信号，自动更新(生成)温度校正表。因此，通过使用本应用例的温度补偿型振荡电路，检查装置无需进行生成温度校正表的处理，此外，由于能够同时制造多个振荡器，所以能够降低振荡器的制造成本。
[应用例4]
也可以是，上述应用例的温度补偿型振荡电路包含分频比计算部，在所述温度校正表中未记述与所述温度计测部的计测值对应的所述分频比的情况下，该分频比计算部使用在所述温度校正表中记述的多个所述分频比，计算与所述计测值对应的所述分频比。
例如，也可以是，在所述温度校正表中未记述与所述温度计测部的计测值对应的所述分频比的情况下，所述分频比计算部使用在所述温度校正表中记述的、与比所述温度计测部的计测值小的计测值对应的所述分频比和与比所述温度计测部的计测值大的计测值对应的所述分频比，插补计算与所述温度计测部的计测值对应的所述分频比。
在本应用例的温度补偿型振荡电路中，由于近似计算未在温度校正表中记述的与计测值对应的分频比，所以能够减小温度校正表的尺寸。因此，通过使用本应用例的温度补偿型振荡电路，能够降低振荡器的制造成本。
[应用例5]
本应用例的振荡器具有：上述任意一个温度补偿型振荡电路；以及所述振子。
根据本应用例，由于使用如下温度补偿型振荡电路，所以能够在降低制造成本的同时实现温度引起的频率偏差小的振荡器，该温度补偿型振荡电路与温度计测部的计测值相对应地设定用于校正振荡信号的频率温度特性的分数N-PLL电路的分频比，所以即使温度计测部的计测精度较低，也能够输出频率偏差小的振荡信号。
[应用例6]
本应用例的电子设备具有上述振荡器。
[应用例7]
本应用例的移动体具有上述振荡器。
根据这些应用例，能够实现具有频率偏差小的振荡器的、可靠性更高的电子设备和移动体。
[应用例8]
本应用例的振荡器的制造方法包含：组装振荡器的工序，所述振荡器具有：端子、振子和温度补偿型振荡电路，所述温度补偿型振荡电路包含：振荡电路，其用于使所述振子进行振荡；分数N-PLL电路，其根据输入的分频比，对所述振荡电路输出的振荡信号的频率进行倍频；温度计测部，其计测温度；存储部，其存储有用于校正所述振荡信号的频率温度特性的温度校正表；控制部，其能够设定为用于更新所述温度校正表的更新模式；以及温度校正表更新部，其根据所述分数N-PLL电路的输出信号和从所述端子输入的基准时钟信号，更新所述温度校正表，所述分数N-PLL电路的所述分频比是根据所述温度计测部的计测值和所述温度校正表来设定的；将所述温度补偿型振荡电路设定为所述更新模式的工序；以及将所述基准时钟信号输入到所述端子，使所述振荡器的温度在规定的范围内变化的工序。
根据本应用例的振荡器的制造方法，通过将温度补偿型振荡电路设定为更新模式，根据基准时钟信号，来自动更新(生成)用于在规定的温度范围内校正振荡信号的频率温度特性的温度校正表，所以检查装置无需进行生成温度校正表的处理，此外，由于能够同时制造多个振荡器，所以能够降低振荡器的制造成本。
附图说明
图1是本实施方式的振荡器的立体图。
图2是本实施方式的振荡器的剖视图。
图3是本实施方式的振荡器的仰视图。
图4是第1实施方式的振荡器的功能框图。
图5是示出振荡电路的输出信号的频率温度特性的一例的图。
图6是示出温度计测部的输出信号的温度特性的一例的图。
图7是示出第1实施方式中的温度校正表的结构的一例的图。
图8是示出分数N-PLL电路的结构例的图。
图9是示出第1实施方式中的温度校正表更新处理的步骤的一例的流程图。
图10是示出温度校正表更新处理中的信号波形的一例的图。
图11是示出本实施方式的振荡器的制造方法的一例的流程图。
图12是示出振荡器的外部端子的信号波形的一例的图。
图13是第2实施方式的振荡器的功能框图。
图14是示出第2实施方式中的温度校正表的结构的一例的图。
图15是示出第2实施方式中的温度校正表更新处理的步骤的一例的流程图。
图16是本实施方式的电子设备的功能框图。
图17是示出本实施方式的电子设备的外观的一例的图。
图18是示出本实施方式的移动体的一例的图。
标号说明
1：振荡器；2：温度补偿型振荡电路；3：振子；3a：激励电极；3b：激励电极；4：封装；5：盖(盖体)；6：外部端子(外部电极)；7：收纳室；21：振荡电路；22：分数N-PLL电路；23：输出电路；24：控制部；25：温度计测部；26：存储部；27：温度校正表更新部；28：分频比计算部；221：相位比较器；222：电荷泵；223：低通滤波器；224：压控振荡电路；225：分频电路；226：时钟生成电路；227：增量累加调制电路；228：加减法电路；261：温度校正表：300：电子设备：310：振荡器：312：温度补偿型振荡电路；313：振子；320：CPU；330：操作部；340：ROM；350：RAM；360：通信部；370：显示部；400：移动体；410：振荡器；420、430、440：控制器；450：电池；460：备用电池。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式不对权利要求所记载的本发明的内容进行不合理限定。此外，以下说明的所有结构并非都是本发明必需的结构要件。
1.振荡器
1-1.第1实施方式
[振荡器的结构]
图1～图3是示出本实施方式的振荡器1的结构的一例的图。图1是振荡器1的立体图，图2是图1的A-A’剖视图。此外，图3是振荡器1的仰视图。
本实施方式的振荡器1是温度补偿型振荡器，如图1～图3所示，构成为包含温度补偿型振荡电路2、振子3、封装4、盖(盖体)5和外部端子(外部电极)6。在本实施方式中，虽然设振子3为石英振子，但例如也可以是SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)谐振器、其它压电振子或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械***)振子等。此外，作为振子3的基板材料，可使用石英、钽酸锂、铌酸锂等压电单晶体、锆钛酸铅等压电陶瓷等压电材料或硅半导体材料等，作为振子3的激励手段，既可以使用基于压电效应的手段，也可以使用基于库仑力的静电驱动。
封装4将温度补偿型振荡电路2和振子3收纳在同一空间内。具体而言，在封装4中设置有凹部，通过用盖5覆盖凹部而形成为收纳室7。在封装4的内部或凹部的表面设置有未图示的布线，该布线用于将温度补偿型振荡电路2的2个端子(后述的图3的XG端子和XD端子)和振子3的2个端子(激励电极3a和3b)分别电连接。此外，在封装4的内部或凹部的表面设置有未图示的布线，该布线用于将温度补偿型振荡电路2的各端子和对应的各外部端子6电连接。
