CN107459813A - 一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及无铅屏蔽领域，具体的说是一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体。包括腔体，其特征在于：所述腔体的上方开口，腔体的底部设有底脚，所述底脚呈长条形且底脚水平放置在腔体的底部，所述腔体和底脚由钨粉、尼龙和有机酸制成；其制备方法包括如下步骤：1）步骤1，取钨粉，对钨粉进行改性；2）步骤2，将改性的钨粉和尼龙、有机酸共混得到共混材料，共混温度为220‑250℃；3）步骤3，注射成型，将共混材料放入模具，模温130‑145℃，压力65‑80Mpa；3）步骤4，从模具中取出注射成型的共混材料，待降温后即可得用于屏蔽高能射线的无铅腔体。本发明同现有技术相比，结构简单，制造方便；采用一体成型的技术，比传统的屏蔽腔体寿命更长，屏蔽效果更好。

Description

一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法
技术领域
本发明涉及无铅屏蔽领域，具体的说是一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法。
背景技术
目前的用于屏蔽高能射线的墙体多采用铅金属结合铝金属进行加工，并依次经过破碎、造粒、注塑成型的步骤，工艺较为繁琐，同时由于铅金属是有毒金属，会对使用人员的健康造成严重危害；并且，铅金属的塑形较差，如果制备用于屏蔽高能射线的腔体需要与铝金属相结合，借助铝金属的塑形来制备，而由于铅金属和铝金属结合后会产生缝隙，会造成腔体无法有效屏蔽高能射线，会产生屏蔽一部分高能射线的同时漏过一部分高能射线的情况，可靠性较差。
发明内容
本发明为克服现有技术的不足，设计一种一体成型的用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法，简化结构，并使得制造更加方便。
为实现上述目的，设计一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法，包括腔体，其特征在于：所述腔体的上方开口，腔体的底部设有底脚，所述底脚呈长条形且底脚水平放置在腔体的底部，所述腔体和底脚由钨粉、尼龙和有机酸制成；
其制备方法包括如下步骤：1）步骤1，取钨粉，对钨粉进行改性；2）步骤2，将改性的钨粉和尼龙、有机酸共混得到共混材料，共混温度为220-250℃；3）步骤3，注射成型，将共混材料放入模具，模温130-145℃，压力65-80Mpa；3）步骤4，从模具中取出注射成型的共混材料，待降温后即可得用于屏蔽高能射线的无铅腔体。
所述步骤1中的钨粉质量百分比为5%wt-96%wt，所述钨粉颗粒的粒径为1-50μm，钨粉和尼龙质量百分比之和为99.9%wt，有机酸的质量百分比为0.1%wt。
所述有机酸包括软脂酸、硬脂酸或丙烯酸中的任一种。
所述尼龙可以使用尼龙6、尼龙66或尼龙12等中的任一种。
所述步骤2中共混材料在放入模具之前，需要进行加热，将共混材料的料温分五段分别加热，加热温度分别为230、245、245、245和240℃。
所述步骤4中用于屏蔽高能射线的无铅腔体后可以对无铅腔体进行机械加工精雕。
本发明同现有技术相比，结构简单，制造方便；采用一体成型的技术，比传统的屏蔽腔体寿命更长，屏蔽效果更好。
附图说明
图1为本发明中腔体正面的结构示意图。
图2为本发明中腔体背面的结构示意图。
图3为本发明的正视图。
图4为本发明的俯视图。
图5为本发明的工艺流程图。
参见图1～图5中，1是腔体，2是底脚。
具体实施方式
下面根据附图对本发明做进一步的说明。
如图1～图4所示，所述腔体1的上方开口，腔体1的底部设有底脚2，所述底脚2呈长条形且底脚2水平放置在腔体1的底部，所述腔体1和底脚2由钨粉、尼龙和有机酸制成。
如图5所示，一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）步骤1，取钨粉，对钨粉进行改性；2）步骤2，将改性的钨粉和尼龙、有机酸共混得到共混材料，共混温度为230℃；3）步骤3，注塑成型，将共混材料放入模具，模温130-145℃，压力65-80Mpa；4）步骤4，从模具中取出注塑成型的共混材料，待降温后即可得用于屏蔽高能射线的无铅腔体。
所述步骤1中的钨粉质量百分比为5%wt-96%wt，所述钨粉颗粒的粒径为1-50μm，钨粉和尼龙质量百分比之和为99.9%wt，有机酸的质量百分比为0.1%wt。其中有机酸包括软脂酸、硬脂酸或丙烯酸中的任一种；所述尼龙可以使用尼龙6、尼龙66或尼龙12等中的任一种。。
所述步骤2中共混材料在放入模具之前，需要进行加热，将共混材料的料温分五段分别加热，加热温度分别为230、245、245、245和240℃。
实施例：
取95% wt的钨粉、4.9% wt的尼龙6和0.1 % wt的硬脂酸，进行共混，共混温度为230℃；将共混好的材料加入注塑机，设定参数料温分5段，分别是230℃、245℃、245℃、245℃和240℃，模温140℃，压力70Mpa，注射成型；将注射成型好的半成品取出，待降温后，进行机械加工精雕。

Claims (6)

1.一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法，包括腔体，其特征在于：所述腔体（1）的上方开口，腔体（1）的底部设有底脚（2），所述底脚（2）呈长条形且底脚（2）水平放置在腔体（1）的底部，所述腔体（1）和底脚（2）由钨粉、尼龙和有机酸制成；
其制备方法包括如下步骤：1）步骤1，取钨粉，对钨粉进行改性；2）步骤2，将改性的钨粉和尼龙、有机酸共混得到共混材料，共混温度为220-250℃；3）步骤3，注射成型，将共混材料放入模具，模温130-145℃，压力65-80Mpa；4）步骤4，从模具中取出注射成型的共混材料，待降温后即可得用于屏蔽高能射线的无铅腔体。
2.如权利要求1所述的一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的钨粉质量百分比为5%wt-96%wt，所述钨粉颗粒的粒径为1-50μm，钨粉和尼龙质量百分比之和为99.9%wt，有机酸的质量百分比为0.1%wt。
3.如权利要求1所述的一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法的制备方法，其特征在于：所述有机酸可以使用软脂酸、硬脂酸或丙烯酸等中的任一种。
4.如权利要求1所述的一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法的制备方法，其特征在于：所述尼龙可以使用尼龙6、尼龙66或尼龙12等中的任一种。
5.如权利要求1所述的一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法的制备方法，其特征在于：所述步骤2中共混材料在放入模具之前，需要进行加热，将共混材料的料温分五段分别加热，加热温度分别为230、245、245、245和240℃。
6.如权利要求1所述的一种一体成型用于屏蔽高能射线的无铅腔体及其制备方法的制备方法，其特征在于：所述步骤4中用于屏蔽高能射线的无铅腔体后可以对无铅腔体进行机械加工精雕。
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