CN107446148A - 一种适用于合成石墨的pi膜的制备方法 - Google Patents

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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors

Abstract

本发明公开了一种适用于合成石墨的PI膜的制备方法，包括以下步骤：准备好PI原液，该PI原液由苯四甲酸二酐PMDA和二胺基二苯醚DDE溶解形成；将PI原液均匀涂覆在耐热板上，该耐热板在传输带上传送；然后耐热板进入到烘烤炉中进行亚胺化，烘烤炉的温度保持在280‑320℃，接着在580‑620℃的温度下进行硫化处理；冷却，PI原液在耐热板上形成PI膜，将该PI膜从耐热板上剥离出来进行收卷，得到成品PI膜。本发明制造成本较低，操作方便。

Description

一种适用于合成石墨的PI膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种PI膜的制备方法，具体地说是一种作为合成石墨的PI膜的制备方法。
背景技术
目前，各类型的电子终端，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等，这些设备的功能越来越强大，运算速度越来越快，越来越轻薄，从而使得散热成为一个难以回避的问题，由于产品整体上来越来轻薄，因此其产生的热量或者发热点也越来越集中。
人工石墨膜导热材料，因其特有的低密度和高导热系数成为现代电子类产品解决散热导热技术的首先材料。目前石墨材料已经得到越来越广泛的应用。人工合成石墨主要采用PI膜作为原材料进行生产。
目前的适用于制造合成石墨的PI膜，其制备方法通常为：1、通过将PI原液浸渍制成板上，然后固化成型。2、流延+拉伸，将PI原液进行流延处理，然后进行拉伸，确保具有一定的抗拉强度。由于需要进行拉伸，因此增加了工序和操作成本。而在实际使用中，部分场合应用的石墨片并不需要太大的抗拉强度，即用于制造石墨的PI膜原材料不需要较大的抗拉度，此时如果还是选用常用的PI膜材料，则成本会较高。此外，PI原液为苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(DDE)在强极性溶剂中溶解形成，此为本领域技术人员所熟知的技术，在此不再赘述。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种适用于合成石墨的PI膜的制备方法，操作方便，制造成本较低。
为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：
一种适用于合成石墨的PI膜的制备方法，包括以下步骤：
准备好PI原液，该PI原液由苯四甲酸二酐PMDA和二胺基二苯醚DDE溶解形成；
将PI原液均匀涂覆在耐热板上，该耐热板在传输带上传送；
然后耐热板进入到烘烤炉中进行亚胺化，烘烤炉的温度保持在280-320℃，接着在580-620℃的温度下进行硫化处理；
冷却，PI原液在耐热板上形成PI膜，将该PI膜从耐热板上剥离出来进行收卷，得到成品PI膜。
所述烘烤炉为隧道炉。
所述涂覆PI原液时按照预设的厚度要求进行定量涂覆。
所述冷却时采用风冷却方式。
所述耐热板的表面平整面，且该耐热板由耐高温材料制成。
本发明操作方便，制造成本较低，固化成型的PI膜不需要经过拉伸，省去拉伸工序，可以使得不需要抗拉伸强度要求的场合使用，从而降低制作合成石墨的原材料的成本，具有更多的选择性。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合本发明作进一步的描述。
本发明揭示了一种适用于合成石墨的PI膜的制备方法，包括以下步骤：
准备好PI原液，该PI原液由苯四甲酸二酐PMDA和二胺基二苯醚DDE溶解形成，通常是在强极性溶剂中溶解。此为本领域技术人员的公知常识，在此不再详细赘述。将PI原液储存在相应的涂覆设置中。
将PI原液均匀涂覆在耐热板上，该耐热板在传输带上传送。通过涂覆设备将PI原液自动涂覆在耐热板上。根据所需要的厚度，定量的进行涂覆。该耐热板由耐高温材料制成，并且耐热板的表面设为光滑的平整面。
然后耐热板进入到烘烤炉中进行亚胺化，烘烤炉的温度保持在280-320℃，接着在580-620℃的温度下进行硫化处理。该烘烤炉优选为高温的隧道炉。PI原液经过亚胺化后固化成型，在耐热板上形成初步的薄膜。再进一步的经过硫化处理，排除其中的杂质。
冷却，PI原液在耐热板上形成PI膜，将该PI膜从耐热板上剥离出来进行收卷，得到成品PI膜。通常采用风冷却，或者自然冷却。冷却到常温后，即可方便的进行剥离操作，将PI膜从耐热板上剥离出来，然后进行收卷，形成一卷一卷的PI膜。
在本发明的整个制备过程中，省略对薄膜的拉伸工序，即形成薄膜后没有对其进行拉伸，从而节省一个工序，起到节省生产成本的作用，得到的PI膜可以作为部分场合使用的合成石墨的制作原料。避免目前所有的合成石墨的原材料都是同样性能的PI膜，避免造成成本的浪费。
需要说明的是，以上所述并非是对本发明的限定，在不脱离本发明的创造构思的前提下，任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种适用于合成石墨的PI膜的制备方法，包括以下步骤：
准备好PI原液，该PI原液由苯四甲酸二酐PMDA和二胺基二苯醚DDE溶解形成；
将PI原液均匀涂覆在耐热板上，该耐热板在传输带上传送；
然后耐热板进入到烘烤炉中进行亚胺化，烘烤炉的温度保持在280-320℃，接着在580-620℃的温度下进行硫化处理；
冷却，PI原液在耐热板上形成PI膜，将该PI膜从耐热板上剥离出来进行收卷，得到成品PI膜。
2.根据权利要求1所述的适用于合成石墨的PI膜的制备方法，其特征在于，所述烘烤炉为隧道炉。
3.根据权利要求2所述的适用于合成石墨的PI膜的制备方法，其特征在于，所述涂覆PI原液时按照预设的厚度要求进行定量涂覆。
4.根据权利要求3所述的适用于合成石墨的PI膜的制备方法，其特征在于，所述冷却时采用风冷却方式。
5.根据权利要求4所述的适用于合成石墨的PI膜的制备方法，其特征在于，所述耐热板的表面平整面，且该耐热板由耐高温材料制成。
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