振子3在其正面和反面分别具有金属的激励电极3a和3b，以与振子3的形状或质量对应的期望频率(振荡器1所要求的目标频率)进行振荡，该振子3包含激励电极3a和3b。
如图3所示，振荡器1在底面(封装4的反面)设置有作为电源端子的外部端子VCC、作为接地端子的外部端子GND、作为输入输出端子的外部端子OE和作为输入输出端子的外部端子OUT的4个外部端子6。向外部端子VCC供给电源电压，外部端子GND被接地。
图4是本实施方式的振荡器1的功能框图。如图4所示，第1实施方式的振荡器1构成为包含温度补偿型振荡电路2和振子3。温度补偿型振荡电路2设置有作为电源端子的VCC端子、作为接地端子的GND端子、作为输入输出端子的OE端子、作为输入输出端子的OUT端子、作为与振子3连接的端子的XG端子和XD端子。VCC端子、GND端子、OE端子和OUT端子露出于温度补偿型振荡电路2的表面，分别与设置在封装4上的振荡器1的外部端子VCC、GND、OE、OUT连接。此外、XG端子与振子3的一端(一个端子)连接、XD端子与振子3的另一端(另一个端子)连接。
在本实施方式中，温度补偿型振荡电路2构成为包含振荡电路21、分数N-PLL电路22、输出电路23、控制部24、温度计测部25、存储部26和温度校正表更新部27。另外，温度补偿型振荡电路2也可以构成为省略或变更这些要素的一部分，或者追加其它要素。
在本实施方式中，温度补偿型振荡电路2构成为单芯片的集成电路(IC：Integrated Circuit)，但可以由多芯片的集成电路(IC)构成，也可以一部分由分立部件构成。
振荡电路21将从温度补偿型振荡电路2的XG端子输入的振子3的输出信号放大，经由温度补偿型振荡电路2的XD端子将放大后的信号反馈到振子3，由此使振子3振荡，输出基于振子3的振荡的振荡信号(时钟信号OSCCLK)。例如，由振子3和振荡电路21构成的电路也可以是皮尔斯振荡电路、反相器型振荡电路、考毕兹振荡电路、哈特莱振荡电路等各种类型的振荡电路。
振荡电路21的输出信号(时钟信号OSCCLK)的频率fOSCCLK具有由于振子3的温度特性等引起的频率温度特性。图5是示出振荡电路21的输出信号(时钟信号OSCCLK)的频率温度特性的一例的图。在图5中，横轴是温度(单位：℃)，纵轴是频率(单位：Hz)。在图5的例子中，时钟信号OSCCLK的频率fOSCCLK以基准温度(例如，+25℃附近的温度)为拐点相对于温度按照大致3次曲线发生变化，在保证振荡器1的动作的温度范围(动作保证温度范围)(例如，-40℃～+85℃)内不是恒定的。
返回到图4，分数N-PLL电路22根据输入的分频比，对振荡电路21输出的振荡信号(时钟信号OSCCLK)的频率进行倍频。具体而言，分数N-PLL电路22根据从存储部26所存储的温度校正表261输入的分频比，生成对振荡电路21输出的时钟信号OSCCLK的频率fOSCCLK进行倍频后的时钟信号PLLCLK。这里，在设分频比的整数部分(整数分频比)为N、分数部分(分数分频比)为F/M时，在时钟信号OSCCLK的频率fOSCCLK和时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK之间，下式(1)的关系成立。
Figure BDA0001291916620000071
在本实施方式中，分数N-PLL电路22作为如下电路发挥功能：根据从温度校正表261输出的整数分频比N和分数分频比F/M，校正振荡电路21的输出信号(时钟信号OSCCLK)的频率温度特性(参照图5)。即，从温度校正表261输出的整数分频比N和分数分频比F/M根据温度而发生变化，分数N-PLL电路22根据该整数分频比N和分数分频比F/M，在动作保证温度范围(例如，-40℃～+85℃)内进行动作，使得时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK接近目标频率。如后所述，分数N-PLL电路22的分频比(整数分频比N和分数分频比F/M)是根据温度计测部25的计测值(温度计测值DT)和温度校正表261来设定的。
另外，分数N-PLL电路22可以是如下电路：校正时钟信号OSCCLK的频率温度特性(参照图5)，并且将频率fOSCCLK转换为规定的频率fPLLCLK(例如，频率fOSCCLK的2倍或1/2倍等的频率)而输出。
输出电路23输入有分数N-PLL电路22输出的时钟信号PLLCLK，生成将其振幅调整为了期望电平的振荡信号。输出电路23生成的振荡信号经由温度补偿型振荡电路2的OUT端子和振荡器1的外部端子OUT，输出到振荡器1的外部。
控制部24是控制振荡电路21、输出电路23和温度校正表更新部27的动作的电路。此外，控制部24根据从振荡器1的外部端子经由温度补偿型振荡电路2的端子输入的控制信号，将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为包含外部通信模式、通常工作模式和温度校正表更新模式(用于更新温度校正表的更新模式的一例)的多个模式的各个模式，进行与所设定的工作模式对应的控制。在本实施方式中，在开始向振荡器1的外部端子VCC(温度补偿型振荡电路2的VCC端子)供给电源电压起的规定期间内(即，在电源接通后的规定期间内)，从振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)输入了规定形式的控制信号的情况下，控制部24在经过该规定期间后将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为外部通信模式。例如，控制部24可以设从利用振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的电源接通使振子3开始振荡到检测到振荡稳定(例如，时钟信号OSCCLK成为了期望的振幅)为止的期间为该规定期间，也可以对时钟信号OSCCLK的脉冲数进行计数，如果计数值达到规定的值，判断为经过了该规定期间。此外，例如，控制部24可以根据在振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的电源接通时开始动作的RC时间常数电路的输出信号，计测该规定期间。
