CN107465874B - 一种暗电流处理方法及移动终端 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种暗电流处理方法及移动终端,该方法包括:在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。本发明通过预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系以及终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,确定图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样,在后续地暗电流扣除处理时,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。

Description

一种暗电流处理方法及移动终端
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种暗电流处理方法及移动终端。
背景技术
由于杂质,受热等原因的影响,物理器件不可能是绝对理想的。如CMOS传感器在没有光照射到像素单元上,也会产生电荷。将这些电荷所产生的电流叫暗电流。其中,暗电流和光照产生的电荷很难区分。
目前,扣除暗电流的方式通常是将传感器内部排列的一些感光像素单元遮黑,通过模拟其他因素产生的暗电流,对暗电流进行统计、计算和扣除。
采用现有的暗电流计算和扣除技术,在不同区域像素单元的介质、发热存在较大差异时,很难让各个画面区域达到最佳效果;还有,随着WDR(宽动态范围,Wide DynamicRange)传感器的应用,现有的暗电流计算和扣除技术,也会导致不同曝光设定的区域暗电流因扣除不当而出现偏色问题。
发明内容
本发明实施例提供一种暗电流处理方法及移动终端,以解决现有图像传感器暗电流的计算存在的画面偏色问题。
第一方面,本发明实施例提供一种暗电流处理方法,包括:
在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;
基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。
第二方面,本发明实施例提供一种移动终端,包括:
第一获取模块,用于在摄像头采集预览图像时,获取图像传感器的当前传感器增益值;
暗电流确定模块,用于基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。
第三方面,本发明实施例提供一种移动终端,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现如本发明实施例第一方面提供的暗电流处理方法的步骤。
第四方面,本发明实施例提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如本发明实施例第一方面提供的暗电流处理方法的步骤。
在本发明实施例中,通过预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系以及终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,确定图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样,在后续地暗电流扣除处理时,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例的暗电流处理方法的流程图;
图2为本发明另一实施例的暗电流处理方法流程图;
图3为本发明实施例的图像传感器的感光像素区域的暗像素分布示意图之一;
图4为本发明基于图2的又一实施例的暗电流处理方法流程图;
图5为本发明又一实施例的暗电流处理方法流程图;
图6为本发明实施例的图像传感器的感光像素区域的暗像素分布示意图之二;
图7为本发明实施例的图像传感器的感光像素区域的暗像素分布示意图之三;
图8为本发明基于图5的又一实施例的暗电流处理方法流程图;
图9为本发明基于图1的又一实施例的暗电流处理方法流程图;
图10为本发明基于图1的再一实施例的暗电流处理方法流程图;
图11为本发明一实施例提供的移动终端结构示意图;
图12为本发明另一实施例提供的移动终端结构示意图;
图13为本发明又一实施例提供的移动终端结构示意图;
图14为本发明再一实施例提供的移动终端结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,为本发明实施例的暗电流处理方法流程图。下面就该图具体说明该方法的实施过程。
步骤101,当摄像头采集预览图像时,获取图像传感器的当前传感器增益值。
步骤102,基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。
需说明的是,图像传感器是利用微电子技术制成的表面光电器件,利用其内的光敏单元(即像素感光单元)阵列,通过半导体的光电效应将光线转换成电荷并进行收集,再进一步转换成电压信号,从而形成对应于景物的电子图像,其中每一个光敏单元对应图像中的一个像素。
本发明的图像传感器的感光像素区域由多个光敏单元组成。
具体的,感光像素区域内被遮黑的像素单元称为暗像素。
本发明实施例提供的暗电流处理方法,通过预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系以及终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,确定图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样,在后续地暗电流扣除处理时,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。
如图2所示,为本发明另一实施例的暗电流处理方法流程图。下面就该图具体说明该方法的实施过程。
步骤201,在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;
步骤202,根据公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值。
其中,所述感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数;OBr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流;OBcr表示标定暗电流,所述标定暗电流用于表示无光拍照条件下,且传感器增益为1时对应的所述感光像素子区域内暗像素的电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetr表示不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
这里,图像传感器的感光像素区域被划分为M×N个感光像素子区域。需要说明的是,每个感光像素子区域内像素包括多个感光像素(即像素感光单元),暗像素分布于该多个感光像素中,如图3所示。
具体的,该多个感光像素构成红色像素R通道、绿色像素GB通道、绿色像素GR通道和蓝色像素B通道。