在外部通信模式下，从振荡器1的外部端子OE、OUT(温度补偿型振荡电路2的OE、OUT端子)相互同步地输入串行时钟信号和串行数据信号作为控制信号，控制部24例如依照I2C(Inter-Integrated Circuit：内部集成电路)总线的标准，按照串行时钟信号的每个边沿来对串行数据信号进行采样，根据采样的命令和数据，进行工作模式的设定或各工作模式下的控制数据的设定等处理。例如，控制部24通过对用于使振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式转移到各模式(通常工作模式或温度校正表更新模式等)的命令进行采样，将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为该各模式。
在通常工作模式下，在从振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)输入的控制信号(输出使能信号)为有效(例如，高电平)时，控制部24控制为使振荡电路21和输出电路23进行动作。由此，从振荡器1的外部端子OUT(温度补偿型振荡电路2的OUT端子)输出振荡信号。
此外，在通常工作模式下，在从振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)输入的控制信号(输出使能信号)为无效(例如，低电平)时，如果未图示的非易失性存储器所存储的待机比特数据为无效(例如，0)，则控制部24控制为使振荡电路21动作且使输出电路23的动作停止，如果待机比特数据为有效(例如，1)，则控制部24控制为使振荡电路21和输出电路23的动作停止。在这些情况中的任意一个情况下，来自振荡器1的外部端子OUT(温度补偿型振荡电路2的OUT端子)的振荡信号的输出停止。
另外，在电源接通后的规定期间内未从振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)输入规定形式的控制信号的情况下，控部部24在经过该规定期间后，不将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为外部通信模式，而是直接设定为通常工作模式。
此外，在温度校正表更新模式下，控制部24控制为使振荡电路21、输出电路23和温度校正表更新部27进行动作。另外，控制部24在外部通信模式和通常工作模式下，控制为使温度校正表更新部27不进行动作。
温度计测部25是计测温度的电路。在本实施方式中，温度计测部25将计测出的温度转换为作为数字值的温度计测值DT并输出到存储部26。例如，温度计测部25可以构成为包含电压根据温度而发生变化的温度传感器(例如，利用了带隙基准电路的温度特性的温度传感器等)、和将该温度传感器的输出信号转换为温度计测值DT的A/D(Analog toDigital：模数)转换器，也可以构成为包含振荡频率根据温度而发生变化的振荡部、和测量该振荡部的振荡频率并输出与测量结果对应的温度计测值DT的测量部。
图6是示出温度计测部25的输出信号(温度计测值DT)的温度特性的一例的图。在图6中，横轴是温度(单位：℃)，纵轴是温度计测值DT。在图6的例子中，温度计测值DT是8比特的数字值(0～255)，至少在动作保证温度范围(例如，-40℃～+85℃)内，相对于温度变化呈阶梯状地以大致恒定的比率发生变化。即，在图6的例子中，温度计测部25输出8比特的恒定分辨率的温度计测值DT。
返回到图4，存储部26存储有温度校正表261，该温度校正表261用于校正振荡电路21输出的振荡信号(时钟信号OSCCLK)的频率温度特性。具体而言，存储部26具有未图示的非易失性存储器，在该非易失性存储器中存储有温度校正表261。作为该非易失性存储器，例如能够应用EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory：电可擦除可编程只读存储器)或闪存等。
在本实施方式中，温度校正表261是记述温度计测部25输出的温度计测值DT和分数N-PLL电路22的分频比(整数分频比N和分数分频比F/M)的对应关系的表。并且，存储部26选择温度校正表261中的、与温度计测部25输出的8比特的温度计测值DT相对应地记述(存储)的整数分频比N和分数分频比F/M，输出到分数N-PLL电路22。
图7是示出温度校正表261的结构的一例的图。在图7的例子中，记述(存储)有兼用作8比特的地址0～255的8比特的温度计测值DT(0～255)、整数分频比N(X0～X255)和分数分频比F/M(Y0～Y255)的对应关系。在图7的例子中，读出温度校正表261中的、由温度计测部25输出的温度计测值DT作为地址，读出在该地址存储的整数分频比N和分数分频比F/M。由此，将与温度对应的适当的整数分频比N和分数分频比F/M输出到分数N-PLL电路22，在分数N-PLL电路22中校正振荡电路21的频率温度特性。
返回到图4，在温度校正表更新模式下，温度校正表更新部27根据分数N-PLL电路22的输出信号(时钟信号PLLCLK)和从温度补偿型振荡电路2的端子输入的基准时钟信号REFCLK，进行更新温度校正表261的处理(温度校正表更新处理)。具体而言，在温度校正表更新模式下，温度校正表更新部27计算用于使分数N-PLL电路22的输出信号(时钟信号PLLCLK)的频率接近基准时钟信号REFCLK的频率的分频比，利用该分频比和温度计测部25输出的温度计测值DT来更新温度校正表261。在本实施方式中，在温度校正表更新模式下，从振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)输入相对于目标频率的频率偏差足够小的(充分满足振荡器1所要求的频率精度的)基准时钟信号REFCLK，并且振荡器1的周围温度在包含振荡器1的动作保证温度范围(例如，-40℃～+85℃)的温度范围(例如，-45℃～+90℃)内逐渐发生变化，温度校正表更新部27进行温度校正表更新处理。该温度校正表更新处理的详细情况将后述。
[分数N-PLL电路的结构]
图8是示出本实施方式中的分数N-PLL电路22的结构例的图。如图8所示，分数N-PLL电路22构成为包含相位比较器221、电荷泵222、低通滤波器223、压控振荡电路224、分频电路225、时钟生成电路226、增量累加调制电路227和加减法电路228。