每个像素通道中均分布有至少一个暗像素。
上述将暗像素区域化、局部化的排列方式有利于后续更准确地对局部暗电流进行处理,避免出现局部区域因暗电流处理不当造成的偏色问题。
还有,在上述暗电流计算公式中,需要说明的是,OBr和G为未知变量,其余均为已知量,这些已知量预先存储于预设存储器内,比如图像传感器自带的OTP或者其他可读可写的存储器。
优选的,如图4所示,对应于本实现方式中暗像素排列方式,所述方法在步骤202之前,还包括:
步骤203,根据预先获得的所述图像传感器中分布于感光像素区域内每个暗像素的位置信息,对每个所述暗像素进行坏点补偿。
这里需要说明的是,感光像素区域内的每个暗像素的位置信息预先存储于预设存储器内,比如图像传感器自带的OTP或者其他可读可写的存储器。
这里,由于每个感光像素子区域内均分布有暗像素,由于这些暗像素为不随感光度变化,始终呈现同一种颜色的像素点,这样会直接影响图像质量,所以对其进行补偿,提升成像质量是非常有必要的。
坏点补偿方法可以有很多种,比如,使用相同像素通道相邻像素的值进行替换;或者使用相同像素通道相邻的n个像素求平均后替换;或者利用中值算法进行坏点补偿,最后完成对每个暗像素的坏点补偿。
本发明实施例提供的暗电流处理方法,在图像传感器的感光像素包括M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数时,通过预设暗电流计算公式以及终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,计算图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样的暗像素区域化、局部化的排列方式有利于后续更准确地对局部暗电流进行处理,避免出现局部区域因暗电流处理不当造成的偏色问题。
如图5所示,为本发明又一实施例的暗电流处理方法流程图。下面就该图具体说明该方法的实施过程。
步骤301,在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;
步骤302,根据公式和公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值。
其中,所述感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素;OBl表示长曝光暗像素的暗电流;OBcl表示长曝光暗像素的标定暗电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cl表示长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetl表示不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值;OBs表示短曝光暗像素的暗电流;OBcs表示短曝光暗像素的标定暗电流值;Cs表示短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsets表示不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
这里,预设像素排列方式有多种。例如WDR sensor中的两行短曝光两行长曝光传感器、Z字形长短曝光传感器等。
具体的,如图6所示,感光像素区域中感光像素按照两行短曝光两行长曝光排列,其中,暗像素包括:短曝光暗像素和长曝光暗像素,分别位于感光像素区域的边缘,也按照两行短曝光和两行长曝光排列。
如图7所示,感光像素区域中感光像素按照Z字形长短曝光排列,其中,暗像素包括:短曝光暗像素和长曝光暗像素,分别对应连接Z字形短曝光像素和Z字形长曝光像素,也按照Z字形像素排列方式排列。
综上,这样的暗像素排列方式,即不同曝光设定的像素连接不同的暗像素,能够针对不同曝光设定对画面像素暗电流的影响进行特定的暗电流处理。如此可避免长短曝光的画面暗电流不一致但使用相同的暗电流处理而导致的偏色问题。
还有,在上述两个暗电流计算公式中,分别对应长曝光暗像素排列和短曝光暗像素排列。其中需要说明的是,OBl、OBs和G为未知变量,其余均为已知量,这些已知量预先存储于预设存储器内,比如图像传感器自带的OTP或者其他可读可写的存储器。
优选的,对应于本实现方式中暗像素排列方式,如图8所示,所述方法在步骤302之后,还包括:
步骤303,对所述图像传感器输出的经长短曝光后的原始图像进行像素分离,生成长曝光图像和短曝光图像。
这里,图像传感器确定了第一个像素是长曝光还是短曝光后,根据Z字形排列方式(如zig zag pattern),每个像素就可以确定是长曝光还是短曝光。这样便能够把长曝光像素提取出来生成一张长曝光帧,把短曝光像素分离出来生成一张短曝光帧。
步骤304,分别对所述长曝光图像和短曝光图像进行画面重建,生成全像素长曝光图像和全像素短曝光图像,其中,所述长曝光图像的像素个数和短曝光图像的像素个数均为所述原始图像的像素个数的二分之一;所述全像素长曝光图像的像素个数和所述全像素短曝光图像的像素个数均等于所述原始图像的像素个数。
需说明的是,由于步骤303中生成的长短曝光帧都只有原来像素的一半,所以需要将长短曝光帧重建为全像素。比如,短曝光帧,需要将原来的长曝光帧恢复出来,可以使用短曝光相邻的像素加权等方法计算出来,同时增加方向性判断,能够达到减低解析力的损失的目的。
本发明实施例提供的暗电流处理方法,在图像传感器的感光像素包括具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域时,通过预设暗电流计算公式以及终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,计算图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样的不同曝光设定的像素连接不同的暗像素的像素排列方式,能够针对不同曝光设定对画面像素暗电流的影响进行特定的暗电流处理,如此可避免长短曝光的画面暗电流不一致但使用相同的暗电流处理而导致的偏色问题。
在图1所示的基础上,优选的,如图9所示,在步骤101之前,所述方法还包括:
步骤103,在无光拍照条件下,分别获取所述图像传感器在不同传感器增益下,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值。
这里需要说明的是,首先需要测得图像传感器的传感器增益为1时,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值。而且,传感器增益为1时对应的所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值作为标定暗电流值,存储于预设存储器中,如图像传感器自带的OTP或者其他可读可写的存储器。
步骤104,根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系。
这里,不同传感器增益对应感光像素区域内每个暗像素的暗电流值不同。
本步骤具体包括:
步骤1041,确定不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值;
步骤1042,根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流的关系系数。
下面分别以不同的暗像素排列方式具体说明上述步骤103~步骤104的实现过程。
1)感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数。
具体的,将图像传感器的感光像素区域划分为16×16个子区域。
首先,在无光拍照条件下,即全黑环境下,设置传感器增益为1倍时,拍图片读取到暗电流值OB0,OB1,OB2···OB255;
这里,该步骤中读取到的暗电流值烧录到图像传感器自带的OTP中,用于后期的读取调用。
接着,在设置传感器增益分别为2倍、4倍、8倍、12倍、16倍直到最大传感器增益的条件下拍图片,分别统计出每个感光像素子区域在以上设定的传感器增益下的暗电流值,计算出同一感光像素子区域不同传感器增益下的暗电流值差异;
这里具体的,当暗电流差异小于设定的门限值时,将暗电流和传感器增益的关系系数设为1;当暗电流差异大于设定的门限值时,则通过这些值计算出暗电流和传感器增益的关系系数C;
这里,OBoffset为暗电流差异平均值。
需说明的是,本步骤中,计算得到的暗电流和传感器增益的关系系数C以及暗电流差异平均值OBoffset均被烧录到图像传感器自带的OTP中,用于后期的读取调用。
最后,得到对应不同传感器增益下的暗电流计算公式,即
需要说明的是,各个感光像素子区域内的每个暗像素的位置信息也烧录到图像传感器自带的OTP中,这样可以给后端做坏点补偿,减少坏点对图像清晰度的影响。
2)感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;其中,所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素。
这里,以Z字形像素排列为例。
首先,在无光拍照条件下,即全黑环境下,设置传感器增益为1倍时,拍图片读取到长短曝光的暗电流值OBs0(短曝光电流值),OBl0(长曝光电流值);
这里,该步骤中读取到的暗电流值烧录到图像传感器自带的OTP中,用于后期的读取调用。
接着,在设置传感器增益分别为2倍、4倍、8倍、12倍、16倍直到最大传感器增益的条件下拍图片,分别统计短曝光和长曝光在以上设定的传感器增益下的暗电流值,分别计算出短曝光和长曝光在不同传感器增益下的暗电流值差异;
这里具体的,当暗电流差异小于设定的门限值时,将暗电流和传感器增益的关系系数设为1;当暗电流差异大于设定的门限值时,则通过这些值计算出短曝光暗电流和传感器增益的关系系数Cs和长曝光暗电流和传感器增益的关系系数Cl
这里,OBoffset为暗电流差异平均值,包括短曝光暗电流差异平均值OBoffsets和长曝光暗电流差异平均值OBoffsetl
需说明的是,本步骤中,计算得到的暗电流和传感器增益的关系系数Cs、Cl以及暗电流差异平均值OBoffset均被烧录到图像传感器自带的OTP中,用于后期的读取调用。
最后,得到对应不同传感器增益下的暗电流计算公式,即
在图1所示的基础上,优选的,如图10所示,在步骤102之后,所述方法还包括:
步骤105,将所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值从通过所述图像传感器输出的每个像素中扣除。
这里需说明的是,对于上述将感光像素区域划分为若干个感光像素子区域的暗像素排列方式中,每个感光像素子区域的像素都扣除该区域计算出来的暗电流值。而且为了避免相邻感光像素子区域计算出来的暗电流差异太大,导致相邻像素扣除值差异大,而产生色彩过渡不平滑问题,可以将每个区域相邻的两行像素采用加权计算暗电流值,保证过渡平滑性。
对于感光像素区域包括预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域的暗像素排列方式中,分别对全像素短曝光图像和全像素长曝光图像中的每个像素都扣除计算出来的暗电流值。
需要说明的是,对暗电流的扣除处理是为了提升图像传感器捕获到的图像的质量。
进一步的,本步骤在扣除暗电流后,原来饱和的像素会变得不饱和,为了使像素仍然可以达到饱和,在扣除暗电流的基础上,再乘以一系数,让本身饱和的像素仍然饱和,而扣除后为0的像素,乘以系数后仍然为0;这样,可以进一步提升图像质量。
步骤106,对扣除暗电流值后的图像信号进行图像信号处理,生成目标预览图像。
具体的,图像信号处理可包括:BPC(坏像素矫正,Bad Pixel Correction)镜头矫正等等。
综上所述,本发明实施例提供的暗电流处理方法,通过预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系以及终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,确定图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样,在后续地暗电流扣除处理时,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。
图11为本发明一实施例提供的移动终端结构示意图。如图11所示,该移动终端400包括:
第一获取模块401,用于在摄像头采集预览图像时,获取图像传感器的当前传感器增益值;
暗电流确定模块402,用于基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。
优选地,所述感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数;
在图11的基础上,可选地,如图12所示,所述暗电流确定模块402可包括:
第一暗电流确定子模块4021,用于根据公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,OBr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流;OBcr表示标定暗电流,所述标定暗电流用于表示无光拍照条件下,且传感器增益为1时对应的所述感光像素子区域内暗像素的电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetr表示不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
优选地,所述感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;
所述暗电流确定模块402可包括:
第二暗电流确定子模块4022,用于根据公式和公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素;
OBl表示长曝光暗像素的暗电流;OBcl表示长曝光暗像素的标定暗电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cl表示长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetl表示不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值;OBs表示短曝光暗像素的暗电流;OBcs表示短曝光暗像素的标定暗电流值;Cs表示短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsets表示不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