相位比较器221对振荡电路21输出的时钟信号OSCCLK和分频电路225输出的时钟信号FBCLK的相位差进行比较，输出比较结果作为脉冲电压。
电荷泵222将相位比较器221输出的脉冲电压转换为电流，低通滤波器223对电荷泵222输出的电流进行平滑化和电压转换。
压控振荡电路224将低通滤波器223的输出电压作为控制电压，输出频率根据控制电压而发生变化的时钟信号PLLCLK。压控振荡电路224能够利用LC振荡电路或使用了石英振子等压电振子的振荡电路等各种类型的振荡电路来实现，其中，LC振荡电路使用线圈等电感元件和电容器等电容元件构成。
分频电路225将加减法电路228的输出信号作为分频比(整数分频比)，输出对压控振荡电路224输出的时钟信号PLLCLK进行整数分频后的时钟信号FBCLK。
时钟生成电路226使用时钟信号FBCLK来生成时钟信号DSMCLK并输出。例如，时钟生成电路226可以直接输出时钟信号FBCLK作为时钟信号DSMCLK，也可以输出对时钟信号FBCLK进行整数分频后的时钟信号DSMCLK。
增量累加调制电路227进行增量累加调制，与时钟生成电路226输出的时钟信号DSMCLK同步地，对从温度校正表261输入的分数分频比F/M进行积分并量化。
加减法电路228对增量累加调制电路227输出的增量累加调制信号和从温度校正表261输入的整数分频比N进行加减运算。将该加减法电路228的输出信号输入到分频电路225。关于加减法电路228的输出信号，整数分频比N附近范围的多个整数分频比按照时间序列发生变化，其时间平均值与N+F/M一致。并且，在时钟信号OSCCLK的相位和时钟信号FBCLK的相位同步的稳态下，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK和时钟信号OSCCLK的频率fOSCCLK满足式(1)的关系，由此时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK接近目标频率。
例如，在时钟信号PLLCLK的目标频率为100MHz的情况下，如果某个温度TA下的时钟信号OSCCLK的频率为99.99MHz，则加减法电路228的输出信号的时间平均值、即分频电路225的分频比的时间平均值需要大约为1.0001。因此，在温度校正表261中，将与温度TA对应的整数分频比N设定为1，将分数分频比F/M设定为大约0.0001。
[温度校正表更新处理]
如上所述，虽然将温度校正表261存储在存储部26的非易失性存储器中，但该非易失性存储器的各比特的初始值不固定。因此，在振荡器1的制造工序中，需要将能够进行时钟信号OSCCLK的频率温度特性的校正的整数分频比N和分数分频比F/M写入到存储有温度校正表261的存储部26的地址中。在本实施方式中，在控制部24将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为温度校正表更新模式时，温度校正表更新部27进行更新温度校正表所存储的整数分频比N和分数分频比F/M的温度校正表更新处理。
图9是示出温度校正表更新部27的温度校正表更新处理的步骤的一例的流程图。
如图9所示，在将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为温度校正表更新模式时，温度校正表更新部27首先对时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK和基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK进行比较(S100)。例如，温度校正表更新部27可以通过对产生时钟信号PLLCLK的规定数量的脉冲的期间(频率比较期间)所包含的基准时钟信号REFCLK的脉冲数进行计数来对频率进行比较，也可以通过对产生基准时钟信号REFCLK的规定数量的脉冲的期间(频率比较期间)所包含的时钟信号PLLCLK的脉冲数进行计数来对频率进行比较。
接着，温度校正表更新部27根据步骤S100中的频率的比较结果，计算用于使时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK的分频比(整数分频比N和分数分频比F/M)(S110)。
接着，温度校正表更新部27取得温度计测部25输出的温度计测值DT，将在步骤S110中计算出的分频比(整数分频比N和分数分频比F/M)与温度计测值DT相对应地写入到存储部26中，更新温度校正表261(S120)。
并且，在继续温度校正表更新模式的期间内(S130的“是”)，温度校正表更新部27继续步骤S100～S120的处理，在温度校正表更新模式结束后(S130的“否”)，结束处理。
另外，在图9的流程图中，可以适当省略或变更步骤S100～S130的处理的一部分，或者追加其它处理。此外，在图9的流程图中，可以在可能的范围内，变更步骤S100～S130的处理顺序。
图10是温度校正表更新部27按照图9所示的步骤进行温度校正表更新处理的情况下的信号波形的一例的图。在图10的例子中，假设温度校正表261如图7那样构成，在温度校正表更新模式开始时，整数分频比N的值X0～X255全部被初始化为1，分数分频比F/M的值Y0～Y255全部被初始化为0。
在图10的例子中，在温度校正表更新模式开始的时刻t0，振荡器1的周围温度例如为-45℃附近，温度计测值DT为0。因此，从存储部26的温度校正表261向分数N-PLL电路22输出的整数分频比N的值为X0(＝1)，分数分频比F/M的值为Y0(＝0)。因此，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK与振荡电路21输出的时钟信号OSCCLK的频率fOSCCLK一致，具有由于振子3的温度特性引起的较大的频率偏差。
在经过频率比较期间(图9的步骤S100的处理期间)以后的时刻t1，温度计测值DT仍然为0，所以可利用由温度校正表更新部27计算出的整数分频比N的值和分数分频比F/M的值，来更新(覆盖)与温度校正表261的温度计测值DT＝0对应的整数分频比N的值X0和分数分频比F/M的值Y0。由此，从温度校正表261输出到分数N-PLL电路22的整数分频比N和分数分频比F/M也被更新，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK。