可选地,所述移动终端400还包括:
坏点补偿模块403,用于在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值之后,基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值之前,根据预先获得的所述图像传感器中分布于感光像素区域内每个暗像素的位置信息,对每个所述暗像素进行坏点补偿。
可选地,所述移动终端400还包括:
像素分离模块404,用于在基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值之后,对所述图像传感器输出的经长短曝光后的原始图像进行像素分离,生成长曝光图像和短曝光图像;
画面重建模块405,用于分别对所述长曝光图像和短曝光图像进行画面重建,生成全像素长曝光图像和全像素短曝光图像,其中,所述长曝光图像的像素个数和短曝光图像的像素个数均为所述原始图像的像素个数的二分之一;所述全像素长曝光图像的像素个数和所述全像素短曝光图像的像素个数均等于所述原始图像的像素个数。
可选地,所述移动终端400还包括:
第二获取模块406,用于在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值之前,在无光拍照条件下,分别获取所述图像传感器在不同传感器增益下,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
对应关系确定模块407,用于根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系。
具体的,所述对应关系确定模块407可包括:
第三暗电流确定子模块4071,用于确定不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值;
对应关系确定子模块4072,用于根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流的关系系数。
可选地,所述移动终端400还包括:
扣除模块408,用于在基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值之后,将所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值从通过所述图像传感器输出的每个像素中扣除;
图像处理模块409,用于对扣除暗电流值后的图像信号进行图像信号处理,生成目标预览图像。
本发明实施例提供的移动终端,暗电流确定模块通过预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系以及第一获取模块获得的终端的摄像头采集预览图像时,图像传感器的当前传感器增益值,确定图像传感器的感光像素内每个暗像素的暗电流值,这样,在后续地暗电流扣除处理时,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。
本发明实施例还提供一种移动终端,包括处理器,存储器,存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述暗电流处理方法实施例的各个过程,且能达到相同的技术效果,为避免重复,这里不再赘述。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述暗电流处理方法实施例的各个过程,且能达到相同的技术效果,为避免重复,这里不再赘述。其中,所述的计算机可读存储介质,如只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM)、磁碟或者光盘等。
如图13所示,为本发明又一实施例提供的移动终端结构示意图。图13所示的移动终端500,包括:
至少一个处理器501、存储器502、摄像头506、至少一个网络接口504和用户接口503。移动终端500中的各个组件通过总线***505耦合在一起。可理解,总线***505用于实现这些组件之间的连接通信。总线***505除包括数据总线之外,还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见,在图13中将各种总线都标为总线***505。
其中,用户接口503可以包括显示器、键盘或者点击设备(例如,鼠标,轨迹球(trackball)、触感板或者触摸屏等。
其中,摄像头506可以包括镜头、马达、滤色片、底座、图像传感器5061、马达驱动芯片、线路基板、连接器、电容等周边元器件。
可以理解,本发明实施例中的存储器502可以是易失性存储器或非易失性存储器,或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM,EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM,EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory,RAM),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM,DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM,SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data RateSDRAM,DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM,ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch link DRAM,SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(DirectRambus RAM,DRRAM)。本文描述的***和方法的存储器502旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
在一些实施方式中,存储器502存储了如下的元素,可执行模块或者数据结构,或者他们的子集,或者他们的扩展集:操作***5021和应用程序5022。
其中,操作***5021,包含各种***程序,例如框架层、核心库层、驱动层等,用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序5022,包含各种应用程序,例如媒体播放器(Media Player)、浏览器(Browser)等,用于实现各种应用业务。实现本发明实施例方法的程序可以包含在应用程序3022中。
在本发明实施例中,移动终端500还包括:存储在存储器502并可在处理器501上运行的计算机程序,具体地,可以是在应用程序5022中的计算机程序,计算机程序被处理器501执行时实现如下步骤:在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。
这里需要说明的是,传感器增益与暗电流之间的对应关系可存储于存储器502中,处理器501可调用存储器502中的传感器增益与暗电流之间的对应关系。
优选地,所述感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数;
可选地,所述处理器501用于:根据公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,OBr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流;OBcr表示标定暗电流,所述标定暗电流用于表示无光拍照条件下,且传感器增益为1时对应的所述感光像素子区域内暗像素的电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetr表示不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
这里需要说明的是,标定暗电流、感器基本增益、感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数以及不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值可存储于存储器502中,处理器501可调用存储器502中的标定暗电流、感器基本增益、感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数以及不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
优选地,所述感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;
可选地,所述处理器501用于:根据公式和公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素;
OBl表示长曝光暗像素的暗电流;OBcl表示长曝光暗像素的标定暗电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cl表示长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetl表示不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值;OBs表示短曝光暗像素的暗电流;OBcs表示短曝光暗像素的标定暗电流值;Cs表示短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsets表示不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
这里需要说明的是,长曝光暗像素的标定暗电流值、短曝光暗像素的标定暗、电流值感器基本增益、长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值以及不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值可存储于存储器502中,处理器501可调用存储器502中的长曝光暗像素的标定暗电流值、短曝光暗像素的标定暗、电流值感器基本增益、长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值以及不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
可选地,所述处理器501用于:根据预先获得的所述图像传感器中分布于感光像素区域内每个暗像素的位置信息,对每个所述暗像素进行坏点补偿。
这里需要说明的是,每个暗像素的位置信息可存储于存储器502中,处理器501可调用存储器502中的每个暗像素的位置信息。
可选地,所述处理器501用于:对所述图像传感器输出的经长短曝光后的原始图像进行像素分离,生成长曝光图像和短曝光图像;分别对所述长曝光图像和短曝光图像进行画面重建,生成全像素长曝光图像和全像素短曝光图像;其中,所述长曝光图像的像素个数和短曝光图像的像素个数均为所述原始图像的像素个数的二分之一;所述全像素长曝光图像的像素个数和所述全像素短曝光图像的像素个数均等于所述原始图像的像素个数。
可选地,所述处理器501用于:在无光拍照条件下,分别获取所述图像传感器在不同传感器增益下,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系。
可选地,所述处理器501用于:确定不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值;根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流的关系系数。
这里需要说明的是,预设门限值可存储于存储器502中,处理器501可调用存储器502中的预设门限值。
可选地,所述处理器501用于:将所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值从通过所述图像传感器输出的每个像素中扣除;对扣除暗电流值后的图像信号进行图像信号处理,生成目标预览图像。
本发明的终端如可以是手机、平板电脑、个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)、或车载电脑等等移动终端。
移动终端500能够实现前述实施例中终端实现的各个过程,为避免重复,这里不再赘述。
本发明实施例的移动终端500,计算机程序被处理器501执行时实现如下步骤:在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素,如此,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。
上述本发明实施例揭示的方法均可以应用于处理器501中,或者由处理器501实现。处理器501可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过处理器501中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器501可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现成可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器,闪存、只读存储器,可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的计算机可读存储介质中。该计算机可读存储介质位于存储器502,处理器501读取存储器502中的信息,结合其硬件完成上述方法的步骤。具体地,该计算机可读存储介质上存储有截屏处理程序,截屏处理程序被处理器501执行时实现如上述截屏方法实施例的各步骤。