在进一步经过频率比较期间以后的时刻t2，温度计测值DT仍然为0，所以可利用由温度校正表更新部27计算出的整数分频比N的值和分数分频比F/M的值，来进一步更新(覆盖)与温度校正表261的温度计测值DT＝0对应的整数分频比N的值X0和分数分频比F/M的值Y0。由此，从温度校正表261输出到分数N-PLL电路22的整数分频比N和分数分频比F/M也被更新，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK进一步接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK。
在进一步经过频率比较期间以后的时刻t3，温度计测值DT仍然为0，所以可利用由温度校正表更新部27计算出的整数分频比N的值和分数分频比F/M的值，来进一步更新(覆盖)与温度校正表261的温度计测值DT＝0对应的整数分频比N的值X0和分数分频比F/M的值Y0。由此，从温度校正表261输出到分数N-PLL电路22的整数分频比N和分数分频比F/M也被更新，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK进一步接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK。
然后，在时刻t4，由于振荡器1的周围温度的上升，温度计测值DT从0变化到1，从存储部26的温度校正表261输出到分数N-PLL电路22的整数分频比N的值变化为X1(＝1)，分数分频比F/M的值变化为Y1(＝0)。因此，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK与振荡电路21输出的时钟信号OSCCLK的频率fOSCCLK一致，具有由于振子3的温度特性引起的较大的频率偏差。
接着，在经过频率比较期间以后的时刻t5，温度计测值DT为1，所以可利用由温度校正表更新部27计算出的整数分频比N的值和分数分频比F/M的值，来更新(覆盖)与温度校正表261的温度计测值DT＝1对应的整数分频比N的值X1和分数分频比F/M的值Y1。由此，从温度校正表26输出到分数N-PLL电路22的整数分频比N和分数分频比F/M也被更新，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK。
在进一步经过频率比较期间以后的时刻t6，温度计测值DT仍然为1，所以可利用由温度校正表更新部27计算出的整数分频比N的值和分数分频比F/M的值，来进一步更新(覆盖)与温度校正表261的温度计测值DT＝1对应的整数分频比N的值X1和分数分频比F/M的值Y1。由此，从温度校正表261输出到分数N-PLL电路22的整数分频比N和分数分频比F/M也被更新，时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK进一步接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK。
之后同样，在继续温度校正表更新模式的期间内，在温度计测值DT＝k时，依次更新温度校正表261的整数分频比N的值Xk和分数分频比F/M的值Yk。
[振荡器的制造方法]
图11是示出本实施方式的振荡器的制造方法的一例的流程图。本实施方式的振荡器的制造方法包含图11所示的工序S10～S30。但是，本实施方式的振荡器的制造方法也可以省略或变更工序S10～S30的一部分，或者追加其它工序。此外，图12是示出图11的流程图的工序S10和S20中的振荡器1的外部端子VCC、GND、OE、OUT的信号波形的一例的图。
如图11所示，在本实施方式中，首先，组装包含振子3和温度补偿型振荡电路2的振荡器1(工序S10)。
接着，将控制信号输入到振荡器1的外部端子，将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为温度校正表更新模式(工序S20)。即，如图12所示，在电源接通后的规定期间内，将预先确定的规定形式的信号输入到振荡器1的外部端子OE，将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为外部通信模式，在外部通信模式下，从外部端子OE、OUT分别输入串行时钟信号和串行数据信号(温度校正表更新命令)，将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为温度校正表更新模式。
接着，将基准时钟信号REFCLK输入到振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)，使振荡器1的温度在规定范围内变化(工序S30)。即，如图12所示，在将基准时钟信号REFCLK输入到了振荡器1的外部端子OE的状态下，使振荡器1的周围温度从包含振荡器1的动作保证温度范围(例如，-40℃～+85℃)的温度范围(例如，-45℃～+90℃)的下限到上限(或者从上限到下限)逐渐变化。由此，生成能够在振荡器1的动作保证温度范围(例如，-40℃～+85℃)内校正时钟信号OSCCLK的频率温度特性的温度校正表261。这时，无需使振荡器1的周围温度稳定在每个规定的温度，但在使振荡器1的周围温度变化的速度过快时，温度校正表261的一部分的分频比不会变为适当的值，有可能无法获得充分的频率精度，所以期望使振荡器1的周围温度充分平缓地变化。例如，分别针对8比特的各个温度计测值DT(0～255)计算适当的分频比的值所需的时间分别还不足1秒，所以从-40℃到+85℃内维持恒定速度地使温度每隔几分钟左右发生变化即可。
另外，在图11的流程图中，可以在工序S10中组装多个振荡器1，在工序S20中将该多个振荡器1的工作模式设定为温度校正表更新模式，针对该多个振荡器1同时进行工序S30。由此，由于多个振荡器1能够分别同时生成适当的温度校正表261，所以振荡器1的数量越多，越能够削减整体的制造工时而使振荡器1低成本化。或者，通过使多个振荡器1的周围温度更加平缓地发生变化，即使整体的制造工时增加，每1个振荡器1的制造工时的增加较小，所以能够抑制成本的增加并提高振荡器1的频率精度。
[作用效果]
如以上所说明那样，对于第1实施方式的振荡器1，在温度补偿型振荡电路2中，与温度计测部25输出的温度计测值DT相对应地设定用于校正时钟信号OSCCLK的频率温度特性的分数N-PLL电路22的分频比，所以如果即使温度计测部25的计测精度较低，实际的温度和温度计测值DT的对应关系也不发生变动，则能够实现温度引起的频率偏差小的振荡器。此外，根据第1实施方式，无需为了生成温度校正表261，而用于使振荡器1的周围温度准确地稳定在多个期望的温度的等待时间，所以制造工时减小，能够降低振荡器1的制造成本。
特别是，第1实施方式的振荡器1通过设定为温度校正表更新模式，根据从外部端子OE输入的基准时钟信号REFCLK，来自动更新(生成)温度校正表261，所以检查装置无需进行生成温度校正表261的处理，此外，能够同时制造多个振荡器1。因此，无需用于单独调整振荡器1的大规模的制造装置，也无需调整振荡器1的温度计测部25的特性偏差，所以能够降低振荡器1的制造成本。
1-2.第2实施方式
以下，对于第2实施方式的振荡器1，省略或简略与第1实施方式相同的说明，主要说明与第1实施方式不同的内容。第2实施方式的振荡器1的构造与第1实施方式的振荡器1(图1～图3)相同，因此省略其图示和说明。图13是第2实施方式的振荡器1的功能框图。在图13中，对与图4相同的结构要素标注相同标号。
如图13所示，在第2实施方式的振荡器1中，温度补偿型振荡电路2构成为除了与第1实施方式(图5)相同的结构要素以外，还包含分频比计算部28。
在温度校正表261中记述有与温度计测部25的计测值(温度计测值DT)对应的分频比的情况下，分频比计算部28将该分频比输出到分数N-PLL电路22。具体而言，分频比计算部28根据温度计测值DT，计算存储有与该温度计测值DT对应的分频比的存储部26的地址ADR，利用计算出的地址ADR读出该分频比的值并输出到分数N-PLL电路22。
此外，在温度校正表261中未记述与温度计测值DT对应的分频比的情况下，分频比计算部28使用在温度校正表261中记述的多个分频比，计算(近似计算)与该温度计测值DT对应的分频比并输出到分数N-PLL电路22。例如，在温度校正表261中未记述与温度计测值DT对应的分频比的情况下，分频比计算部28可以使用在温度校正表261中记述的、与比该温度计测值DT小的温度计测值对应的分频比和与比该温度计测值DT大的温度计测值对应的分频比，近似计算(插补计算)与该温度计测值DT对应的分频比。具体而言，分频比计算部28根据温度计测值DT，计算存储部26的多个地址ADR，依次读出并取得在计算出的多个地址ADR存储的多个分频比的值，使用该多个分频比的值来近似计算与温度计测值DT对应的分频比并输出到分数N-PLL电路22，该存储部26存储有与该温度计测值DT对应的分频比的近似计算所需的多个分频比。
图14是示出第2实施方式中的温度校正表261的一例的图。在图14的例子中，记述(存储)有8比特的温度计测值DT(0～255)中的低位2比特均为0的温度计测值DT(0、4、8、……、244、248、252)、整数分频比N’(X0、X4、X8、……、X244、X248、X252)以及分数分频比F/M’(Y0、Y4、Y8、……、Y244、Y248、Y252)的对应关系。总之，图14的温度校正表261相比图7的温度校正表261，构成为每隔4个选择温度计测值DT和分频比的对应关系，并剔除剩余，地址ADR(0～63)与8比特的温度计测值DT(0～255)中的高位6比特的值一致。
在该情况下，如果8比特的温度计测值DT的低位2比特均为0，则由于在温度校正表261中记述有与该温度计测值DT对应的分频比(整数分频比N’和分数分频比F/M’)，所以分频比计算部28以该温度计测值DT的高位6比特的值为地址ADR，从存储部26(温度校正表261)读出整数分频比N’的值和分数分频比F/M’的值，并分别作为整数分频比N和分数分频比F/M输出到分数N-PLL电路22。例如，如果温度计测值DT为0，则分频比计算部28从存储部26(温度校正表261)读出整数分频比N’的值X0和分数分频比F/M’的值Y0，并分别作为整数分频比N和分数分频比F/M输出到分数N-PLL电路22。
此外，如果8比特的温度计测值DT的低位2比特的一方或双方为1，则由于在温度校正表261中未记述与该温度计测值DT对应的分频比(整数分频比N’和分数分频比F/M’)，所以分频比计算部28例如首先以该温度计测值DT的高位6比特的值为地址ADR，从存储部26(温度校正表261)读出整数分频比N’的值和分数分频比F/M’的值。而且，分频比计算部28例如反复使地址ADR的值增加(或者减少)规定数量并读出整数分频比N’的值和分数分频比F/M’的值的处理，取得规定数量的整数分频比N’和分数分频比F/M’的值。并且，分频比计算部28使用所取得的规定数量的整数分频比N’和分数分频比F/M’的值，近似计算与温度计测值DT对应的整数分频比N和分数分频比F/M的值并输出到分数N-PLL电路22。例如，在时钟信号OSCCLK的频率温度特性为3次曲线的情况下(参照图5)，如果温度计测值DT为3，则分频比计算部28从存储部26(温度校正表261)的地址0、1、2读出整数分频比N’的值X0、X4、X8和分数分频比F/M’的值Y0、Y4、Y8，确定3次函数，将温度计测值DT＝3代入该3次函数中，近似计算(插补计算)对应的分频比(整数分频比N和分数分频比F/M)并输出到分数N-PLL电路22，在该3次函数中，在温度计测值DT＝0时，分频比≒X0+Y0，在温度计测值DT＝4时，分频比≒X4+Y4，在温度计测值DT＝8时，分频比≒X8+Y8。
另外，在温度校正表261中未记述与温度计测值DT对应的分频比的情况下，分频比计算部28从存储部26(温度校正表261)取得的整数分频比N’和分数分频比F/M’的值的规定数量、使地址ADR的值增加(或者减少)的规定数量以使整数分频比N和分数分频比F/M的近似计算值满足充分精度的方式，根据时钟信号OSCCLK的频率温度特性适当确定即可。
在温度校正表更新模式下，温度校正表更新部27根据分数N-PLL电路22的输出信号(时钟信号PLLCLK)和从温度补偿型振荡电路2的外部输入的基准时钟信号REFCLK，进行更新温度校正表261的处理(温度校正表更新处理)。具体而言，在温度校正表更新模式下，仅在温度校正表261中记述有与温度计测部25输出的温度计测值DT对应的分频比的情况下，温度校正表更新部27计算分频比，利用该分频比和温度计测部25输出的温度计测值DT来更新温度校正表261，该分频比用于使分数N-PLL电路22的输出信号(时钟信号PLLCLK)的频率接近基准时钟信号REFCLK的频率。在第2实施方式中，也与第1实施方式同样，在温度校正表更新模式下，从振荡器1的外部端子OE(温度补偿型振荡电路2的OE端子)输入相对于目标频率的频率偏差足够小的(充分满足振荡器1所要求的频率精度的)基准时钟信号REFCLK，并且振荡器1的周围温度在包含振荡器1的动作保证温度范围(例如，-40℃～+85℃)的温度范围(例如，-45℃～+90℃)内逐渐发生变化，温度校正表更新部27进行温度校正表更新处理。