可以理解的是,本文描述的这些实施例可以用硬件、软件、固件、中间件、微码或其组合来实现。对于硬件实现,处理单元可以实现在一个或多个专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuits,ASIC)、数字信号处理器(Digital Signal Processing,DSP)、数字信号处理设备(DSP Device,DSPD)、可编程逻辑设备(Programmable LogicDevice,PLD)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)、通用处理器、控制器、微控制器、微处理器、用于执行本申请所述功能的其它电子单元或其组合中。
对于软件实现,可通过执行本文所述功能的模块(例如过程、函数等)来实现本文所述的技术。软件代码可存储在存储器中并通过处理器执行。存储器可以在处理器中或在处理器外部实现。
如图14所示,为本发明再一实施例提供的移动终端结构示意图。图14所示的移动终端600,包括:
射频(Radio Frequency,RF)电路610、存储器620、输入单元630、显示单元640、摄像头650、处理器660、音频电路670、WiFi(Wireless Fidelity)模块680和电源690。
其中,输入单元630可用于接收用户输入的数字或字符信息,以及产生与终端600的用户设置以及功能控制有关的信号输入。具体地,本发明实施例中,该输入单元630可以包括触控面板631。触控面板631,也称为触摸屏,可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板631上的操作),并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的,触控面板631可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中,触摸检测装置检测用户的触摸方位,并检测触摸操作带来的信号,将信号传送给触摸控制器;触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息,并将它转换成触点坐标,再送给该处理器660,并能接收处理器660发来的命令并加以执行。此外,可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板631。除了触控面板631,输入单元630还可以包括其他输入设备632,其他输入设备632可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种。
其中,显示单元640可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端600的各种菜单界面。显示单元640可包括显示面板641,可选的,可以采用LCD或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)等形式来配置显示面板641。
应注意,触控面板631可以覆盖显示面板641,形成触摸显示屏,当该触摸显示屏检测到在其上或附近的触摸操作后,传送给处理器660以确定触摸事件的类型,随后处理器660根据触摸事件的类型在触摸显示屏上提供相应的视觉输出。
其中,摄像头650可以包括镜头、马达、滤色片、底座、图像传感器651、马达驱动芯片、线路基板、连接器、电容等周边元器件。
触摸显示屏包括应用程序界面显示区及常用控件显示区。该应用程序界面显示区及该常用控件显示区的排列方式并不限定,可以为上下排列、左右排列等可以区分两个显示区的排列方式。该应用程序界面显示区可以用于显示应用程序的界面。每一个界面可以包含至少一个应用程序的图标和/或widget桌面控件等界面元素。该应用程序界面显示区也可以为不包含任何内容的空界面。该常用控件显示区用于显示使用率较高的控件,例如,设置按钮、界面编号、滚动条、电话本图标等应用程序图标等。
其中处理器660是移动终端600的控制中心,利用各种接口和线路连接整个手机的各个部分,通过运行或执行存储在第一存储器621内的软件程序和/或模块,以及调用存储在第二存储器622内的数据,执行移动终端600的各种功能和处理数据,从而对移动终端600进行整体监控。可选的,处理器660可包括一个或多个处理单元。
在本发明实施例中,移动终端600还包括:存储在第一存储器621并可在处理器660上运行的暗电流处理程序和存储在第二存储器622内并可被处理器660调用的数据,具体地,暗电流处理程序被处理器660执行时实现如下步骤:在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素。
这里需要说明的是,传感器增益与暗电流之间的对应关系可存储于第二存储器622中,处理器660可调用第二存储器622中的传感器增益与暗电流之间的对应关系。
优选地,所述感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数;
可选地,所述处理器660用于:根据公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,OBr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流;OBcr表示标定暗电流,所述标定暗电流用于表示无光拍照条件下,且传感器增益为1时对应的所述感光像素子区域内暗像素的电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetr表示不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
这里需要说明的是,标定暗电流、感器基本增益、感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数以及不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值可存储于第二存储器622中,处理器660可调用第二存储器622中的标定暗电流、感器基本增益、感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数以及不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
优选地,所述感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;
可选地,所述处理器660用于:根据公式和公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素;
OBl表示长曝光暗像素的暗电流;OBcl表示长曝光暗像素的标定暗电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cl表示长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetl表示不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值;OBs表示短曝光暗像素的暗电流;OBcs表示短曝光暗像素的标定暗电流值;Cs表示短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsets表示不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