图15是示出第2实施方式中的温度校正表更新部27的温度校正表更新处理的步骤的一例的流程图。
如图15所示，在将振荡器1(温度补偿型振荡电路2)的工作模式设定为温度校正表更新模式时，温度校正表更新部27首先取得由温度计测部25输出的温度计测值DT(S200)。
接着，如果在温度校正表261中记述有与在步骤S200中取得的温度计测值DT对应的分频比，则温度校正表更新部27判断为是更新对象，如果未记述与在步骤S200中取得的温度计测值DT对应的分频比，则温度校正表更新部27判断为不是更新对象(S210)。例如，在温度校正表261如图14那样构成的情况下，如果在步骤S200中取得的温度计测值DT为0、4、8、……、244、248、252中的任意一个，则温度校正表更新部27判断为更新对象，如果温度计测值DT为除这些以外的值，则温度校正表更新部27判断为不是更新对象。
并且，在判断为不是更新对象的情况下(S210的“否”)，温度校正表更新部27再次进行步骤S200的处理。此外，在判断为是更新对象的情况下(S210的“是”)，温度校正表更新部27对时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK和基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK进行比较(S220)。
接着，温度校正表更新部27根据步骤S220中的频率的比较结果，计算用于使时钟信号PLLCLK的频率fPLLCLK接近基准时钟信号REFCLK的频率fREFCLK的分频比(整数分频比N’和分数分频比F/M’)(S230)。
接着，温度校正表更新部27将在步骤S230中计算出的分频比(整数分频比N’和分数分频比F/M’)与在步骤S200中取得的温度计测值DT相对应地写入到存储部26中，更新温度校正表261(S240)。
并且，在继续温度校正表更新模式的期间内(S250的“是”)，温度校正表更新部27继续步骤S200～S240的处理，在结束温度校正表更新模式时(S250的“否”)，温度校正表更新部27结束处理。
另外，在图15的流程图中，可以适当省略或变更步骤S200～S250的处理的一部分，或者追加其它处理。此外，在图15的流程图中，可以在可能的范围内，变更步骤S200～S250的处理顺序。
第2实施方式的振荡器的制造方法可以与第1实施方式(图11)相同，所以省略其流程图的图示和说明。
以上所说明的第2实施方式的振荡器1起到与第1实施方式的振荡器1相同的作用效果。而且，对于第2实施方式的振荡器1，在温度补偿型振荡电路2中，近似计算与温度校正表261未记述的温度计测值DT对应的分频比，所以能够减小温度校正表261的尺寸。因此，根据第2实施方式，能够进一步降低振荡器的制造成本。
1-3.变形例
例如，第1实施方式或第2实施方式的振荡器1是具有温度补偿功能的振荡器(TCXO等)，但也可以是具有温度补偿功能和频率控制功能的振荡器(VC-TCXO(VoltageControlled Temperature Compensated Crystal Oscillator：压控温度补偿型晶体振荡器)等)等。
2.电子设备
图16是示出本实施方式的电子设备的结构的一例的功能框图。此外，图17是示出作为本实施方式的电子设备的一例的智能手机的外观的一例的图。
本实施方式的电子设备300构成为包含振荡器310、CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)320、操作部330、ROM(Read Only Memory：只读存储器)340、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)350、通信部360和显示部370。另外，本实施方式的电子设备也可以构成为省略或变更图16的结构要素(各部件)的一部分，或者附加其它结构要素。
振荡器310具有温度补偿型振荡电路312和振子313。温度补偿型振荡电路312使振子313振荡而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器310的外部端子被输出到CPU320。
CPU 320是如下处理部：依照ROM 340等所存储的程序，将从振荡器310输入的振荡信号作为时钟信号，进行各种计算处理和控制处理。具体而言，CPU 320进行与来自操作部330的操作信号对应的各种处理、为了与外部装置进行数据通信而控制通信部360的处理、发送用于使各种信息显示在显示部370上的显示信号的处理等。
操作部330是由操作键、按钮开关等构成的输入装置，将与用户操作对应的操作信号输出到CPU 320。
ROM 340是如下存储部：存储用于使CPU 320进行各种计算处理和控制处理的程序和数据等。
RAM 350是如下存储部：被用作CPU 320的工作区域，暂时存储从ROM 340读出的程序和数据、从操作部330输入的数据、CPU 320依照各种程序执行的运算结果等。
通信部360进行用于建立CPU 320与外部装置之间的数据通信的各种控制。
显示部370是由LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)等构成的显示装置，根据从CPU 320输入的显示信号显示各种信息。可以在显示部370上设置作为操作部330发挥功能的触摸面板。
通过应用例如上述各实施方式的振荡器1作为振荡器310，或者应用上述各实施方式中的温度补偿型振荡电路2作为温度补偿型振荡电路312，CPU 320能够根据频率偏差小的(频率精度高的)振荡信号来进行各种处理，所以能够实现可靠性高的电子设备。
作为这样的电子设备300，可考虑各种电子设备，例如可列举出个人计算机(例如移动型个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机)、智能手机或移动电话机等移动终端、数字照相机、喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、路由器或开关等存储区域网络设备、局域网设备、移动终端基站用设备、电视、摄像机、录像机、车载导航装置、实时时钟装置、寻呼机、电子记事本(也包含带通信功能的)、电子辞典、计算器、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、视频电话、防盗用电视监视器、电子双筒镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器、运动追踪器、运动***、运动控制器、PDR(步行者位置方位计测)等。
作为本实施方式的电子设备300的一例，可列举出作为终端基站用装置等发挥功能的传输装置，该终端基站用装置使用上述振荡器310作为基准信号源，例如通过有线或无线的方式与终端进行通信。通过应用例如上述各实施方式的振荡器1作为振荡器310，还能够以比以往低的成本实现例如可用于通信基站等的可期望高频率精度、高性能、高可靠性的电子设备300。
此外，作为本实施方式的电子设备300的另一例，也可以是如下的通信装置，在该通信装置中，通信部360接收外部时钟信号，CPU 320(处理部)包含根据该外部时钟信号和振荡器310的输出信号(内部时钟信号)来控制振荡器310的频率的频率控制部。该通信装置例如可以是在Stratum3等主干***网络设备或毫微微小区中使用的通信设备。
3.移动体
图18是示出本实施方式的移动体的一例的图(俯视图)。图18所示的移动体400构成为包含振荡器410、进行发动机***、制动***、无匙门禁***等的各种控制的控制器420、430、440、电池450和备用电池460。另外，本实施方式的移动体也可以构成为省略图18的结构要素(各部件)的一部分，或者附加其它结构要素。
振荡器410具有未图示的温度补偿型振荡电路和振子，温度补偿型振荡电路使振子振荡而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器410的外部端子被输出到控制器420、430、440，例如被用作时钟信号。
电池450向振荡器410和控制器420、430、440供给电力。在电池450的输出电压下降到低于阈值时，备用电池460向振荡器410和控制器420、430、440供给电力。
通过应用例如上述各实施方式的振荡器1作为振荡器410，或者，应用上述各实施方式中的温度补偿型振荡电路2作为振荡器410所具有的温度补偿型振荡电路，控制器420、430、440能够根据频率偏差小的(频率精度高的)振荡信号来进行各种控制，所以能够实现可靠性高的移动体。
作为这样的移动体400，可以考虑各种移动体，例如可列举出汽车(也包含电动汽车)、喷气式飞机或直升飞机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
本发明不限于本实施方式，能够在本发明的主旨范围内实施各种变形。
上述实施方式和变形例是一个例子，并非限定于此。例如，还能够适当组合各实施方式和各变形例。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质相同的结构(例如，功能、方法和结果相同的结构，或者目的和效果相同的结构)。此外，本发明包含对实施方式中说明的结构的非本质部分进行置换后的结构。此外，本发明包含能够起到与在实施方式中说明的结构相同作用效果的结构或达到相同目的的结构。此外，本发明包含对在实施方式中说明的结构附加了公知技术后的结构。

Claims (7)

1.一种温度补偿型振荡电路，其中，该温度补偿型振荡电路包含：
振荡电路，其使振子进行振荡；
分数N-PLL电路，其根据输入的分频比，对所述振荡电路输出的振荡信号的频率进行倍频；
温度计测部，其计测温度；以及
存储部，其存储有用于校正所述振荡信号的频率温度特性的温度校正表；
第1端子，其与所述振荡电路连接，接收所述振子的输出信号；
第2端子，其与所述第1端子分离，从外部输入基准时钟信号；
控制部，其能够设定为用于更新所述温度校正表的更新模式；以及
温度校正表更新部，其在所述更新模式下，根据所述分数N-PLL电路的输出信号和从所述第2端子输入的所述基准时钟信号，更新所述温度校正表，
所述分数N-PLL电路的所述分频比是根据所述温度计测部的计测值和所述温度校正表来设定的。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型振荡电路，其中，
在所述更新模式下，所述温度校正表更新部计算用于使所述分数N-PLL电路的输出信号的频率接近所述基准时钟信号的频率的所述分频比，利用该分频比来更新所述温度校正表。
3.根据权利要求1或2所述的温度补偿型振荡电路，其中，
该温度补偿型振荡电路包含分频比计算部，在所述温度校正表中未记述与所述温度计测部的计测值对应的所述分频比的情况下，该分频比计算部使用在所述温度校正表中记述的多个所述分频比，计算与所述计测值对应的所述分频比。
4.一种振荡器，其中，该振荡器具有：
权利要求1～3中的任意一项所述的温度补偿型振荡电路；以及
所述振子。
5.一种电子设备，其中，该电子设备具有权利要求4所述的振荡器。
6.一种移动体，其中，该移动体具有权利要求4所述的振荡器。
7.一种振荡器的制造方法，其中，该振荡器的制造方法包含以下工序：
组装振荡器的工序，所述振荡器具有：端子、振子和温度补偿型振荡电路，所述温度补偿型振荡电路包含：振荡电路，其用于使所述振子进行振荡；第1端子，其与所述振荡电路连接，接收所述振子的输出信号；第2端子，其与所述第1端子分离，从外部输入基准时钟信号；分数N-PLL电路，其根据输入的分频比，对所述振荡电路输出的振荡信号的频率进行倍频；温度计测部，其计测温度；存储部，其存储有用于校正所述振荡信号的频率温度特性的温度校正表；控制部，其能够设定为用于更新所述温度校正表的更新模式；以及温度校正表更新部，其根据所述分数N-PLL电路的输出信号和从所述第2端子输入的所述基准时钟信号，更新所述温度校正表，所述分数N-PLL电路的所述分频比是根据所述温度计测部的计测值和所述温度校正表来设定的；
将所述温度补偿型振荡电路设定为所述更新模式的工序；以及
将所述基准时钟信号输入到所述端子，使所述振荡器的温度在规定的范围内变化的工序。
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