这里需要说明的是,长曝光暗像素的标定暗电流值、短曝光暗像素的标定暗、电流值感器基本增益、长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值以及不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值可存储于第二存储器622中,处理器660可调用第二存储器622中的长曝光暗像素的标定暗电流值、短曝光暗像素的标定暗、电流值感器基本增益、长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数、不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值以及不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
可选地,所述处理器660用于:根据预先获得的所述图像传感器中分布于感光像素区域内每个暗像素的位置信息,对每个所述暗像素进行坏点补偿。
这里需要说明的是,每个暗像素的位置信息可存储于第二存储器622中,处理器660可调用第二存储器622中的每个暗像素的位置信息。
可选地,所述处理器660用于:对所述图像传感器输出的经长短曝光后的原始图像进行像素分离,生成长曝光图像和短曝光图像;分别对所述长曝光图像和短曝光图像进行画面重建,生成全像素长曝光图像和全像素短曝光图像;其中,所述长曝光图像的像素个数和短曝光图像的像素个数均为所述原始图像的像素个数的二分之一;所述全像素长曝光图像的像素个数和所述全像素短曝光图像的像素个数均等于所述原始图像的像素个数。
可选地,所述处理器660用于:在无光拍照条件下,分别获取所述图像传感器在不同传感器增益下,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系。
可选地,所述处理器660用于:确定不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值;根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流的关系系数。
这里需要说明的是,预设门限值可存储于第二存储器622中,处理器660可调用第二存储器622中的预设门限值。
可选地,所述处理器660用于:将所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值从通过所述图像传感器输出的每个像素中扣除;对扣除暗电流值后的图像信号进行图像信号处理,生成目标预览图像。
本发明实施例提供的移动终端600,计算机程序被处理器660执行时实现如下步骤:在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素,如此,能够更准确地处理局部的暗电流,避免出现暗电流处理不当造成所拍摄图像的偏色问题。
本发明的终端如可以是手机、平板电脑、个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)、或车载电脑等等移动终端。
移动终端600能够实现前述实施例中终端实现的各个过程,为避免重复,这里不再赘述。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的***、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来控制相关的硬件来完成,所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory,ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory,RAM)等。
本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例,例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种暗电流处理方法,其特征在于,包括:
在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值;
基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述感光像素区域内分布有暗像素;
所述感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数;
所述基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值的步骤,包括:
根据公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,OBr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流;OBcr表示标定暗电流,所述标定暗电流用于表示无光拍照条件下,且传感器增益为1时对应的所述感光像素子区域内暗像素的电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetr表示不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
2.根据权利要求1所述的暗电流处理方法,其特征在于,所述感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;
所述基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值的步骤,包括:
根据公式和公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素;
OBl表示长曝光暗像素的暗电流;OBcl表示长曝光暗像素的标定暗电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cl表示长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetl表示不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值;OBs表示短曝光暗像素的暗电流;OBcs表示短曝光暗像素的标定暗电流值;Cs表示短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsets表示不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
3.根据权利要求1所述的暗电流处理方法,其特征在于,在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值的步骤之后,基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值的步骤之前,所述方法还包括:
根据预先获得的所述图像传感器中分布于感光像素区域内每个暗像素的位置信息,对每个所述暗像素进行坏点补偿。
4.根据权利要求2所述的暗电流处理方法,其特征在于,所述基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值的步骤之后,所述方法还包括:
对所述图像传感器输出的经长短曝光后的原始图像进行像素分离,生成长曝光图像和短曝光图像;
分别对所述长曝光图像和短曝光图像进行画面重建,生成全像素长曝光图像和全像素短曝光图像;
其中,所述长曝光图像的像素个数和短曝光图像的像素个数均为所述原始图像的像素个数的二分之一;所述全像素长曝光图像的像素个数和所述全像素短曝光图像的像素个数均等于所述原始图像的像素个数。
5.根据权利要求1所述的暗电流处理方法,其特征在于,在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值的步骤之前,所述方法还包括:
在无光拍照条件下,分别获取所述图像传感器在不同传感器增益下,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系。
6.根据权利要求5所述的暗电流处理方法,其特征在于,根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系的步骤,包括:
确定不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值;
根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流的关系系数。
7.根据权利要求1所述的暗电流处理方法,其特征在于,所述基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值步骤之后,所述方法还包括:
将所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值从通过所述图像传感器输出的每个像素中扣除;
对扣除暗电流值后的图像信号进行图像信号处理,生成目标预览图像。
8.一种移动终端,其特征在于,包括:
第一获取模块,用于在摄像头采集预览图像时,获取图像传感器的当前传感器增益值;
暗电流确定模块,用于基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;其中,所述感光像素区域内分布有暗像素;
所述感光像素区域包括:M×N个感光像素子区域,每个所述感光像素子区域内的分布有至少两个暗像素,M、N为均正整数;
所述暗电流确定模块包括:
第一暗电流确定子模块,用于根据公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,OBr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流;OBcr表示标定暗电流,所述标定暗电流用于表示无光拍照条件下,且传感器增益为1时对应的所述感光像素子区域内暗像素的电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cr表示感光像素子区域内暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetr表示不同传感器增益下的感光像素子区域内暗像素的暗电流差异平均值。
9.根据权利要求8所述的移动终端,其特征在于,所述感光像素区域包括:具有预设像素排列方式的长曝光感光像素区域和短曝光感光像素区域;
所述暗电流确定模块包括:
第二暗电流确定子模块,用于根据公式和公式计算所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
其中,所述长曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个长曝光暗像素,所述短曝光感光像素区域内按照所述预设像素排列方式分布有至少两个短曝光暗像素;
OBl表示长曝光暗像素的暗电流;OBcl表示长曝光暗像素的标定暗电流值;G表示传感器增益;Gb表示传感器基本增益;Cl表示长曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsetl表示不同传感器增益下长曝光暗像素的暗电流差异平均值;OBs表示短曝光暗像素的暗电流;OBcs表示短曝光暗像素的标定暗电流值;Cs表示短曝光暗像素的暗电流与传感器增益的关系系数;OBoffsets表示不同传感器增益下短曝光暗像素的暗电流差异平均值。
10.根据权利要求8所述的移动终端,其特征在于,所述移动终端还包括:
坏点补偿模块,用于在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值之后,基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值之前,根据预先获得的所述图像传感器中分布于感光像素区域内每个暗像素的位置信息,对每个所述暗像素进行坏点补偿。
11.根据权利要求9所述的移动终端,其特征在于,所述移动终端还包括:
像素分离模块,用于在基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值之后,对所述图像传感器输出的经长短曝光后的原始图像进行像素分离,生成长曝光图像和短曝光图像;
画面重建模块,用于分别对所述长曝光图像和短曝光图像进行画面重建,生成全像素长曝光图像和全像素短曝光图像;
其中,所述长曝光图像的像素个数和短曝光图像的像素个数均为所述原始图像的像素个数的二分之一;所述全像素长曝光图像的像素个数和所述全像素短曝光图像的像素个数均等于所述原始图像的像素个数。
12.根据权利要求8所述的移动终端,其特征在于,所述移动终端还包括:
第二获取模块,用于在摄像头采集预览图像过程中,获取图像传感器的当前传感器增益值之前,在无光拍照条件下,分别获取所述图像传感器在不同传感器增益下,所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值;
对应关系确定模块,用于根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流之间的对应关系。
13.根据权利要求12所述的移动终端,其特征在于,所述对应关系确定模块包括:
第三暗电流确定子模块,用于确定不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值;
对应关系确定子模块,用于根据不同传感器增益下的每个暗像素的暗电流值之间的差异值大于预设门限值的暗电流值,确定不同传感器增益与暗电流的关系系数。
14.根据权利要求8所述的移动终端,其特征在于,所述移动终端还包括:
扣除模块,用于在基于所述当前传感器增益值和预设的传感器增益与暗电流之间的对应关系,确定所述图像传感器的感光像素区域内每个暗像素的暗电流值之后,将所述感光像素区域内每个暗像素的暗电流值从通过所述图像传感器输出的每个像素中扣除;
图像处理模块,用于对扣除暗电流值后的图像信号进行图像信号处理,生成目标预览图像。
15.一种移动终端,其特征在于,包括:处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的暗电流处理方法的步骤。
16.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述暗电流处理方法的步骤。
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